阻抗匹配膜和电波吸收体的制作方法

1.本发明涉及阻抗匹配膜和电波吸收体。


背景技术：

2.以往，已知使用规定的膜来实现使电波吸收体的表面的阻抗与空气的特性阻抗一致的阻抗匹配的技术。另一方面，以往，尝试提供透明的电波吸收体。
3.例如，在专利文献1中记载了构成要素的全部层为透明或半透明的电波吸收体。在该电波吸收体中依次层叠有整面导体层、第一电介质层、线状图案电阻层、第二电介质层和图案层。根据该电波吸收体，能够在最外层的图案层中良好地发送和接收电磁波。由于图案层与第二电介质层接触，因此图案层发送和接收的电磁波向第二电介质层的泄漏大。由于第二电介质层与线状图案层接触，因此线状图案层能够将泄漏到第二电介质层的电磁波有效地转换为热。需要说明的是，具有1.0
×
10-4
ωcm以上且1.0
×
10-1
ωcm以下的体积电阻率的高电阻导体构成了线状图案电阻层。
4.现有技术文献
5.专利文献
6.专利文献1：日本特开2006-179671号公报


技术实现要素：

7.发明所要解决的问题
8.在专利文献1中记载的电波吸收体中，线状图案层将泄漏到第二电介质层的电磁波有效地转换为热，在专利文献1中未记载使用线状图案层来实现阻抗匹配。
9.另一方面，设想在使用配置在前灯和前挡风玻璃的周边的传感器的传感中需要具有透明性的阻抗匹配膜。此外，在第五代移动通信系统(5g)和物联网(iot)等涉及多方面的技术领域中，设想需要具有透明性并且有利于降低噪声的阻抗匹配膜。鉴于这样的情况，本发明提供具有透明性的新型的阻抗匹配膜。
10.用于解决问题的手段
11.本发明提供一种阻抗匹配膜，其中，
12.所述阻抗匹配膜具有沿着所述阻抗匹配膜的主面规则地形成的多个开口，并且
13.将形成所述阻抗匹配膜的材料的电阻率除以所述阻抗匹配膜的厚度而得到的值为1ω/
□
～300ω/
□
。
14.另外，本发明提供一种电波吸收体，其中，
15.所述电波吸收体具有：
16.上述阻抗匹配膜、
17.反射电波的反射体、和
18.电介质层，所述电介质层在所述阻抗匹配膜的厚度方向上配置在所述阻抗匹配膜与所述反射体之间。
19.发明效果
20.上述阻抗匹配膜为具有透明性的新型的阻抗匹配膜。
附图说明
21.图1a为表示本发明的阻抗匹配膜的一例的俯视图。
22.图1b为将图1a的ib-ib线作为切割线的阻抗匹配膜的剖视图。
23.图2a为表示本发明的阻抗匹配膜的另一例的俯视图。
24.图2b为表示本发明的阻抗匹配膜的另一例的俯视图。
25.图2c为表示本发明的阻抗匹配膜的另一例的俯视图。
26.图3a为表示本发明的电波吸收体的一例的剖视图。
27.图3b为表示本发明的电波吸收体的变形例的剖视图。
28.图3c为表示本发明的电波吸收体的另一变形例的剖视图。
29.图4为表示本发明的电波吸收体的另一例的剖视图。
具体实施方式
30.从为阻抗匹配膜带来透明性的观点考虑，阻抗匹配膜具有多个开口是有利的。此外，为了抑制阻抗匹配膜的透明性在空间上的偏差，沿着阻抗匹配膜的主面规则地形成多个开口是有利的。另一方面，根据本发明人等的研究可知，专利文献1的记载在制作这样的阻抗匹配膜方面不充分。因此，本发明人等反复进行了深入研究，结果新发现了，将形成阻抗匹配膜的材料的电阻率除以阻抗匹配膜的厚度而得到的值调节为规定的范围，在兼顾所期望的阻抗匹配和高透明性方面是有利的。本发明人等基于该新发现，提出了本发明的阻抗匹配膜。在本说明书中，除了特别说明的情况以外，“透明性”是指对可见光的透明性。
31.参照附图对本发明的实施方式进行说明。需要说明的是，本发明不限于以下的实施方式。
32.如图1a和图1b所示，阻抗匹配膜10a具有多个开口11。由此，阻抗匹配膜10a具有透明性。多个开口11沿着阻抗匹配膜10a的主面10f规则地形成。在本说明书中，主面10f是指在阻抗匹配膜10a的厚度方向上彼此分离地设置的表面和背面。多个开口11中的各个开口典型地在阻抗匹配膜10a中以通孔的形式形成。在阻抗匹配膜10a中，将形成阻抗匹配膜10a的材料的电阻率ρ[ω
·
m]除以阻抗匹配膜10a的厚度t[m]而得到的值ρ/t为1ω/
□
～300ω/
□
。需要说明的是，值ρ/t的量纲为ω，为了避免与电阻混淆，将值ρ/t的单位记载为ω/
□
。在阻抗匹配膜10a中，值ρ/t为1ω/
□
～300ω/
□
有利于在形成多个开口11以使得阻抗匹配膜10a具有所期望的透明性的同时实现所期望的阻抗匹配。
[0033]
形成阻抗匹配膜10a的材料的电阻率ρ例如可以通过从阻抗匹配膜10a提取规定尺寸的片段并测定该片段的电阻和尺寸来确定。另外，阻抗匹配膜10a的厚度t例如可以通过使用透射型电子显微镜(tem)观察阻抗匹配膜10a的截面来确定。
[0034]
在阻抗匹配膜10a中，ρ/t可以为250ω/
□
以下，可以为200ω/
□
以下，也可以小于200ω/
□
。由此，容易在形成多个开口11以使得提高阻抗匹配膜10a的透明性的同时实现所期望的阻抗匹配。
[0035]
在阻抗匹配膜10a中，ρ/t可以为2ω/
□
以上，可以为3ω/
□
以上，也可以为4ω/
□
以上。由此，容易利用阻抗匹配膜10a实现所期望的阻抗匹配。
[0036]
主面10f上的开口11的最大尺寸d1不限于特定值。最大尺寸d1例如为7.5
×
104μm以下。由此，能够利用阻抗匹配膜10a实现所期望的阻抗匹配，例如，使用阻抗匹配膜10a制作的电波吸收体容易对所期望的频率的电波发挥良好的电波吸收性能。如图1a所示，例如，在开口11在俯视下为四边形的情况下，最大尺寸d1可以相当于四边形的对角线的长度。
[0037]
最大尺寸d1可以为5.0
×
104μm以下，可以为0.5
×
104μm以下，可以为0.1
×
104μm以下，也可以为0.03
×
104μm以下。
[0038]
最大尺寸d1的下限值不限于特定值。最大尺寸d1例如为1μm以上，可以为5μm以上，也可以为10μm以上。由此，容易制作阻抗匹配膜10。
[0039]
在阻抗匹配膜10a中，开口11之间的距离的最小值d2不限于特定值。最小值d2例如为0.1μm～650μm。由此，在阻抗匹配膜10a更可靠地具有透明性的同时能够利用阻抗匹配膜10a实现所期望的阻抗匹配。例如，使用阻抗匹配膜10a制作的电波吸收体容易对所期望的频率的电波发挥良好的电波吸收性能。
[0040]
最小值d2可以为0.3μm以上，也可以为0.5μm以上。最小值d2可以为640μm以下，可以为600μm以下，可以为500μm以下，可以为400μm以下，也可以为300μm以下。
[0041]
只要ρ/t为1ω/
□
～300ω/
□
，则阻抗匹配膜10a的厚度t的值不限于特定值。阻抗匹配膜10a的厚度t例如为5nm～500nm。在此情况下，容易抑制阻抗匹配膜10a的翘曲，在阻抗匹配膜10a中不易产生裂纹。而且，容易抑制在将阻抗匹配膜10a置于规定的环境中时阻抗匹配膜10a的特性发生变化。
[0042]
阻抗匹配膜10a的厚度t可以为10nm以上，也可以为15nm以上。由此，更容易抑制在将阻抗匹配膜10a置于规定的环境中时阻抗匹配膜10a的特性发生变化。阻抗匹配膜10a的厚度t可以为450nm以下，也可以为400nm以下。由此，能够更可靠地抑制阻抗匹配膜10a的翘曲。
[0043]
只要ρ/t为1ω/
□
～300ω/
□
，则形成阻抗匹配膜10a的材料的电阻率ρ不限于特定值。ρ例如为5
×
10-6
ω
·
cm～2
×
10-3
ω
·
cm。在此情况下，在将ρ/t调节至所期望的范围时，阻抗匹配膜10的厚度t容易成为所期望的厚度。结果，容易抑制在将阻抗匹配膜10a置于规定的环境中时阻抗匹配膜10a的特性发生变化。而且，容易抑制阻抗匹配膜10a的翘曲，在阻抗匹配膜10a中不易产生裂纹。
[0044]
形成阻抗匹配膜10a的材料的电阻率ρ例如可以为1
×
10-5
ω
·
cm以上，也可以为5
×
10-5
ω
·
cm以上。由此，容易减小阻抗匹配膜10的厚度t，容易抑制阻抗匹配膜10a的翘曲。因此，在阻抗匹配膜10a中不易产生裂纹。形成阻抗匹配膜10a的材料的电阻率ρ例如可以为1.8
×
10-3
ω
·
cm以下，也可以为1.6
×
10-3
ω
·
cm以下。由此，容易增大阻抗匹配膜10的厚度t，容易抑制在将阻抗匹配膜10a置于规定的环境中时阻抗匹配膜10a的特性发生变化。
[0045]
只要规则地形成多个开口11，则其配置就不限于特定的配置。例如，在阻抗匹配膜10a中，多个开口11以其中心在主面10f上形成正方格的方式配置。
[0046]
只要规则地形成多个开口11，则其形状就不限于特定的形状。例如，根据阻抗匹配膜10a，多个开口11在俯视下为正方形。
[0047]
阻抗匹配膜10a中的多个开口11的开口率不限于特定值。阻抗匹配膜10a中的多个开口11的开口率例如为50％以上，可以为60％以上，也可以为70％以上。阻抗匹配膜10a中
的多个开口11的开口率例如为99％以下，可以为97％以下，也可以为95％以下。多个开口11的开口率为在俯视阻抗匹配膜10a时的多个开口11的开口面积sa相对于多个开口11的开口面积sa与阻抗匹配膜10a的非开口部的面积sb之和sa sb之比sa/(sa sb)。
[0048]
只要能够将p/t调节至1ω/
□
～300ω/
□
，则形成阻抗匹配膜10a的材料就不限于特定的材料。形成阻抗匹配膜10a的材料可以为金属、合金和金属氧化物等无机材料，也可以为导电聚合物和碳纳米管等有机材料。
[0049]
阻抗匹配膜10a可以为形成有多个通孔的具有均匀厚度的膜，也可以为织物。构成织物的纤维可以为导电聚合物和碳纳米管等有机材料，也可以为金属和合金等无机材料。
[0050]
如图1所示，阻抗匹配膜10a例如可以形成在基材22的一个主面上。在此情况下，利用带有阻抗匹配膜的膜15能够提供阻抗匹配膜10a。需要说明的是，可以不使用基材22而单独提供阻抗匹配膜10a。
[0051]
基材22例如发挥作为支撑阻抗匹配膜10a的支撑体的作用。带有阻抗匹配膜的膜15中的阻抗匹配膜10a例如可以通过如下方式制作：在利用溅射等成膜法在基材22的一个主面上形成的无孔膜上通过激光加工或蚀刻等形成多个开口11。根据情况，可以通过离子镀法或涂布(例如，棒涂)等成膜法形成用于阻抗匹配膜10a的无孔膜。
[0052]
基材22例如具有10μm～150μm的厚度，优选具有15μm～100μm的厚度。由此，基材22的弯曲刚性低，并且在形成阻抗匹配膜10a的情况下，能够抑制在基材22中产生褶皱或变形。
[0053]
关于多个开口11的配置和形状，阻抗匹配膜10a可以变更为图2a所示的阻抗匹配膜10b、图2b所示的阻抗匹配膜10c或图2c所示的阻抗匹配膜10d。除了特别说明的部分以外，阻抗匹配膜10b、阻抗匹配膜10c和阻抗匹配膜10d各自与阻抗匹配膜10a同样地构成。对与阻抗匹配膜10a的构成要素相同或对应的阻抗匹配膜10b、阻抗匹配膜10c和阻抗匹配膜10d各自的构成要素标注相同的符号，并省略详细的说明。关于阻抗匹配膜10a的说明，只要在技术上不矛盾，则也适用于阻抗匹配膜10b、阻抗匹配膜10c和阻抗匹配膜10d。
[0054]
如图2a所示，在阻抗匹配膜10b中，多个开口11在俯视下为圆形。此外，多个开口11以其中心在主面10f上形成平行四边形格子的方式配置。
[0055]
如图2b所示，在阻抗匹配膜10c中，多个开口11在俯视下为正六边形。此外，多个开口11以其中心在主面10f上形成平行四边形格子的方式配置。
[0056]
如图2c所示，在阻抗匹配膜10c中，多个开口11在俯视下为正三角形。此外，相同方向的正三角形的多个开口11以其中心在主面10f上形成平行四边形格子的方式配置。需要说明的是，在本说明书中，将俯视图形的重心视为俯视图形状的开口的中心。
[0057]
多个开口11在俯视下可以为长方形等其它的多边形或楕圆形。多个开口11可以以其中心在主面10f上形成长方形格子等其它的平面格子的方式配置。需要说明的是，在本说明书中，平面格子是指在向两个独立的方向各自平行移动一定距离时不变的平面上的点的排列。
[0058]
如图3a所示，例如，使用阻抗匹配膜10a能够提供电波吸收体1a。电波吸收体1a具有阻抗匹配膜10a、反射电波的反射体30和电介质层20。电介质层20在阻抗匹配膜10a的厚度方向上配置在阻抗匹配膜10a与反射体30之间。
[0059]
电波吸收体1a例如为λ/4型的电波吸收体。将电波吸收体1a设计为：当作为吸收对
象的波长λ0的电波入射到电波吸收体1a时，由阻抗匹配膜10a的表面上的反射(表面反射)产生的电波与由反射体30上的反射(背面反射)产生的电波发生干涉。在λ/4型的电波吸收体中，如下式(1)所示，利用电介质层的厚度t和电介质层的相对介电常数εr确定吸收对象的电波的波长λ0。即，通过适当调节电介质层的相对介电常数和厚度，能够设定吸收对象的波长的电波。在式(1)中，sqrt(εr)表示相对介电常数εr的平方根。
[0060]
λ0＝4t
×
sqrt(εr)
ꢀꢀꢀ
式(1)
[0061]
在电波吸收体1a中，开口11的最大尺寸d1例如为吸收峰波长λp的1/4以下。吸收峰波长λp为根据日本工业标准(jis)r 1679：2007对电波吸收体1a测定的反射量的绝对值达到最大时的电波的波长。换言之，吸收峰波长λp为在电波吸收体1a中电波吸收量达到最大的电波的波长。电波吸收量为根据jis r 1679：2007测定的反射量的绝对值。根据这样的构成，在电波吸收体1a中适当地产生吸收峰波长λp的电波的表面反射，电波吸收体1a能够良好地吸收吸收峰波长λp的电波。
[0062]
电波吸收体1a例如对具有1ghz以上的频率的电波进行阻抗匹配。由此，电波吸收体1a能够有效地吸收具有1ghz以上的频率的电波。
[0063]
电波吸收体1a进行阻抗匹配的电波的频率可以为1ghz以上，可以为4ghz以上，也可以为20ghz以上。电波吸收体1a进行阻抗匹配的电波的频率例如为3000ghz以下，可以为300ghz以下，也可以为100ghz以下。
[0064]
反射体30只要能够反射吸收对象的电波就不限于特定的形态。反射体30例如为透明导电膜。在此情况下，反射体30具有透明性，容易使电波吸收体1a的整体透明。形成透明导电膜的材料可以为金属、合金和金属氧化物等无机材料，也可以为导电聚合物和碳纳米管等有机材料。
[0065]
透明导电膜例如具有沿着透明导电膜的主面规则地形成的多个开口31。根据这样的构成，反射体30能够适当地反射吸收对象的电波，并且容易具有所期望的透明性。透明导电膜可以为无孔膜。
[0066]
在反射体30具有多个开口31的情况下，阻抗匹配膜10a可以为形成有多个通孔的具有均匀厚度的膜，也可以为织物。构成织物的纤维可以为导电聚合物和碳纳米管等有机材料，也可以为金属和合金等无机材料。
[0067]
反射体30中的多个开口31的形状不限于特定的形状。多个开口31的形状例如在俯视下可以为三角形、正方形和长方形等四边形、六边形、其它的多边形、圆形或楕圆形。
[0068]
反射体30中的多个开口31的配置不限于特定的配置。多个开口31例如可以以多个开口31的中心形成正方形格子和平行四边形格子等平面格子的方式配置。
[0069]
电介质层20例如具有2.0～20.0的相对介电常数。在此情况下，容易调节电介质层20的厚度，容易调节电波吸收体1a的电波吸收性能。电介质层20的相对介电常数例如为利用空腔谐振法测定的10ghz下的相对介电常数。
[0070]
电介质层20例如由规定的聚合物形成。电介质层20例如包含选自由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、氯乙烯树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸类树脂、丙烯酸类聚氨酯树脂、聚乙烯、聚丙烯、聚硅氧烷、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺和环烯烃聚合物构成的组中的至少一种聚合物。在此情况下，容易调节电介质层20的厚度，并且能够保持低电波吸收体1a的制造成本。电介质层20例如可以通过对规定的树脂组合物进行热压
来制作。
[0071]
电介质层20可以形成为单一的层，也可以通过由相同或不同的材料形成的多个层形成。在电介质层20具有n个层(n为2以上的整数)的情况下，电介质层20的相对介电常数例如以以下的方式确定。测定各层的相对介电常数εi(i为1～n的整数)。接着，将测定的各层的相对介电常数εi乘以该层的厚度ti相对于电介质层20的整体t的厚度的比例，从而求出εi×
(ti/t)。通过将所有层的εi×
(ti/t)相加，能够确定电介质层20的相对介电常数。
[0072]
如图3a所示，电介质层20例如具有第一层21、第二层22和第三层23。第一层21配置在第二层22与第三层23之间。第一层21例如包含选自由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、氯乙烯树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸类树脂、丙烯酸类聚氨酯树脂、聚乙烯、聚丙烯、聚硅氧烷、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺和环烯烃聚合物构成的组中的至少一种聚合物。
[0073]
在电波吸收体1a中，第二层22兼用作阻抗匹配膜10a的基材。第二层22例如配置在比阻抗匹配膜10a更靠近反射体30的位置。如图3b所示，第二层22可以配置在比阻抗匹配膜10a更远离反射体30的位置。在此情况下，通过第一层21和第三层23构成电介质层20。在此情况下，通过第二层22保护阻抗匹配膜10a和电介质层20，电波吸收体1a具有高耐久性。在此情况下，例如，阻抗匹配膜10a可以与第一层21接触。第二层22的材料例如为聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、丙烯酸类树脂(pmma)、聚碳酸酯(pc)、聚酰亚胺(pi)或环烯烃聚合物(cop)。其中，从良好的耐热性、尺寸稳定性与制造成本的平衡的观点考虑，第二层22的材料优选为pet。
[0074]
在电波吸收体1a中，第三层23例如支撑反射体30。在此情况下，反射体30例如可以通过使用溅射、离子镀法或涂布(例如，棒涂)等方法在第三层23上进行成膜来制作。此外，可以通过激光加工和蚀刻等形成多个开口11。如图3a所示，第三层23例如配置在电波吸收体1a中的比反射体30更靠近阻抗匹配膜10a的位置，构成电介质层20的一部分。需要说明的是，如图3c所示，第三层23可以配置在比反射体30更远离阻抗匹配膜10a的位置。在此情况下，例如反射体30与第一层21接触。
[0075]
作为第三层23的材料，例如可以使用作为第二层22的材料而例示的材料。第三层23的材料可以与第二层22的材料相同，也可以不同。从良好的耐热性、尺寸稳定性与制造成本的平衡的观点考虑，第三层23的材料优选为pet。
[0076]
第三层23例如具有10μm～150μm的厚度，优选具有15μm～100μm的厚度。由此，在第三层23的弯曲刚性低并且在形成反射体30的情况下，能够抑制第三层23中的褶皱的产生或变形。需要说明的是，第三层23可以根据情况省略。
[0077]
第一层21可以由多个层构成。特别是，如图3b或图3c所示，在第一层21与阻抗匹配膜10a和反射体30中的至少一者接触的情况下，第一层21可以由多个层构成。
[0078]
第一层21可以具有粘合性，也可以不具有粘合性。在第一层21具有粘合性的情况下，可以将粘合层配置成与第一层21的两主面中的至少一者接触，也可以不将粘合层配置成与该两主面接触。在第一层21不具有粘合性的情况下，优选将粘合层配置成与第一层21的两主面接触。需要说明的是，在电介质层20包含第二层22的情况下，即使第二层22不具有粘合性，也可以不将粘合层配置成与第二层22的两主面接触。在此情况下，可以将粘合层配置成与第二层22的一个主面接触。在电介质层20包含第三层23的情况下，即使第三层23不
具有粘合性，也可以不将粘合层配置成与第三层23的两主面接触。在此情况下，可以将粘合层配置成与第三层23的至少一个主面接触。粘合层例如含有橡胶类粘合剂、丙烯酸类粘合剂、聚硅氧烷类粘合剂或氨基甲酸酯类粘合剂。
[0079]
电波吸收体1a可以包含介质损耗材料和磁性损耗材料中的至少一种。换言之，电波吸收体1a可以为介质损耗型的电波吸收体，也可以为磁性损耗型的电波吸收体。在此情况下，阻抗匹配膜10a所要求的ρ/t容易变高。电介质层20可以包含介质损耗材料和磁性损耗材料中的至少一种。形成阻抗匹配膜10a的材料可以为磁性体。
[0080]
电波吸收体1a可以根据各种观点而改变。例如，电波吸收体1a可以如图4所示的电波吸收体1b那样改变。除了特别说明的部分以外，电波吸收体1b与电波吸收体1a同样地构成。对与电波吸收体1a的构成要素相同或对应的电波吸收体1b的构成要素标注相同的符号，并省略详细的说明。关于电波吸收体1a的说明，只要在技术上不矛盾，则也适用于电波吸收体1b。
[0081]
如图4所示，电波吸收体1b还具有粘合层40a。在电波吸收体1b中，反射体30配置在电介质层20与粘合层40a之间。
[0082]
例如，通过使粘合层40a与规定的物品接触并将电波吸收体1b按压在物品上，能够将电波吸收体1b粘贴在物品上。由此，能够得到带有电波吸收体的物品。
[0083]
粘合层40a例如含有橡胶类粘合剂、丙烯酸类粘合剂、聚硅氧烷类粘合剂或氨基甲酸酯类粘合剂。电波吸收体1b还可以具有隔膜(省略图示)。在此情况下，隔膜覆盖粘合层40a。隔膜典型地为在覆盖粘合层40a时能够保持粘合层40a的粘合力并且能够容易地从粘合层40a上剥离的膜。隔膜例如为pet等聚酯树脂制的膜。通过剥离隔膜，露出粘合层40a，能够将电波吸收体1b粘贴在物品上。
[0084]
[实施例]
[0085]
以下，通过实施例对本发明更详细地进行说明。但是，本发明不限于以下的实施例。首先，对关于实施例和比较例的评价方法进行说明。
[0086]
[tem观察]
[0087]
使用聚焦离子束加工观察装置(日立高新技术公司制造，产品名：fb-2000a)，制作各实施例和各比较例的无孔膜和各实施例和各比较例的带有合金膜的膜中的合金膜的截面观察用样品。然后，使用场致发射型透射电子显微镜(日立高新技术公司制造，产品名：hf-2000)观察截面观察用样品，测定各实施例和各比较例的无孔膜的厚度。另外，同样地测定各实施例和各比较例的带有合金膜的膜中的合金膜的厚度。将结果示于表1中。
[0088]
[电阻率]
[0089]
使用非接触式电阻测定装置(napson公司制造，产品名：nc-80map)，根据jis z 2316，通过涡电流测定法测定各实施例和比较例的无孔膜的薄层电阻。在各实施例和各比较例中，求出如上所述测定的无孔膜的厚度与如上所述测定的无孔膜的薄层电阻之积，确定形成无孔膜的材料的电阻率。将形成无孔膜的材料的电阻率视为形成各实施例和各比较例的带有合金膜的膜中的合金膜的材料的电阻率。将结果示于表1中。
[0090]
[电波吸收性能]
[0091]
对各实施例和比较例的样品，以0
°
的入射角度入射1ghz～90ghz的频率的电波，根据jis r 1679：2007，确定各频率下的反射量的绝对值。对各样品确定反射量的绝对值的最
大值、显示其最大值的频率(吸收峰频率)和反射量的绝对值显示20db以上的频率范围。
[0092]
《实施例1》
[0093]
使用al(铝)的靶材和si(硅)的靶材并且使用氩气作为工艺气体，进行dc磁控溅射，在pet膜上形成al-si合金膜。在dc磁控溅射中，同时进行与al(铝)的靶材有关的放电和与si(硅)的靶材有关的放电。以这样的方式，在pet膜上形成实施例1的无孔膜。形成实施例1的无孔膜的材料的电阻率为1.0
×
10-4
ω
·
cm。接着，使用金属激光图案加工机在实施例1的无孔膜上形成正方形的多个开口，由此得到了实施例1的带有合金膜的膜。在俯视下，开口的最大尺寸为127μm，相邻的开口之间的距离的最小值为10μm。在俯视下，多个开口以它们的中心成为正方形格子的方式形成。
[0094]
使用含有10重量％的sno2的ito的靶材，使用氩气和氧气作为工艺气体，进行dc磁控溅射，在pet膜上形成了ito膜。然后，在温度150℃的条件下进行1小时的ito膜的退火处理，使ito多晶化，由此得到了带有反射体的膜。带有反射体的膜的反射体的薄层电阻为20ω/
□
。接着，将具有2.6的相对介电常数的丙烯酸类树脂成型为615μm的厚度，由此得到了丙烯酸类树脂层a。以使得实施例1的带有合金膜的膜的合金膜与丙烯酸类树脂层a接触的方式将实施例1的带有合金膜的膜重叠在丙烯酸类树脂层a上。接着，以使得带有反射体的膜中的cu膜与丙烯酸类树脂层a接触的方式将带有反射体的膜重叠在丙烯酸类树脂层a上。以这样的方式得到了实施例1的样品。
[0095]
《实施例2》
[0096]
除了下述方面以外，以与实施例1同样的方式在pet膜上形成实施例2的无孔膜，同时得到了实施例2的带有合金膜的膜。在dc磁控溅射中，调节与si(硅)的靶材相关的放电的放电功率相对于与al(铝)的靶材相关的放电的放电功率之比，以使得形成实施例2的无孔膜的材料的电阻率成为1.4
×
10-3
ω
·
cm。此外，调节dc磁控溅射的条件，以使得实施例2的带有合金膜的膜中的合金膜的厚度成为350nm。使用金属激光图案加工机，在实施例2的无孔膜上形成正方形的多个开口，由此得到了实施例2的带有合金膜的膜。在俯视下，开口的最大尺寸为127μm，相邻的开口之间的距离的最小值为10μm。在俯视下，多个开口以为它们的中心成为正方形格子的方式形成。
[0097]
使用实施例2的带有合金膜的膜代替实施例1的带有合金膜的膜，除此以外，以与实施例1同样的方式得到了实施例2的样品。
[0098]
《实施例3》
[0099]
除了下述方面以外，以与实施例1同样的方式在pet膜上形成实施例3的无孔膜，同时得到了实施例3的带有合金膜的膜。在dc磁控溅射中，调节与si(硅)的靶材相关的放电的放电功率相对于与al(铝)的靶材相关的放电的放电功率之比，以使得形成实施例3的无孔膜的材料的电阻率成为1.0
×
10-5
ω
·
cm。此外，调节dc磁控溅射的条件，以使得实施例3的带有合金膜的膜中的合金膜的厚度成为5nm。使用金属激光图案加工机，在实施例3的无孔膜上形成正方形的多个开口，由此得到了实施例3的带有合金膜的膜。在俯视下，开口的最大尺寸为269μm，相邻的开口之间的距离的最小值为10μm。在俯视下，多个开口以它们的中心成为正方形格子的方式形成。
[0100]
使用实施例3的带有合金膜的膜代替实施例1的带有合金膜的膜，并且使用将具有2.6的相对介电常数的丙烯酸类树脂成型为630μm的厚度而得到的丙烯酸类树脂层b代替丙
烯酸类树脂层a，除此以外，以与实施例1同样的方式得到了实施例3的样品。
[0101]
《实施例4》
[0102]
除了下述方面以外，以与实施例1同样的方式在pet膜上形成实施例4的无孔膜，同时得到了实施例4的带有合金膜的膜。在dc磁控溅射中，调节与si(硅)的靶材相关的放电的放电功率相对于与al(铝)的靶材相关的放电的放电功率之比，以使得形成实施例4的无孔膜的材料的电阻率成为5.0
×
10-4
ω
•
cm。此外，调节dc磁控溅射的条件，以使得实施例4的带有合金膜的膜中的合金膜的厚度成为25nm。使用金属激光图案加工机，在实施例4的无孔膜上形成正方形的多个开口，由此得到了实施例4的带有合金膜的膜。在俯视下，开口的最大尺寸为35μm，相邻的开口之间的距离的最小值为10μm。在俯视下，多个开口以它们的中心成为正方形格子的方式形成。
[0103]
使用实施例4的带有合金膜的膜代替实施例1的带有合金膜的膜，并且使用将具有2.6的相对介电常数的丙烯酸类树脂成型为605μm的厚度而得到的丙烯酸类树脂层c代替丙烯酸类树脂层a，除此以外，以与实施例1同样的方式得到了实施例4的样品。
[0104]
《实施例5》
[0105]
以与实施例1同样的方式在pet膜上形成了实施例5的无孔膜。使用金属激光图案加工机，在实施例5的无孔膜上形成正方形的多个开口，由此得到了实施例5的带有合金膜的膜。在俯视下，开口的最大尺寸为14μm，相邻的开口之间的距离的最小值为1μm。在俯视下，多个开口以它们的中心成为正方形格子的方式形成。
[0106]
使用实施例5的带有合金膜的膜代替实施例1的带有合金膜的膜，并且使用丙烯酸类树脂层c代替丙烯酸类树脂层a，除此以外，以与实施例1同样的方式得到了实施例5的样品。
[0107]
《实施例6》
[0108]
除了下述方面以外，以与实施例1同样的方式在pet膜上形成实施例6的无孔膜，同时得到了实施例6的带有合金膜的膜。在dc磁控溅射中，调节与si(硅)的靶材相关的放电的放电功率相对于与al(铝)的靶材相关的放电的放电功率之比，以使得形成实施例6的无孔膜的材料的电阻率成为7.8
×
10-5
ω
·
cm。此外，调节dc磁控溅射的条件，以使得实施例4的带有合金膜的膜中的合金膜的厚度成为25nm。使用金属激光图案加工机，在实施例6的无孔膜上形成正方形的多个开口，由此得到了实施例6的带有合金膜的膜。在俯视下，开口的最大尺寸为707μm，相邻的开口之间的距离的最小值为50μm。在俯视下，多个开口以它们的中心成为正方形格子的方式形成。
[0109]
使用实施例6的带有合金膜的膜代替实施例1的带有合金膜的膜，并且使用将具有2.6的相对介电常数的丙烯酸类树脂成型为650μm的厚度而得到的丙烯酸类树脂层d代替丙烯酸类树脂层a，除此以外，以与实施例1同样的方式得到了实施例6的样品。
[0110]
《实施例7》
[0111]
以与实施例1同样的方式在pet膜上形成了实施例7的无孔膜。使用金属激光图案加工机，在实施例7的无孔膜上形成正方形的多个开口，由此得到了实施例7的带有合金膜的膜。在俯视下，开口的最大尺寸为3536μm，相邻的开口之间的距离的最小值为250μm。在俯视下，多个开口以它们的中心成为正方形格子的方式形成。
[0112]
将具有2.6的相对介电常数的丙烯酸类树脂成型为18500μm的厚度而得到了丙烯
酸类树脂层e。使用实施例7的带有合金膜的膜代替实施例1的带有合金膜的膜，并且使用丙烯酸类树脂层e代替丙烯酸类树脂层a，除此以外，以与实施例1同样的方式得到了实施例7的样品。
[0113]
《实施例8》
[0114]
除了下述方面以外，以与实施例1同样的方式在pet膜上形成实施例10的无孔膜，同时得到了实施例10的带有合金膜的膜。在dc磁控溅射中，调节与si(硅)的靶材相关的放电的放电功率相对于与al(铝)的靶材相关的放电的放电功率之比，以使得形成实施例10的无孔膜的材料的电阻率成为1.0
×
10-5
ω
·
cm。此外，调节dc磁控溅射的条件，以使得实施例10的带有合金膜的膜中的合金膜的厚度成为25nm。使用金属激光图案加工机，在实施例10的无孔膜上形成正方形的多个开口，由此得到了实施例10的带有合金膜的膜。在俯视下，开口的最大尺寸为47192μm，相邻的开口之间的距离的最小值为640μm。在俯视下，多个开口以它们的中心成为正方形格子的方式形成。
[0115]
将具有2.6的相对介电常数的丙烯酸类树脂成型为51300μm的厚度而得到了丙烯酸类树脂层f。使用实施例8的带有合金膜的膜代替实施例1的带有合金膜的膜，并且使用丙烯酸类树脂层f代替丙烯酸类树脂层a，除此以外，以与实施例1同样的方式得到了实施例8的样品。
[0116]
《比较例1》
[0117]
除了下述方面以外，以与实施例1同样的方式在pet膜上形成比较例1的无孔膜，同时得到了比较例1的带有合金膜的膜。在dc磁控溅射中，调节与si(硅)的靶材相关的放电的放电功率相对于与al(铝)的靶材相关的放电的放电功率之比，以使得形成比较例1的无孔膜的材料的电阻率成为1.0
×
10-3
ω
·
cm。此外，调节dc磁控溅射的条件，以使得比较例1的带有合金膜的膜中的合金膜的厚度成为25nm。使用金属激光图案加工机，在比较例1的无孔膜上形成正方形的多个开口，由此得到了比较例1的带有合金膜的膜。在俯视下，开口的最大尺寸为1.4μm，相邻的开口之间的距离的最小值为10μm。在俯视下，多个开口以它们的中心成为正方形格子的方式形成。
[0118]
除了使用比较例1的带有合金膜的膜代替实施例1的带有合金膜的膜以外，以与实施例1同样的方式得到了比较例1的样品。
[0119]
《比较例2》
[0120]
除了下述方面以外，以与实施例1同样的方式在pet膜上形成比较例1的无孔膜，同时得到了比较例1的带有合金膜的膜。在dc磁控溅射中，调节与si(硅)的靶材相关的放电的放电功率相对于与a1(铝)的靶材相关的放电的放电功率之比，以使得形成比较例1的无孔膜的材料的电阻率成为1.0
×
10-6
ω
·
cm。此外，调节dc磁控溅射的条件，以使得比较例1的带有合金膜的膜中的合金膜的厚度成为25nm。使用金属激光图案加工机，在比较例1的无孔膜上形成正方形的多个开口，由此得到了比较例1的带有合金膜的膜。在俯视下，开口的最大尺寸为707μm，相邻的开口之间的距离的最小值为10μm。在俯视下，多个开口以它们的中心成为正方形格子的方式形成。
[0121]
除了使用比较例2的带有合金膜的膜代替实施例1的带有合金膜的膜以外，以与实施例1同样的方式得到了比较例2的样品。
[0122]
如表1所示，实施例1～8的样品对规定频率的电波显示出良好的吸收性能，可知利
用各实施例的带有合金膜的膜的合金膜实现了所期望的阻抗匹配。另一方面，很难说比较例1和2的样品对规定频率的电波显示出良好的吸收性能，表明难以利用各比较例的带有合金膜的膜的合金膜进行阻抗匹配。因此表明从阻抗匹配的观点考虑，合金膜中的p/t的值为规定值是有利的。各实施例的带有合金膜的膜的合金膜具有高的开口率，并且具有透明性。
[0123]