防腐蚀半导电单面阻水带的制作方法

1.本实用新型涉及阻水带的技术领域，具体是防腐蚀半导电单面阻水带。


背景技术：

2.电缆运行中，由于缆芯强大的电流作用，绝缘层内的杂质、气孔以及内外屏蔽层的凸刺和损坏部位都会由于水的渗入发生水树现象，使绝缘层内部产生放电甚至击穿电缆，这就需要一种具有阻水功能的半导电材料来缓冲电场。为解决上述问题，目前通常采用半导电单面阻水带，虽然起到了半导电屏蔽缓冲电场的作用，但由于吸水层直接接触铜导体，易造成铜导体腐蚀，影响其性能。
3.本实用新型的目的是提供一种防腐蚀半导电单面阻水带产品，集电场缓冲、机械缓冲、阻水和防腐蚀效果于一体，来解决铜导体容易被腐蚀的问题。


技术实现要素：

4.为解决上述问题，即解决上述背景技术提出的问题，本实用新型提出了防腐蚀半导电单面阻水带，其包括基材层、半导电层、高倍率吸水材料层和防腐蚀层；
5.所述半导电层的一侧与所述基材层的两侧相结合，所述高倍率吸水材料层的一侧与所述半导电层的另一侧相结合，所述防腐蚀层的一侧与所述高倍率吸水材料层的另一侧相结合。
6.本实用新型的进一步设置为：所述防腐蚀层的数量为2，所述防腐蚀层与所述高倍率吸水材料层的两侧相结合，一个所述防腐蚀层与所述半导电层的一侧相结合。
7.本实用新型的进一步设置为：所述基材层为玻璃纤维层、薄膜层、无纺布层、纤维织布层、棉织布层中的一种。
8.本实用新型的进一步设置为：所述半导电层为含有乙炔炭黑的水性半导电胶层、含有超导炭黑的水性半导电胶层、含有金属粉末的水性半导电胶层中的一种或多种的复合层。
9.本实用新型的进一步设置为：所述高倍率吸水材料层为吸水树脂层。
10.本实用新型的进一步设置为：所述防腐蚀层为含有羟基苯并咪唑、苯硫脲、吡啶烷二硫代氨基甲酸胺、噻二唑、1-甲基氨酸、钼酸钠中的一种或几种的水性耐腐蚀层。
11.本实用新型的有益技术效果为：半导电层屏蔽缓冲电场，高倍率吸水层可很好的吸收水分，同时，吸水层被防腐蚀层隔开，吸水层不会直接接触铜导体，这就使得铜导体不易发生腐蚀，使得阻水带整体具备了更佳的使用效果，本实用新型所公开的技术方案很好的解决了现有技术采用半导电单面阻水带，虽然起到了半导电屏蔽缓冲电场的作用，但由于吸水层直接接触铜导体，易造成铜导体腐蚀，影响其性能。
附图说明
12.图1示出了本实用新型实施例1的结构示意图；
13.图2示出了本实用新型实施例2的结构示意图。
14.附图标记：1-基材层、2-半导电层、3-高倍率吸水材料层、4-防腐蚀层。
具体实施方式
15.下面参照附图来描述本实用新型的优选实施方式。本领域技术人员应当理解的是，这些实施方式仅仅用于解释本实用新型的技术原理，并非旨在限制本实用新型的保护范围。
16.请参阅图1-2，本实用新型提出了防腐蚀半导电单面阻水带，包括基材层1、半导电层2、高倍率吸水材料层3和防腐蚀层4；
17.半导电层2的一侧与基材层1的两侧相结合，高倍率吸水材料层3的一侧与半导电层2的另一侧相结合，防腐蚀层4的一侧与高倍率吸水材料层3的另一侧相结合，高倍率吸水材料层3通过喷涂或涂覆或浸渍的方式与半导电层2相结合，防腐蚀层4附着在高倍率吸水材料层3的一侧或两侧，半导电层2通过辊涂或浸渍或涂覆的方式与基材层1相结合，如图1所示。
18.具体而言，所述基材层1为玻璃纤维层、薄膜层、无纺布层、纤维织布层、棉织布层中的一种，上述材料均具备较好的柔性和韧性，且三者的尺寸和化学性能都较为稳定。
19.具体而言，所述半导电层2为含有乙炔炭黑的水性半导电胶层、含有超导炭黑的水性半导电胶层、含有金属粉末的水性半导电胶层中的一种或多种的复合层。
20.具体而言，高倍率吸水材料层3为吸水树脂层，吸水树脂是一种新型功能高分子材料，它具有吸收比自身重几百到几千倍水的高吸水功能，并且保水性能优良，一旦吸水膨胀成为水凝胶时，即使加压也很难把水分离出来，如此可确保吸水的不可逆性，即高倍率吸水材料层吸水后不发生反弹，以避免电缆损坏。高吸水性树脂是一种带有大量亲水基团的功能性高分子材料。
21.具体而言，防腐蚀层4为含有羟基苯并咪唑、苯硫脲、吡啶烷二硫代氨基甲酸胺、噻二唑、1-甲基氨酸、钼酸钠中的一种或几种的水性耐腐蚀层，可由相关技术人员灵活选用。
22.实施例2：本实施例与实施例1的区别在于：防腐蚀层4的数量为2，防腐蚀层4与高倍率吸水材料层3的两侧相结合，一个防腐蚀层4与半导电层2的一侧相结合，如图2所示，防腐蚀层4位于高倍率吸水材料层3的两侧，可以更好很好的避免半导电层2遭到腐蚀。
23.虽然已经参考优选实施例对本实用新型进行了描述，但在不脱离本实用新型的范围的情况下，可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件，尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本实用新型并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。
24.在本实用新型的描述中，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示方向或位置关系的术语是基于附图所示的方向或位置关系，这仅仅是为了便于描述，而不是指示或暗示所述装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
25.此外，还需要说明的是，在本实用新型的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或
一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域技术人员而言，可根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
26.术语“包括”或者任何其它类似用语旨在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、物品或者设备/装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其它要素，或者还包括这些过程、物品或者设备/装置所固有的要素。
27.至此，已经结合附图所示的优选实施方式描述了本实用新型的技术方案，但是，本领域技术人员容易理解的是，本实用新型的保护范围显然不局限于这些具体实施方式。在不偏离本实用新型的原理的前提下，本领域技术人员可以对相关技术特征作出等同的更改或替换，这些更改或替换之后的技术方案都将落入本实用新型的保护范围之内。


技术特征：
1.防腐蚀半导电单面阻水带，其特征在于：包括基材层(1)、半导电层(2)、高倍率吸水材料层(3)和防腐蚀层(4)；所述半导电层(2)的一侧与所述基材层(1)的两侧相结合，所述高倍率吸水材料层(3)的一侧与所述半导电层(2)的另一侧相结合，所述防腐蚀层(4)的一侧与所述高倍率吸水材料层(3)的另一侧相结合。2.根据权利要求1所述的防腐蚀半导电单面阻水带，其特征在于：所述防腐蚀层(4)的数量为2，所述防腐蚀层(4)与所述高倍率吸水材料层(3)的两侧相结合，一个所述防腐蚀层(4)与所述半导电层(2)的一侧相结合。3.根据权利要求1-2任意一条所述的防腐蚀半导电单面阻水带，其特征在于：所述基材层(1)为玻璃纤维层、薄膜层、无纺布层、纤维织布层、棉织布层中的一种。4.根据权利要求1-2任意一条所述的防腐蚀半导电单面阻水带，其特征在于：所述高倍率吸水材料层(3)为吸水树脂层。5.根据权利要求4所述的防腐蚀半导电单面阻水带，其特征在于：所述防腐蚀层(4)为一种水性耐腐蚀层。

技术总结
本实用新型公开了防腐蚀半导电单面阻水带，涉及阻水带的技术领域，本实用新型旨在解决现有技术采用半导电单面阻水带，虽然起到了半导电屏蔽缓冲电场的作用，但由于吸水层直接接触铜导体，易造成铜导体腐蚀，影响其性能，本实用新型包括基材层、半导电层、高倍率吸水材料层和防腐蚀层；所述半导电层的一侧与所述基材层的两侧相结合，所述高倍率吸水材料层的一侧与所述半导电层的另一侧相结合，所述防腐蚀层的一侧与所述高倍率吸水材料层的另一侧相结合，半导电层屏蔽缓冲电场，高倍率吸水层可很好的吸收水分，同时，吸水层被防腐蚀层隔开，吸水层不会直接接触铜导体，这就使得铜导体不易发生腐蚀，使得阻水带整体具备了更佳的使用效果。效果。效果。


技术研发人员：杨宏艳
受保护的技术使用者：沈阳天荣电缆材料有限公司
技术研发日：2021.01.14
技术公布日：2022/1/25