静电保护元件以及半导体装置的制作方法

技术特征：
1.一种静电保护元件，其特征在于，具有：第一导电型的半导体基板；第二导电型的高浓度源极区域，沿着所述半导体基板的表面形成，连接有传送电源电压的电源线以及接地线中的一方；第二导电型的低浓度源极区域，具有从所述半导体基板的表面露出的露出面，与所述高浓度源极区域相接，且杂质浓度比所述高浓度源极区域低；第二导电型的高浓度漏极区域，与所述高浓度源极区域以及所述低浓度源极区域分离地沿着所述半导体基板的表面形成，连接有所述电源线以及接地线中的另一方；第二导电型的低浓度漏极区域，与所述高浓度源极区域以及所述低浓度源极区域分离地形成，具有从所述半导体基板的表面露出的露出面，与所述高浓度漏极区域相接，杂质浓度比所述高浓度漏极区域低，延伸至距所述半导体基板的表面的深度比所述低浓度源极区域深的区域；栅极绝缘膜，形成于所述低浓度源极区域以及所述低浓度漏极区域各自的所述露出面上、以及所述半导体基板的表面上的所述露出面各自之间的区域上；以及栅极电极，形成于所述栅极绝缘膜上，连接有所述电源线以及接地线中的所述一方。2.根据权利要求1所述的静电保护元件，其特征在于，沿着所述半导体基板的表面的方向上的从所述低浓度漏极区域和所述半导体基板的区域的边界至所述高浓度漏极区域的距离比沿着所述半导体基板的表面的方向上的从所述低浓度源极区域和所述半导体基板的区域的边界至所述高浓度源极区域的距离大。3.一种静电保护元件，其特征在于，具有：第一导电型的半导体基板；第二导电型的高浓度源极区域，沿着所述半导体基板的表面形成，连接有传送电源电压的电源线以及接地线中的一方；第二导电型的低浓度源极区域，具有从所述半导体基板的表面露出的露出面，与所述高浓度源极区域相接，且杂质浓度比所述高浓度源极区域低；第二导电型的高浓度漏极区域，与所述高浓度源极区域以及所述低浓度源极区域分离地沿着所述半导体基板的表面形成，连接有所述电源线以及接地线中的另一方；第二导电型的低浓度漏极区域，与所述高浓度源极区域以及所述低浓度源极区域分离地形成，具有从所述半导体基板的表面露出的露出面，与所述高浓度漏极区域相接，且杂质浓度比所述高浓度漏极区域低；栅极绝缘膜，形成于所述低浓度源极区域以及所述低浓度漏极区域各自的所述露出面上、以及所述半导体基板的表面上的所述露出面各自之间的区域上；栅极电极，形成于所述栅极绝缘膜上，连接有所述电源线以及接地线中的所述一方；以及第二导电型的阱区域，形成于所述低浓度漏极区域的底面，且杂质浓度比所述高浓度漏极区域低。4.根据权利要求3所述的静电保护元件，其特征在于，所述阱区域的侧面之一相比于所述高浓度漏极区域的与所述高浓度源极区域对置的侧面向所述高浓度源极区域侧伸出。
5.根据权利要求3或4所述的静电保护元件，其特征在于，沿着所述半导体基板的表面的方向上的从所述低浓度漏极区域和所述半导体基板的区域的边界至所述高浓度漏极区域的距离比沿着所述半导体基板的表面的方向上的从所述低浓度源极区域和所述半导体基板的区域的边界至所述高浓度源极区域的距离大。6.一种半导体装置，其特征在于，包含：传送电源电压的电源线以及接地线；第一导电型的半导体基板；内部电路，形成于所述半导体基板，利用经由所述电源线以及所述接地线传送的所述电源电压进行动作；以及静电保护元件，形成于所述半导体基板，所述静电保护元件具有：第二导电型的高浓度源极区域，沿着所述半导体基板的表面形成，连接有传送电源电压的电源线以及接地线中的一方；第二导电型的低浓度源极区域，具有从所述半导体基板的表面露出的露出面，与所述高浓度源极区域相接，且杂质浓度比所述高浓度源极区域低；第二导电型的高浓度漏极区域，与所述高浓度源极区域以及所述低浓度源极区域分离地沿着所述半导体基板的表面形成，连接有所述电源线以及接地线中的另一方；第二导电型的低浓度漏极区域，与所述高浓度源极区域以及所述低浓度源极区域分离地形成，具有从所述半导体基板的表面露出的露出面，与所述高浓度漏极区域相接，杂质浓度比所述高浓度漏极区域低，延伸至距所述半导体基板的表面的深度比所述低浓度源极区域深的区域；栅极绝缘膜，形成于所述低浓度源极区域以及所述低浓度漏极区域各自的所述露出面上、以及所述半导体基板的表面上的所述露出面各自之间的区域上；以及栅极电极，形成于所述栅极绝缘膜上，连接有所述电源线以及接地线中的所述一方。7.一种半导体装置，其特征在于，包含：传送电源电压的电源线以及接地线；第一导电型的半导体基板；内部电路，形成于所述半导体基板，利用经由所述电源线以及所述接地线传送的所述电源电压进行动作；以及静电保护元件，形成于所述半导体基板，所述静电保护元件具有：第二导电型的高浓度源极区域，沿着所述半导体基板的表面形成，连接有传送电源电压的电源线以及接地线中的一方；第二导电型的低浓度源极区域，具有从所述半导体基板的表面露出的露出面，与所述高浓度源极区域相接，且杂质浓度比所述高浓度源极区域低；第二导电型的高浓度漏极区域，与所述高浓度源极区域以及所述低浓度源极区域分离地沿着所述半导体基板的表面形成，连接有所述电源线以及接地线中的另一方；第二导电型的低浓度漏极区域，与所述高浓度源极区域以及所述低浓度源极区域分离地形成，具有从所述半导体基板的表面露出的露出面，与所述高浓度漏极区域相接，且杂质
浓度比所述高浓度漏极区域低；栅极绝缘膜，形成于所述低浓度源极区域以及所述低浓度漏极区域各自的所述露出面上、以及所述半导体基板的表面上的所述露出面各自之间的区域上；栅极电极，形成于所述栅极绝缘膜上，连接有所述电源线以及接地线中的所述一方；以及第二导电型的阱区域，形成于所述低浓度漏极区域的底面，且杂质浓度比所述高浓度漏极区域低。

技术总结
本发明的目的在于提供一种能够在不导致占有面积的增大的情况下防止静电破坏的静电保护元件以及半导体装置。本发明包含：第二导电型的高浓度源极区域，沿着第一导电型的半导体基板的表面形成，连接有电源线以及接地线中的一方；第二导电型的低浓度源极区域，具有从半导体基板的表面露出的露出面且与高浓度源极区域相接；第二导电型的高浓度漏极区域，沿着半导体基板的表面形成，连接有电源线以及接地线中的另一方；第二导电型的低浓度漏极区域，具有从半导体基板的表面露出的露出面，与高浓度漏极区域相接，且延伸至距半导体基板的表面的深度比低浓度源极区域深的区域；栅极绝缘膜；栅极电极，形成于栅极绝缘膜上，连接有电源线以及接地线中的一方。源线以及接地线中的一方。源线以及接地线中的一方。


技术研发人员：东真砂彦 望月麻理惠
受保护的技术使用者：拉碧斯半导体株式会社
技术研发日：2021.09.17
技术公布日：2022/4/12