晶圆无氧烘烤的水冷方法与流程

技术特征：
1.一种晶圆无氧烘烤的水冷方法，其特征在于，其包括以下步骤：无氧化烤箱设备设有测量其内部温度的温度传感器以及设有水冷装置，晶圆放入无氧化烤箱设备中以第一预定温度进行无氧烘烤，预定时刻后，启示水冷装置冷却无氧化烤箱设备，当无氧化烤箱设备中的温度下降到第二预定温度时，无氧烘烤完成，当无氧化烤箱设备中的温度下降到第三预定温度时，关闭水冷装置以及取出晶圆。2.根据权利要求1所述的一种晶圆无氧烘烤的水冷方法，其特征在于，优选的，所述无氧化烤箱设备设有测量其内部氧气浓度的氧含量传感器，晶圆放入无氧化烤箱设备后，向无氧化烤箱设备内充入氮气，当氧含量传感器测量到含氧量降到100ppm时，无氧化烤箱设备开始以预定速率升温。3.根据权利要求2所述的一种晶圆无氧烘烤的水冷方法，其特征在于，升温速率为100℃每分-200℃每分。4.根据权利要求1所述的一种晶圆无氧烘烤的水冷方法，其特征在于，第一预定温度为250℃-300℃。5.根据权利要求1所述的一种晶圆无氧烘烤的水冷方法，其特征在于，水冷装置的进水口设在所述无氧化烤箱设备的底部，出水口设在所述无氧化烤箱设备的顶部。6.根据权利要求1所述的一种晶圆无氧烘烤的水冷方法，其特征在于，所述水冷装置具有循环水路。7.根据权利要求1所述的一种晶圆无氧烘烤的水冷方法，其特征在于，所述水冷装置包括环绕无氧化烤箱设备四周的盘管。8.根据权利要求7所述的一种晶圆无氧烘烤的水冷方法，其特征在于，所述盘管为弓形结构。9.根据权利要求1所述的一种晶圆无氧烘烤的水冷方法，其特征在于，第二预定温度为50℃，第三预定温度为25℃。10.根据权利要求1所述的一种晶圆无氧烘烤的水冷方法，其特征在于，温度下降到第二预定温度的降温速率至少为7.5℃每分。

技术总结
公开了晶圆无氧烘烤的水冷方法，方法中，制备氨基硅烷改性溶液,其中，无氧化烤箱设备设有测量其内部温度的温度传感器以及设有水冷装置，晶圆放入无氧化烤箱设备中以第一预定温度进行无氧烘烤，预定时刻后，启示水冷装置冷却无氧化烤箱设备，当无氧化烤箱设备中的温度下降到第二预定温度时，无氧烘烤完成，当无氧化烤箱设备中的温度下降到第三预定温度时，关闭水冷装置以及取出晶圆。关闭水冷装置以及取出晶圆。关闭水冷装置以及取出晶圆。


技术研发人员：吕畅 庄启升 曾梓鑫
受保护的技术使用者：上海利扬创芯片测试有限公司
技术研发日：2021.12.22
技术公布日：2022/4/5