一种半导体器件

技术特征：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括衬底、依次层叠形成于所述衬底上方的缓冲层、沟道层和势垒层、彼此间隔形成于所述势垒层上方的源极、栅极和漏极、以及纵向场板和横向场板，其中，所述纵向场板形成于所述漏极下方并穿设于至少部分所述缓冲层、沟道层和势垒层中，所述横向场板形成于所述漏极上方并至少部分位于所述漏极和栅极之间。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，采用多层溅射金属形成所述纵向场板，所述溅射金属包括ti、ti/al、ti/al/tin、ti/al/ni、ti/al/ni/tin、ti/al/ni/au、ti/al/w中的一种或者多种组合。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，在所述缓冲层、沟道层和势垒层中等离子体刻蚀并形成供所述溅射金属形成所述纵向场板的区域。4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述纵向场板中每层所述溅射金属的厚度为1nm-10um。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述纵向场板呈阶梯型。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述纵向场板分别与所述缓冲层、沟道层和势垒层之间形成有薄膜层，薄膜层采用包括sin、al2o3、sion、tio2、zro2和hfo2中的一种材料。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述横向场板具有一到五个，具有多个所述横向场板时彼此叠加形成阶梯状。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述漏极至所述栅极的方向为所述横向场板的长度方向，所述横向场板的长度为不大于由漏极到栅极间距离长度的任一长度。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底为半导体材料衬底。

技术总结
一种半导体器件，包括衬底、依次层叠形成于所述衬底上方的缓冲层、沟道层和势垒层、彼此间隔形成于所述势垒层上方的源极、栅极和漏极、以及纵向场板和横向场板，其中，所述纵向场板形成于所述漏极下方并穿设于至少部分所述缓冲层、沟道层和势垒层中，所述横向场板形成于所述漏极上方并至少部分位于所述漏极和栅极之间。本发明的半导体器件通过设置横向场板和纵向场板两个区域的场板实现高击穿电场特性；纵向场板和横向场板均起到分散电场尖峰的作用，其中，漏极下方的纵向场板能够有效的分散高电场，结合漏极水平阶梯场板技术，可以极大的提高器件的关态击穿电压。大的提高器件的关态击穿电压。大的提高器件的关态击穿电压。


技术研发人员：梁烨 刘雯
受保护的技术使用者：西交利物浦大学
技术研发日：2021.12.27
技术公布日：2022/4/12