半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置及存储介质与流程

技术特征：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：(a)对在表面露出了第一基底和第二基底的基板供给第一改性剂及第二改性剂，从而使所述第一基底的表面改性的工序，其中该第一改性剂包含一个以上的直接键合有第一官能团和第二官能团的原子，该第二改性剂包含直接键合有所述第一官能团和所述第二官能团的原子且一个分子中所含的所述第一官能团的数量比所述第一改性剂的一个分子中所含的所述第一官能团的数量少；以及(b)对使所述第一基底的表面进行了改性之后的所述基板供给成膜气体，从而在所述第二基底的表面上形成膜的工序。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，(a)包括非同时地进行以下工序：(a1)对所述基板供给所述第一改性剂的工序；以及(a2)对所述基板供给所述第二改性剂的工序。3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，(a)包括依次进行(a1)、(a2)。4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，(a)还包括：(a3)对所述基板供给含有氧和氢的物质的工序，并包括依次进行(a1)、(a3)、(a2)。5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在(a1)中，使所述第一改性剂吸附于所述第一基底的表面，在(a3)中，将在所述第一基底的表面吸附的所述第一改性剂的一部分的所述第一官能团置换为羟基，在(a2)中，使所述第二改性剂吸附于所述羟基。6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在(a1)中，使所述第一改性剂的一部分以包含至少一个所述第一官能团的状态吸附于所述第一基底的表面。7.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在(a1)中，使所述第一改性剂以包含所述第二官能团的状态吸附于所述第一基底的表面，在(a2)中，使所述第二改性剂以包含所述第二官能团的状态吸附于所述羟基。8.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在(a1)中，利用存在于所述第一基底的表面且相邻的两个羟基与一个分子的所述第一改性剂的反应，使所述第一改性剂的一部分吸附于所述第一基底的表面。9.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在(a)中，重复多次(a1)和(a3)，或者重复多次(a1)、(a3)和(a2)。10.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在(a3)中，对所述基板供给h2o气体作为所述含有氧和氢的物质。11.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一改性剂的一个分子中所含的所述第一官能团的数量为2，所述第二改性剂的一个分子中所含的所述第一官能团的数量为1。
12.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一改性剂和第二改性剂都具有包含4价的原子的结构，该4价的原子直接键合有所述第一官能团和所述第二官能团。13.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一官能团包含氨基或者取代氨基。14.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第二官能团包含烃基。15.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第二官能团包含烷基。16.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，(a)在进行(a1)之前还具有：(a4)使所述基板的表面暴露于氟化氢水溶液的工序。17.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一基底是氧化膜，所述第二基底是氧化膜以外的膜。18.一种基板处理方法，其特征在于，具有：(a)对在表面露出了第一基底和第二基底的基板供给第一改性剂及第二改性剂，从而使所述第一基底的表面改性的工序，其中该第一改性剂包含一个以上的直接键合有第一官能团和第二官能团的原子，该第二改性剂包含直接键合有所述第一官能团和所述第二官能团的原子且一个分子中所含的所述第一官能团的数量比所述第一改性剂的一个分子中所含的所述第一官能团的数量少；以及(b)对使所述第一基底的表面进行了改性之后的所述基板供给成膜气体，从而在所述第二基底的表面上形成膜的工序。19.一种基板处理装置，其特征在于，具有：处理室，其对基板进行处理；第一改性剂供给系统，其对所述处理室内的基板供给第一改性剂，该第一改性剂包含一个以上的直接键合有第一官能团和第二官能团的原子；第二改性剂供给系统，其对所述处理室内的基板供给第二改性剂，该第二改性剂包含直接键合有所述第一官能团和所述第二官能团的原子且一个分子中所含的所述第一官能团的数量比所述第一改性剂的一个分子中所含的所述第一官能团的数量少；成膜气体供给系统，其对所述处理室内的基板供给成膜气体；以及控制部，其构成为能够对所述第一改性剂供给系统、所述第二改性剂供给系统及成膜气体供给系统进行控制，以使得在所述处理室内中进行：(a)对在表面露出了第一基底和第二基底的基板供给所述第一改性剂及所述第二改性剂，从而使所述第一基底的表面改性的处理；(b)对使所述第一基底的表面进行了改性之后的所述基板供给所述成膜气体，从而在所述第二基底的表面上形成膜的处理。20.一种存储介质，其为计算机能够读取的存储介质，其特征在于，存储有通过计算机使基板处理装置在所述基板处理装置的处理室内执行以下步骤的程序，即：(a)对在表面露出了第一基底和第二基底的基板供给第一改性剂及第二改性剂，从而
使所述第一基底的表面改性的步骤，其中该第一改性剂包含一个以上的直接键合有第一官能团和第二官能团的原子，该第二改性剂包含直接键合有所述第一官能团和所述第二官能团的原子且一个分子中所含的所述第一官能团的数量比所述第一改性剂的一个分子中所含的所述第一官能团的数量少；以及(b)对使所述第一基底的表面进行了改性之后的所述基板供给成膜气体，从而在所述第二基底的表面上形成膜的步骤。

技术总结
本发明提供半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置及存储介质，即提高选择生长的选择性的技术。具有以下工序：(a)对在表面露出了第一基底和第二基底的基板供给第一改性剂及第二改性剂，从而使所述第一基底的表面改性的工序，其中该第一改性剂包含一个以上的直接键合有第一官能团和第二官能团的原子，该第二改性剂包含直接键合有所述第一官能团和所述第二官能团的原子且一个分子中所含的所述第一官能团的数量比所述第一改性剂的一个分子中所含的所述第一官能团的数量少；以及(b)对使所述第一基底的表面进行了改性之后的所述基板供给成膜气体，从而在所述第二基底的表面上形成膜的工序。表面上形成膜的工序。表面上形成膜的工序。


技术研发人员：宫田翔马 中谷公彦 早稻田崇之 中川崇 出贝求
受保护的技术使用者：株式会社国际电气
技术研发日：2021.09.18
技术公布日：2022/4/12