阻抗匹配膜和电波吸收体的制作方法

技术特征：
1.一种阻抗匹配膜，其中，所述阻抗匹配膜具有沿着所述阻抗匹配膜的主面规则地形成的多个开口，并且将形成所述阻抗匹配膜的材料的电阻率除以所述阻抗匹配膜的厚度而得到的值为1ω/
□
～300ω/
□
。2.如权利要求1所述的阻抗匹配膜，其中，所述主面上的所述开口的最大尺寸为7.5
×
104μm以下。3.如权利要求1或2所述的阻抗匹配膜，其中，相邻的所述开口之间的距离的最小值为0.1μm～650μm。4.如权利要求1～3中任一项所述的阻抗匹配膜，其中，所述厚度为5nm～500nm。5.如权利要求1～4中任一项所述的阻抗匹配膜，其中，所述电阻率为5
×
10-6
ω
·
cm～2
×
10-3
ω
·
cm。6.一种电波吸收体，其中，所述电波吸收体具有：权利要求1～5中任一项所述的阻抗匹配膜、反射电波的反射体、和电介质层，所述电介质层在所述阻抗匹配膜的厚度方向上配置在所述阻抗匹配膜与所述反射体之间。7.如权利要求6所述的电波吸收体，其中，所述开口的所述最大尺寸为吸收峰波长的1/4以下，并且所述吸收峰波长为根据日本工业标准(jis)r 1679：2007对所述电波吸收体测定的反射量的绝对值达到最大时的电波的波长。8.如权利要求6或7所述的电波吸收体，其中，所述电波吸收体对具有1ghz以上的频率的电波进行阻抗匹配。9.如权利要求7或8所述的电波吸收体，其中，所述反射体为透明导电膜。10.如权利要求9所述的电波吸收体，其中，所述透明导电膜具有沿着所述透明导电膜的主面规则地形成的多个开口。

技术总结
阻抗匹配膜10a具有沿着阻抗匹配膜10a的主面10f规则地形成的多个开口11。在阻抗匹配膜10a中，将形成阻抗匹配膜10a的材料的电阻率ρ除以阻抗匹配膜10a的厚度t而得到的值ρ/t为1Ω/


技术研发人员：中西阳介 永冈直树 待永广宣
受保护的技术使用者：日东电工株式会社
技术研发日：2020.08.24
技术公布日：2022/4/13