一种具有抗高温氧化和耐侵蚀的高密度碳化硅砖及其制备工艺的制作方法

技术特征：
1.一种具有抗高温氧化和耐侵蚀的高密度碳化硅砖，配方按重量份数计：(1)粒度5～3mm的碳化硅，10～20份；(2)粒度3～1mm的碳化硅，25～35份；(3)粒度1～0mm的碳化硅，20～30份；(4)粒度0.088～0.045mm的碳化硅，20～25份；(5)粒度≤0.045mm的膨润土，1～2份；(6)双峰氧化铝微粉，1～5份；(7)抗氧化剂，1～5份；(8)外加剂，1～5份；其中，所述的抗氧化剂为铝粉和纳米硅粉的混合物。2.根据权利要求1所述的碳化硅砖，其特征在于：所述的双峰氧化铝的粒度分布特征为：d
50
＝0.5～0.9μm；d
90
＝1.3～2.5μm。3.根据权利要求1所述的碳化硅砖，其特征在于：所述抗氧化剂中铝粉的添加量n1与纳米硅粉的添加量n2的比例范围按照摩尔比为n1：n2＝(5～10)：1。4.根据权利要求1所述的碳化硅砖，其特征在于：所述的双峰氧化铝微粉的添加量m与抗氧化剂添加量之间还满足更优比例按照摩尔比满足以下比例关系：(m n1)：n2＝(15～10):1。5.权利要求1-4所述的碳化硅砖的制备工艺，其特征在于：(1)按照配方分别计量准备原料；(2)将粒度0.088～0.045mm的碳化硅、双峰氧化铝微粉、粒度≤0.045mm的膨润土、抗氧化剂等细粉在混料机上进行预混合3～5分钟；(3)将粒度5～3mm的碳化硅、粒度3～1mm的碳化硅和粒度1～0mm的碳化硅混合，再加入外加剂，然后将预混后的细粉加入、混碾10～15分钟；(5)将混合均匀的原料置于成型模具中，通过压力成型机进行成型，获得坯体；(6)将成型好的坯体放入烧结炉中，在1450～1500℃烧结温度下，烧制3～5小时，随炉冷却至室温取出制的碳化硅砖。

技术总结
本发明涉及一种具有抗高温氧化和耐侵蚀的高密度碳化硅砖及其制备工艺。采用碳化硅、膨润土、双峰氧化铝微粉、抗氧化剂和外加剂为原料，经混碾成形后烧成。本发明制备好碳化硅砖使用温度在1500℃长期服役2～3年，优于普通碳化硅砖使用温度不得超1350℃的局限。碳化硅砖使用温度不得超1350℃的局限。碳化硅砖使用温度不得超1350℃的局限。


技术研发人员：陈松林 俞小平 俞盛 魏瀚 张林 吴跃峰 钱志豪 钱军峰
受保护的技术使用者：瑞泰科技股份有限公司
技术研发日：2021.12.28
技术公布日：2022/4/5