多裸片存储器中的刷新操作的制作方法

1.本公开大体上涉及半导体存储器装置，且更特定来说，涉及用于刷新多裸片存储器的系统及方法。


背景技术：

2.存储器装置广泛用于存储与例如计算机、无线通信装置、摄影机、数字显示器及类似者的各种电子装置相关的信息。存储器装置常作为内部半导体集成电路及/或外部可移除装置提供于计算机或其它电子装置中。存在许多不同类型的存储器，包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器(包含随机存取存储器(ram)、静态随机存取存储器(sram)、动态随机存取存储器(dram)及同步动态随机存取存储器(sdram)等)需要施加电源来维持其数据。相比之下，即使没有外部供电，非易失性存储器也可保存其所存储数据。非易失性存储器可用于各种技术，包含快闪存储器(例如nand及nor)、相变存储器(pcm)、铁电随机存取存储器(feram)、电阻式随机存取存储器(rram)及磁随机存取存储器(mram)等。改进存储器装置通常可包含提高存储器单元密度、提高读取/写入速度或否则减少操作延时、提高可靠性、增加数据保存性、降低功耗或降低制造成本等指标。
附图说明
3.图1是示意性说明存储器装置的代表性框图。
4.图2是示意性说明三维堆叠(3ds)存储器装置的代表性框图。
5.图3a是说明对多裸片存储器装置中不同裸片中的dram的非重叠刷新操作的实例时序的代表图。
6.图3b是说明对应于对多裸片存储器装置中不同裸片中的dram的非重叠刷新操作的实例电流分布的代表图。
7.图4a是说明对多裸片存储器装置中不同裸片中的dram的重叠刷新操作的实例时序的代表图。
8.图4b是说明对应于对多裸片存储器装置中不同裸片中的dram的重叠刷新操作的实例电流分布的代表图。
9.图5是说明使对多裸片存储器装置中不同裸片中的dram中的存储器阵列的刷新操作重新定时的实例方法的代表性流程。
10.图6是说明根据另一实施例的用于使对多裸片存储器装置中不同裸片中的dram的刷新操作重新定时的实例方法的代表性流程。
11.图7a是说明对多裸片存储器装置中不同裸片中的dram的经重新定时刷新操作的代表图。
12.图7b是说明对应于对多裸片存储器装置中不同裸片中的dram的经重新定时刷新操作的电流分布的代表图。
具体实施方式
13.dram存储器需要周期性刷新存储器阵列以通过从阵列读取信息且不修改地立即将读取信息重写到相同区域来将信息保存于存储器中。因为刷新是电力密集型的，所以使多个刷新操作在存储器装置中同时发生需要比正常操作预算更多的电力。单片装置(例如包括单个硅裸片的存储器装置)可经配置以通过使经刷新以使功耗保持于预算内的行的激活命令错开来应对。然而，对于多芯片装置，此错开方法可存在问题：来自一个裸片的延迟激活命令可直接与来自另一裸片的激活命令时间重合，从而致使电力需求超过正常电力预算，其可例如不利地增加由存储器装置经历的电压噪声(干扰可靠数据通信及/或存储)，或超过主机系统可提供的电力电平(潜在地致使灾难性故障)。
14.为了解决上述问题，本文中公开用于刷新多裸片存储器的系统及方法。当对三维堆叠(3ds)存储器装置的存储器阵列的前一刷新命令在进行时，通过延迟对3ds存储器装置的另一存储器阵列的后续刷新命令来错开对3ds存储器装置中的多个裸片的并发刷新或同时刷新操作。根据一个实施例，主装置延迟针对裸片中的存储器阵列的刷新命令以确保不存在可导致来自3ds存储器装置的高瞬时峰值电流需求的重叠刷新操作。
15.如下文将进一步论述，在段落及/或图的上下文中描述的目前公开技术的元件可与在其它段落及/或图的上下文中描述的元件组合。此外，并非需要本文中公开的技术的所有元件来实践技术。另外，为清楚起见，以下描述中未阐述描述众所周知且通常与存储器装置相关联但会不必要地模糊本技术的一些重要方面的结构及/或过程的若干细节。此外，尽管以下公开阐述本技术的若干实施例，但技术的若干其它实施例具有不同于本章节中描述的配置或组件的配置或组件。因而，本技术可具有其它实施例，其具有额外元件及/或不具有下文参考图描述的若干元件。
16.图1是示意性说明根据本技术的实施例的存储器装置100的框图。存储器装置100可包含存储器单元阵列，例如存储器阵列150。存储器阵列150可包含多个存储体，且每一存储体可包含多个字线(wl)、多个位线(bl)及布置于字线与位线的相交处的多个存储器单元。存储器单元可包含不同存储器媒体类型中的任一者，包含电容、磁阻、铁电、相变或类似者。字线wl的选择可由行解码器140执行，且位线bl的选择可由列解码器145执行。感测放大器(samp)可提供给对应位线bl且连接到至少一个相应本地i/o线对(liot/b)，本地i/o线对又可经由可用作开关的传送门(tg)耦合到至少相应一个主i/o线对(miot/b)。存储器阵列150还可包含用于管理其操作的板线及对应电路系统。
17.存储器装置100可采用多个外部端子，其包含耦合到命令总线及地址总线以接收命令信号(cmd)及地址信号(addr)的命令及地址端子(c/a)。存储器装置可进一步包含用于接收芯片选择信号cs的芯片选择端子、用于接收芯片id信号chip_id的芯片标识符端子、用于接收时钟信号ck及ckf的时钟端子、数据端子dq及dqs、电力供应端子vdd、vss、vddq及vpp。
18.命令及地址端子(c/a)可被供应来自外部的地址信号及存储体地址信号。供应到地址端子的地址信号及存储体地址信号可经由命令/地址输入电路105传送到地址解码器110。地址解码器110可接收地址信号且将经解码行地址信号(xadd)供应到行解码器140及将经解码列地址信号(yadd)供应到列解码器145。地址解码器110还可接收存储体地址信号(badd)且将存储体地址信号供应到行解码器140及列解码器145两者。
19.命令/地址输入电路105可被供应来自存储器控制器、主机、cpu或soc的命令及地址信号c/a、芯片标识符信号chip_id及芯片选择信号cs。在一些实施例中，chip_id是c/a总线的部分，且在其它实施例中，chip_id是独立输入。命令信号可表示来自存储器控制器的各种存储器命令(例如，包含存取命令，其可包含读取命令及写入命令及刷新存储器阵列的命令)。选择信号cs及芯片标识符chip_id信号可用于选择存储器装置100响应提供到命令及地址端子的命令及地址。当激活cs及chip_id信号提供到存储器装置100时，可解码命令及地址且可执行存储器操作。命令信号cmd可作为内部命令信号icmd经由命令/地址输入电路105提供到命令解码器115。命令解码器115可包含用于解码内部命令信号icmd以产生用于执行存储器操作的各种内部信号及命令的电路。命令解码器115可进一步包含用于追踪各种计数或值的一或多个寄存器117。存储器装置100还可包含用于基于来自命令解码器115的命令来控制存储器阵列150的刷新的刷新控制器112。刷新控制器112还可包含用于追踪各种计数或值(例如由存储器装置100接收的刷新命令或由存储器装置100执行的自刷新操作的计数)的寄存器(图1中未展示)。应了解，本文中描述的各种分区及功能块仅为了促进理解所公开技术而说明且存储器装置100可用驻留于不同块及不同逻辑分区中的功能性实施。
20.电力供应端子可被供应电力供应电势vdd及vss。这些电力供应电势vdd及vss可供应到内部电压调节器/产生器电路170。内部电压调节器电路170可基于电力供应电势vdd及vss产生各种内部电势vpp、vod、vary、vperi及类似者。内部电势vpp可在行解码器140中使用，内部电势vod及vary可在包含于存储器阵列150中的感测放大器中使用，且内部电势vperi可在许多其它电路块中使用。
21.电力供应端子还可被供应电力供应电势vddq。电力供应电势vddq可与电力供应电势vss一起供应到输入/输出电路160。在本技术的实施例中，电力供应电势vddq可为相同于电力供应电势vdd的电势。在本技术的另一实施例中，电力供应电势vddq可为不同于电力供应电势vdd的电势。然而，专用电力供应电势vddq可用于输入/输出电路160，使得由输入/输出电路160产生的电力供应噪声不传播到其它电路块。
22.包含于时钟输入电路120中的输入缓冲器可接收外部时钟信号。举例来说，输入缓冲器可接收ck及ckf信号。时钟输入电路120可接收外部时钟信号以产生内部时钟信号iclk。内部时钟信号iclk可供应到内部时钟电路130。内部时钟电路130可基于所接收内部时钟信号iclk提供各种相位及频率控制的内部时钟信号。举例来说，内部时钟电路130可包含接收内部时钟信号iclk且将各种时钟信号提供到命令解码器115的时钟路径(图1中未展示)。内部时钟电路130可进一步提供输入/输出(io)时钟信号。io时钟信号可供应到输入/输出电路160且可用作用于确定读取数据的输出时序及写入数据的输入时序的时序信号。io时钟信号可以多个时钟频率提供，使得数据可以不同数据速率从存储器装置100输出及输入到存储器装置100。当期望高存储器速度时，可期望较高时钟频率。当期望较低功耗时，可期望较低时钟频率。内部时钟信号iclk也可供应到时序产生器135且因此可产生各种内部时钟信号。
23.为了在所分配刷新周期内刷新所有dram单元或存储器装置100，必须以平均周期刷新间隔时间(trefi)发出刷新命令(ref)。举例来说，在一些实施例中，当cs_n(图1中cs的逆反)、ras_n/a16及cas_n/a15保持低态且we_n/a14及act_n(图1中未展示)在时钟(ck)的
上升沿保持高态时，存储器装置100可进入刷新循环。在一些实施例中，刷新循环通过解码c/a总线且不使用ras、cas及we输入来进入。在可施加刷新命令(ref)之前，存储器装置100的所有存储体必须在至少预充电时间trp(min)内预充电及空闲。刷新寻址由内部刷新控制器112产生。此使地址位在刷新命令期间无关紧要(例如，其可被赋予“不在乎”的逻辑值)。内部地址计数器在刷新循环期间供应地址。一旦此循环开始，则无需控制外部地址总线。当刷新循环完成时，存储器装置100的所有存储体将处于预充电(空闲)状态。刷新命令与下一有效命令(des除外)之间的延迟必须大于或等于最小刷新循环时间trfc(min)，其中trfc时序参数取决于存储器密度。
24.一般来说，需要每隔trefi间隔定期向存储器装置100发出刷新命令(ref)。为了允许任务之间的调度及切换效率提高，提供绝对刷新间隔的一些灵活性用于推迟及引入刷新命令。举例来说，当存储器装置100处于1x刷新模式时，可推迟最多8个刷新命令；对于2x/4x刷新模式，可在存储器装置100的操作期间分别推迟16/32个刷新命令，这意味着在任何时间点上，不允许在1x、2x、4x刷新模式下分别推迟多于总共8、16、32个刷新命令。当连续推迟8个刷新命令时，周围刷新命令之间的所得最大间隔限于为9
×
trefi。另外，在1x刷新模式下可提前发出(“引入”)最多8个额外刷新命令，且对于2x/4x刷新模式，可分别引入16/32个刷新命令，其中每一者使稍后所需的常规刷新命令的数目减1。提前引入多于8/16/32个刷新命令不进一步减少稍后所需的常规刷新命令的数目。两个周围刷新命令之间的所得最大间隔限于为9
×
trefi，其中引入8个刷新命令。
25.存储器装置100可连接到能够利用存储器来临时或持久存储信息的若干电子装置中的任一者或其组件。举例来说，存储器装置100的主机装置可为计算装置，例如桌上型或便携式计算机、服务器、手持装置(例如移动电话、平板电脑、数字阅读器、数字媒体播放器)或其某一组件(例如中央处理单元、协处理器、专用存储器控制器等)。主机装置可为联网装置(例如交换机、路由器等)或数字图像、音频及/或视频的记录器、交通工具、电器、玩具或若干其它产品中的任一者。在一个实施例中，主机装置可直接连接到存储器装置100，但在其它实施例中，主机装置可间接连接到存储器装置(例如，通过联网连接或通过中间装置)。
26.图2是示意性说明三维堆叠(3ds)存储器装置200的代表性框图200。3ds存储器装置200包括若干堆叠存储器装置，例如通过例如穿硅通路(tsv)或穿芯片通路互连件互连的存储器装置100a、100b及100c。在3ds存储器装置200中，组件存储器装置100a、100b及100c中的每一者可经配置以操作为主存储器装置(例如存储器装置100a)或从存储器装置(例如存储器装置100b及100c)。仅主存储器装置100a与外部存储器控制器(例如存储器控制器210)或主机控制器介接；从装置由存储器控制器210通过主装置100a控制。即，到从存储器装置100b及100c的存储器控制器指令通过主存储器装置100a且由主存储器装置100a“过滤”(例如，从式存储器装置从主式存储器装置接收命令或控制信息)。在一些实施例中，主装置(例如主装置100a)及从装置(例如从装置100b及100c)两者具有类似硬件组件，只是从装置经配置以停用“主”功能性，例如经由熔丝配置、堆积结合或通过经由例如模式寄存器编程。在其它实施例中，仅主装置包含用于“主功能性”的硬件(例如用于介接存储器控制器210的硬件)，而从装置完全不包含主逻辑及电路系统。
27.3ds存储器装置200中的主及从装置中的每一者包含存储器阵列，例如主装置100a中的存储器阵列150a及分别在存储器装置100b及100c中的存储器阵列150b及150c。如上文
关于图1所论述，例如存储器阵列150a、150b及150c的dram存储器阵列需要周期性刷新来将信息保存于存储器阵列中。为了刷新存储器阵列150a、150b及150c，必须以平均周期刷新间隔时间(trefi)向每一存储器装置100a、100b及100c发出刷新命令(ref)。存储器控制器210向存储器装置100a、100b及100c中的每一者发出ref命令，但从装置100b及100c的ref命令由主装置100a进一步重新定时，如下文描述。
28.主装置100a从存储器控制器210接收ref命令。在一些实施例中，当cs_n(图1中cs的逆反)、ras_n/a16及cas_n/a15保持低态且we_n/a14及act_n(图1中未展示)在时钟(ck)的上升沿保持高态时，进入ref循环。在其它实施例中，刷新循环可通过解码c/a总线且不使用ras、cas及we输入来进入。主刷新控制器112a产生用于刷新存储器阵列150a的地址及时序。另外，主装置100a接收针对从装置100b及100c的ref命令(例如，其中cs_n chipselect选择从装置100b或100c)。如下文进一步描述，主装置100a确定是否立即向目标从装置发送ref命令或是否及在多大程度上延迟到目标从装置的ref命令。在一些实施例中，主装置100a在刷新目标存储器阵列之前使ref命令延迟某一时段(目标存储器阵列可为主阵列150a或从阵列150b及150c中的任一者)。举例来说，如果刷新是针对从装置，那么在延迟流逝之后，主装置100a向个别从装置发送ref命令，其中每一从装置刷新控制器(例如对应于从装置100b的刷新控制器112b及对应于从装置100c的刷新控制器112c或从装置100b及100c中经配置以从主存储器装置接收刷新命令且启动及/或控制对从存储器阵列的刷新操作的其它控制逻辑)控制刷新命令的时序及寻址。在其它实施例中，主刷新控制器112a产生刷新寻址且在延迟流逝之后例如经由路径225向从装置刷新控制器提供寻址。另外，在其它实施例中，主装置100a包含用于3ds堆叠的主/从逻辑，其包含用于主及从装置的刷新控制器(即，从刷新控制器112b及112c含于主装置100a中)。如上文描述，当主装置100a接收针对从装置的ref命令时，主装置100a确定是否立即开始对目标从装置的刷新操作或是否及在多大程度上延迟对目标从装置的刷新操作的开始。
29.图3a是说明用于对单片装置(例如存储器装置100)中的存储器阵列的非重叠刷新操作的实例时序的代表图。刷新操作涉及在短时间量内激活及预充电数十到数百行。每一激活及预充电是相对高电流操作，这给配电及抗噪提出挑战。在例如存储器装置100的单片装置上，刷新控制器(例如图1中的刷新控制器112)通过使激活的内部时序错开来管理电流尖峰以降低电路所需的峰值电流。举例来说，存储器控制器112可使用时序310a刷新某些行且使用时序310b刷新其它行。基于时序310a及310b的非重叠刷新操作通过使激活命令的内部时序错开来实现以降低存储器电路所需的峰值电流。即，在对第一组行的刷新开始及结束的时间315a及317a(ref1)，第二组行不刷新；且在对第二组行的刷新在进行的时间315b及317b(ref2)，第一组行不刷新。刷新操作的此非重叠时序导致非重叠峰值电流，如图3b(用于周期性及重复刷新的电流分布(例如在刷新期间汲取的平均电流(idd5))的代表图)中说明。即，在时间315a与317a之间的时间316a，峰值电流350a源自对第一组存储器行的刷新操作；在不同于时间316a的时间316b，峰值电流350b源自对第二组存储器行的刷新操作。因为时间316a及316b完全不重叠，所以峰值电流350a及350b不叠加，如果第一及第二组行的刷新时序重叠，那么会叠加。
30.图4a是说明用于对多裸片存储器装置(例如存储器装置200)中不同裸片中的存储器阵列的重叠刷新操作的实例时序的代表图。举例来说，刷新时序415a对应于主存储器装
置100a中的存储器阵列150a的刷新；刷新时序417a对应于从存储器装置100b中的存储器阵列150b的刷新；且刷新时序419a对应于从存储器装置100c中的存储器阵列150c的刷新。在时间420a，对存储器阵列150a、150b及150c中的行的刷新并发激活，这导致在时间420b前后的大峰值电流450，如图4b中说明(当3ds存储器的不同裸片中的存储器阵列同时刷新时，对应于高峰值电流的时间420b落在时间420a前后)。举例来说，如果每一3ds裸片/列组(例如图2的3ds装置200中的存储器装置100a、100b及100c)必须在295ns内完成其刷新操作但可每隔95ns被发出一ref命令，那么可存在3个裸片或逻辑列组同时刷新的情况，如同周期420a。
31.图4b说明关于图4a描述的每一刷新操作的个别电流分布(例如idd5平均刷新电流)；电流分布415b来自基于刷新时序415a刷新存储器阵列150a中的行；电流分布417b来自基于刷新时序417a刷新存储器阵列150b中的行；且电流分布419b来自基于刷新时序419a刷新存储器阵列150c中的行。如图4b中所见，当个别刷新循环如在周期420a中那样重叠时，3ds存储器的聚合瞬时峰值电流450可高于到个别裸片中的单独存储器阵列的峰值电流415b、417b及419b。高聚合峰值电流450会影响数据保存裕度、时序电路、信号完整性，且需要比系统可提供的电力更多的电力。
32.图5是说明用于使对多裸片存储器装置(例如存储器装置200)中不同裸片中的dram的刷新操作重新定时的实例方法的代表性流程500。在框510，主dram(例如图2中的主装置100a)从主机、cpu或存储器控制器(例如图2中的存储器控制器210)接收指向第一存储器阵列(例如图2中的存储器阵列150a、150b或150c中的任一者)的刷新命令。在框520，主装置100a接收对3ds堆叠中的不同存储器阵列的第二刷新命令。在框530，主装置100a确定及时执行第二刷新命令是否将与执行第一刷新命令重叠。即，在框530，主装置确定其相对于存储器阵列的行上次被刷新的时间在存储器阵列的最大刷新间隔(例如trefi)的规范所需的时间内执行第二刷新命令将导致刷新与对另一裸片的存储器阵列的进行中刷新重叠。举例来说，存储器装置100a可基于在框510接收对第一存储器阵列的第一刷新命令来着手或开始对目标存储器阵列执行刷新命令且并发开始定时器或计数器。基于在框520接收第二刷新命令，存储器装置100a可确定自第一刷新命令开始以来流逝的时间或计数是否使得立即允许执行第二刷新命令将导致对3ds堆叠中的不同裸片的刷新命令重叠(即，不同堆叠中不同阵列中的行将同时刷新且因此消耗大量峰值电流)。在一些实施例中，自由运行定时器或计数器可用于确定刷新命令从存储器控制器接收且由主装置发出的相对时间，且可用于计数延迟执行所接收刷新命令所需的时钟循环延迟的数目。
33.在框540，如果允许执行第二刷新命令将导致重叠刷新操作，那么存储器装置100a延迟对第二存储器阵列的第二刷新命令的执行。在一些实施例中，延迟量基于第二刷新命令接收的时间与第一刷新命令的执行开始的时间的相对关系及刷新所需的时长，且经设置使得第二刷新命令的执行不与第一刷新命令的执行重叠，同时确保延迟不过大以致违反在存储器阵列中保存数据所需的最大存储器刷新周期。举例来说，主装置100a可基于相同存储器阵列的相同行的上一先前刷新操作发生的时间及进一步基于所需行刷新的所需周期性来确定下一可能刷新操作的最大延迟量。存储器装置100a还可确定确保第二刷新的执行与任何进行中刷新之间无重叠所需的最小延迟。在一些实施例中，最小延迟至少部分基于3ds存储器装置的操作特性，或基于用户定义值(例如由用户在可编程寄存器中选择的值)，
或基于与刷新操作相关联的时段的倍数(例如，如果对给定存储器装置的刷新操作花费时间n，那么最小延迟可基于n的倍数)，或基于导致峰值电流低于预定电流阈值的最小延迟(例如，其中不同可预配置延迟量导致不同峰值电流且延迟可基于最小峰值电流目标选择)，或基于行业规范(例如基于上述准则中的一或多者的行业规范)，或其任一组合。存储器装置100a可在经计算最大与最小延迟之间选择延迟值(即，可选择最大延迟、最小延迟或大于最小延迟且小于最大延迟的延迟)。在一些实施例中，延迟基于例如可编程寄存器值、或基于基于其它参数及寄存器值的某种预定关系或基于硬编码延迟值(例如，基于熔丝配置、逻辑电路配置或在制造或通电时确定的其它静态/固定信号)预配置或预定。下文关于图6提供关于存储器装置100a如何确定合适延迟量的额外细节。
34.图6是说明根据另一实施例的用于使对多裸片存储器装置(例如存储器装置200)中不同裸片中的dram的刷新操作重新定时的实例方法的代表性流程600。在框610，主dram装置(例如图2中的主装置100a)检测对第一存储器阵列的第一刷新命令。举例来说，第一刷新命令可为刷新图2中存储器阵列150a、150b或150c的行的命令。在框620，主装置100a向目标存储器阵列发出刷新命令。举例来说，如果刷新命令是针对主装置100a的存储器阵列150a中的行，那么主刷新控制器112a可产生待刷新的行地址且可控制存储器阵列150a的刷新。另一方面，如果刷新命令是针对从装置100b或100c的存储器阵列150b或150c中的行，那么主装置可指示从刷新控制器112b或112c开始刷新存储器阵列150b或150c的目标行。
35.在框630，主装置100a确定发出第一刷新命令(或着手或发出第一刷新操作)的时间t1。主装置100a可开始计数器，使运行计数器归零，或否则对与在框620发出第一刷新命令重合的时间值采样。确立发出第一刷新命令的时间使主装置100a能够确定在发出刷新命令与后续刷新命令之间流逝的时间量。知道流逝时间使主装置100a能够确定后续刷新命令是否将干扰进行中刷新操作。主装置100a确定在框640检测到对不同存储器阵列(即，堆叠中另一3ds裸片中的存储器阵列)的后续刷新命令以在框650确定从存储器控制器或主机接收此后续刷新命令的时间t2及在框660确定流逝时间是否小于预定时间阈值t_threshold。举例来说，如果在框630通过开始具有经校准以ns表示时间的计数值的计数器来确定发出第一刷新命令的时间，那么主装置100a可将t1设置为0ns。接着在框650，主装置100a可确定当前计数器值且确定自计数器开始以来的t2 ns时间。在框660，主装置100a接着可确定t2 ns是否小于阈值延迟值。阈值延迟值t_threshold经设置以确保第一刷新与后续刷新之间无重叠，同时确保不违反最小刷新间隔(trefi)要求。举例来说，如果t_threshold经配置为100ns且在框650将t2确定为50ns，那么主装置100a可在框660确定t2-t1《100ns且延迟第二刷新命令的发出，如下文进一步描述。
36.如果在框660，主装置100a确定后续刷新命令来得太快(即，t2-t1《t_threshold)，那么主装置100a在框670使在框680发出后续刷新命令延迟。另一方面，如果主装置100a在框660确定发出第一刷新命令的时间与接收第二刷新命令的时间之间存在足够延迟(即，t2-t1》t_threshold)，那么其在框680发出对目标存储器阵列的第二刷新命令且不进一步延迟刷新命令。
37.在框670，延迟量可为预定、经计算或可配置数目个时钟循环或时间间隔且确定主装置100a何时分别针对主装置100a的存储器阵列150a或从装置100b或100c的存储器阵列150b或150c发出所接收刷新命令。在一些实施例中，延迟可由固定/可配置延迟t_dly加上
对应于相对于预定或可配置阈值t_threshold接收后续刷新命令的更快多少的延迟组成。举例来说，如果t_dly设置为2ns(即，对第二存储器阵列的刷新命令必须滞后于对第一存储器阵列的第一刷新命令的执行完成达2ns，或完成第一刷新操作之后开始第二刷新操作的预配置时间为2ns)且t_threshold为100ns且确定第二刷新命令(在框650)已在框620发出第一刷新命令之后的50ns接收(即，t2＝50ns，t1＝0ns)，那么主装置100a可使向目标存储器发出第二刷新命令延迟52ns(t_dly (t_threshold-(t2-t1)))。应了解，上述实例中的值仅供说明且可选择t_dly及t_threshold的不同值来实现确保后续刷新操作不会与第一刷新操作时间重叠(这导致来自共享电力轨的同时高电流需求)的目标。在一些实施例中，延迟可至少部分基于3ds存储器装置的操作特性(例如峰值电流)，或可为用户定义值，或可为行业规范，或其任一组合。在框670，主装置100a可通过例如开始定时器或计数器(例如，计数对应于预定延迟的时钟数目)来执行延迟。
38.在一些实施例中，主装置100a还可延迟主或从dram的内部激活或预充电以延迟对所述dram的刷新的开始。在其它实施例中，延迟量并入刷新存储器阵列所需的时间，使得对另一存储器阵列的后续刷新直到前一刷新完成才开始。举例来说，对于2ns的预配置最小非重叠，存储器装置100a可等待第一刷新操作完成，等待2ns，且开始执行第二刷新操作。在其它实施例中，延迟量基于来自重叠刷新操作的目标峰值电流。即，延迟经选择以使峰值聚合电流保持低于预定或预配置电流阈值。在这些实施例中，只要3ds存储器的所得峰值刷新电流不超过某一阈值峰值电流，那么可允许一定量的重叠刷新操作。在框680，当主装置100a发出或允许执行刷新命令时，其可停止及复位延迟计数器且开始对应于其发出第二刷新命令的时间的新计数器或定时器。在此情况中，当后续刷新命令(例如第三、第四等刷新命令)由主装置100a接收时，重复框640到680中的功能。
39.图7a是说明对多裸片存储器装置(例如存储器装置200)中不同裸片中的dram的经重新定时刷新操作的代表图700a。曲线720a、722a及724a表示对3ds堆叠的不同存储器装置的第一、第二及第三存储器阵列的经重新定时刷新时序。举例来说，曲线720a可表示主装置100a的存储器阵列150a的刷新时序，曲线722a可表示从装置100b的存储器阵列150b的刷新时序，且曲线724a可表示从装置100c的存储器阵列150c的刷新时序。值得注意的是，图700a说明以下实例：根据时序722a对存储器阵列150b的刷新从对存储器阵列150a的刷新完成延迟时间710；根据时序724a对存储器阵列150c的刷新从对存储器阵列150b的刷新完成延迟时间71；等等。延迟量710及711可如上文关于图6的框670描述那样确定。即，如果曲线720表示在框640(图6)检测到的第二/后续刷新命令，那么因为立即发出刷新命令将导致刷新操作重叠(且因此导致较高峰值电流)，所以在框670(图6)，时序720延迟达时间延迟709到时序722a。举例来说，如果阈值时间t_threshold＝t3(在图7a中)且时间710(t4-t3)是关于图6描述的预配置延迟t_dly，那么延迟709等于t_dly (t_threshold-(t2-t1))或(t4-t3) (t3-(t2-t1))。在一些实施例中，延迟量固定且选择为足够大以始终允许后续存储器刷新命令之间无重叠(或重叠低于预定最小重叠时间)。举例来说，如果存储器刷新命令通常需要x ns来完成，那么y ns的固定延迟为y ns(其中y》x)可确保对3ds存储器装置中的不同存储器阵列的刷新命令永远不重叠。在其它实施例中，延迟量可基于第一刷新操作开始的时间、第一刷新操作预计完成的时间及进一步基于指示在第一刷新操作完成之后第二次刷新操作可何时开始的预配置或预定静态时间来变化。
40.图7b是说明对应于图7a的经重新定时刷新操作的电流分布的代表图。电流分布720b对应于刷新时序720a(用于对3ds堆叠中的第一存储器装置的刷新操作)；电流分布722b对应于刷新时序722a(用于对3ds堆叠中的第二存储器装置的刷新操作)；及电流分布724b对应于刷新时序724a(用于对3ds堆叠中的第一存储器装置的刷新操作)。电流分布730表示由3ds堆叠装置(例如图2的存储器装置200)消耗的聚合电流。举例来说，此可为从共享电力轨汲取的电流。如图7b中所见，因为堆叠中不同存储器阵列的刷新操作之间存在延迟，所以峰值电流不重叠。举例来说，到第一存储器阵列的峰值电流727从第二存储器阵列的峰值电流汲取729延迟达时间710a。因此，聚合电流730在个别电流分布720b、722b及724b的大致相同峰值处达到峰值，而非在刷新循环时间重叠时如同图4b那样为峰值电流的总和。
41.虽然本公开含有许多代表性实例，但这些不应被解释为对任何公开方法或可主张内容的范围的限制，而是可特定于所公开方法的实施例的特征的描述。在本文件中在单独实施例的上下文中描述的某些特征也可在单个实施例中组合实施。相反地，在单个实施例的上下文中描述的各种特征也可在多个实施例中单独或以任何合适子组合实施。此外，尽管特征在上文可描述为在某些组合中起作用且甚至最初如此主张，但在一些情况中，来自所主张组合的一或多个特征可从组合删除，且所主张组合可针对子组合或子组合的变体。
42.类似地，虽然在图式中以特定顺序描绘操作，但此不应被理解为要求以所展示特定顺序或以循序顺序执行此类操作或执行所有说明操作来实现期望结果。此外，在本专利文件及所附附录中描述的实施例中使各种系统组件分离不应被理解为在所有实施例中需要此分离。
43.可从上文了解，本文中已为了说明而描述本技术的特定实施例，但可在不背离本技术的范围的情况下作出各种修改。此外，虽然与技术的某些实施例相关联的优点已在所述实施例的上下文中描述，但其它实施例也可展现此类优点，且未必需要落入本技术的范围内的所有实施例展现此类优点。因此，本公开及相关联技术可涵盖本文中未明确展示或描述的其它实施例。