半导体器件的制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有栅极，所述栅极的侧壁上依次形成有第一氧化层和氮化硅层；在所述氮化硅层的表面形成保护层；进行离子注入工艺，以在所述栅极两侧的衬底内分别形成第一离子注入区和第二离子注入区；以及，在所述保护层的表面形成第二氧化层，所述第一氧化层、所述氮化硅层、所述保护层和所述第二氧化层构成所述栅极的侧墙。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成所述第一离子注入区和所述第二离子注入区的过程包括：在所述衬底和所述栅极的表面形成图案化的第一光刻胶层，所述图案化的第一光刻胶层至少暴露所述栅极一侧的部分衬底；以所述图案化的第一光刻胶层和所述氮化硅层为掩模进行第一次离子注入工艺，以形成所述第一离子注入区；去除所述图案化的第一光刻胶层，在所述衬底和所述栅极的表面形成图案化的第二光刻胶层，所述图案化的第二光刻胶层至少暴露所述栅极的异于所述第一离子注入区一侧的部分衬底；以所述图案化的第二光刻胶层和所述氮化硅层为掩模进行第二次离子注入工艺，以形成所述第二离子注入区；以及，去除所述图案化的第二光刻胶层。3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺分别去除所述图案化的第一光刻胶层和所述图案化的第二光刻胶层，所述保护层在所述湿法刻蚀工艺中保护所述氮化硅层不受损伤。4.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀剂包括硫酸和过氧化氢的混合溶液，以及氨水和过氧化氢的混合溶液。5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述保护层为氧化层。6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述保护层的形成过程包括第一阶段、第二阶段、第三阶段和第四阶段，其中：所述第一阶段的工艺温度为200℃~350℃，腔室压力为200mt~680mt，工艺气体包括氧气，且氧气流量为1000sccm~1400sccm，工艺时间为40s~80s；所述第二阶段的工艺温度为200℃~350℃，腔室压力为2000mt~4600mt，工艺气体包括氧气、氢气和氮气，且氧气流量为5000sccm~7000sccm，氢气和氮气的流量均为1500sccm~2500sccm，工艺时间为40s~80s；所述第三阶段的工艺温度为200℃~350℃，腔室压力为2000mt~4600mt，工艺气体包括氧气、氢气和氮气，且氧气流量为5000sccm~7000sccm，氢气和氮气的流量均为1500sccm~2500sccm，工艺时间为50s~90s；所述第四阶段的工艺温度为200℃~350℃，腔室压力为500mt~2800mt，工艺气体包括氧气、氢气和氮气，且氧气流量为80sccm~150sccm，氢气和氮气的流量均为1500sccm~2500sccm，工艺时间为20s~40s。
7.根据权利要求1或6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第二氧化层的厚度大于所述保护层的厚度。8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述保护层的厚度范围为10
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。9.根据权利要求1或5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述保护层的材料与所述第二氧化层的材料相同。10.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一氧化层和所述第二氧化层的材料均包括氧化硅。

技术总结
本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有栅极，所述栅极的侧壁上依次形成有第一氧化层和氮化硅层；在所述氮化硅层的表面形成保护层；进行离子注入工艺，以在所述栅极两侧的衬底内分别形成第一离子注入区和第二离子注入区；以及，在所述保护层的表面形成第二氧化层，所述第一氧化层、所述氮化硅层、所述保护层和所述第二氧化层构成所述栅极的侧墙。本发明通过形成覆盖氮化硅层的保护层，减少或避免了多次湿法刻蚀对氮化硅层造成的损伤，从而确保半导体器件的电性稳定，提高了晶圆利用率。提高了晶圆利用率。提高了晶圆利用率。


技术研发人员：李淑慧 蔡承佑 邵迎亚 陈文璟
受保护的技术使用者：合肥晶合集成电路股份有限公司
技术研发日：2022.03.24
技术公布日：2022/4/22