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线圈部件、电路板、电子设备和线圈部件的制造方法与流程

2022-04-13 19:31:15 来源:中国专利 TAG:


1.本说明书的公开涉及线圈部件、包括该线圈部件的电路板、包括该电路板的电子设备。本说明书的公开还涉及线圈部件的制造方法。


背景技术:

2.有时,在线圈部件的基体的表面标注与该线圈部件相关的信息的标识。标注于线圈部件的标识的一例为表示该线圈部件的尺寸、型号以及与该线圈部件相关的其它信息的文字,其它例为由表示该线圈部件的方向、姿态的图形或记号构成的标记。
3.在日本特开2013-093403号公报(专利文献1)中记载了一种在基体的表面形成有表示文字的印字图案的电子部件。该印字图案通过喷墨打印机被印字。在日本特开2004-327885号公报(专利文献2)中记载了一种在表面形成有方向识别用的标记的层叠型电感器。专利文献2的方向识别用的标记由与基体不同的显色性好的材料(具体而言,硼硅酸玻璃为10wt%以上且小于30wt%,tio2为50wt%以上80wt%以下,其余部分含有zro2、al2o3中的任意元素的材料)形成。
4.现有技术文献
5.专利文献
6.专利文献1:日本特开2013-093403号公报
7.专利文献2:日本特开2004-327885号公报


技术实现要素:

8.发明要解决的技术问题
9.形成于基体的表面的标识能够通过观察由光学相机拍摄到的照片或通过用肉眼直接观察基体的表面来识别,因此,有望将形成于基体的表面的标识容易地与基体的表面的标识以外的部分辨别开。
10.本说明书中公开的发明的目的之一在于,提供容易辨别在线圈部件的基体的表面标注的标识的新技术性改善。
11.本说明书中公开的发明的上述以外的目的,通过参照本说明书整体来明确。代替上述技术问题或除上述的技术问题以外,本说明书中公开的发明也可以解决根据本说明书的记载而掌握的上述以外的技术问题。
12.用于解决技术问题的技术方案
13.本发明一个或多个实施方式的线圈部件包括基体、设置于上述基体的线圈导体和设置于上述基体的外部电极。该基体在表面具有第一区域、第二区域和第三区域,其中,上述第一区域具有第一反射率,上述第二区域具有比上述第一反射率低的第二反射率,上述第三区域被上述第二区域包围并且具有比上述第二反射率高的第三反射率且具有标识的形状。
14.在本发明的一个或多个实施方式中,波长700nm下的上述第二反射率为10%以下。
15.在本发明的一个或多个实施方式中,波长700nm下的上述第二反射率为1%以上。
16.在本发明的一个或多个实施方式中,上述标识至少具有文字、数字、记号中的至少一者。
17.在本发明的一个或多个实施方式中,上述基体的上述表面由多个面规定,上述第二区域为占据上述多个面中的一个面的整体的区域。在本发明的一个或多个实施方式中,上述第二区域为占据上述多个面中的一个面的一部分的区域。
18.在本发明的一个或多个实施方式中,上述基体由ni-zn类铁氧体材料构成。
19.在本发明的一个或多个实施方式中,上述基体由含有金属磁性颗粒的磁性材料构成。
20.本发明的一个或多个实施方式涉及包括上述任一线圈部件的电路板。本发明的一实施方式涉及包括上述电路板的电子设备。
21.一种电子设备,其包括上述的电路板。
22.本发明的一个或多个实施方式的线圈部件的制造方法包括:由磁性材料制作主体的工序,其中,上述主体在内部包含导体且由具有第一反射率的表面规定;在上述主体的表面的一部分形成具有比上述第一反射率低的第二反射率的低反射区域的工序;和在上述低反射率区域形成标识区域的工序,其中,上述标识区域具有比上述第二反射率高的第三反射率且具有标识的形状。
23.本发明的一个或多个实施方式的线圈部件的制造方法包括:由磁性材料制作主体的工序,其中,上述主体由具有第一反射率的表面规定;在上述主体的表面的一部分形成具有比上述第一反射率低的第二反射率的低反射区域的工序;在上述低反射率区域形成标识区域的工序,其中,上述标识区域具有比上述第二反射率高的第三反射率且具有标识的形状;和在上述基体卷绕导线的工序。
24.在本发明的一个或多个实施方式中,上述低反射区域通过激光加工形成。
25.在本发明的一个或多个实施方式中,上述低反射区域通过喷砂加工形成。
26.在本发明的一个或多个实施方式中,上述标识通过激光加工形成。
27.发明效果
28.依照本发明的一个或多个实施方式,在线圈部件的基体的表面容易辨别标识。
附图说明
29.图1是本发明一实施方式的线圈部件的立体图。
30.图2是图1的线圈部件的俯视图。
31.图3是用于说明在图1的线圈部件的表面产生的光的反射的说明图。
32.图4是本发明的其它实施方式的线圈部件的俯视图。
33.图5是本发明的其它实施方式的线圈部件的俯视图。
34.图6a是用于说明制造图1的线圈部件的制造方法的图。
35.图6b是用于说明制造图1的线圈部件的制造方法的图。
36.图6c是用于说明制造图1的线圈部件的制造方法的图。
37.图7a是拍摄作为本发明的实施例的线圈部件的基体的表面得到的照片。
38.图7b是拍摄比较例的线圈部件的基体的表面得到的照片。
39.图7c是拍摄作为本发明的实施例的线圈部件的基体的表面得到的照片。
40.附图标记说明
[0041]1ꢀꢀꢀ
线圈部件
[0042]
10
ꢀꢀ
基体
[0043]
10a 高反射率区域
[0044]
10b 低反射率区域
[0045]
10c 标识区域
[0046]
25
ꢀꢀ
线圈导体。
具体实施方式
[0047]
以下,适当参照附图,对本发明的各种实施方式进行说明。此外,对多个附图中相同的结构要素在该多个附图中都标注相同的附图标记。应当注意,为了便于说明,各附图未必限于以正确的比例尺进行记载。
[0048]
参照图1和图2,对本发明一实施方式的线圈部件1进行说明。图1是本发明一实施方式的线圈部件1的立体图,图2是图1的线圈部件1的俯视图。
[0049]
线圈部件1例如是电感器。电感器是可应用本发明的线圈部件的一例,本发明除电感器以外,还能够应用于变压器、滤波器、电抗器和它们以外的各种线圈部件。通过将本发明应用于能够被施加大电流的线圈部件和其以外的电子部件,能够更显著地发挥其效果。用于dc-dc转换器的电感器是能够被施加大电流的线圈部件的例子。本发明除应用于dc-dc转换器用的电感器以外,还可以应用于耦合电感器、扼流圈和它们以外的各种磁耦合型线圈部件。线圈部件1的用途不限于本说明书中所明示的用途。
[0050]
如图所示,线圈部件1包括由磁性材料构成的基体10、设置于该基体10的线圈导体25、与该线圈导体25的一端电连接的外部电极21以及与该线圈导体25的另一端电连接的外部电极22。
[0051]
图示的线圈部件1安装于安装基板102a。在安装基板102a也可以设置焊垫部103。在线圈部件1具有两个外部电极21、22的情况下,与此对应地在安装基板102设置两个焊垫部103。线圈部件1也可以通过将各外部电极21、22与安装基板102a的对应的焊垫部103接合,而安装在该安装基板102a。一实施方式的电路板102包括安装基板102a和安装于该电路板102a的线圈部件1。电路板102能够安装在各种电子设备中。能够安装电路板102的电子设备,包含智能手机、平板电脑、游戏机、汽车的电器、服务器以及它们以外的各种电子设备。线圈部件1也可以埋入于安装基板102a的内部。
[0052]
基体10具有大致长方体的形状。在本说明书中,除了按上下文有特殊解释的情况以外,线圈部件1的“长度”方向、“宽度”方向和“厚度”方向分别为图1的“l轴”方向、“w轴”方向和“t轴”方向。在本发明的一实施方式中,基体10形成为长度尺寸(l轴方向的尺寸)为1.0mm~6.0mm,宽度尺寸(w轴方向的尺寸)为0.5~6.0mm,高度尺寸(t轴方向的尺寸)为0.5~3.0mm。长度方向的尺寸也可以为0.3mm~1.6mm,宽度方向的尺寸也可以为0.1mm~0.8mm,高度方向的尺寸也可以为0.1mm~0.8mm。
[0053]
基体10具有第一主面10a、第二主面10b、第一端面10c、第二端面10d、第一侧面10e和第二侧面10f。基体10的外表面由这六个面规定。第一主面10a与第二主面10b彼此相对,
第一端面10c与第二端面10d彼此相对,第一侧面10e与第二侧面10f彼此相对。图1中由于第一主面10a位于基体10的上侧,因此有时将第一主面10a称为“上表面”。同样,有时将第二主面10b称为“下表面”。由于线圈部件1以第二主面10b与电路板102相对的方式配置,因此有时也将第二主面10b称为“安装面”。在提及线圈部件1的上下方向时,将图1的上下方向(沿着t轴的方向)作为基准。
[0054]
外部电极21设置于基体10的第一端面10c。外部电极22设置于基体10的第二端面10d。各外部电极如图示,也可以延伸至基体10的下表面。各外部电极的形状和配置不限定于图示的例子。例如,外部电极21、22可以均设置于基体10的下表面10b。外部电极21和外部电极22在长度方向彼此隔开间隔地配置。
[0055]
基体10由磁性材料构成。基体10包含例如将铁氧体材料烧结得到的烧结体。作为基体10用的铁氧体材料,可以使用mn-zn类铁氧体、ni-zn类铁氧体或者上述以外的铁氧体材料。基体10也可以由铁氧体材料以外的磁性材料构成。例如,基体10还可以包括由软磁性金属材料、软磁性合金材料或者它们以外的公知的磁性材料构成的金属磁性颗粒。在基体10中,金属磁性颗粒也可以通过在加热工序中形成于各颗粒的表面的氧化膜而彼此结合。金属磁性颗粒也可以是将具有彼此不同的平均粒径的两种以上的颗粒混合得到的混合颗粒。基体10中包含的金属磁性颗粒彼此也可以由树脂制的粘合剂结合。如后所述,在制作基体10的过程中,对其表面进行激光加工。在基体10中包含粘合剂等树脂的情况下,该树脂优选是不会因激光加工而热分解的树脂(不会因激光加工而碳化的树脂)。在基体10包含树脂的情况下,该树脂能够选择在激光加工时的照射条件下不碳化的树脂。
[0056]
在本发明的一个或多个实施方式中,基体10的表面被划分为高反射率区域10a和被该高反射率区域10a包围的低反射率区域10b。此外,基体10在其表面的低反射率区域10b的内侧具有标识区域10c。
[0057]
高反射率区域10a的反射率为第一反射率。作为低反射率区域10b的反射率的第二反射率,低于作为高反射率区域10a的反射率的第一反射率。作为标识区域10c的反射率的第三反射率,高于低反射率区域10b的第二反射率。第三反射率也可以为第一反射率以上。能够使第一反射率、第二反射率和第三反射率分别为,使用日立high-tech股份有限公司(旧“日立high-technologies股份有限公司”)的u-4100型分光光度计,在25℃下以700nmm的波长测量入射角10度时的基体10的高反射率区域10a、低反射率区域10b和标识区域10c而得到的反射率。基体10的反射率例如也可以为通过相对反射测量法测量的相对值的反射率。基体10的反射率的测量通过如下方式进行:在分光光度计安装积分球,并将硫酸钡白板作为标准试样进行了标准线校正后,在该积分球的测量试样设置部代替标准试样而设置基体10,使测量光从光源入射到该基体10的表面,用检测器检测由基体10的表面反射的反射光,由此进行基体10的反射率的测量。通过该相对反射测量法,可以求出以标准试样为标准的基体10的相对的反射率。“高”反射率区域10a和“低”反射率区域10b这样名称,着眼于高反射率区域10a的反射率与低反射率区域10b的反射率的相对的比较,高反射率区域10a不一定意味着具有绝对高的反射率。能够使高反射率区域10a的第一反射率例如为12%以上、15%以上、20%以上、30%以上、40%以上或50%以上。例如在高反射率区域10a的第一反射率为12%以上、15%以上、20%以上、30%以上、40%以上或50%以上的情况下,能够低反射率区域10b的第二反射率分别为10%以下、12%以下、16%以下、25%以下、33%以下、42%
以下。在低反射率区域10b的第二反射率为10%以下、12%以下、16%以下、25%以下、33%以下或42%以下的情况下,能够标识区域10c的第三反射率分别为20%以上、30%以上、40%以上、50%以上或60%以上。能够使高反射率区域10a的第一反射率例如为低反射率区域10b的第二反射率的1.2倍以上、1.5倍以上或2倍以上。能够使标识区域10c的第三反射率例如为低反射率区域10b的第二反射率的1.2倍以上、1.5倍以上、2倍以上。
[0058]
在本发明的一个或多个实施方式中,低反射率区域10b是占据基体10的表面的一部分的区域。在图示的例子中,低反射率区域10b设置于基体10的上表面10a的一部分。在图2所示的例子中,低反射率区域10b设置于上表面10a的纸面中左上角的附近,但低反射率区域10b的配置不限定于图示的位置。低反射率区域10b可以配置在上表面10a的任意位置。此外,低反射率区域10b也可以设置在基体10的上表面10a以外的表面。低反射率区域10b不仅设置在基体10的一个面(图2的例子中,上表面10a),也可以跨多个面地设置。例如,低反射率区域10b也可以以跨上表面10a和第一端面10c的方式设置在基体10的表面。在低反射率区域10b跨两个以上的面的情况下,标识15也可以以与低反射率区域10b的配置相应地跨两个以上的面的方式形成。也可以在基体10形成多个低反射率区域10b。
[0059]
图4表示本发明的其他实施方式的线圈部件1的上表面图。在图4所示的线圈部件1中,低反射率区域10b是占据基体10的整个上表面10a的区域。像这样,也可以将规定基体10的外形的面中一个以上的面整体作为低反射率区域。
[0060]
在本发明的一个或多个实施方式中,也可以利用常规方法由磁性材料材料制作主体,将所制作的主体的表面的一部分粗糙化,来形成低反射率区域10b。在本发明的一个或多个实施方式中,低反射率区域10b例如通过在由磁性材料材料制作的主体的表面的至少一个面实施喷砂加工来形成。低反射区域10b也可以通过喷砂加工以外的表面加工来设置在主体的表面。例如,低反射率区域10b通过在由磁性材料材料制作的主体的表面的一部分实施激光加工来形成。在通过喷砂加工形成低反射率区域10b的情况下,需要在主体中的成为低反射率区域10b的区域以外进行遮掩(masking),但通过用激光加工形成低反射率区域10b,不需要该遮掩。此外,在不进行遮掩地进行喷砂加工时,由于主体的进行喷砂加工的面整体被研磨,因此基体10的尺寸变小,但利用激光加工时,能够不减小尺寸地将加工面整体粗糙化。
[0061]
高反射率区域10a是基体10的表面中低反射率区域10b以外的区域。高反射率区域10a是基体10的表面中占据除了低反射率区域10b的区域的一部分或全部的区域。如图4所示,高反射率区域10a也可以形成在基体10的面中与形成有低反射率区域10b的面不同的面。
[0062]
在图2所示的实施方式中,标识区域10c是具有三角形形状的记号,能够表示线圈部件1的姿态、方向。标识区域10c也可以是具有三角形以外的形状的记号。
[0063]
标识区域10c也可以是表示线圈部件1的姿态、方向以外的与线圈部件1相关的各种信息的文字或数字。图5表示本发明的其它实施方式的线圈部件1的上表面图。在图5所示的线圈部件1中,在低反射率区域10b形成有标识区域10c来代替图2所示的标识区域10c。标识区域10c除图形以外,还包含数字和字母。由数字和字母构成的部分具体而言标记有“4r7”。在本发明的技术领域中,“4r7”能够被理解为表示线圈部件1的电特性(l值和z值)。标识区域10c也可以是除线圈部件1的电特性以外,表示型号、额定电流、尺寸、其他规格的
数字或文字,或者表示除它们以外的与线圈部件1相关的信息的数字或文字,也可以是数字、文字、记号(或图形)的组合。
[0064]
在本发明的一个或多个实施方式中,标识区域10c通过在由磁性材料形成的主体的低反射率区域10b实施激光加工而形成。在激光加工时,利用激光照射装置对主体的表面的低反射率区域10b内的与标识区域10c对应的形状的区域照射激光。通过在被粗糙化的低反射率区域10b以规定的照射条件照射激光,在低反射率区域10b的被照射激光的区域中,基体10熔融。由此,低反射率区域10b中的被照射激光的区域与低反射率区域10b中的没有被照射激光的区域相比,变得凹陷、平滑。
[0065]
在一个或多个实施方式中,高反射率区域10a的算术表面粗糙度ra小于低反射率区域10b的算术表面粗糙度ra,标识区域10c的算术平均粗糙度ra小于低反射率区域10b的算术平均粗糙度ra。高反射率区域10a的算术表面粗糙度ra例如可以为0.05~0.3μm,也可以为0.1~0.2μm。低反射率区域10b的算术表面粗糙度ra例如可以为0.2~0.6μm,也可以为0.3~0.5μm。标识区域10c的算术平均粗糙度ra例如可以为0.05~0.25μm,也可以为0.07~0.15μm。在低反射率区域10b通过相对于高反射率区域10a进行粗糙化处理而形成的情况下,低反射率区域10b的算术表面粗糙度ra大于高反射率区域10a的算术平均粗糙度ra。在通过激光加工(激光印字)而形成标识区域10c的情况下,标识区域10c的算术平均粗糙度ra小于低反射率区域10b的算术平均粗糙度ra。在本说明书中说明的算术表面粗糙度ra是以日本工业标准jis b 0601:2013为基准来测量的。
[0066]
下面,参照图3,对入射到基体10的表面的光的反射光进行说明。当入射光入射到基体10的表面时,在该基体的表面(反射面)发生镜面反射及漫反射。入射到基体10的表面的入射光在高反射率区域10a、低反射率区域10b和标识区域10c的各区域中被镜面反射和漫反射。在基体10的表面的高反射率区域10a、低反射率区域10b和标识区域10c中被镜面反射的光sr1、sr2、sr3的反射角,分别等于入射光ic1、ic2、ic3去往各区域的入射角。在基体10的表面的高反射率区域10a、低反射率区域10b和标识区域10c中被漫反射的光dr1、dr2、dr3,除了被镜面反射的光sr1、sr2、sr3行进的方向以外还向各方向行进。
[0067]
图3中,用各个箭头的长度表示被镜面反射的光sr1、sr2、sr3和被漫反射的光dr1、dr2、dr3的光度。通常,反射面的反射率越高,被镜面反射的光的光度越强且被漫反射的光的光度越弱。相反,反射面的反射率越低,被镜面反射的光的光度越弱且被漫反射的光的光度越强。如上所述,作为低反射率区域10b的反射率的第二反射率低于作为高反射率区域10a的反射率的第一反射率。因此,在低反射率区域10b中被镜面反射的光sr2的光度小于在高反射率区域10a中被镜面反射的光sr1的光度。该sr1的光度与sr2的光度的强弱,在图3中由sr1和sr2各自的箭头的长度表示。同样,由于作为低反射率区域10b的反射率的第二反射率低于作为标识区域10c的反射率的第三反射率,因此在低反射率区域10b中被镜面反射的光sr2的光度弱于在标识区域10c中被镜面反射的光sr3的光度,此情况由sr2和sr3的箭头的长度表示。
[0068]
由于低反射率区域10b的第二反射率低于高反射率区域10a的第一反射率,因此在低反射率区域10b中被漫反射的光dr2的光度比在高反射率区域10a中被漫反射的光dr1的光度强。该dr1的光度与dr2的光度的强弱,在图3中由dr1和dr2各自的箭头的长度表示。同样,由于低反射率区域10b的第二反射率低于标识区域10c的第三反射率,因此在低反射率
区域10b中被漫反射的光dr2的光度比在标识区域10c中被镜面反射的光dr3的光度强,此情况由dr2和dr3的箭头的长度表示。
[0069]
设置于基体10的表面的标识区域10c,基于由未图示的摄像装置拍摄基体10的表面得到的图像来进行辨别。在由摄像装置拍摄基体10的表面的情况下,在基体10的表面被反射的反射光由摄像装置的摄像元件接收,对将该接收到的光进行转换得到的电信号量子化,生成raw图像(原始图像),利用图像处理引擎对该raw图像进行图像处理而得到规定格式的图像。设置于基体10的表面的标识区域10c的辨别的难易度,受到在标识区域10c中被反射并由摄像元件接收的反射光的光度与在处于标识区域10c的周围的低反射率区域10b中被反射并由摄像元件接收的反射光的光度之差的影响。更具体而言,通过增大在标识区域10c的周围的低反射率区域10b中被反射并入射到摄像元件的反射光的光度与在标识区域10c中被反射并入射到摄像元件的反射光的光度之差,能够在由摄像装置得到的基体10表面的图像中增强标识区域10c与处于其周围的低反射率区域10b的明暗差(对比度),其结果是,标识变得容易辨别。
[0070]
在基体10的表面被镜面反射的光(sr1、sr2、sr3)由配置于相对于反射面的法线与入射光的入射方向对称的反射方向上的摄像元件接收,处于偏离于反射方向的位置的摄像元件不接收该被镜面反射光。另一方面,在基体10的表面被漫反射的反射光从反射面向各个方向行进,因此,即使是处于偏离于被镜面反射的光的行进方向的位置的摄像元件也能够接收该被漫反射光。
[0071]
在拍摄表面设置有标识区域10c的基体10的情况下,为了调整摄像元件和光源的配置以使摄像元件处于相对于反射面的法线与入射光的入射方向对称的反射方向上(即,以处于被镜面反射的光sr1、sr2、sr3的行进方向上),需要花费大量的时间和精力,在摄影装置中摄像元件与光源形成为一体的情况下,也有时不能将摄像元件配置在与来自光源的入射光的入射方向对称的反射方向上。除了来自摄像装置的光源的入射光以外,还有从设置于观察环境的室内灯辐射的光、环境光、来自光源的光被其它物体反射的光等多种入射光入射到基体10的表面,但对于这些入射光分别特定入射方向,在与该入射方向的关系中确定摄像元件的配置是不现实的。此外,在摄像装置一并拍摄安装在电路板不同的位置的多个电子部件的情况下,对于所有多个部件来说,原则上不能确定最佳的摄像元件的唯一配置。出于这样的情况,在拍摄表面设置有标识的基体的情况下,不进行将摄像元件定位在入射光被镜面反射而得的光所行进的方向上。因此,在基体10的表面被反射的反射光中入射到摄像元件的光,其大部分不是被镜面反射光而是被漫反射的光。换言之,在摄像元件接收的反射光中,漫反射成分与镜面反射成分相比比率高。因此,在通过拍摄得到的基体10的表面的图像中,被漫反射的反射光的光度强的低反射率区域被明亮地显示(二进制的情况下为白色)。因此,在图示的实施方式中,基体10的表面的图像中,低反射率区域10b明亮,高反射率区域10a和标识区域10c暗。
[0072]
下面,参照图6a~图6c,对本发明的一个或多个实施方式的线圈部件1的制造方法进行说明。本发明的一个或多个实施方式的线圈部件1的制造方法包括由磁性材料制作内部包含导体的主体的工序、在该主体的表面形成低反射率区域的工序和在该低反射率区域形成标识的工序。
[0073]
线圈部件1例如能够通过压缩成形工艺法制造。线圈部件1除压缩成形工序法以
外,还能够通过任意公知的方法制作。例如,线圈部件1能够通过片材层叠法、印刷层叠法、薄膜工艺法和浆体构建(slury build)法制作。以下,假定通过压缩成形工艺法制作线圈部件1。
[0074]
在线圈部件1的制造方法中,首先,如图6a所示,制作内部包含线圈导体25且其表面具有第一反射率的主体100。主体100由磁性材料构成,在内部具有线圈导体25。在制作主体100的工序中,首先,将多个金属磁性颗粒和粘合剂树脂一边加热一边混揉(混匀),生成混合树脂组合物。接着,在成形模具内配置事先准备好的线圈导体25,在设置有线圈导体25的成形模具内加入混合树脂组合物,对该成形模具内的混合树脂组合物施加规定的成形压力(例如,500kn~5000kn),来得到成形体。接着,进行加热成形体的热处理工序,通过该热处理得到内部设置有线圈导体25的主体100。在热处理工序中,将成形体升温至规定的加热温度(例如550℃~850℃),在该加热温度下以规定的处理时间(例如,30分钟~240分钟)加热成形体。通过该热处理工序,粘合剂树脂在其升温过程中脱脂,此外,多个金属磁性颗粒中相邻的颗粒彼此通过形成在其表面的氧化膜结合。粘合剂树脂的脱脂处理也可以作为与上述上热处理工序不同的热处理工序进行。也可以在混合树脂组合物中添加低熔点玻璃,对将添加了该低熔点玻璃的混合树脂组合物成形而得到的成形体在低氧气氛或氮气气氛下进行热处理,由此多个金属磁性颗粒中相邻的颗粒彼此也可以通过作为粘合材料的玻璃结合。根据需要对通过热处理工序制作的主体100进行滚筒研磨等研磨处理。
[0075]
接着,如图6b所示,在该主体的表面形成具有比第一反射率低的第二反射率的低反射率区域10b。低反射率区域10b通过在主体100的表面的一部分实施激光加工而形成。在激光加工中,利用激光照射装置对主体100的表面的一部分的区域照射激光,将该区域粗糙化。主体100中被粗糙化的区域成为低反射率区域10b,未被粗糙化的区域成为高反射率区域10a。作为激光照射装置,可以使用amada miyachi公司制造的ml-9100。将基体的一部分粗糙化的粗糙化处理,也可以代替激光照射或除了激光照射以外,通过喷砂加工来进行。
[0076]
接着,如图6c所示,在低反射率区域10b形成标识区域10c。由此,得到基体10。标识区域10c通过对主体100的表面中的低反射率区域10b的一部分进行激光加工而形成。作为用于形成标识区域10c的激光照射装置,可以使用基恩士公司制造的yvo4激光标记器md-x1000。通过以规定的照射条件对低反射率区域10b照射激光,低反射率区域10b中被照射激光的区域熔融,该熔融物升华。由此,被照射激光的区域与低反射率区域10b相比变得凹陷、平滑。标识区域10c具有比低反射率区域10b的第二反射率高的第三反射率。
[0077]
接着,在如上述那样得到的基体10的两端部涂敷导体糊料,对该涂敷的导体糊料进行烧结,由此形成外部电极21和外部电极22。外部电极21和外部电极22也可以通过在已烧结的ag糊料的表面依次进行镀ni和镀sn而形成。外部电极21和外部电极22被设置成与设置于基体10内的线圈导体25的端部分别电连接。外部电极21、22也可以设置在形成低反射率区域10b和标识区域10c之前的主体100。该情况下,对设置有外部电极21、22的主体100实施形成低反射率区域10b的处理和形成标识区域10c的处理。
[0078]
如以上所述,制造在基体10的表面形成有低反射率区域10b和标识区域10c的线圈部件1。所制造的线圈部件1通过回流工序安装于基板2。该情况下,配置有线圈部件1的基板2高速地通过了例如加热到最大温度260℃的回流炉后,将外部电极21、22分别钎焊到基板2的焊垫部3,由此将线圈部件1安装在基板2上,制造电路板100。
[0079]
图示的线圈部件1是可应用本发明的线圈部件的例子,本发明可以应用于其他种类的线圈部件。例如,本发明也可以应用于在由磁性材料构成的压缩芯卷绕有导线的绕线型线圈部件。绕线型的线圈部件具有压缩芯和卷绕于压缩芯的周围的绕线。在绕线型的线圈部件中,压缩芯与基体10对应。低反射率区域10b和标识区域10c形成在该压缩芯的表面。对绕线型线圈部件的制造方法的例子进行说明。首先,制作压缩芯。例如通过在ni-zn铁氧体材料中混合粘合剂树脂,利用成形模具将该混合材料压缩成形而形成成为鼓型的成形体,在规定的烧制温度下对该成形体进行烧结,来制作压缩芯。通过与上述的方法同样的方法,在该压缩芯的表面形成低反射率区域10b,并在低反射率区域10b形成标识区域10c。
[0080]
下面,对本发明的实施例进行说明。如下那样制造作为评价对象的试样。首先,在ni-zn铁氧体材料中混合粘合剂树脂,利用成形模具将该混合材料成形而制作了成形体。接着,通过在大气中以850℃对该成形体进行烧制,制作了由铁氧体材料构成的方柱形的主体。该主体制作了两个。
[0081]
对于该两个主体中的一个主体,在规定该主体的外形的多个表面中的两个表面的整体进行了激光加工。该激光加工是使用amada miyachi公司制造的ml-9100,在以下的激光照射条件下进行的。
[0082]
·
功率:15a
[0083]
·
照射头速度:3000mm/s
[0084]
·
频率:100khz
[0085]
以下,将主体的表面中的在上述的条件下实施了激光加工的面,称为激光加工面。
[0086]
使用基恩士公司制造的yvo4激光标记器md-x1000,按以下的印字条件在上述主体的两个激光加工面中的一个激光加工面的整体进行印字处理。即,在主体的激光加工面中的一个激光加工面的整体印字了
“■”
标记。
[0087]
·
功率:60%
[0088]
·
扫描速度:1250mm/s
[0089]
·
频率:400khz
[0090]
以下,将主体的表面中的以上述的条件实施了激光加工的区域称为印字区域。在上述的例子中,将主体的表面中的一个面整体作为印字区域。印字区域也可以是占据主体的各面中的一部分的区域。
[0091]
将像这样得到的基体作为样品a。样品a是由ni-zn铁氧体材料构成的基体,将其表面中的两个面作为激光加工面,在该两个激光加工面中的一个激光加工面的整体印字了
“■”
标记。样品a相当于本发明的实施方式的基体10。
[0092]
在由铁氧体材料构成的方柱形的主体另一个面整体,不进行使用上述amada miyachi公司制造的ml-9100的激光加工,而进行了将
“■”
标记印字的激光印字处理。即,该激光印字处理被实施于主体的没有实施激光加工的面(不是激光加工面的面)。将这样得到的基体作为样品b。样品b不是本发明的实施例而是比较例。
[0093]
接着,如下以下那样制作了包含金属磁性颗粒的基体的样品。首先,将由fe-si-cr合金构成的金属磁性颗粒和环氧树脂混揉而生成混合树脂组合物,将该混合树脂组合物加入成形模具中并施加1000kn的成形压力,得到了方柱形的成形体。接着,对该成形体在200℃下进行60分钟加热,制作了包含金属磁性颗粒的主体。
[0094]
在规定这样制作的主体的外形的多个表面中的两个表面的整体,进行了激光加工。该激光加工使用amada miyachi公司制造的ml-9100,在以下的激光照射条件下进行。
[0095]
·
功率:15a
[0096]
·
照射头速度:3000mm/s
[0097]
·
频率:100khz
[0098]
使用基恩士公司制造的yvo4激光标记器md-x1000,在以下的印字条件下,在上述主体的两个激光加工面中的一个激光加工面的整体进行了印字处理。即,在主体的激光加工面中的一个激光加工面的整体印字了
“■”
标记。
[0099]
·
功率:60%
[0100]
·
扫描速度:1250mm/s
[0101]
·
频率:400khz
[0102]
将这样得到的基体作为样品c。样品c是含有金属磁性颗粒的基体,将其表面中的两个面作为激光加工面,在该两个激光加工面中的一个激光加工面的整体印字了
“■”
标记。样品c相当于本发明的实施方式的基体10。
[0103]
使用日立high-tech股份有限公司的u-4100型分光光度计,使用φ60mm的积分球(入射角10度:该装置的标准积分球)对样品a、样品b和样品c分别进行全反射测量,在25℃下以700nmm的波长测量了各试样的激光加工面(相当于“低反射率区域10b”)、激光加工面以外的表面(称为“未处理面”。未处理面相当于“高反射率区域10a”)和印字区域(相当于“标识区域10c”)各自的反射率。在该反射率的测量中,使用硫酸钡白板作为标准试样。反射率的测量结果如以下的表所示。样品b由于没有激光加工面,因此样品b的激光加工面的反射率记载为“n/a”。
[0104]
表1
[0105][0106]
在印字区域占样品的一个面的一部分的情况(例如,如上述的标识区域10c那样印字了字母和数字的情况)下,印字区域的反射率可以如以下那样进行推算。即,首先,使用日立high-tech股份有限公司的u-4100型分光光度计,通过与上述同样的测量方法测量形成印字区域之前的主体的激光加工面(实施例的情况)或未处理面(比较例的情况)的反射率。将此时测量出的反射率设为r1。接着,在主体中的一个面形成印字区域,使用日立high-tech股份有限公司的u-4100型分光光度计,通过与上述相同的测量方法测量形成有该印字区域的激光加工面(实施例的情况)或未处理面(比较例的情况)的反射率。将此时测量出的反射率设为r2。此外,分别求取形成了印字区域后保留的激光加工面(实施例的情况)或未处理面(比较例的情况)的面积sa以及印字区域的面积sb。这样一来,形成了印字区域后的反射率r2,能够由将激光加工面(实施例的情况)或未处理面(比较例的情况)的反射率和印字区域的反射率以各自的面积进行加权后求取平均得到的加权平均来表示。因此,将印字
区域的反射率设为rx时,反射率r2由以下的式子表示。
[0107][0108]
如上述那样测量了r1、r2、sa和sb,因此能够根据上述的式子计算rx。将该rx作为印字区域的反射率的推算值。
[0109]
另外,对于样品a和样品b的每一者,测量了未处理面、激光加工面和印字区域的算术平均粗糙度ra。其结果,未处理面的算术平均粗糙度ra为0.15μm,印字区域的算术平均粗糙度为0.1μm。样品a的激光加工面的算术平均粗糙度ra为0.40μm。对于样品c,测量了未处理面、激光加工面和印字区域的算术平均粗糙度ra。其结果,未处理面的算术平均粗糙度ra为0.19μm,激光加工面的算术平均粗糙度ra为0.36μm,印字区域的算术平均粗糙度为0.13μm。
[0110]
接着,使用基恩士公司制造的yvo4激光标记器md-x1000,在以下的印字条件下,在与样品a同样地制作成的主体的激光加工面印字了“4r7”的文字。
[0111]
·
功率:60%
[0112]
·
扫描速度:1250mm/s
[0113]
·
频率:400khz
[0114]
形成有该“4r7”的区域为印字区域,与上述实施方式的标识区域10c对应。将如上那样得到的基体作为样品d。样品d相当于本发明的实施方式的基体10。
[0115]
使用基恩士公司制造的yvo4激光标记器md-x1000,在与上述同样的印字条件下,在与样品b同样地制作成的主体的一个面印字了“4r7”的文字。将这样得到的基体作为样品e。样品e不是本发明的实施例而是比较例。
[0116]
使用基恩士公司制造的yvo4激光标记器md-x1000,在与上述同样的印字条件下,在与样品c同样地制作成的主体的激光加工面印字了“4r7”的文字。将这样得到的基体作为样品f。样品f相当于本发明的实施方式的基体10。
[0117]
使用光学相机,对样品d、样品e和样品f各自的印字有“4r7”的表面进行了拍摄。图7a~图7c是这样拍摄的照片。从图7a和图7c的照片中,可以看出样品d和样品f的激光加工面(相当于低反射率区域10b)比“4r7”的印字图案显得明亮。另一方面,从图7b可以看出,没有对铁氧体材料的主体实施激光加工的基体的面,具有与“4r7”的印字图案相同程度的亮度。在样品d和样品f中,激光加工面与印字图案的对比度强,与样品e相比,容易辨别所印字的“4r7”。与之相对,在样品e中,印字图案与其背景(未处理面)的对比度弱,与样品d和样品f相比,难以辨别所印字的“4r7”。像这样,确认了:通过用反射率比印字区域低的激光加工面包围基体的表面中的包围印字区域的区域,能够增强印字区域与其周围的激光加工面的对比度,由此印字区域变得容易辨别。
[0118]
也用肉眼观察了样品a~样品c。与图7a~图7c所示的照片同样,在用肉眼观察的情况下,在样品a和样品c中,标识区域10c与低反射率区域10b的对比度强,容易辨别“4r7”和标注于该文字的左侧的圆形的记号的文字。与之相对,在用肉眼观察样品b时,与图7b同样,标识区域10c与低反射率区域10b的对比度弱,难以辨别“4r7”和标注于该文字的左侧的圆形的记号的文字。
[0119]
接着,对上述的实施方式的作用效果进行说明。依照本发明的一个或多个实施方式,由于低反射率区域10b的第二反射率低于标识区域10c的第三反射率,因此标识区域10c与处于其周围的低反射率区域10b的对比度强,能够容易地从其周围的区域辨别出标识区域10c。
[0120]
在用光学相机等摄像装置拍摄线圈部件1的基体10的表面的情况下,在该摄像装置的摄像元件接收的来自低反射率区域10b的反射光中,漫反射成分的比率比镜面反射成分的比率高。因此,为了确认标识区域10c,在用摄像装置拍摄线圈部件1时,不需要进行摄像装置的定位。能够与摄像装置的摄像元件相对于光源的配置无关地,在拍摄到的照片中使低反射率区域10b明亮。此外,在用肉眼确认线圈部件1的标识区域10c的情况下,对于线圈部件1无论从哪个方向进行确认,与标识区域10c相比,低反射率区域10b都看起来更白。这样一来,即使不调整摄像装置的配置、用肉眼观察时的观察者的位置,也能够增强低反射率区域10b与标识区域10c的对比度而容易辨别标识区域10c。
[0121]
依照本发明的一个或多个实施方式,由于低反射率区域10b的第二反射率低于高反射率区域10a的第一反射率,因此低反射率区域10b与处于其周围的高反射率区域10a的对比度强。因此,在观察基体10的表面时,能够容易地发现低反射率区域10b。
[0122]
本说明书中说明的各结构要素的尺寸、材料和配置不限定于实施方式中明确说明的内容,该各结构要素能够变形为具有本发明的范围可包含的任意尺寸、材料和配置。此外,可以将在本说明书未明确说明的结构要素附加到已说明的实施方式中,了说省略在各实施方式中已说明的结构要素的一部分。
再多了解一些

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