具有氢阻挡件的反射镜装配件和光学装配件的制作方法

具有氢阻挡件的反射镜装配件和光学装配件
1.相关申请的交叉引用
2.本专利申请要求于2019年9月3日提交的德国专利申请de 10 2019 213 349.5的优先权，其全部内容通过引用并入本技术中。
3.发明背景
4.本发明涉及一种反射镜布置，其包括：基板，包括具有用于反射辐射的反射镜面的正面和背离正面的背面；以及一个或多个致动器，其形式为致动器装配件，例如，用于产生反射镜面变形。本发明还涉及一种光学布置，特别是euv光刻设备，其具有至少一个这样的反射镜布置。
5.上述反射镜布置能够通过致动器使形成在基板正面上的反射镜面有针对性的(局部)变形。例如，反射镜面变形的目的可以是对设置反射镜布置的euv光刻设备的像差进行有针对性的校正。
6.us 5,986,795描述了用于euv辐射的可变形反射镜，其中致动器设置在形成反射镜的背面的前板与反应板之间，并且耦合到这两个板，从而在可变形反射镜的反射镜面上产生变形。
7.例如，在诸如(euv)光刻单元的光学布置中，可能需要将氢永久地或者例如在清洁循环期间混合到反射镜布置的周围环境。在这种情况下，氢可以全部以激发态存在：作为分子(h2)，形式为原子，形式为激发分子或原子，或形式为氢离子。通过euv辐射的存在促进了氢以不同激发态的存在。许多材料在氢的攻击下会受到伤害，因此是氢敏感材料。因此有必要选择对氢的攻击是稳定的材料，或者保护氢敏感材料免受氢的攻击。
8.发明目的
9.本发明的目的是提供一种反射镜布置以及一种具有至少一个这样的反射镜布置的光学布置，其中有效地保护氢敏感材料免受氢的攻击。


技术实现要素：

10.该目的是通过上述类型的反射镜布置实现的，其中至少一个致动器固定在基板的背面，并且其中反射镜布置包括氢阻挡件，该氢阻挡件被配置为保护基板的背面的氢敏感材料、特别是在至少一个致动器上的氢敏感材料免受来自反射镜布置周围环境的氢的攻击。
11.本发明提出将致动器固定在基板的背面，并且它们——以及存在于基板背面的任何其他氢敏感材料——被氢阻挡件保护免受反射镜布置周围环境的氢的影响。氢敏感材料可以例如是致动器本身或致动器外壳、绝缘层、导体电缆/导体轨道等，安装在基板的背面。如果基板在背面暴露并且如果基板是氢敏感材料，则基板本身还可以通过氢阻挡件保护免受氢的攻击。
12.致动器可以固定在基板的背面的规则布置或网格(致动器阵列)中，但是原则上致动器在基板背面的任何期望布置都是可能的。一般而言，相邻致动器或相互连接的致动器的相邻组(致动器装配件)在基板的背面的地方不直接相互邻接，而是彼此间隔开；换言之，
for the solubility of the hydrogens in metals)”，r.h.fowler et al.，proc.r.soc.lond.a 160,page37ff，(1937)，其全部内容以引用的方式并入本技术的内容中。由于对氢的溶解度较低，可以抵消氢阻挡件材料的脆裂。以这种方式，可以延长反射镜布置或其氢敏感材料和/或部件的使用寿命，这意味着它们不需要频繁更换。此外，有利的是，氢阻挡件材料或材料组合被选择为使得它们不形成任何气态氢化合物。
20.在一实施例中，氢阻挡件包括呈含氧化合物形式的至少一种材料，该含氧化合物的在标准条件下基于1mol氧气的生成自由焓(吉布斯能量)小于-400kj/mol o2，优选小于-800kj/mol o2，更优选地小于-1000kj/mol o2。
21.在另一实施例中，氢阻挡件包括呈含氮化合物形式的至少一种材料，该含氮化合物的在标准条件下基于1mol氮气的生成自由焓(吉布斯能量)小于-200kj/mol n2，优选地小于-350kj/mol n2，更优选地小于-600kj/mol n2。
22.特别地具有高生成自由焓的化合物通常对氢的攻击是化学惰性的，因此非常适合作为氢阻挡件的材料。在选择材料时，还可以将相应氧化物或氮化物化合物的生成自由焓与相应材料——例如金属材料——与氢的化学反应产生的相关联氢化物进行比较。相应化合物的生成自由焓(或生成焓的量)应该大于相应氢化物化合物的生成自由焓。生成自由焓g考虑与氢气的反应产生气态反应产物的事实，然而在wo 2013/124224 a1中用为保护层系统的材料选择的准则的生成焓h不会考虑这个事实。在形成气态反应产物情况中，材料的生成焓h可以较低，但由于熵的增加，仍然可能与氢发生反应。
23.在一实施例中，氢阻挡件包括至少一种金属氧化物，其优选地选自包括以下的组：al2o3、mgo、cao、la2o3、tio2、zro2、ta2o5、al2o3、y2o3、ce2o3及其化合物。al2o3具有的基于标准条件下的1mol氧的生成自由焓(吉布斯能量)约为-1050kj/mol o2。所述的其他金属氧化物也具有高的生成自由焓，因此在很大程度上对氢的攻击具有化学惰性。
24.在另一实施例中，氢阻挡件包括至少一种选自包括以下的组的材料：al、au、ag、zn、mo、si、w、ti、sn、sb、pt、ni、fe、co、cr、v、cu、mn、pb、它们的氧化物、硼化物、氮化物和碳化物，以及c和b4c、以及所述材料的化合物。例如，这些材料中的一些在de 10 2017 200 667a1中被确定为用于制动层系统的材料，其旨在抵消氢原子穿透到反射镜基板。材料的选择取决于晶体结构：例如，密堆积是有利的，如在al、au、ag、zn的情况下存在。某些材料，例如mo、si、c和b4c，常用于euv光刻单元。
25.在另一实施例中，氢阻挡件形成至少部分地、特别是完全地覆盖氢敏感材料的涂层。涂层可以包括单层或可以由多个层彼此叠置形成。涂层优选直接施加到基板背面上的氢敏感材料，即，特别是致动器、粘合层、绝缘层、导体电缆或导体轨道等，它们由与氢接触会降解的材料形成。
26.涂层，或至少一层涂层，优选包括具有上文在氢扩散系数方面以及关于氢的溶解度方面描述的性质的材料。所讨论的材料特别可以是上文较早描述的材料之一。通常，至少一层包括一材料或由该材料构成，该材料对氢的溶解度低于要保护的氢敏感材料对氢的溶解度。
27.涂层和氢阻挡层的上文早先指出的材料和其他材料可以通过各种涂覆方法施加到基板的背面和/或在那里提供的部件。材料可以从气相沉积，例如通过物理气相沉积(pvd)，特别是通过等离子体增强的pvd，通过化学气相沉积(cvd)，特别是通过等离子体增
强的cvd(pecvd)，通过原子层沉积(ald)，特别是通过等离子体增强的ald，通过溅射，特别是磁控溅射等。特别是，溅射和电子束蒸发已证明有利于金属层的应用。
28.出于实现良好的阻挡效果的目的，如果氢阻挡层的材料被施加为使得该层表现出最大的密度并且具有尽可能少的针孔，氢可以穿过这些针孔渗透到下面的材料中，则通常是有利的。
29.氢阻挡件优选地被配置为呈具有不同材料的阻挡层的多层系统形式的涂层，例如，如de 10 2017 200 667 a1中所述，其全文通过引用构成本技术内容的一部分。例如，在双层系统的情况下，即在包括一对层的涂层的情况下，一个单独层中的针孔或缺陷不会作为随后的单独层中的针孔或缺陷而延续。因此，在涂层中，优选地以更改的方式应用上面已经确定的材料中的不同材料，即作为双层。特别优选地，施加多个双层。所讨论的材料可以是例如交替施加的氮化物和碳化物，特别是max相，这些是层状六方氮化物和碳化物。应当理解，上述材料中的三种或更多种还可以用于呈多层系统形式的涂层中。
30.在一发展例中，涂层包括至少一个施加在另一层上的氢阻挡层。在这种情况下，涂层包括厚的覆盖层与由具有高阻挡效果的材料构成的氢阻挡层的组合。位于氢阻挡层下方并覆盖氢敏感材料的其他层在此具有补偿基板中的不规则且为氢阻挡层提供更好的生长条件的功能。例如覆盖层可以包括sio2。覆盖层典型地超过100nm厚；氢阻挡层典型地比100nm更薄。在这种涂层中，还可以将覆盖层和氢阻挡层的多个双层组合。另外应当理解，多个氢阻挡层的多层系统或双层系统还可以位于覆盖层上。
31.在另一实施例中，氢阻挡件包括至少部分地、特别是完全地覆盖氢敏感材料的保护膜。保护膜典型地粘附到氢敏感材料。保护膜不必在每个地方都与要保护的材料或其表面接触；换言之，至少在子区域中，保护膜与氢敏感材料之间可以形成空隙。然而，如果将保护膜施加在基板背面的整个区域上或施加到基板背面上的要保护的材料/部件，则证明了是有利的。如上所述，如果保护膜由具有低氢扩散系数和/或对氢的低溶解度的材料形成或包含该材料，则该保护膜本身可以用作氢阻挡件。这种材料可以可选地形成在保护膜的面向或背向周围环境的表面上。
32.在另一实施例中，保护膜在其面向周围环境的表面上和/或在其背向周围环境的表面上具有至少一个氢阻挡层。氢阻挡层可以包括例如金属层，特别是铝层或铝氧化物层。如果该材料是氢敏感的，则施加到面向周围环境的保护膜表面的氢阻挡层也可以提供使下面的保护膜的材料免受氢攻击的保护。如果保护膜本身是耐氢的，还可以将氢阻挡层安装在保护膜背离周围环境的表面上。以这种方法，水可以远离氢阻挡层。
33.如上所述，粘合层可以以不均匀的厚度施加，这意味着它仅略微突出或完全不突出到致动器之间的空隙中。如果保护膜粘附到致动器的顶侧，即背离基板的一侧，则保护膜原则上可以以平面方式延伸，而不会向下伸入致动器之间的空隙中并且也不会与粘合层的表面接触。
34.在一实施例中，保护膜突出到致动器的侧面之间的相应空隙中并且覆盖粘合层中的优选穴形或凹槽形凹陷部。通常有利的是，保护膜突出到相应的空隙中并且与粘合层接触或连接。在最简单的情况下，可以通过将保护膜粘附到尚未完全干燥的粘合层上来产生连接，或者在保护膜本身是自粘的情况下来产生连接。在粘合层部分地向上突出到致动器之间的空隙中的情况下，保护膜可以通过压入而例如在粘合层中形成穴形或凹槽形凹陷部
而在整个区域上连接到粘合层。在这种情况下，粘合层可以可选地至少在致动器上向上突出到空隙中，并且整个粘合层的厚度可以可选地大于致动器的高度，这意味着粘合层不仅突出到空隙中(除了穴形或凹槽形的凹陷部)而且整体在致动器上突出。如果粘合层不突出或仅部分突出到空隙中，则保护膜可以可选地直接固定、特别是胶合在致动器的侧面上。保护膜通常由柔性材料形成并且可以包括多个层。
35.原则上，可以在基板背面的每个界面处，例如在涂层上或在保护膜上施加附加的助粘剂层或其他功能层。例如，可以施加(其他)保护层，其保护基板背面上的材料免受其他污染物(并且还可选地，附加地还免受氢)的影响。这种层特别地可以集成到或施加到上面早先描述的涂层或保护膜中。
36.在另一实施例中，致动器被配置为压电致动器或电致伸缩致动器。通过压电致动器或电致伸缩致动器，即包括至少一种电致伸缩材料的致动器，可以针对性方式在基板中产生非常小的变形。压电致动器或电致伸缩致动器例如可以是线性致动马达，其对基板施加实质逐点的力效应。应当理解，代替压电致动器或电致伸缩致动器，还可以使用其他种类的致动器。致动器可以特别地以网格的方式设置在基板的背面上。相关联的绝缘层、导体电缆和导体轨道同样安装在基板的背面并且可以通过氢阻挡件来保护。
37.本发明的其他方面涉及一种光学布置，特别是涉及一种euv光刻设备，其包括如上文所述的至少一个反射镜布置。出于本技术的目的，光刻设备认为是可以用在光刻领域中的(光学)设备。除了用于制造半导体部件的光刻单元以外，设备例如可以是检验光刻单元中所使用的光掩模(在下文中还称为掩模母版)的检验系统，以用于检验要结构化的半导体基板(在下文中还称为晶片)，或者可以是用于测量光刻单元或其部件，例如测量投射系统的计量系统。
38.光学布置或光刻设备特别可以是euv光刻设备，其被配置为用于在约5nm与约30nm之间的euv波长范围内的波长处的使用辐射，或者可以是duv光刻设备，其被配置为用于在约30nm与约370nm之间的duv波长范围内的使用辐射。euv光刻设备的光学元件或反射镜布置典型在真空环境中操作。
39.参考示出对本发明必要的细节的附图，从本发明的示例性实施例的以下描述和从权利要求书中，本发明的其他特征和优点是显而易见的。单独特征可以各由它们自身单独地实现，或者作为本发明的一个变型中的任何期望的组合中的多个来实现。
附图说明
40.在示意性附图中说明示例性实施例，并且在以下描述中进行解释。附图中：
41.图1示出了具有包括多个用于校正像差的致动器的反射镜的euv光刻单元的示意图；
42.图2示出了具有图1的反射镜以及具有用于将致动器固定在基板上的粘合层的反射镜布置的示意性截面图；
43.图3示出了图2的反射镜布置的细节的示意图，其中粘合层在致动器上突出，并且在致动器之间形成有凹陷部，该凹陷部被氢保护膜覆盖；以及
44.图4a、b示出了类似于图3的示意图，其中向粘合层的一个表面以及在致动器上施加涂层，所述涂层形成氢阻挡件。
45.在附图的以下描述中，相同的附图标记用于相同或功能相同的部件。
46.图1以euv光刻单元1的形式示意性地示出了用于euv光刻的设备的构造，特别是所谓的晶片扫描仪。euv光刻单元1包括用于产生euv辐射的euv光源2，该euv辐射在低于50纳米，特别是在约5纳米与约15纳米之间的euv波长范围内具有高能量密度。euv光源2可以例如被配置为用于产生激光诱导等离子体的等离子体光源的形式。图1中所示的euv光刻单元1被设计用于13.5nm的euv辐射的操作波长。然而，euv光刻单元1还可以被配置为用于euv波长范围内的不同操作波长，例如6.8nm。
47.euv光刻单元1还包括集光器反射镜3，以便聚焦euv光源2的euv辐射以形成一束照明束4并且以便以这种方式进一步提高能量密度。照明束4用于通过照明系统10照明结构化物体m，照明系统在本例中具有五个反射光学元件12到16(反射镜)。
48.结构化物体m可以是例如反射式光掩模，其具有用于在物体m上产生至少一个结构的反射区域和非反射区域或至少较少反射区域。替代地，结构化物体m可以是多个微反射镜，它们以一维或多维的布置方式布置并且可选地围绕至少一个轴线可移动，以便设定euv辐射在相应反射镜上的入射角。
49.结构化物体m反射部分照明束4并整形投射束5，其携载有关结构化物体m的结构的信息，并被辐照到投射镜头20中，这在基板w上产生结构化物体m或其相应子区域的图像。基板w(例如晶片)包括半导体材料(例如硅)并且设置在也称为晶片台ws的安装件上。
50.在本示例中，投射镜头20具有六个反射光学元件21到26(反射镜)以便产生晶片w上的结构化物体m处存在的结构的图像。投射镜头20中的反射镜的数量通常在四到八个之间；但是，如果合适的话，也可以仅使用两个反射镜。
51.除了反射光学元件3、12至16、21至26外，euv光刻单元1还包括非光学部件，其例如可以是用于反射光学元件3、12至16、21至26的携载结构、传感器、致动器等。图1示意性地表示在投射镜头20的第六反射镜26的背面上安装的多个致动器27，以便对该镜头实行有针对性的变形，并在此过程中补偿通过投射镜头20将结构成像到晶片w上时出现的像差。为了有针对性地驱动致动器27，euv光刻单元1包括控制装置28(例如以控制计算机的形式)，其通过信号线(图中未示出)与致动器27通信。
52.图2以细节图示出了作为对应反射镜布置30的一部分的图1的反射镜26。反射镜布置30(更具体地反射镜26)包括基板31，在所示示例中基板31由熔融石英或掺钛熔融石英(ule)形成。具有低热膨胀系数或热膨胀系数对温度的非常低依赖性的不同材料，例如某些玻璃陶瓷，同样可以用作基板材料。施加到反射镜26的基板31的正面31a的是反射涂层32，其被配置为使得对于特定的入射角范围，入射的euv辐射5在13.5纳米的工作波长附近的窄光谱范围内以相对高的反射率被反射。反射涂层32被配置为使得其充当用于反射euv辐射5的干涉层系统。反射涂层32交替地包括硅形式的第一层材料的第一层和钼形式的第二层材料的第二层。取决于操作波长，不同的第一层和第二层材料(例如钼和铍的形式)同样是可能的。
53.服务于形成在反射涂层32上的反射镜面32a的有针对性的局部变形的是致动器27，其在图2所示的示例的情况下被配置为压电致动器或电致伸缩致动器。致动器27通过粘合层33固定在基板31的背面31b上。粘合层33可以直接施加到基板31的背面31b，但在所示示例中为将中间层34施加到基板31的背面31b，并且粘合层33施加到中间层34。中间层34的
材料可以包括例如cr、v、si、al、ta、ti、ru、cu、al2o3、ta2o5、tio2、铬氧化物、钒氧化物、la2o3、zro2等等。
54.在所示示例中，粘合层33具有恒定的厚度d并且施加在基板31的背面31b的区域上。致动器27安装或嵌入到粘合层33上并且在粘合层33上突出。致动器27在基板31的背面31b上的二维网格中以彼此相距一定距离来胶合。为了简化表示，图2仅示出了两个直接相邻的致动器27，它们之间形成空隙35。应当理解，在网格中通常存在大量致动器27，其中成对的相邻致动器27通过空隙35彼此分隔开。致动器27之间的空隙35通常具有相同的宽度；换言之，致动器27均匀分布在基板31的背面31b上。一个或多个致动器27还可以形成具有间隙或空隙35的装配件，或者多个致动器装配件可以施加到基板31的背面31a。单个致动器或致动器装配件27可以可选地应用于基板31的背面31b。
55.粘合层33不仅在致动器27下方或在致动器27与基板31的背面31b之间延伸，而且延伸到两个相邻致动器27之间的相应空隙35中。在图2中表示的示例的情况下，粘合层33的厚度d被选择为使得粘合层33不突出到空隙35中，而是在暴露于周围环境的表面区域33a-c与致动器27的底侧平齐。替代地，粘合层33的厚度d可以被选择为使得空隙35全部或部分地被粘合层33填充。粘合层33的厚度d还可以特别被选择为具有使得粘合层33覆盖致动器27的顶侧的尺寸。粘合层33还可以更薄或具有不规则的厚度。
56.图1的euv光刻单元1中的照明系统10的反射光学元件3、12至16以及投射镜头20的反射光学元件21至26布置在具有残余气体气氛的真空环境中。在反射镜布置30的周围环境36并且因此也在粘合层33的周围环境中，至少在清洁循环期间，存在氢37，氢37可能以不同的激发态存在，例如以分子氢(h2)的形式，以氢激发的分子或原子氢的形式、以氢离子形式等。
57.安装在基板31的背面31b上的部件，特别是致动器27，通常具有氢敏感材料m，即在其面向环境36的表面上与氢37接触时降解的材料。氢敏感材料m例如可以是致动器27的外壳的材料，并且还可以是施加到致动器27和可选地施加到中间层34的导体轨道、导体电缆、绝缘层等。导体轨道和绝缘层通常由对氢37具有较高溶解度且在与氢发生化学反应时降解的塑料材料制成。粘合层33的材料以及适当时基板31的材料通常也对氢37的攻击不是化学惰性的。
58.为了保护基板31的背面31a上的氢敏感材料m免受来自反射镜布置30的周围环境36的氢37的攻击，反射镜布置30具有氢阻挡件38，其可以以各种方式配置，如下面参考图3和图4a、b更详细描述的。图3和图4a、b分别仅示出了反射镜布置30或氢阻挡件38的细节，但是其通常在基板31的整个背面31a上延伸。
59.下文更详细描述的氢阻挡件38还可以用作水蒸气扩散阻挡件，用于保护粘合层33免受水蒸气39的渗透或向内扩散(参见图2)。如果反射镜布置30的周围环境36中的水蒸气39的浓度发生变化，则水蒸气39扩散到粘合层33中或从粘合层33中扩散出来是特殊问题，因为粘合剂在粘合层33中的膨胀或收缩取决于吸收的水蒸气39的量，并且导致粘合层33中的应力被转移到基板31并且可能导致反射镜面32a处的不希望的变形。这对于机械连接到反射镜的其他有机材料也是如此。
60.图3中所示的氢阻挡件38包括由柔性膜材料制成的保护膜40。施加到保护膜40，在背向基板31的保护膜40的顶侧40a是氢阻挡层41，该氢阻挡层在所示示例中由al构成。铝具
有小于约5x10-14
m2/s的低氢扩散系数dw。此外，铝是化学惰性材料，其对氢37的溶解度低于粘合层33的材料对氢的溶解度。
61.不同的材料一方面具有低氢扩散系数dw，例如小于5x10-14
m2/s，优选地小于1x10-17
m2/s，特别是小于1x10-21
m2/s，可以作为氢阻挡层41施加到保护膜40，例如au、ag、zn、mo、si、w、ti、sn、sb、pt、ni、fe、co、cr、v、cu、mn、pb、它们的氧化物、硼化物、氮化物和碳化物、c、b4c及其化合物。氢阻挡层41还可以包括至少一种金属氧化物或由金属氧化物构成。特别是，金属氧化物的具有高(负)的生成自由焓，小于约-300kj/mol o2，优选小于-800kj/mol o2，更优选小于-1000kj/mol o2，该金属氧化物通常对与氢37的化学反应呈惰性。特别是al2o3、mgo、cao、la2o3、tio2、zro2、ta2o5、y2o3、ce2o3及其化合物已被证明是用于氢阻挡层41的有利材料。氮化物也是如此，例如金属氮化物的生成自由焓小于-200kj/mol n2，优选地小于-350kj/mol n2，更优选地小于-600kj/mol n2，该氮化物通常对与氢37的化学反应呈惰性，因此可以用作氢阻挡层41的材料。
62.在图3所示的示例的情况下，保护膜40粘附在粘合层33的顶侧33a的整个区域上。在这种情况下，粘合层33在致动器27的顶侧向上突出。在多对相邻的致动器27之间，保护膜40突出到空隙35中，这意味着它从两个致动器27的顶侧在基板31的背面31a的方向上向下延伸。在图3所示示例的情况下，保护膜40覆盖在粘合层33中的穴状凹陷部42。在图3所示示例中，凹陷部42在空隙35中延伸直到致动器27的底侧的近似水平面。凹陷部42减少了位于空隙35内的粘合剂的体积。这有利于在吸收/释放水蒸气39时减小粘合层33中的应力，并以此方式减小基板31中的应力。
63.在图3所示示例的情况下，膜40不直接与致动器27连接，而仅与粘合层33的表面33a连接。因此，在粘合剂漂移的事件中，保护膜40的相互相对的侧可以在穴状或凹槽状的凹陷部42的区域中朝向彼此或远离彼此移动，以便抵消粘合层33中的应力的发生。
64.在所示示例中，保护膜40形成水蒸气扩散阻挡件，这意味着它由防止或抵消水蒸气39渗透到粘合层33中的材料构成或包括该材料。出于该目的，保护膜40由水扩散率低的材料形成或包括水扩散率低的材料。保护膜40可以是两层膜，例如，具有作为具有低水扩散率的材料的第一层al2o3，其充当水蒸气扩散阻挡件并施加到第二层，例如自粘合层。替代地或附加地，保护膜40可以具有疏水表面40a，其可以例如通过等离子体处理或终止来产生。水蒸气阻挡层41的表面41a(例如，以al作为层材料)还可以通过合适的表面处理来呈现疏水性。在呈保护膜40形式的水蒸气扩散阻挡件本身对氢不敏感的情况下，切换顺序可以是有利的，使得氢阻挡层41施加到保护膜40的面向基板31的底侧40b。还可以将相应的氢阻挡层41施加到保护膜40的顶侧40a和底侧40b。
65.图4a、b示出了涂层38形式的氢阻挡件，该涂层38被施加到基板31的背面31b且施加到在那里提供的部件，换言之，特别是施加到致动器27和粘合层33。在图4a所示示例的情况下，涂层38由单个氢阻挡层44构成，其不仅施加到致动器27的顶侧，而且在相应的空隙35中，施加到致动器27的侧壁和粘合层33的顶侧。在所示示例中，氢阻挡层44由al2o3形成，但还可以包括一种或多种上文较早描述的材料，或不同的材料，其首先具有低氢扩散系数dw，其次对氢37具有低溶解度。
66.图4b示出了涂层形式的氢阻挡件38，其同样完全覆盖基板31的背面31b上的氢敏感材料m。与图4a中所示的涂层38相比，图4b中所示的涂层38具有相对比较薄的氢阻挡层
44，它被施加到另一相对较厚的覆盖层43。覆盖氢敏感材料m的层43具有补偿不规则的作用，并为氢阻挡层44提供更好的生长条件。在所示示例中，sio2存在于覆盖层43中。覆盖层43的厚度典型地大于100nm；氢阻挡层44的厚度典型地小于100nm。与图4b所示的内容相比，氢阻挡件38可以包括多个双层，每个双层由覆盖层43和施加到其上的氢阻挡层44构成。
67.氢阻挡层44可以具体地由上文较早描述的材料中的一种或两种或更多种来形成。氢阻挡层44还可以包括疏水材料，或者它的表面44a可以具有疏水特性以用作水蒸气扩散阻挡件。
68.代替如图3和图4a、b所示的单独氢阻挡层41、44，氢阻挡件38可以被配置为具有彼此叠置地施加的两个或更多个氢阻挡层的涂层。以这种方式，例如，在双层系统的情况下，即包括一对氢阻挡层的涂层38，一个单独层中的针孔或缺陷在随后的单独层中不会继续是针孔或缺陷。因此，在这种类型的涂层38中，优选地交替施加上文较早已确定的材料中的不同材料，即作为双层。将两个或更多个这样的双层彼此叠置地施加是有利的。氢阻挡层的材料例如可以是交替施加的氮化物和碳化物，特别是max相，即层状六方氮化物和碳化物。应当理解，也可以将上述材料中的三种或更多种用于多层系统形式的涂层38中。
69.涂层38(特别是氢阻挡层44)可以以各种方式施加到粘合层33的表面33a和致动器27，例如，通过气相沉积，即通过pvd、cvd，例如通过等离子体增强cvd或pvd，通过ald，特别是通过等离子体增强ald，通过溅射，特别是通过磁控溅射，通过电子束蒸发等。当施加涂层38或氢阻挡层44时的操作参数被典型地选择为使得它可以以高密度沉积并且尽可能没有针孔。
70.图3中所示的氢阻挡件38可以可选地与图4a、b的氢阻挡件38一起组合，该组合方式通过用保护膜40(涂覆有氢阻挡层41)形式的氢阻挡件38覆盖基板31的背面31b上的部分或子区域，并用根据图4a、b的涂层形式的氢阻挡件38覆盖基板31的背面31b上的其他部分或子区域。在基板31的背面31b安装了对氢不敏感的材料的事件下，还可以在提供这些材料那些区域中可选性地省略基板31的背面31b上提供的氢阻挡件38。