显示装置的制作方法

显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年9月29日在韩国提交的韩国专利申请第10-2020-0127528号的权益和优先权，其全部内容通过引用明确地结合到本技术中。
技术领域
3.本公开内容涉及显示装置，并且更具体地，涉及使用发光二极管(led)的显示装置。


背景技术：

4.液晶显示装置和有机发光显示装置由于能够提供高分辨率的屏幕并允许其变薄和减轻重量的优点而被广泛应用于诸如移动电话和膝上型计算机之类的常规电子设备的屏幕。因此，显示装置的应用范围在逐渐扩大。
5.然而，在液晶显示装置和有机发光显示装置中，在减小用户可见的边框区域的尺寸方面会存在限制，该边框区域是显示装置中不显示图像的区域。例如，在液晶显示装置的情况下，由于需要使用密封剂来密封液晶并将上基板与下基板接合，因此减小边框区域的尺寸会存在限制。另外，在有机发光显示装置的情况下，由于有机发光元件由有机材料形成并且非常容易受水分或氧气的影响，因此必须设置用于保护有机发光元件的封装部，因此减小边框区域的尺寸会存在限制。因此，当多个液晶显示装置或多个有机发光显示装置被设置成平铺形状从而实现非常大的屏幕时，会存在以下问题：相邻装置之间的边框区域可能容易被用户识别到。
6.作为对此的替选方案，正在研究使用小型led作为发光元件的显示装置。由于led由无机材料而不是有机材料形成，所以与液晶显示装置或有机发光显示装置相比，其具有优异的可靠性并且具有更长的寿命。另外，led是适于应用到非常大的屏幕的元件，因为其具有高的发光速度、高的发光效率和由于高的耐冲击性而形成的优异稳定性并且可以显示高亮度的图像。
7.正在对包括这样的小型led的显示装置进行各种领域的研究，并且正在积极地研究允许减少在制造过程中可能出现的缺陷的显示装置。


技术实现要素：

8.在使用小型发光二极管(led)的显示装置中，多个发光二极管形成在生长基板上。另外，用于驱动发光二极管的驱动元件形成在与生长基板分开的基板上。当将其上形成有驱动元件的基板称为薄膜晶体管(tft)基板时，需要将多个发光二极管与生长基板分开、将多个发光二极管转移至tft基板、以及将它们连接至驱动元件的过程。这可以被称为转移过程，并且为了实现使用小型led的显示装置，转移过程是重要的过程。
9.相关技术中转移过程中的通常问题是发光二极管会未对准。当转移发光二极管时，一次转移多个发光二极管，并且在多次执行转移过程之后，可以实现显示面板。如果设
备的设定值有误差，则未对准的发光二极管被设置在显示面板上，并且当发光二极管和驱动元件彼此电连接然后导通以进行检查时，能够通过找出标记有暗点的像素来检测发光二极管的未对准。当观察标记有暗点的像素时，可以看出在发光二极管的外部状态中没有异常，但是由于几个μm的对准差导致发光二极管未导通。因此，需要通过在将发光二极管转移至tft基板上的过程中检测发光二极管的未对准来减少处理时间并降低缺陷率，同时及早检测到缺陷。
10.本公开内容的一方面在于提供一种显示装置，其允许及早检测到在发光二极管的转移过程期间会发生的发光二极管的未对准。
11.本公开内容的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员从以下描述中可以清楚地理解上面未提及的其他目的。
12.根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置包括：发光二极管led元件，其在x轴方向上具有水平长度，并且在y轴方向上具有竖直长度；驱动元件，其连接至led元件；以及反射功能层，其定位成与led元件的上部或下部交叠，其中，反射功能层包括：与led元件交叠的中心区域；外部区域，其包括小于led元件的水平长度或竖直长度的刻度；以及在中心区域与外部区域之间的周边区域。因此，通过检查发光二极管在基板上的附接位置和未对准程度，可以减少发光二极管与驱动元件的接触缺陷。
13.根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置包括：发光二极管led元件，其包括p电极和n电极；驱动元件，其连接至led元件；绝缘层，其覆盖led元件，并且包括第一孔、第二孔、第三孔和第四孔；以及测量装置，其在绝缘层上定位在led元件周围，其中，测量装置包括：辅助区域，其与第一孔和第二孔交叠；以及引导区域，其包括比led元件的水平长度或竖直长度小的刻度。因此，通过检查发光二极管在基板上的附接位置和未对准程度，可以减少发光二极管与驱动元件的接触缺陷。
14.示例性实施方式的其他详细内容被包括在具体实施方式和附图中。
15.根据本公开内容，测量装置被设置成与发光二极管交叠，使得可以在将发光二极管转移至基板之后容易地检查发光二极管是否未对准。
16.根据本公开内容，该测量装置可以通过包括反射材料来将从发光二极管发射的光向上反射。
17.根据本公开内容的效果和优点不限于上面例示的内容，并且在本说明书中包括更多种效果和优点。
附图说明
18.根据下文给出的详细说明和附图将会更充分地理解本发明，附图仅通过说明的方式给出，因而不限制本发明。
19.图1是根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置的平面图。
20.图2是示出根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置的一部分的截面图。
21.图3是示出根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置的一部分的截面图。
22.图4、图5和图6是根据图2和图3所示的显示装置的各种示例性实施方式的测量装置的平面图。
23.图7至图11是示出根据本公开内容的一个或更多个实施方式的测量装置中包括的
刻度的详细视图。
具体实施方式
24.通过参照下面结合附图详细描述的示例性实施方式，本公开内容的优点和特征以及实现优点和特征的方法将变得清楚。然而，本公开内容不限于本文公开的示例性实施方式，而是将以各种形式实现。示例性实施方式仅通过示例的方式提供，使得本领域技术人员可以完全理解本公开内容的公开内容和本公开内容的范围。因此，本公开内容将仅由所附权利要求的范围来限定。
25.用于描述本公开内容的示例性实施方式的附图中所示的形状、尺寸、比例、角度、数目等仅仅是示例，并且本公开内容不限于此。在整个说明书中，相同的附图标记一般表示相同的元件。此外，在本公开内容的以下描述中，可以省略已知相关技术的详细说明，以避免不必要地使本公开内容的主题模糊。在本文中所使用的诸如“包括”、“具有”和“由......组成”的术语通常旨在允许添加其他部件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。对单数的任何提及可以包括复数，除非另外明确说明。
26.部件被解释为包括普通误差范围，即使未明确说明也是如此。
27.当使用诸如“在...上”、“在...上方”、“在...下方”和“邻接”的术语来描述两个部分之间的位置关系时，除非这些术语与术语“紧接”或“直接”一起使用，否则这两个部分之间可以放置一个或更多个部分。
28.当元件或层设置在另一元件或层“上”时，另一层或另一元件可以直接置于其他元件上或直接置于其之间。
29.尽管使用术语“第一”、“第二”等描述各种部件，但是这些部件不受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个部件与其他部件并且可能不一定限定顺序。因此，下面要提到的第一部件可以是本公开内容的技术构思中的第二部件。
30.在整个说明书中，相同的附图标记一般表示相同的元件。
31.为了便于描述，示出了附图中所示出的每个部件的尺寸和厚度，而本公开内容不限于所示部件的尺寸和厚度。
32.本公开内容的各种实施方式的特征可以部分地或全部地彼此粘附或组合，且可以以技术上各种的方式互锁和操作，并且实施方式可以彼此独立地或彼此相关联地执行。
33.在下文中，将参照附图详细描述根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置。根据本公开内容的所有实施方式的每个显示装置的所有部件可操作地耦接和配置。
34.图1是根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置的平面图，图2和图3是分别示出根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置的一部分的截面图。
35.图1所示的显示装置100包括显示区域aa和非显示区域na。在显示区域aa中设置有多个像素px，并且在非显示区域na中设置有用于连接像素px和像素驱动器的焊盘部。在这种情况下，非显示区域na仅是为了说明本发明而分开的，并且非显示区域na并不一定意味着被用户的眼睛视觉识别的边框区域。例如，非显示区域na的宽度可以小于相邻设置在显示区域aa中的像素px之间的间隔的一半。当本公开内容的显示装置100被设置成多个并且多个显示装置100被设置成平铺的形式时，可以实现在视觉上不能识别显示装置100之间的间隙的零边框，从而使得多个平铺显示装置100可以被识别为大面板。因此，根据本公开内
容的示例性实施方式的显示装置100可以不包括可以限定非显示区域na的区域。
36.像素px是从其发射光的各个单元，并且可以包括多个发光元件和用于分别驱动多个发光元件的多个像素电路。
37.一个像素px可以被定义为由分别发射不同颜色的光的多个发光元件组成的单位像素。例如，像素px可以包括分别发射红光、绿光和蓝光的发光元件。然而，不必限于此。例如，像素px可以被定义为由一个发光元件组成的子像素。同时，由无机材料形成的发光二极管(led)140可以用作发光元件。通常，如果发光二极管140的尺寸为100微米(μm)或更小，则其被称为微型led，并且如果发光二极管140的尺寸为100微米(μm)或更大，它被称为迷你型led。
38.像素电路可以包括多个半导体元件120。像素px中包括的发光二极管140和半导体元件120可以通过多条线例如栅极线gl和数据线dl而连接至像素驱动器，像素驱动器包括栅极控制电路和数据控制电路。
39.发光二极管140、像素电路和多条线可以设置在基板110上，并且像素驱动器可以设置在基板110下方。此外，连接像素px和像素驱动器的多条连接线可以设置在基板110的侧表面上。
40.图2是示出半导体元件120、发光二极管140以及围绕它们的结构的垂直截面图。参照图2，根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100可以包括基板110、半导体元件120、栅极绝缘层131、钝化层132、反射功能层170a、粘合剂层133、发光二极管140、第一绝缘层150以及连接电极161和连接电极162。
41.基板110是支承各种功能元件的基板，并且可以是绝缘材料。例如，基板110可以包含玻璃或聚酰亚胺。当基板110具有柔性时，基板110还可以包括背板，该背板联接至基板110的后表面以加固基板110。该背板可以包含塑料材料，例如，聚对苯二甲酸乙二醇酯材料。
42.半导体元件120设置在基板110上。半导体元件120可以用作显示装置100的驱动元件。半导体元件120可以是例如薄膜晶体管(tft)、n沟道金属氧化物半导体(nmos)、p沟道金属氧化物半导体(pmos)、互补金属氧化物半导体(cmos)、场效应晶体管(fet)等，但不限于此。在下文中，将基于多个半导体元件120是薄膜晶体管的假设进行描述，但是本公开内容不限于此。
43.半导体元件120包括栅电极121、有源层122、源电极123和漏电极124。
44.栅电极121设置在基板110上。栅电极121可以由导电材料例如铜(cu)、铝(al)、钼(mo)、钛(ti)或其合金形成，但不限于此。
45.栅极绝缘层131设置在栅电极121上。栅极绝缘层131是用于使栅电极121和有源层122绝缘的层，并且可以由绝缘材料形成。例如，栅极绝缘层131可以由硅氧化物(siox)或硅氮化物(sinx)的单层或多层构成，但不限于此。
46.有源层122设置在栅极绝缘层131上。例如，有源层122可以由氧化物半导体、非晶硅或多晶硅形成，但不限于此。
47.源电极123和漏电极124彼此间隔开地设置在有源层122上。源电极123和漏电极124可以电连接至有源层122。源电极123和漏电极124可以由导电材料例如铜(cu)、铝(al)、钼(mo)、钛(ti)或其合金形成，但不限于此。
48.钝化层132设置在半导体元件120上。通过包括钝化层132，可以保护设置在钝化层132下方的元件例如半导体元件120。钝化层132可以由硅氧化物(siox)或硅氮化物(sinx)的单层或多层构成，但不限于此。钝化层132可以包括用于电连接半导体元件120和第一连接电极161的第一孔h1以及用于电连接公共线cl和第二连接电极162的第二孔h2。
49.在基板110与半导体元件120之间可以设置缓冲层。缓冲层可以使来自基板110的水分或杂质向基板110上方的扩散最小化。缓冲层可以由硅氧化物(siox)或硅氮化物(sinx)的单层或多层构成，但不限于此。
50.栅极线gl设置在基板110或缓冲层上。栅极线gl可以与栅电极121设置在同一层上，并且栅极线gl可以由与栅电极121相同的材料形成。栅极线gl可以在显示区域aa和非显示区域na中的一个方向上延伸。
51.数据线dl设置在栅极绝缘层131上。数据线dl可以与源电极123或漏电极124设置在同一层上，并且数据线dl可以由与源电极123或漏电极124相同的材料形成。数据线dl可以在显示区域aa和非显示区域na中的一个方向上延伸，并且可以在与栅极线gl不同的方向上延伸。
52.另外，公共线cl设置在栅极绝缘层131上。公共线cl是用于向发光二极管140施加公共电压的线，并且可以设置成与栅极线gl或数据线dl间隔开。公共线cl可以在与栅极线gl或数据线dl相同的方向上延伸。公共线cl可以由与源电极123和漏电极124相同的材料形成，或者可以由与栅电极121相同的材料形成。
53.反射功能层170a设置在钝化层132上。反射功能层170a是用于提高发光二极管140的发光效率的层。反射功能层170a将从发光二极管140发射的光中的朝向基板110的光向显示装置100的上方反射，从而将光发射到显示装置100的外部。反射功能层170a可以由具有高反射率并且耐蚀刻造成的损坏的金属材料形成。例如，反射功能层170a可以包含银(ag)、铝(al)等。由于纯银(ag)或铝(al)与氧或氮反应，因而反射率降低，所以反射功能层170a可以由ito/al/ito或ito/ag/ito的多层形成，或者可以通过向其添加钯(pd)或铜(cu)杂质来形成。
54.粘合剂层133设置在反射功能层170a上。粘合剂层133是用于将发光二极管140固定到基板110上的层，并且可以使由金属材料形成的反射功能层170a与发光二极管140绝缘。然而，本公开内容不必限于此，并且当发光二极管是垂直型时，粘合剂层133可以包含导电材料，使得发光二极管的一个电极和反射功能层170a可以彼此电连接，垂直型具有下述结构：发光二极管的下部的一个电极被露出。粘合剂层133可以由热固化材料或光固化材料形成，并且粘合剂层133可以选自粘合剂聚合物、环氧抗蚀剂、uv树脂、聚酰亚胺、丙烯酸酯、氨基甲酸酯和聚二甲基硅氧烷(pdms)中的任何一种，但不限于此。
55.粘合剂层133可以包括用于将半导体元件120和第一连接电极161电连接的第一孔h1和用于将公共线cl和第二连接电极162电连接的第二孔h2。在这种情况下，粘合剂层133中包括的第一孔h1和第二孔h2的直径可以大于钝化层132中包括的第一孔h1和第二孔h2的直径。粘合剂层133可以如图2所示设置在基板110的整个表面上，但不限于此。例如，粘合剂层133可以被图案化成岛状以与发光二极管140交叠。
56.发光二极管140以与反射功能层170a交叠的方式设置在粘合剂层133上。发光二极管140包括n型层141、有源层142、p型层143、n电极145、p电极144和封装层146。在下文中，将
发光二极管140描述为具有横向结构的led，但不限于此。例如，根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100可以包括作为具有垂直结构的led的发光二极管140。
57.n型层141是具有负电荷的自由电子作为载流子移动以产生电流的半导体层，并且可以由基于n-gan的材料形成。基于n-gan的材料可以是gan、algan、ingan、alingan等，并且si、ge、se、te、c等可以用作用于掺杂n型层141的杂质。在某些情况下，可以在生长基板与n型层141之间另外形成缓冲层，例如未掺杂的基于gan的半导体层。
58.有源层142设置在n型层141上。有源层142可以具有多量子阱(mqw)结构，该mqw结构具有阱层和阻挡层，阻挡层的带隙比阱层的带隙高。例如，有源层142可以具有诸如ingan/gan等的多量子阱结构。
59.p型层143是具有正电荷的空穴作为载流子移动以产生电流的半导体层，并且可以由基于p-gan的材料形成。基于p-gan的材料可以是gan、algan、ingan、alingan等，并且mg、zn、be等可以用作用于掺杂p型层143的杂质。
60.p电极144设置在p型层143上以形成欧姆接触。p电极144可以是诸如铟锡氧化物(ito)或铟锌氧化物(izo)的透明导电材料，但不限于此。另外，用于欧姆接触的n电极145设置在n型层141上。n电极145可以由与p电极144相同的材料形成。
61.用于保护n型层141和p型层143的封装层146设置在n型层141和p型层143上。封装层146也可以称为保护层，并且可以由sio2、si3n4或树脂形成。封装层146可以设置在发光二极管140的除发光二极管140的下部之外的整个表面上。然而，p电极144和n电极145的一部分通过封装层146露出，并且p电极144通过其露出区域与第一连接电极161欧姆接触，n电极145通过其露出区域与第二连接电极162欧姆接触。在一些实施方式中，在发光二极管140的侧表面的至少一部分上可以不形成封装层146。特别地，在发光二极管140的其上仅定位有n型层141而没有p型层143的一个侧表面上可以不形成封装层146，并且这样的发光二极管140可以在n型层141露出时被设置在基板上。
62.第一绝缘层150设置在半导体元件120和发光二极管140上。第一绝缘层150可以由诸如光丙烯酸、聚酰亚胺、苯并环丁烯树脂或丙烯酸酯树脂的有机材料形成，但不限于此。
63.第一绝缘层150可以被设置成覆盖基板110的整个表面。另外，第一绝缘层150被设置成与发光二极管140的侧表面相邻，从而允许发光二极管140更牢固地固定在基板110上。
64.第一绝缘层150可以使多个发光二极管140之间的区域平坦化。第一绝缘层150补偿由于半导体元件120、反射功能层170a等导致的基板110上的台阶差，使得连接电极161和连接电极162可以平滑地连接至半导体元件120和公共线cl。
65.第一绝缘层150被设置成围绕发光二极管140的上部以及侧部。因此，第一绝缘层150可以将在基板110上对准的发光二极管140更牢固地固定在基板110上。为此，第一绝缘层150的高度可以大于发光二极管140的最大高度。例如，第一绝缘层150的高度可以高于发光二极管140的p型层143、p电极144或封装层146的高度。
66.第一绝缘层150包括用于将半导体元件120和第一连接电极161电连接的第一孔h1和用于将公共线cl和第二连接电极162电连接的第二孔h2。在这种情况下，第一绝缘层150中包括的第一孔h1和第二孔h2的直径可以大于粘合剂层133中包括的第一孔h1和第二孔h2的直径。此外，第一绝缘层150包括第三孔h3和第四孔h4。第三孔h3使p电极144露出，并且第四孔h4使n电极145露出。由于p电极144位于高于n电极145的位置，所以第三孔h3的深度可
以小于第四孔h4的深度。另外，由第三孔h3露出的p电极144的面积可以大于由第四孔h4露出的n电极145的面积。同时，可以省略p电极144和n电极145，并且在这种情况下，第三孔h3使p型层143的一部分露出，并且第四孔h4使n型层141的一部分露出。
67.第一连接电极161设置在第一绝缘层150和发光二极管140上。第一连接电极161通过第三孔h3将发光二极管140的p电极144和半导体元件120电连接。第一连接电极161通过第一孔h1电连接至源电极123，并且通过第三孔h3电连接至p型层143和p电极144。当显示装置100是顶部发光型时，第一连接电极161可以由透明导电材料形成，并且透明导电材料可以是铟锡氧化物(ito)或铟锌氧化物(izo)，但不限于此。当显示装置100是底部发光型时，第一连接电极161可以由反射导电材料形成，并且反射导电材料可以是al、ag、au、pt或cu，但不限于此。
68.第二连接电极162设置在第一绝缘层150和发光二极管140上。第二连接电极162设置成与第一连接电极161间隔开并且将发光二极管140的n电极145和公共线cl电连接。第二连接电极162通过第二孔h2电连接至公共线cl，并且通过第四孔h4电连接至n型层141和n电极145。根据显示装置100的类型，第二连接电极162可以由与第一连接电极161相同的材料形成，或者可以由反射导电材料形成。反射导电材料可以是al、ag、au、pt、或cu，但不限于此。
69.首先，将发光二极管140移动到基板110上，然后经受预定压力，从而使其粘附到粘合剂层133。在该过程中，就位的发光二极管140中的一些可能竖直或水平地移动或旋转，从而未对准。另外，发光二极管140通过转移设备被移动到基板110上，但是由于转移设备的对准误差等而可能在基板110上错位。如上所述，根据示例性实施方式的发光二极管140可能在基板110上未对准或错位的同时被固定在基板110上，并且在这种情况下，第三孔h3和第四孔h4分别形成在除了p电极144和n电极145之外的位置处，使得可能发生以下问题：发光二极管140与半导体元件120没有彼此电连接，或者发光二极管140与公共线cl没有彼此电连接。
70.图2所示的显示装置100具有反射功能层170a被设置在发光二极管140下方的结构，图3所示的显示装置100具有以下结构：反射层rf被设置在发光二极管140下方，并且反射功能层170b相对于发光二极管140横向地设置。由于图3所示的显示装置100在反射层rf和反射功能层170b的设置和结构方面与图1和图2所示的显示装置100不同，并且图3所示的显示装置100的其他构造与图1和图2所示的显示装置100的构造基本相同，因此省略或简要提供多余描述。
71.参照图2，如上所述，反射功能层170a设置在发光二极管140的下方，并且用于将发光二极管140的向下指向的光在向上方向上反射。根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中包括的反射功能层170a不仅用于反射光，而且还用作用于检查发光二极管140被附接的位置的测量装置。根据本公开内容的示例性实施方式的反射功能层170a可以被称为测量装置。测量装置170a以下述形式被设置成与发光二极管140交叠：在要附接发光二极管140的位置处的平面上，该测量装置170a大于发光二极管140的尺寸。测量装置170a包括用于测量发光二极管140被附接的位置的刻度。
72.参照图3，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，反射层rf位于设置图2的反射功能层170a的位置，并且反射功能层170b相对于发光二极管140横向地设
置。反射层rf设置在发光二极管140的下方，以仅仅将发光二极管140的向下指向的光在向上方向上反射。另外，反射功能层170b相对于发光二极管140横向地设置，使得反射功能层170b不仅用于反射光，而且还用作用于检查发光二极管140附接的位置的测量装置。
73.具体地，第二绝缘层152设置在第一连接电极161和第二连接电极162上。第二绝缘层152可以由诸如光丙烯酸、聚酰亚胺、苯并环丁烯树脂或丙烯酸酯树脂的有机材料形成，但是不限于此。第二绝缘层152可以设置成覆盖基板110的整个表面。第二绝缘层152可以包括分别形成在与第一孔h1和第二孔h2相同的位置处的孔。第二绝缘层152中包括的孔可以穿过发光二极管140的有源层142，并且形成在一定程度与n型层141的侧表面交叠的深度处。然而，形成在第二绝缘层152中的每个孔防止第一连接电极161或第二连接电极162露出。
74.反射功能层170b形成在第二绝缘层152的每个孔中。反射功能层170b沿着孔的外部倾斜表面的周界设置，并且部分地设置在第二绝缘层152上。反射功能层170b应当设置在第二绝缘层152中包括的孔的外部倾斜表面上，以使其可以完全反射来自发光二极管140的侧表面的光。第二绝缘层152防止反射功能层170b中的每一个与第一连接电极161或第二连接电极162短路。
75.反射层rf和反射功能层170b可以由具有高反射率的金属材料形成。例如，其可以包含银(ag)、铝(al)等。由于纯银(ag)与氧或氮反应，因而反应性降低，因此反射功能层170b可以由ito/ag/ito或ito/al/ito的多层形成，或者可以通过向其添加钯(pd)或铜(cu)杂质形成。反射层rf和反射功能层170b用于将发光二极管140的向下和横向指向的光在向上方向上反射。根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中包括的反射功能层170b不仅用于反射光，而且还用作用于检查发光二极管140被附接的位置的测量装置。根据本公开内容的示例性实施方式的反射功能层170b可以被称为测量装置。测量装置被设置成围绕发光二极管140的侧表面，并且包括用于测量发光二极管140被附接的位置的刻度。
76.根据图2和图3所示的截面图，反射功能层170a和反射功能层170b的位置可以被限定为相对于发光二极管140向下或横向，并且将通过图4、图5和图6的平面图来描述反射功能层170a和反射功能层170b的详细结构。
77.图4、图5和图6是根据图2和图3所示的显示装置的各种示例性实施方式的测量装置的平面图。
78.图4是根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中包括的反射功能层170c的平面图。假设反射功能层170c在xy平面上，则发光二极管140可以位于z轴上。
79.根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中包括的反射功能层170c可以被划分为中心区域ca、周边区域pa和外部区域oa。中心区域ca即在发光二极管140定位成没有错位的情况下与发光二极管140交叠的部分，是物理上包括反射功能层170c的中心的区域。
80.在反射功能层170c中，可以将在x轴上具有最大宽度的部分的长度定义为wb，并且可以将在y轴上具有最大宽度的部分的长度定义为lb。将wb一分为二的y轴方向虚拟线和将lb一分为二的x轴方向虚拟线相交的部分是反射功能层170c的中心。当发光二极管140的中心与反射功能层170c的中心交叠时，反射功能层170c的与发光二极管140交叠的区域可以被称为中心区域ca。
81.反射功能层170c可以包括作为边缘区域的外部区域oa。外部区域oa是设置有刻度sb的区域。刻度sb包括凹入部tr和突出部cr，从而可以直观地知道发光二极管140被附接的位置。当将包括一个凹入部tr和一个突出部cr的结构称为单位刻度sb时，在外部区域oa中设置有多个这样的单位刻度sb。由于外部区域oa包括刻度sb，因此可以将其称为引导区域。
82.反射功能层170c可以包括位于上述中心区域ca与外部区域oa之间的周边区域pa。中心区域ca和周边区域pa主要反射发光二极管140的光并且向上发射光。
83.参照图4，在反射功能层170c的外部区域oa中的、与中心区域ca对应的区域中可以不包括刻度sb。例如，当发光二极管140的竖直长度大于其水平长度时，可以将未对准的发光二极管140分别水平地设置在x轴上以及竖直地设置在y轴上。在这种情况下，假设发光二极管140的水平长度是wm，发光二极管140的竖直长度是lm，则在反射功能层170c的外部区域oa中分别对应于wm和lm的区域wbn和区域lbn可以不包括刻度sb。例如，外部区域oa的与第一孔h1和第二孔h2交叠的部分可以不包括刻度sb，并且可以将其称为辅助区域。
84.当将发光二极管140转移至基板110时，如果没有未对准，则其可以设置成与反射功能层170c的中心区域ca交叠，但是如果未对准，则其可以设置成与反射功能层170c的中心区域ca和周边区域pa交叠。由于将发光二极管140转移至基板110的过程是由于努力使发光二极管140与反射功能层170c的中心区域ca交叠，所以在外部区域oa中的与中心区域ca对应的区域中不包括刻度sb会是有效的。在这种情况下，设置成与反射功能层170c的区域lbn和区域wbn相邻的刻度sb允许可以首先设置突出部cr。
85.观察图4所示的根据示例性实施方式的显示装置100中包括的反射功能层170c与发光二极管140之间的位置关系，通过使其相对于反射功能层170c的中心区域ca在-(负)x轴方向和 (正)y轴方向移动来设置发光二极管140。
86.在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100的情况下，在将发光二极管140转移至基板110上之后，检查员可以目视检查发光二极管140的未对准程度。当单位刻度sb中包括的突出部cr和凹入部tr的长度彼此相同时，根据图4，在x轴方向和y轴方向二者上，发光二极管140的未对准程度不超过一个单位刻度sb的长度的一半。取决于刻度sb的尺寸，图4的实施方式可以被认为是有缺陷的或良好的。稍后将详细描述单位刻度sb的尺寸。如果有缺陷，则停止发光二极管140的转移过程，并且在执行用于校正未对准的操作之后，继续转移过程，从而缩短过程时间并降低成本。
87.参照图5，在反射功能层170d中，上述反射功能层170c的区域lbn和区域wbn不存在，并且刻度sb连续地设置在反射功能层170d的外部区域oa的整个区域中。在这种情况下，设置在x轴上的刻度sb和设置在y轴上的刻度sb中的每一个可以包括中心刻度csb。中心刻度csb设置在外部区域oa中与反射功能层170d的中心对应的区域中。在图5中，中心刻度csb被实现为凹入部tr，但不限于此，中心刻度csb可以被实现为突出部cr。
88.观察图5所示的根据示例性实施方式的显示装置100中包括的反射功能层170d与发光二极管140之间的位置关系，通过使其相对于反射功能层170d的中心区域ca在-(负)x轴方向移动并沿逆时针方向旋转来设置发光二极管140。检查员可以通过刻度sb和中心刻度csb来检查发光二极管140在x轴方向上的移动程度以及旋转角度θ。如图5所示，当发光二极管140旋转时，可以通过使发光二极管140的一个表面与x轴和y轴对应以提供虚拟的直角三角形来算出发光二极管140旋转的角度θ。由此，检查员能够确定发光二极管140的附
接位置是否产生了缺陷。
89.在以上说明的图4和图5中，描述了刻度sb的所有尺寸都相同的情况。另一方面，在图6的反射功能层170e的情况下，外部区域oa中的在x轴方向上设置的刻度sb的尺寸与外部区域oa中的在y轴方向上设置的刻度sb的尺寸不同。在这种情况下，示出了外部区域oa中的在x轴方向上设置的刻度sb的尺寸大于外部区域oa中的在y轴方向上设置的刻度sb的尺寸，但是本公开内容不限于此。然而，设置在同一轴线上的刻度sb的尺寸可以相同。另外，类似于上述图4的反射功能层170c，图6的反射功能层170e被示出为包括未设置刻度sb的区域lbn和区域wbn，但是本公开内容不限于此，刻度sb可以如图5所示沿着外部区域oa连续地设置。
90.可以根据发光二极管140的移动偏差来不同地实现刻度sb的尺寸。在图6的反射功能层170e的情况下，当发光二极管140被附接时，其x轴移动比其y轴移动更大程度地发生。在这种情况下，由于发光二极管140在x轴方向上的移动程度大于发光二极管140在y轴方向上的移动程度，因此在x轴方向上设置的刻度sb的精度不需要比在y轴方向上设置的刻度sb的精度高。因此，在反射功能层170e中，可以将在x轴方向上设置的刻度sb的尺寸实现为大于在y轴方向上设置的刻度sb的尺寸。
91.观察图6中所示的根据示例性实施方式的显示装置100中包括的反射功能层170e与发光二极管140之间的位置关系，通过使其相对于反射功能层170e的中心区域ca在 (正)x轴方向和-(负)y轴方向上移动来设置发光二极管140。根据图6，在x轴上，发光二极管140的未对准程度大约是在x轴方向上设置的单位刻度sb的一个突出部cr和半个凹入部tr之和。在y轴上，发光二极管140的未对准程度是在y轴方向上设置的单位刻度sb的大约一个突出部cr。取决于刻度sb的尺寸，图6的实施方式可以被认为是有缺陷的或良好的。
92.到目前为止描述的图4、图5和图6中所示的所有反射功能层170c、170d和170e可以应用于图2和图3的显示装置100。当反射功能层170c、170d和170e应用于图2的显示装置100时，其可以在反射功能层170a的位置处设置在发光二极管140下方。另外，当应用于图3的显示装置100时，反射功能层170c、170d或170e中包括的中心区域ca和周边区域pa被省略，并且可以在图3的反射功能层170b的位置处仅设置外部区域oa。
93.图7至图11是示出根据本公开内容的一个或更多个实施方式的测量装置中包括的刻度的详细视图。
94.图7中描述的刻度可以被包括在分别在图4、图5和图6中所示的反射功能层170c、170d和170e中。
95.图7示出了包括突出部cr和凹入部tr的单位刻度sb。突出部cr和凹入部tr中的每一个可以使用三点来实现。突出部cr利用突出部宽度参考点c1和c2以及突出部形状参考点c3实现，并且突出部宽度参考点c1和c2包括第一突出部宽度参考点c1和第二突出部宽度参考点c2。并且，凹入部tr利用凹入部宽度参考点t1和t2以及凹入部形状参考点t3实现，并且凹入部宽度参考点t1和t2包括第一凹入部宽度参考点t1和第二凹入部宽度参考点t2。在图7中，突出部cr和凹入部tr均实现为四边形形状，但是只要能够限定仅上述宽度参考点c1、c2、t1和t2以及形状参考点c3和t3，连接各个点的线就可以自由地用作直线或曲线，并且突出部cr和凹入部tr就可以以各种形状实现。
96.宽度参考点c1和c2是限定突出部cr的宽度的点，并且宽度参考点t1和t2是限定凹
入部tr的宽度的点。可以通过宽度参考点c1、c2、t1和t2来算出发光二极管140的未对准程度。在这种情况下，突出部cr的宽度对应于第一刻度的宽度，并表示为sb1。凹入部tr的宽度对应于第二刻度的宽度，并表示为sb2。可能有效的是，将刻度sb实现为使得sb1和sb2的长度彼此相同，以便检查员容易地算出发光二极管140的移动值。
97.假设图7的刻度sb是设置在反射功能层170c、170d或170e的上部上的部分，则第一突出部宽度参考点c1和第二突出部宽度参考点c2可以在x轴上设置在不同点处(例如，它们沿x方向彼此间隔开)，并且可以在y轴上设置在相同点处(例如，它们沿y方向在同一水平)。以类似的方式，第一凹入部宽度参考点t1和第二凹入部宽度参考点t2可以在x轴上设置在不同点处，并且可以在y轴上设置在相同点处。另外，突出部宽度参考点c1和c2中的任何一个与凹入部宽度参考点t1和t2中的任何一个可以在x轴上设置在相同点处，并且可以在y轴上设置在不同点处。在图7中，示出了第一突出部宽度参考点c1和第一凹入部宽度参考点t1在x轴上设置在相同点处，并且在y轴上设置在不同点处，但是本公开内容不限于此。因此，可以仅利用突出部cr和凹入部tr中的每一个的宽度来算出发光二极管140的未对准的数值。
98.突出部cr和凹入部tr的高度可以由在实现突出部cr和凹入部tr的点中的下述两个点限定，所述两个点在x轴上设置在相同点并且在y轴上设置在不同点。具体地，在图7中，连接第一突出部宽度参考点c1和第一凹入部宽度参考点t1的直线的长度可以被定义为突出部cr和凹入部tr的高度，并被表示为sb3。容易将突出部cr和凹入部tr的各自的高度等同地实现为sb3，但是本公开内容不限于此。由于突出部cr和凹入部tr的宽度在计算发光二极管140的未对准的数值时是重要的值，因此它们的高度可以被实现为彼此不同。例如，参照图8，以两个不同的高度sb3(a)和sb3(b)实现多个刻度sb。换句话说，凹入部tr可以被实现为对于各个凹入部tr交替地具有不同的高度，但是不限于此。刻度的高度sb3可以如图8的情况那样以两个不同的高度规则地设置，但是在某些情况下可以随机地设置。例如，当刻度sb的宽度形成为对于详细测量较小时，如果发光二极管140的未对准程度相当大，则检查员可能会产生对刻度sb的数量计数的负担。因此，如果在不需要对刻度sb的数量计数的点处以不同的方式实现刻度sb的高度，则检查员可以有效地找出数值。例如，以每个奇数、偶数或每十个来不同地实现刻度sb的高度。
99.至此，已经对第一突出部宽度参考点c1、第二突出部宽度参考点c2、第一凹入部宽度参考点t1和第二凹入部宽度参考点t2进行了描述，并且刻度sb可以通过这些参考点实现。参照图9，可以以第一突出部宽度参考点c1、第二突出部宽度参考点c2和第一凹入部宽度参考点t1来实现突出部cr，并且可以以第一凹入部宽度参考点t1、第二凹入部宽度参考点t2和第一突出部宽度参考点c1来实现凹入部tr。根据示例性实施方式的显示装置100中包括的反射功能层的刻度sb可以以三角形形状实现。图9示出了第一突出部宽度参考点c1和第一凹入部宽度参考点t1在x轴方向上设置在相同点并且在y轴方向上设置在不同点的情况，但是本公开内容不限于此。参照图10，第一突出部宽度参考点c1和第一凹入部宽度参考点t1在x轴方向上不位于相同点。第一突出部宽度参考点c1和第二突出部宽度参考点c2与第一凹入部宽度参考点t1和第二凹入部宽度参考点t2在y轴方向上不位于相同点。在这种情况下，检查员可以通过突出部cr的宽度sb1检查发光二极管140的未对准程度。
100.参照图7，根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中包括的反射功能层
包括刻度sb，并且刻度sb可以包括突出部形状参考点c3和凹入部形状参考点t3。突出部形状参考点c3可以在x轴上位于第一突出部宽度参考点c1与第二突出部宽度参考点c2之间，并且可以在y轴上与第一凹入部宽度参考点t1位于相同的点处。在x轴上，突出部形状参考点c3可以位于与第一凹入部宽度参考点t1不同的点处，并且可以位于与第二突出部宽度参考点c2相同的点处。凹入部形状参考点t3可以在x轴上位于第一凹入部宽度参考点t1与第二凹入部宽度参考点t2之间，并且可以在y轴上位于与第一突出部宽度参考点c1相同的点处。在x轴上，凹入部形状参考点t3可以位于与第一突出部宽度参考点c1不同的点处，并且可以位于与第二凹入部宽度参考点t2相同的点处。形状参考点c3和t3可以帮助确保刻度sb的可见性。
101.参照图11，在突出部cr中，连接第一凹入部宽度参考点t1和突出部形状参考点c3的线可以是曲线。在图11中，该线被示为在 (正)y轴方向上突出，但是不限于此，并且可以形成为在-(负)y轴方向上凹入。以类似方式，在凹入部tr中，连接第一突出部宽度参考点c1与凹入部形状参考点t3的线可以是曲线。在图11中，线被示出为在-(负)y轴方向上凹入，但是不限于此，并且可以形成为在 (正)y轴方向上突出。
102.在图7至图11所示的刻度sb中，第一刻度的宽度sb1和第二刻度的宽度sb2可以根据发光二极管140的附接裕度来确定。发光二极管140的附接裕度可以表示为发光二极管140的水平长度wm与竖直长度lm之比。当发光二极管140的竖直长度lm大于水平长度wm时，p电极144和n电极145可以设置在y轴方向上。与在p电极144和n电极145设置的方向相比，在与p电极144和n电极145设置的方向垂直的方向上，发光二极管140的附接裕度更大。例如，当发光二极管140的竖直长度是水平长度的1.5至2倍时，发光二极管140在x轴方向上的附接裕度可以等于或大于发光二极管140的水平长度的90％且等于或小于发光二极管140的水平长度的100％。在y轴方向上的附接裕度可以等于或大于发光二极管140的竖直长度的20％且等于或小于发光二极管140的竖直长度的30％。另外，发光二极管140在x轴方向上的附接裕度可以是发光二极管140在y轴方向上的附接裕量的两倍。第一刻度的宽度sb1和第二刻度的宽度sb2小于x轴方向上的附接裕度和y轴方向上的附接裕度中较小的裕度的值，使得可以算出由于发光二极管140的未对准而产生的数值。为了更准确地进行检查，第一刻度的宽度sb1和第二刻度的宽度sb2可以是x轴方向上的附接裕度和y轴方向上的附接裕度中的较小值的一半或更小。
103.即使在上述图6的情况下，由于发光二极管140在x轴上的附接裕度大于发光二极管140在y轴上的附接裕度，所以设置在x轴方向上的刻度的宽度可以被实现为大于设置在y轴方向上的刻度的宽度。例如，当发光二极管140的水平长度和竖直长度两者均为50μm或更小时，第一刻度的宽度sb1和第二刻度的宽度sb2可以为2μm至5μm。
104.本公开内容的示例性实施方式也可以描述为如下：
105.根据本公开内容的一个方面，提供了一种显示装置。该显示装置包括：发光二极管led元件，其在x轴方向上具有水平长度，并且在y轴方向上具有竖直长度；驱动元件，其连接至该led元件；以及反射功能层，其被定位成与led元件的上部或下部交叠。反射功能层包括：与led元件交叠的中心区域；外部区域，其包括小于led元件的水平长度或竖直长度的刻度；以及在中心区域与外部区域之间的周边区域。
106.反射功能层的外部区域可以全部填有刻度。
107.刻度可以位于外部区域的除了相对于反射功能层的中心与led元件的水平长度和竖直长度相对应的部分之外的区域中。
108.刻度可以包括尺寸不同的至少两个刻度。
109.刻度可以包括尺寸不同的两个刻度。两个刻度中的较大刻度可以设置在led元件的水平移动偏差和垂直移动偏差中的移动偏差较大的方向上。
110.刻度可以具有包括凹入部和突出部的四边形形状或三角形形状。
111.反射功能层可以是包括al或ag的金属材料的多层。
112.反射功能层在xy轴平面上的尺寸可以大于led元件在该xy轴平面上的尺寸。
113.根据本公开内容的另一方面，提供了一种显示装置。该显示装置包括：发光二极管led元件，其包括p电极和n电极；驱动元件，其连接至该led元件；绝缘层，其覆盖该led元件，并且包括第一孔、第二孔、第三孔和第四孔；以及测量装置，其在绝缘层上定位在led元件周围。测量装置包括：辅助区域，其与第一孔和第二孔交叠；以及引导区域，其包括小于led元件的水平长度或竖直长度的刻度。
114.测量装置可以包括反射材料。
115.第一孔可以使驱动元件露出，第二孔可以使公共线露出。第三孔可以使p电极露出，第四孔可以使n电极露出。
116.驱动元件可以包括有源层、栅电极、源电极和漏电极。公共线可以与源电极和漏电极设置在同一层上。
117.测量装置的辅助区域可以设置在第一孔和第二孔的外倾斜表面上。
118.尽管参照附图对本公开内容的示例性实施方式进行了详细描述，但是本公开内容不限于此，并且可以在不脱离本公开内容的技术构思的情况下以许多不同的形式实施。因此，提供本公开内容的示例性实施方式仅是为了说明的目的，而不是旨在限制本公开内容的技术构思。本公开内容的技术构思的范围不限于此。因此，应该理解，上述示例性实施方式在所有方面都是说明性的，而不限制本公开内容。本公开内容的保护范围应当基于所附权利要求来解释，并且在其等同范围内的所有技术构思应被解释为落入本公开内容的范围内。