高频模块以及通信装置的制作方法

1.本发明一般涉及一种高频模块和通信装置，更详细地说，涉及一种具备功率放大器的高频模块以及具备该高频模块的通信装置。


背景技术：

2.以往，已知一种功率放大模块(例如参照专利文献1)，其具备驱动级放大器、输出级放大器、级间匹配电路、输出匹配电路以及控制电路(控制器)。功率放大模块是在移动电话等移动通信终端中将输入信号的功率放大至发送到基站所需的电平的高频模块。
3.控制电路控制驱动级放大器和输出级放大器的动作。
4.功率放大模块的驱动级放大器、输出级放大器、级间匹配电路、输出匹配电路以及控制电路等各结构部件安装于安装基板。驱动级放大器和输出级放大器被集成在单个ic芯片中。
5.现有技术文献
6.专利文献
7.专利文献1：日本特开2018-181943号公报


技术实现要素：

8.发明要解决的问题
9.在专利文献1所公开的高频模块等高频模块中，有时期望实现小型化。
10.本发明的目的在于提供一种能够实现小型化的高频模块和通信装置。
11.用于解决问题的方案
12.本发明的一个方式所涉及的高频模块具备安装基板、功率放大器以及电子部件。所述安装基板具有彼此相向的第一主面和第二主面。所述功率放大器配置于所述安装基板。所述电子部件配置于所述安装基板。所述功率放大器具有驱动级放大器和输出级放大器。所述驱动级放大器配置于所述安装基板的所述第二主面。所述输出级放大器配置于所述安装基板的所述第一主面。所述电子部件配置于所述安装基板的所述第一主面。在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述电子部件的至少一部分与所述驱动级放大器重叠。
13.本发明的一个方式所涉及的通信装置具备信号处理电路和所述高频模块。所述高频模块的所述功率放大器将来自所述信号处理电路的发送信号放大后输出。
14.发明的效果
15.本发明的上述方式所涉及的高频模块和通信装置能够实现小型化。
附图说明
16.图1是实施方式1所涉及的高频模块的俯视图。
17.图2是同上的高频模块的仰视图。
18.图3示出同上的高频模块，是图1的a-a线截面图。
19.图4是具备同上的高频模块的通信装置的电路结构图。
20.图5是实施方式1的变形例所涉及的高频模块的截面图。
21.图6是实施方式2所涉及的高频模块的俯视图。
22.图7是同上的高频模块的仰视图。
23.图8示出同上的高频模块，是图6的a-a线截面图。
24.图9是实施方式3所涉及的高频模块的俯视图。
25.图10是同上的高频模块的仰视图。
26.图11示出同上的高频模块，是图9的a-a线截面图。
具体实施方式
27.在下面的实施方式等中所参照的图1～3、5～11均为示意性的图，图中的各结构要素的大小之比、厚度之比未必反映了实际的尺寸比。
28.(实施方式1)
29.下面参照图1～图4来说明实施方式1所涉及的高频模块1和通信装置300。
30.(1)高频模块和通信装置
31.(1.1)高频模块和通信装置的电路结构
32.参照图4来说明实施方式1所涉及的高频模块1和通信装置300的电路结构。
33.实施方式1所涉及的高频模块1例如被用于通信装置300。通信装置300例如是移动电话(例如智能手机)，但不限于此，例如也可以是可穿戴式终端(例如智能手表)等。高频模块1例如是能够支持4g(第四代移动通信)标准、5g(第五代移动通信)标准的模块。4g标准例如是3gpp lte(long term evolution：长期演进)标准。5g标准例如是5g nr(new radio：新空口)。高频模块1是能够支持载波聚合和双连接的模块。
34.高频模块1例如构成为能够将从信号处理电路301输入的发送信号放大后输出到天线310。另外，高频模块1构成为能够将从天线310输入的接收信号放大后输出到信号处理电路301。信号处理电路301不是高频模块1的结构要素，而是具备高频模块1的通信装置300的结构要素。实施方式1所涉及的高频模块1例如被通信装置300所具备的信号处理电路301控制。通信装置300具备高频模块1和信号处理电路301。通信装置300还具备天线310。通信装置300还具备安装有高频模块1的电路基板。电路基板例如是印刷电路板。电路基板具有被提供地电位的地电极。
35.信号处理电路301例如包括rf信号处理电路302和基带信号处理电路303。rf信号处理电路302例如是rfic(radio frequency integrated circuit：射频集成电路)，对高频信号进行信号处理。rf信号处理电路302例如对从基带信号处理电路303输出的高频信号(发送信号)进行上变频等信号处理，输出进行信号处理后的高频信号。另外，rf信号处理电路302例如对从高频模块1输出的高频信号(接收信号)进行下变频等信号处理，将进行信号处理后的高频信号输出到基带信号处理电路303。基带信号处理电路303例如是bbic(baseband integrated circuit：基带集成电路)。基带信号处理电路303根据基带信号生成i相信号和q相信号。基带信号例如是从外部输入的声音信号、图像信号等。基带信号处理电路303通过将i相信号与q相信号合成来进行iq调制处理，并输出发送信号。此时，生成将规定频率的载波信号以比该载波信号的周期长的周期进行振幅调制而得到的调制信号(iq
信号)来作为发送信号。被基带信号处理电路303处理后的接收信号例如被用作图像信号以显示图像、或者被用作声音信号以进行通话。高频模块1在天线310与信号处理电路301的rf信号处理电路302之间传递高频信号(接收信号、发送信号)。
36.实施方式1所涉及的高频模块1具备功率放大器11和控制器14。另外，高频模块1还具备低噪声放大器21和5个双工器32a、32b、32c、32d、32e。双工器32a包括发送用滤波器12a和接收用滤波器22a。双工器32b包括发送用滤波器12b和接收用滤波器22b。双工器32c包括发送用滤波器12c和接收用滤波器22c。双工器32d包括发送用滤波器12d和接收用滤波器22d。双工器32e包括发送用滤波器12e和接收用滤波器22e。另外，高频模块1还具备开关4(以下也称为第一开关4)、开关5(以下也称为第二开关5)以及开关6(以下也称为第三开关6)。另外，高频模块1还具备输出匹配电路13。另外，高频模块1还具备低通滤波器3。另外，虽然未图示，但高频模块1还具备多个匹配电路，其中，在5个双工器32a～32e中的各双工器与第一开关4之间的各信号路径上各设有1个该匹配电路。多个匹配电路中的各匹配电路是用于取得连接于天线端子81的天线310及第一开关4与多个双工器32a～32e中的对应的双工器的阻抗匹配的电路。多个匹配电路中的各匹配电路例如由1个电感器构成，但不限于此，例如有时也包括多个电感器和多个电容器。
37.另外，高频模块1具备多个外部连接端子80。多个外部连接端子80包括天线端子81、信号输入端子82、信号输出端子83、多个控制端子84以及多个地端子85(参照图2和图3)。多个地端子85是与通信装置300所具备的上述的电路基板的地电极电连接从而被提供地电位的端子。另外，多个外部连接端子80包括第一电源端子vcc1和第二电源端子vcc2。
38.功率放大器11设置于发送信号用的信号路径tx1。功率放大器11例如将来自信号处理电路301的发送信号放大后输出。功率放大器11将所输入的规定频带的发送信号放大后输出。在此，规定频带例如包含第一通信频段、第二通信频段、第三通信频段、第四通信频段以及第五通信频段。第一通信频段与通过发送用滤波器12a的发送信号对应。第二通信频段与通过发送用滤波器12b的发送信号对应。第三通信频段与通过发送用滤波器12c的发送信号对应。第四通信频段与通过发送用滤波器12d的发送信号对应。第五通信频段与通过发送用滤波器12e的发送信号对应。
39.功率放大器11具有驱动级放大器111、输出级放大器112以及级间匹配电路113。输出级放大器112与驱动级放大器111的输出侧串联连接。驱动级放大器111的放大率小于输出级放大器112的放大率。级间匹配电路113连接于驱动级放大器111与输出级放大器112之间。级间匹配电路113使驱动级放大器111的阻抗与输出级放大器112的阻抗匹配。级间匹配电路113包括电路元件114。电路元件114例如是设置于驱动级放大器111与输出级放大器112之间的电感器。该电感器例如是芯片电感器。级间匹配电路113也可以除了电感器以外还包括电容器。
40.在功率放大器11中，驱动级放大器111的输入端子与信号输入端子82连接。驱动级放大器111的输入端子经由信号输入端子82来与信号处理电路301连接。信号输入端子82是用于将来自外部电路(例如信号处理电路301)的高频信号(发送信号)输入到高频模块1的端子。在功率放大器11中，输出级放大器112的输出端子经由输出匹配电路13来与第二开关5的公共端子50连接。功率放大器11被控制器14控制。
41.控制器14与功率放大器11的驱动级放大器111及输出级放大器112连接。控制器14
经由多个(例如4个)控制端子84来与信号处理电路301连接。多个控制端子84是用于将来自外部电路(例如信号处理电路301)的控制信号输入到控制器14的端子。控制器14基于从多个控制端子84获取到的控制信号来控制功率放大器11。多个控制端子84例如支持mipi(mobile industry processor interface：移动行业处理器接口)标准。控制器14具有与多个控制端子84连接的多个端子148来作为被输入控制信号的输入部。多个端子148例如支持mipi标准。控制器14按照来自rf信号处理电路302的控制信号来控制功率放大器11。控制器14利用多个端子148接受来自rf信号处理电路302的控制信号后，随着该控制信号来例如向驱动级放大器111供给第一偏置电流、向输出级放大器112供给第二偏置电流。另外，虽然未图示，但控制器14也与第一开关4、第二开关5连接，也基于上述的控制信号来控制第一开关4和第二开关5。
42.功率放大器11进行包络跟踪(envelope tracking)动作。功率放大器11被未图示的控制电路控制而进行包络跟踪动作。控制电路根据输入到功率放大器11的发送信号(来自信号处理电路301的发送信号)的输入信号电平来控制功率放大器11的电源电压。更详细地说，在高频模块1中，分别对用于向驱动级放大器111提供电源的第一电源端子vcc1以及用于向输出级放大器112提供电源的第二电源端子vcc2供给与发送信号的振幅电平相应的第一电源电压以及第二电源电压。控制电路例如由通信装置300的电池供电。控制电路例如基于来自信号处理电路301的基带信号处理电路303的电源控制信号(包络信号)来生成第一电源电压和第二电源电压，并分别向第一电源端子vcc1和第二电源端子vcc2供给第一电源电压和第二电源电压。基带信号处理电路303基于iq信号来检测调制信号的振幅电平，以使第一电源电压和第二电源电压成为与发送信号的振幅电平相应的电平的方式向控制电路输出电源控制信号。
43.低噪声放大器21具有输入端子和输出端子。低噪声放大器21设置于接收信号用的信号路径rx1。低噪声放大器21将输入到输入端子的上述规定频带的接收信号放大后从输出端子输出。低噪声放大器21的输入端子与第三开关6的公共端子60连接。也可以在低噪声放大器21的输入端子与第三开关6的公共端子60之间具备输入匹配电路。低噪声放大器21的输出端子与信号输出端子83连接。低噪声放大器21的输出端子例如经由信号输出端子83来与信号处理电路301连接。信号输出端子83是用于将来自低噪声放大器21的高频信号(接收信号)输出到外部电路(例如信号处理电路301)的端子。
44.发送用滤波器12a例如是以第一通信频段的发送带为通带的滤波器。发送用滤波器12b例如是以第二通信频段的发送带为通带的滤波器。发送用滤波器12c例如是以第三通信频段的发送带为通带的滤波器。发送用滤波器12d例如是以第四通信频段的发送带为通带的滤波器。发送用滤波器12e例如是以第五通信频段的发送带为通带的滤波器。接收用滤波器22a例如是以第一通信频段的接收带为通带的滤波器。接收用滤波器22b例如是以第二通信频段的接收带为通带的滤波器。接收用滤波器22c例如是以第三通信频段的接收带为通带的滤波器。接收用滤波器22d例如是以第四通信频段的接收带为通带的滤波器。接收用滤波器22e例如是以第五通信频段的接收带为通带的滤波器。
45.第一开关4具有公共端子40以及5个选择端子41～45。第一开关4是与天线端子81连接的天线开关。在第一开关4中，公共端子40与天线端子81连接。更详细地说，公共端子40经由低通滤波器3来与天线端子81连接。天线端子81与天线310连接。选择端子41连接于发
送用滤波器12a的输出端子与接收用滤波器22a的输入端子的连接点。选择端子42连接于发送用滤波器12b的输出端子与接收用滤波器22b的输入端子的连接点。选择端子43连接于发送用滤波器12c的输出端子与接收用滤波器22c的输入端子的连接点。选择端子44连接于发送用滤波器12d的输出端子与接收用滤波器22d的输入端子的连接点。选择端子45连接于发送用滤波器12e的输出端子与接收用滤波器22e的输入端子的连接点。第一开关4例如是能够将公共端子40与5个选择端子41～45中的至少1个以上选择端子连接的开关。在此，第一开关4例如是能够一对一连接和一对多连接的开关。
46.第一开关4例如被控制器14控制。第一开关4例如按照来自控制器14的控制信号来切换公共端子40与5个选择端子41～45的连接状态。第一开关4例如是开关ic(integrated circuit：集成电路)。
47.第二开关5具有公共端子50以及5个选择端子51～55。公共端子50经由输出匹配电路13来与输出级放大器112的输出端子连接。选择端子51与发送用滤波器12a的输入端子(双工器32a的发送端子)连接。选择端子52与发送用滤波器12b的输入端子(双工器32b的发送端子)连接。选择端子53与发送用滤波器12c的输入端子(双工器32c的发送端子)连接。选择端子54与发送用滤波器12d的输入端子(双工器32d的发送端子)连接。选择端子55与发送用滤波器12e的输入端子(双工器32e的发送端子)连接。第二开关5例如是能够将公共端子50与5个选择端子51～55中的至少1个以上选择端子连接的开关。在此，第二开关5例如是能够一对一连接和一对多连接的开关。第二开关5是具有切换通信频段互不相同的多个发送信号用的信号路径的功能的频段选择开关。
48.第二开关5例如被控制器14控制。第二开关5例如按照来自控制器14的控制信号来切换公共端子50与5个选择端子51～55的连接状态。第二开关5例如是开关ic。
49.第三开关6具有公共端子60以及5个选择端子61～65。公共端子60与低噪声放大器21的输入端子连接。选择端子61与接收用滤波器22a的输出端子(双工器32a的接收端子)连接。选择端子62与接收用滤波器22b的输出端子(双工器32b的接收端子)连接。选择端子63与接收用滤波器22c的输出端子(双工器32c的接收端子)连接。选择端子64与接收用滤波器22d的输出端子(双工器32d的接收端子)连接。选择端子65与接收用滤波器22e的输出端子(双工器32e的接收端子)连接。第三开关6例如是能够将公共端子60与5个选择端子61～65中的至少1个以上选择端子连接的开关。在此，第三开关6例如是能够一对一连接和一对多连接的开关。
50.第三开关6例如被控制器14控制。第三开关6例如按照来自控制器14的控制信号来切换公共端子60与5个选择端子61～65的连接状态。第三开关6例如是开关ic。
51.输出匹配电路13设置于功率放大器11的输出级放大器112的输出端子与第二开关5的公共端子50之间的信号路径。输出匹配电路13是用于取得输出级放大器112与发送用滤波器12a～12e的阻抗匹配的电路。输出匹配电路13例如由1个电路元件131(在此为电感器)构成，但不限于此，例如有时也包括多个电感器和多个电容器。
52.另外，虽然未图示，但高频模块1具备输入匹配电路。输入匹配电路设置于低噪声放大器21的输入端子与第三开关6的公共端子60之间的信号路径。输入匹配电路是用于取得低噪声放大器21与接收用滤波器22a～22e的阻抗匹配的电路。输入匹配电路例如由1个电感器构成，但不限于此，例如有时也包括多个电感器和多个电容器。
53.(1.2)高频模块的结构
54.下面参照图1～图3来说明高频模块1的结构。
55.高频模块1具备安装基板9和功率放大器11。
56.安装基板9具有在安装基板9的厚度方向d1上彼此相向的第一主面91和第二主面92。安装基板9例如是印刷电路板、ltcc(low temperature co-fired ceramics：低温共烧陶瓷)基板、htcc(high temperature co-fired ceramics：高温共烧陶瓷)基板、树脂多层基板。在此，安装基板9例如是包括多个电介质层和多个导电层的多层基板。多个电介质层和多个导电层在安装基板9的厚度方向d1上层叠。多个导电层形成为按层决定的规定图案。多个导电层中的各导电层在与安装基板9的厚度方向d1正交的一个平面内包括1个或多个导体部。各导电层的材料例如是铜。多个导电层包括地层。在高频模块1中，多个地端子85与地层经由安装基板9所具有的通路导体等来电连接。
57.安装基板9不限于印刷电路板、ltcc基板，也可以是布线结构体。布线结构体例如是多层结构体。多层结构体包括至少1个绝缘层和至少1个导电层。绝缘层形成为规定图案。在绝缘层为多个的情况下，多个绝缘层形成为按层决定的规定图案。导电层形成为与绝缘层的规定图案不同的规定图案。在导电层为多个的情况下，多个导电层形成为按层决定的规定图案。导电层也可以包括1个或多个重新布线部。在布线结构体中，在多层结构体的厚度方向上彼此相向的2个面中的第一面是安装基板9的第一主面91，第二面是安装基板9的第二主面92。布线结构体例如也可以是中介层(interposer)。中介层可以是使用了硅基板的中介层，也可以是由多层构成的基板。
58.安装基板9的第一主面91与第二主面92在安装基板9的厚度方向d1上分离，并与安装基板9的厚度方向d1交叉。安装基板9的第一主面91例如与安装基板9的厚度方向d1正交，但例如也可以包括导体部的侧面等来作为不与厚度方向d1正交的面。另外，安装基板9的第二主面92例如与安装基板9的厚度方向d1正交，但例如也可以包括导体部的侧面等来作为不与厚度方向d1正交的面。另外，安装基板9的第一主面91和第二主面92也可以形成有细微的凹凸、凹部或者凸部。在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，安装基板9为长方形状，但不限于此，例如也可以是正方形状。
59.高频模块1具备上述的功率放大器11、控制器14、低噪声放大器21、5个双工器32a～32e、第一开关4、第二开关5、第三开关6、输出匹配电路13、输入匹配电路、设置于5个双工器32a～32e与第一开关4之间的5个匹配电路、以及低通滤波器3，来作为多个电路元件。高频模块1的多个电路元件安装于安装基板9。在此，安装包括将电路元件配置到安装基板9(机械连接)以及将电路元件与安装基板9(的适当的导体部)电连接。多个电路元件不仅限于安装于安装基板9的电子部件，也可以包括设置于安装基板9内的电路元件。
60.在实施方式1所涉及的高频模块1中，功率放大器11的输出级放大器112和驱动级放大器111由互不相同的ic芯片构成。在实施方式1所涉及的高频模块1中，输出级放大器112安装于安装基板9的第一主面91。因而，输出级放大器112配置于安装基板9的第一主面91。另外，在高频模块1中，第一开关4安装于安装基板9的第二主面92。因而，第一开关4配置于安装基板9的第二主面92。在实施方式1所涉及的高频模块1中，包括驱动级放大器111、控制器14以及第二开关5的半导体芯片即ic芯片10安装于安装基板9的第二主面92。因而，ic芯片10配置于安装基板9的第二主面92。另外，在实施方式1所涉及的高频模块1中，集成了
第三开关6和低噪声放大器21而单芯片化的ic芯片20安装于安装基板9的第二主面92。因而，ic芯片20配置于安装基板9的第二主面92。
61.在高频模块1中，输出级放大器112是具备基板和ic部的ic芯片，该ic部包括形成在该基板的至少1个晶体管。基板例如是砷化镓基板。ic部具有将输入到输出级放大器112的输入端子的发送信号放大的功能。晶体管例如是hbt(heterojunction bipolar transistor：异质结双极晶体管)。输出级放大器112例如也可以包括直流截止用的电容器。构成输出级放大器112的ic芯片以倒装芯片安装的方式安装于安装基板9的第一主面91。在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，输出级放大器112的外周形状为四边形状。
62.在高频模块1中，ic芯片10具有基板、形成于该基板的作为驱动级放大器111的第一电路部、形成于该基板的作为控制器14的第二电路部、以及形成于该基板的作为第二开关5的第三电路部。基板例如是硅基板。第一电路部包括晶体管，具有将所输入的发送信号放大后输出的驱动级放大器111的功能。第一电路部所包括的晶体管例如是双极性晶体管。第二电路部具有控制功率放大器11、第一开关4以及第二开关5的控制器14的功能。第三电路部包括第二开关5的公共端子50、5个选择端子51～55以及多个fet(field effect transistor：场效应晶体管)。
63.ic芯片10以倒装芯片安装的方式安装于安装基板9的第二主面92。在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，ic芯片10的外周形状为四边形状。
64.在高频模块1中，包括第三开关6和低噪声放大器21的ic芯片20具有基板、形成于该基板的作为第三开关6的第一电路部、以及形成于该基板的作为低噪声放大器21的第二电路部。基板例如是硅基板。第一电路部包括第三开关6的公共端子60、6个选择端子61～65以及多个fet。第二电路部具有将所输入的接收信号放大后输出的功能。ic芯片20以倒装芯片安装的方式安装于安装基板9的第二主面92。在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，ic芯片20的外周形状为四边形状。
65.5个双工器32a～32e中的各双工器例如是裸芯片的双工器。如上所述，双工器32a具有发送用滤波器12a和接收用滤波器22a。双工器32b具有发送用滤波器12b和接收用滤波器22b。双工器32c具有发送用滤波器12c和接收用滤波器22c。双工器32d具有发送用滤波器12d和接收用滤波器22d。双工器32e具有发送用滤波器12e和接收用滤波器22e。
66.5个发送用滤波器12a～12e以及5个接收用滤波器22a～22e中的各滤波器例如是梯型滤波器，具有多个(例如4个)串联臂谐振器和多个(例如3个)并联臂谐振器。5个发送用滤波器12a～12e以及5个接收用滤波器22a～22e中的各滤波器例如是弹性波滤波器，其中多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器中的各谐振器由弹性波谐振器构成。弹性波滤波器例如是利用声表面波的表面声波滤波器。
67.在表面声波滤波器中，多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器中的各滤波器例如是saw(surface acoustic wave：声表面波)谐振器。
68.5个双工器32a～32e中的各双工器例如具有基板、形成于该基板的作为发送用滤波器的第一电路部、以及形成于该基板的作为接收用滤波器的第二电路部。基板例如是压电体基板。压电体基板例如是钽酸锂基板、铌酸锂基板等。第一电路部和第二电路部具有与多个串联臂谐振器一一对应的多个idt(interdigital transducer：叉指换能器)电极、以及与多个并联臂谐振器一一对应的多个idt电极。
69.5个双工器32a～32e安装于安装基板9的第一主面91。由此，5个双工器32a～32e安装于安装基板9。在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，5个双工器32a～32e的外周形状分别为四边形状。
70.5个双工器32a～32e中各双工器例如也可以还具有间隔层和罩构件。间隔层和罩构件设置在基板上。在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，间隔层包围多个idt电极。在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，间隔层为框状(矩形框状)。间隔层具有电绝缘性。间隔层的材料例如是环氧树脂、聚酰亚胺等合成树脂。罩构件为平板状。在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，罩构件为长方形状，但不限于此，例如也可以是正方形状。在5个双工器32a～32e中的各双工器中，在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，罩构件的外形尺寸、间隔层的外形尺寸以及罩构件的外形尺寸大致相同。罩构件以在安装基板9的厚度方向d1上与基板相向的方式配置在间隔层上。罩构件在安装基板9的厚度方向d1上与多个idt电极重叠，并且在安装基板9的厚度方向d1上与多个idt电极分离。罩构件具有电绝缘性。罩构件的材料例如是环氧树脂、聚酰亚胺等合成树脂。5个双工器32a～32e中的各双工器的多个端子从罩构件露出。
71.输出匹配电路13中的电路元件131例如是电感器。输出匹配电路13中的电路元件131例如安装于安装基板9的第一主面91，但不限于此。在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，电路元件131的外周形状为四边形状。
72.输入匹配电路中的电感器例如是芯片电感器。输入匹配电路中的电感器例如安装于安装基板9的第一主面91，但不限于此。在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，电感器的外周形状为四边形状。
73.5个匹配电路中的各匹配电路的电感器例如是芯片电感器。5个匹配电路中的各匹配电路的电感器例如安装于安装基板9的第一主面91，但不限于此。在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，电感器的外周形状为四边形状。
74.低通滤波器3安装于安装基板9的第一主面91。因而，低通滤波器3配置于安装基板9的第一主面91。低通滤波器3例如包括多个电感器和电容器。低通滤波器3也可以是包括多个电感器和电容器的ipd(integrated passive device：集成无源器件)。
75.高频模块1除了具备多个外部连接端子80以外，还具备多个散热用端子86。多个外部连接端子80和多个散热用端子86配置于安装基板9的第二主面92。多个外部连接端子80和多个散热用端子86的材料例如是金属(例如铜、铜合金等)。多个外部连接端子80和多个散热用端子86中的各端子是柱状电极。在此，柱状电极例如是圆柱状的电极。外部连接端子80与散热用端子86可以是相同的形状，也可以是不同的形状。在图1和图2中，对各散热用端子86标注了点的阴影，但该阴影并不表示截面，只不过是为了便于理解各散热用端子86与各外部连接端子80的相对位置关系而标注的。
76.如上所述，多个外部连接端子80包括天线端子81、信号输入端子82、信号输出端子83、多个控制端子84以及多个地端子85。多个地端子85如上所述那样与安装基板9的地层电连接。地层是高频模块1的电路地，高频模块1的多个电路元件包括与地层电连接的电路元件。另外，多个外部连接端子80例如包括第一电源端子vcc1和第二电源端子vcc2。
77.高频模块1还具备第一树脂层101(参照图3)，该第一树脂层101在安装基板9的第一主面91侧覆盖安装于安装基板9的第一主面91的多个电路元件(输出级放大器112、5个双
工器32a～32e以及输出匹配电路13的电路元件131等)。第一树脂层101包含树脂。第一树脂层101除了包含树脂以外还可以包含填料。在图1中，省略了第一树脂层101的图示。
78.另外，高频模块1还具备第二树脂层102(参照图3)，该第二树脂层102在安装基板9的第二主面92侧覆盖安装于安装基板9的第二主面92的多个电路元件(ic芯片10、ic芯片20以及第一开关4等)、多个外部连接端子80以及多个散热用端子86各自的一部分。第二树脂层102形成为使ic芯片10、ic芯片20以及第一开关4各自的基板的与安装基板9侧相反的一侧的面露出。另外，第二树脂层102形成为使多个外部连接端子80和多个散热用端子86各自的前端面露出。第二树脂层102包含树脂。第二树脂层102除了包含树脂以外还可以包含填料。第二树脂层102的材料可以是与第一树脂层101的材料相同的材料，也可以是不同的材料。在图2中，省略了第二树脂层102的图示。
79.另外，高频模块1还具备屏蔽层。在图1～图3中，省略了屏蔽层的图示。屏蔽层的材料例如是金属。屏蔽层覆盖第一树脂层101的主面1011及外周面1013、安装基板9的外周面93以及第二树脂层102的外周面1023。屏蔽层与安装基板9所具有的地层接触。由此，能够使屏蔽层的电位与地层的电位相同。
80.(1.3)高频模块中的电路元件的布局
81.下面，将与安装基板9的厚度方向d1(第一方向d1)正交且沿着安装基板9的长边的方向称为第二方向d2，将与厚度方向d1及第二方向d2这两个方向正交的方向称为第三方向d3。
82.如上所述，在高频模块1中，在安装基板9的第一主面91配置有级间匹配电路113、输出级放大器112、输出匹配电路13、5个双工器32a～32e以及低通滤波器3。另外，在高频模块1中，在安装基板9的第二主面92配置有第一开关4、ic芯片10以及ic芯片20。另外，在高频模块1中，在安装基板9的第二主面92配置有多个外部连接端子80和多个散热用端子86。
83.在高频模块1中，多个外部连接端子80包括沿着安装基板9的第二主面92的外周配置的第一组外部连接端子80、以及配置于安装基板9的第二主面92的比第一组外部连接端子80靠内侧的位置的第二组外部连接端子80。第一组外部连接端子80包括地端子85、天线端子81、信号输入端子82、信号输出端子83、控制端子84、第一电源端子vcc1以及第二电源端子vcc2。天线端子81配置于安装基板9的第二主面92的4个角部中的1个角部附近。第二组外部连接端子80包括地端子85和控制端子84。在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，多个散热用端子86与输出级放大器112重叠。在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，多个散热用端子86排列为二维阵列状。安装基板9还具有多个贯通电极94(参照图3)。多个贯通电极94将输出级放大器112与多个散热用端子86连接。多个贯通电极94以遍及安装基板9在厚度方向d1上的全长地形成的方式形成。贯通电极94在安装基板9的厚度方向d1上贯通安装基板9的多个电介质层。
84.与天线端子81连接的第一开关4位于天线端子81的附近。在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，第一开关4在第一角部95、第二角部96、第三角部97以及第四角部98中的第一角部95附近与天线端子81相邻。第一角部95与第二角部96在第二方向d2上分离，第一角部95与第三角部97在1个对角线的方向上分离，第一角部95与第四角部98在第三方向d3上分离。
85.ic芯片20在安装基板9的第二主面92上位于第一开关4的附近。ic芯片20在第三方
向d3上与第一开关4分离。在ic芯片20中，第三开关6和低噪声放大器21在第二方向d2上排列。
86.ic芯片10位于在第二方向d2上与第一开关4及ic芯片20分离的位置。在ic芯片10中，驱动级放大器111、控制器14以及第二开关5按此顺序在第三方向d3上排列。在ic芯片10中，在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，驱动级放大器111位于第三角部97的附近，第二开关5位于第二角部96的附近。由此，驱动级放大器111与第一开关4在沿着上述1个对角线的方向上分离。
87.第二组外部连接端子80位于第二方向d2上的ic芯片10与ic芯片20及第一开关4之间。第二组外部连接端子80在第三方向d3上排列。
88.在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，安装于安装基板9的第一主面91的低通滤波器3位于第四角部98的附近。在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，低通滤波器3与第一开关4重叠。
89.在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，级间匹配电路113所包括的电路元件114位于第三角部97的附近。在从安装基板9的厚度方向d1观察时，电路元件114的至少一部分与驱动级放大器111重叠。
90.在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，输出级放大器112位于第三角部97的附近。输出级放大器112在第二方向d2上与级间匹配电路113邻接。
91.在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，输出匹配电路13位于第二角部96的附近。输出匹配电路13在第三方向d3上与输出级放大器112及级间匹配电路113邻接。
92.在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，5个双工器32a～32e位于低通滤波器3与输出级放大器112及输出匹配电路13之间。
93.(2)高频模块的制造方法
94.在高频模块1的制造方法中，例如，进行在安装基板9安装多个电路元件的第一工序。另外，在第一工序中进行以下步骤：在安装基板9的第二主面92配置作为多个外部连接端子80和多个散热用端子86的基础的多个导体柱。
95.在上述第一工序之后进行第二工序。在第二工序中进行以下步骤：形成覆盖安装基板9的第一主面91侧的多个电路元件的第一树脂层101；以及形成覆盖安装基板9的第二主面92侧的多个电路元件和多个导体柱的、作为第二树脂层102的基础的树脂层。
96.在上述第二工序之后进行第三工序。在第三工序中，将在第二工序中形成的树脂层等从该树脂层等的与安装基板9侧相反的一侧的面进行磨削。在此，在第三工序中，通过磨削树脂层来形成第二树脂层102。另外，在第三工序中，在通过磨削树脂层来使多个电路元件中的至少1个电路元件的基板的与安装基板9侧相反的一侧的面露出之后，还进一步进行磨削，由此使多个电路元件各自的基板薄。在第三工序中，通过磨削多个导体柱来形成多个外部连接端子80。
97.在上述第三工序之后进行第四工序。在第四工序中形成屏蔽层。此外，也可以对具备多个安装基板9且能够进行安装基板9的多件同时加工的多连片基板(日语：多数個取
り
基板)进行第一工序、第二工序以及第三工序。在该情况下，例如，只要在第三工序后将多连片基板分离为各个安装基板9之后进行第四工序即可。
98.(3)总结
99.(3.1)高频模块
100.实施方式1所涉及的高频模块1具备安装基板9、功率放大器11以及电子部件2。安装基板9具有彼此相向的第一主面91和第二主面92。功率放大器11配置于安装基板9。电子部件2配置于安装基板9。功率放大器11具有驱动级放大器111和输出级放大器112。驱动级放大器111配置于安装基板9的第二主面92。输出级放大器112配置于安装基板9的第一主面91。电子部件2配置于安装基板9的第一主面91。在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，电子部件2的至少一部分与驱动级放大器111重叠。
101.实施方式1所涉及的高频模块1能够实现小型化。总而言之，实施方式1所涉及的高频模块1能够实现从安装基板9的厚度方向d1俯视时的安装基板9的小型化。
102.另外，在实施方式1所涉及的高频模块1中，在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，输出级放大器112与驱动级放大器111不重叠。由此，在实施方式1所涉及的高频模块1中，驱动级放大器111不容易受到来自输出级放大器112的热的影响。因此，实施方式1所涉及的高频模块1能够抑制驱动级放大器111的特性的下降。
103.另外，实施方式1所涉及的高频模块1还具备散热用端子86。散热用端子86配置于安装基板9的第二主面92。在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，散热用端子86与输出级放大器112重叠。安装基板9还具有贯通电极94。贯通电极94将输出级放大器112与散热用端子86连接。由此，实施方式1所涉及的高频模块1易于使在输出级放大器112中产生的热散出。
104.另外，作为比较例的高频模块，考虑一种为了使专利文献1所公开的高频模块小型化而将多个结构部件分开安装在安装基板的第一主面和第二主面的高频模块。然而，在比较例的高频模块中，当存在在安装基板的厚度方向上与包括驱动级放大器和输出级放大器的ic芯片(功率放大器)重叠的结构部件时，存在特性下降的担忧。更详细地说，在比较例的高频模块中，例如存在以下担忧：在安装基板的厚度方向上与功率放大器重叠的电路结构部件的特性由于来自功率放大器的热的影响而下降；在功率放大器中产生的热难以被散出而功率放大器的特性下降。与此相对地，实施方式1所涉及的高频模块1不具有配置于安装基板9的第二主面92且在从安装基板9的厚度方向d1俯视时与输出级放大器112重叠的电路结构部件。由此，实施方式1所涉及的高频模块1能够在抑制配置于安装基板9的第一主面91的输出级放大器112以及配置于安装基板9的第二主面92的电路结构部件(在实施方式1的高频模块1中，为ic芯片10、ic芯片20以及第一开关4)的特性的下降的同时实现小型化。
105.另外，在实施方式1所涉及的高频模块1中，电子部件2是电路元件114。电路元件114包括在级间匹配电路113中。级间匹配电路113连接于驱动级放大器111与输出级放大器112之间。在实施方式1所涉及的高频模块1中，由于电子部件2是级间匹配电路113中包括的电路元件114，因此能够使驱动级放大器111与级间匹配电路113之间的布线长度短。
106.另外，在实施方式1所涉及的高频模块1中，能够用与驱动级放大器111及输出级放大器112独立的芯片电感器或安装基板9的导体部来构成级间匹配电路113。由此，在实施方式1所涉及的高频模块1中，与具备包括驱动级放大器、输出级放大器以及级间匹配电路的单芯片功率放大器的情况相比，能够提高级间匹配电路113的性能，能够提高功率放大器11的性能。功率放大器11的性能包括效率和增益。在实施方式1所涉及的高频模块1中，与具备包括驱动级放大器、输出级放大器以及级间匹配电路的单芯片功率放大器的情况相比，能够提高功率放大器11中的隔离度，能够抑制功率放大器11内的发送信号的跳转，能够使功
率放大器11的动作稳定。
107.(3.2)通信装置
108.实施方式1所涉及的通信装置300具备高频模块1和信号处理电路301。信号处理电路301对发送信号进行信号处理。高频模块1将来自信号处理电路301的发送信号放大后输出。高频模块1在天线310与信号处理电路301之间传递发送信号。
109.实施方式1所涉及的通信装置300具备高频模块1，因此能够实现小型化。构成信号处理电路301的多个电子部件例如可以安装于上述的电路基板，也可以安装于与安装有高频模块1的电路基板(第一电路基板)不同的电路基板(第二电路基板)。
110.(4)高频模块的变形例
111.参照图5来说明实施方式1的变形例所涉及的高频模块1a。关于变形例所涉及的高频模块1a，对与实施方式1所涉及的高频模块1同样的结构要素标注相同的标记并省略说明。
112.变形例所涉及的高频模块1a与实施方式1所涉及的高频模块1的不同之处在于，多个外部连接端子80和多个散热用端子86为球凸块。另外，变形例所涉及的高频模块1a与实施方式1所涉及的高频模块1的不同之处在于，不具备实施方式1所涉及的高频模块1的第二树脂层102。变形例所涉及的高频模块1a也可以具备底部填充部，该底部填充部设置于ic芯片10、ic芯片20以及第一开关4各自与安装基板9的第二主面92之间的间隙。
113.构成多个外部连接端子80和多个散热用端子86中的各端子的球凸块的材料例如是金、铜、焊料等。
114.多个外部连接端子80也可以混合存在由球凸块构成的外部连接端子80和由柱状电极构成的外部连接端子80。另外，多个散热用端子86也可以混合存在由球凸块构成的散热用端子86和由柱状电极构成的散热用端子86。
115.(实施方式2)
116.参照图6～图8来说明实施方式2所涉及的高频模块1b。关于实施方式2所涉及的高频模块1b，对与实施方式1所涉及的高频模块1同样的结构要素标注相同的标记并省略说明。
117.在实施方式2所涉及的高频模块1b中，与实施方式1所涉及的高频模块1的不同之处在于，控制器14是单芯片的ic芯片，安装于安装基板9的第一主面91。在实施方式2所涉及的高频模块1b中，配置于安装基板9的第一主面91且在从安装基板9的厚度方向d1俯视时至少一部分与驱动级放大器111重叠的电子部件2包括控制器14。另外，实施方式2所涉及的高频模块1b与实施方式1所涉及的高频模块1的不同之处在于，具备ic芯片10a来代替实施方式1所涉及的高频模块1的ic芯片10。ic芯片10a是包括驱动级放大器111和第二开关5的单芯片的ic芯片，ic芯片10a与ic芯片10同样地安装于安装基板9的第二主面92。
118.由于实施方式2所涉及的高频模块1b与实施方式1所涉及的高频模块1同样地具备配置于安装基板9的第一主面91且在从安装基板9的厚度方向d1俯视时至少一部分与驱动级放大器111重叠的电子部件2，因此能够实现小型化。
119.在实施方式2所涉及的高频模块1b中，电子部件2包括控制功率放大器11的控制器14。由此，在实施方式2所涉及的高频模块1b中，能够使输出级放大器112与控制器14之间的布线长度短。
120.(实施方式3)
121.参照图9～图11来说明实施方式3所涉及的高频模块1c。关于实施方式3所涉及的高频模块1c，对与实施方式1所涉及的高频模块1同样的结构要素标注相同的标记并省略说明。
122.在实施方式3所涉及的高频模块1c中，与实施方式1所涉及的高频模块1的不同之处在于，在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，输出匹配电路13与驱动级放大器111重叠。在实施方式3所涉及的高频模块1c中，输出匹配电路13的位置与级间匹配电路113的位置是反过来的。
123.在实施方式3所涉及的高频模块1c中，配置于安装基板9的第一主面91且在从安装基板9的厚度方向d1俯视时至少一部分与驱动级放大器111重叠的电子部件2包括输出匹配电路13的电路元件131。
124.实施方式3所涉及的高频模块1c与实施方式1所涉及的高频模块1同样地具备配置于安装基板9的第一主面91且在从安装基板9的厚度方向d1俯视时至少一部分与驱动级放大器111重叠的电子部件2，因此能够实现小型化。
125.在实施方式3所涉及的高频模块1c中，电子部件2包括输出匹配电路13的电路元件131。由此，在实施方式3所涉及的高频模块1c中，能够使输出级放大器112与输出匹配电路13之间的布线长度短。
126.(其它变形例)
127.上述的实施方式1～3只不过是本发明的各种实施方式之一。上述的实施方式只要能够实现本发明的目的，则能够根据设计等进行各种变更。
128.例如，安装基板9也可以是部件内置基板。
129.另外，在高频模块1、1a、1b、1c中，输出级放大器112安装于安装基板9的第一主面91，驱动级放大器111安装于安装基板9的第二主面92，但是不限于此。例如，也可以是，输出级放大器112安装于安装基板9的第二主面92，驱动级放大器111安装于安装基板9的第一主面91。
130.另外，输出级放大器112也可以以利用接合线的安装方式安装于安装基板9的第一主面91，来代替以倒装芯片安装方式安装于安装基板9的第一主面91。即，也可以是，输出级放大器112通过被芯片接合材料接合于安装基板9的第一主面91来配置于安装基板9的第一主面91(机械连接)，输出级放大器112的端子(焊盘电极)经由接合线来与安装基板9的第一主面91侧的导体图案层的导体部电连接。
131.另外，在高频模块1、1b、1c中，也可以是，第二树脂层102覆盖ic芯片10、ic芯片20以及第一开关4各自的与安装基板9侧相反的一侧的面。
132.第一开关4、第二开关5以及第三开关6各自的选择端子的数量为多个即可，不限于例示的数量。
133.另外，在高频模块1、1a、1b、1c中，第一开关4与ic芯片20为互不相同的ic芯片，但是不限于此，也可以将第一开关4、第三开关6以及低噪声放大器21单芯片化。
134.第一开关4和第二开关5中的各开关也可以例如被来自信号处理电路301的rf信号处理电路302的控制信号控制，来代替被控制器14控制。
135.另外，输出级放大器112的基板不限于砷化镓基板，例如也可以是硅基板。在该情
况下，输出级放大器112所包括的晶体管不是hbt而是双极型晶体管。
136.另外，驱动级放大器111的基板不限于硅基板，例如也可以是砷化镓基板。
137.另外，高频模块1、1a、1b、1c也可以具备多个发送用滤波器12a～12e和多个接收用滤波器22a～22e，来代替多个双工器32a～32e。另外，也可以是，多个双工器32a～32d中的至少1个双工器是在支持tdd(time division duplex：时分双工)的通信中利用的滤波器。另外，高频模块1、1a、1b、1c也可以仅具有发送信号用的信号路径tx1和接收信号用的信号路径rx1中的发送信号用的信号路径tx1。在该情况下，高频模块1、1a、1b、1c例如具备多个发送用滤波器12a～12e来代替多个双工器32a～32e即可。
138.另外，上述的滤波器是利用声表面波的弹性波滤波器，但是不限于此，例如也可以是利用弹性边界波、板波等的弹性波滤波器。
139.在弹性波滤波器中，多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器不限于saw谐振器，例如，也可以分别是baw(bulk acoustic wave：体声波)谐振器。
140.另外，滤波器也可以是lc滤波器。与滤波器由lc滤波器构成的情况相比，在滤波器由弹性波滤波器构成的情况下，能够提高通带附近的衰减特性。另外，与滤波器由lc滤波器构成的情况相比，在滤波器由弹性波滤波器结构的情况下，能够使中频段中的γ(反射系数)大。
141.输出匹配电路13例如也可以是具备基板和ic部的单芯片的ic芯片，该ic部包括形成在该基板的多个电感器和多个电容器。在该情况下，ic芯片也可以是ipd。基板例如是硅基板。在ipd的情况下，输出匹配电路13例如以倒装芯片安装方式安装于安装基板9的第一主面91。
142.在高频模块1、1b、1c中，多个外部连接端子80和多个散热用端子86中的各端子的前端部例如也可以包括镀金层。
143.高频模块1、1a、1b、1c的电路结构不限于图4的例子。另外，高频模块1～1c例如也可以具有支持mimo(multi input multi output：多输入多输出)的高频前端电路来作为电路结构。
144.高频模块1、1a、1b、1c也可以具备多工器(双工器、三工器等)来代替低通滤波器3。多工器例如包括低通滤波器、带通滤波器以及高通滤波器中的至少两种。
145.另外，实施方式1所涉及的通信装置300也可以具备高频模块1a、1b、1c中的任一个来代替高频模块1。
146.(方式)
147.本说明书中公开了以下方式。
148.第一方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)具备安装基板(9)、功率放大器(11)以及电子部件(2)。安装基板(9)具有彼此相向的第一主面(91)和第二主面(92)。功率放大器(11)配置于安装基板(9)。电子部件(2)配置于安装基板(9)。功率放大器(11)具有驱动级放大器(111)和输出级放大器(112)。驱动级放大器(111)配置于安装基板(9)的第二主面(92)。输出级放大器(112)配置于安装基板(9)的第一主面(91)。电子部件(2)配置于安装基板(9)的第一主面(91)。在从安装基板(9)的厚度方向(d1)俯视时，电子部件(2)的至少一部分与驱动级放大器(111)重叠。
149.在第一方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)中，能够实现小型化。
150.根据第一方式，在第二方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)中，在从安装基板(9)的厚度方向(d1)俯视时，输出级放大器(112)与驱动级放大器(111)不重叠。
151.在第二方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)中，驱动级放大器(111)不容易受到来自输出级放大器(112)的热的影响。
152.根据第一方式或第二方式，第三方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)还具备散热用端子(86)。散热用端子(86)配置于安装基板(9)的第二主面(92)。在从安装基板(9)的厚度方向(d1)俯视时，散热用端子(86)与输出级放大器(112)重叠。安装基板(9)还具有贯通电极(94)。贯通电极(94)将输出级放大器(112)与散热用端子(86)连接。
153.第三方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)易于使在输出级放大器(112)中产生的热散出。
154.根据第三方式，在第四方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)中，不存在配置于安装基板(9)的第二主面(92)且在从安装基板(9)的厚度方向(d1)俯视时与输出级放大器(112)重叠的电路结构部件。
155.在第四方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)中，在抑制配置于安装基板(9)的第二主面(92)的电路结构部件的特性的下降的同时实现小型化。
156.根据第一方式～第四方式中的任一个方式，在第五方式所涉及的高频模块(1；1a)中，电子部件(2)是电路元件(114)。电路元件(114)包括在级间匹配电路(113)中。级间匹配电路(113)连接于驱动级放大器(111)与输出级放大器(112)之间。
157.在第五方式所涉及的高频模块(1；1a)中，能够使驱动级放大器(111)与级间匹配电路(113)之间的布线长度短。
158.根据第五方式，在第六方式所涉及的高频模块(1；1a)中，电路元件(114)是电感器。
159.在第六方式所涉及的高频模块(1；1a)中，能够降低级间匹配电路(113)中的损耗。
160.根据第一方式～第四方式中的任一个方式，在第七方式所涉及的高频模块(1b)中，电子部件(2)是控制功率放大器(11)的控制器(14)。
161.在第七方式所涉及的高频模块(1b)中，能够使输出级放大器(112)与控制器(14)之间的布线长度短。
162.根据第一方式～第五方式中的任一个方式，第八方式所涉及的高频模块(1c)还具备多个发送用滤波器(12a～12e)和开关(5)。多个发送用滤波器(12a～12e)的通带互不相同。开关(5)具有公共端子(50)和多个选择端子(51～55)。公共端子(50)与输出级放大器(112)连接。多个选择端子(51～55)与多个发送用滤波器(12a～12e)以一对一的方式连接。电子部件(2)是设置在发送信号用的信号路径(tx1)上的、输出级放大器(112)与开关(5)的公共端子(50)之间的输出匹配电路(13)中包括的电路元件(131)。
163.在第八方式所涉及的高频模块(1c)中，能够使出匹配电路(13)与输出级放大器(112)之间的布线长度短。
164.根据第八方式，在第九方式所涉及的高频模块(1c)中，电路元件(131)是电感器。
165.在第九方式所涉及的高频模块(1c)中，能够实现小型化。
166.根据第五方式～第九方式中的任一个方式，在第十方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)中，在从安装基板(9)的厚度方向(d1)俯视时，电子部件(2)与输出级放大器(112)相
邻。
167.在第十方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)中，能够使电子部件(2)与输出级放大器(112)之间的布线长度短。
168.根据第一方式～第五方式中的任一个方式，第十一方式所涉及的高频模块(1；1a；1c)还具备控制器(14)、多个发送用滤波器(12a～12e)以及开关(5)。控制器(14)控制功率放大器(11)。多个发送用滤波器(12a～12e)的通带互不相同。开关(5)具有公共端子(50)和多个选择端子(51～55)。公共端子(50)与输出级放大器(112)连接。多个选择端子(51～55)与多个发送用滤波器(12a～12e)以一对一的方式连接。在高频模块(1；1a；1b；1c)中，驱动级放大器(111)、控制器(14)以及开关(5)包括在1个半导体芯片(ic芯片10)中。
169.在第十一方式所涉及的高频模块(1；1a；1c)中，能够实现进一步的小型化，另外，能够利用控制器(14)来更稳定地控制驱动级放大器(111)。
170.根据第一方式～第十一方式中的任一个方式，第十二方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)还具备ic芯片(20)。ic芯片(20)配置于安装基板(9)的第二主面(92)。ic芯片(20)包括低噪声放大器(21)。在第十二方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)中，在从安装基板(9)的厚度方向(d1)俯视时，输出级放大器(112)与ic芯片(20)不重叠。
171.在第十二方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)中，能够提高输出级放大器(112)与包括低噪声放大器(21)的ic芯片(20)的隔离度。
172.根据第十二方式，第十三方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)还具备多个外部连接端子(80)。多个外部连接端子(80)配置于安装基板(9)的第二主面(92)。多个外部连接端子(80)包括地端子(85)。在从安装基板(9)的厚度方向(d1)俯视时，地端子(85)位于驱动级放大器(111)与ic芯片(20)之间。
173.在第十三方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)中，能够提高驱动级放大器(111)与包括低噪声放大器(21)的ic芯片(20)的隔离度。
174.根据第七方式或第十一方式，第十四方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)还具备ic芯片(20)和多个外部连接端子(80)。ic芯片(20)配置于安装基板(9)的第二主面(92)。ic芯片(20)包括低噪声放大器(21)。多个外部连接端子(80)配置于安装基板(9)的第二主面(92)。在高频模块(1；1a；1b；1c)中，在从安装基板(9)的厚度方向(d1)俯视时，输出级放大器(112)与ic芯片(20)不重叠。多个外部连接端子(80)包括控制端子(84)。在从安装基板(9)的厚度方向(d1)俯视时，控制端子(84)位于驱动级放大器(111)与ic芯片(20)之间。控制器(14)基于从控制端子(84)获取到的控制信号来控制功率放大器(11)。
175.在第十四方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)中，能够提高驱动级放大器(111)与包括低噪声放大器(21)的ic芯片(20)的隔离度。
176.根据第一方式～第十四方式中的任一个方式，在第十五方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)中，功率放大器(11)进行包络跟踪动作。
177.在第十五方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)中，能够使进行包络跟踪动作的功率放大器(11)的动作更稳定。
178.第十六方式所涉及的通信装置(300)具备信号处理电路(301)以及第一方式～第十五方式中的任一个方式所述的高频模块(1；1a；1b；1c)。高频模块(1；1a；1b；1c)的功率放大器(11)将来自信号处理电路(301)的发送信号放大后输出。
179.在第十六方式所涉及的通信装置(300)中，能够实现小型化。
180.附图标记说明
181.1、1a、1b、1c：高频模块；2：电子部件；3：低通滤波器；4：开关(第一开关)；40：公共端子；41～45：选择端子；5：开关(第二开关)；50：公共端子；51～55：选择端子；6：开关(第三开关)；60：公共端子；61～65：选择端子；10：ic芯片(半导体芯片)；10a：ic芯片；11：功率放大器；111：驱动级放大器；112：输出级放大器；113：级间匹配电路；114：电路元件(电感器)；12a、12b、12c、12d、12e：发送用滤波器；13：输出匹配电路；131：电路元件(电感器)；14：控制器；148：端子；20：ic芯片；21：低噪声放大器；22a、22b、22c、22d、22e：接收用滤波器；32a、32b、32c、32d、32e：双工器；80：外部连接端子；81：天线端子；82：信号输入端子；83：信号输出端子；84：控制端子；85：地端子；86：散热用端子；9：安装基板；91：第一主面；92：第二主面；93：外周面；94：贯通电极；95：第一角部；96：第二角部；97：第三角部；98：第四角部；101：第一树脂层；1011：主面；1013：外周面；102：第二树脂层；1021：主面；1023：外周面；300：通信装置；301：信号处理电路；302：rf信号处理电路；303：基带信号处理电路；310：天线；d1：厚度方向；tx1：信号路径；rx1：信号路径；vcc1：第一电源端子；vcc2：第二电源端子。