一种高温热解封装芯片回收有价金属的方法与流程

1.本发明涉及一种高温热解封装芯片回收有价金属的方法，属于资源综合利用技术领域，特别是一种固废资源综合利用领域。


背景技术：

2.不断产生且数量巨大的电子垃圾已成为全球不可回避的问题，电路板作为最基础最活跃的电子元件在电器中比例极高，电路板含有大量电子芯片，随着废弃电路板的增加，废弃电子芯片数量也急剧增多。电子芯片量大面广，含有有毒重金属（pd、cd等）、稳定有机物（多环芳香烃、苯醚类）及贵重有价金属（au、ag等），属于易污染环境的电子垃圾，对环境和人类健康产生巨大威胁，同时其中含有的有价金属有极具价值，蕴含巨大的社会财富，对废弃电子芯片进行综合回收处理，不仅解决了环境压力，也是实现资源、经济可持续发展的重要方向。
3.如何加强这些废弃物的处理，并回收其中有价物质，已成为国内外关注的重要问题。然而，国内外对废弃芯片回收处理归类到电子废弃物中进行集中处理，少部分致力于芯片回收的企事业单位大多集中在芯片整形复用上，这就导致了彻底报废、无法整形回用的芯片中有价金属进一步稀释，降低了金属回收率。
4.本发明提供了一种高温热解封装芯片回收有价金属的方法，利用高温热解废芯片-氧化浸出除铜-氯化浸出溶金的工艺思路对芯片进行处理，避免了避免了直接将废芯片混入电子废弃物进行集中处理，对芯片中有价金属进行稀释，提高了金属回收率。本发明采用高温热解回收芯片中有价金属，填补了废芯片中有价资源回收方面的空白。同时，本发明可与现行整形回用芯片方法，可实现芯片的单独综合处理，处理量小，环境友好，资源节约。


技术实现要素：

5.针对上述现有技术存在的问题及不足，本发明提供一种高温热解封装芯片回收有价金属的方法。一种高温热解封装芯片回收有价金属的方法，其特征在于具体步骤如下：将电路板芯片进行破碎，破碎至一定大小；1) 将破碎后的粉末置于裂解炉进行高温裂解；2) 焙烧结束后，将所得裂解渣进行破碎、浸出除铜；除铜后渣进行浸金，获得含金浸出液。
6.所述的一种高温热解封装芯片回收有价金属的方法，其特征在于：步骤（1）中封装芯片为电路板拆解所得，含金0.5-5g/kg，银0.1-6kg，铜10-30%等金属。
7.所述的一种高温热解封装芯片回收有价金属的方法，其特征在于：步骤（1）中对芯片进行破碎，破碎至60-200目；所述的一种高温热解封装芯片回收有价金属的方法，其特征在于：步骤（2）中高温热解条件为400-650℃，热解时间：5-25min；所述的一种高温热解封装芯片回收有价金属的方法，其特征在于：步骤（3）中反应
结束后对所得粉末进行研磨至100-200目；所述的一种高温热解封装芯片回收有价金属的方法，其特征在于：步骤（3）浸出除铜条件为硫酸：2-10mol/l，双氧水：15-40%。
8.所述的一种高温热解封装芯片回收有价金属的方法，其特征在于：步骤（4）浸金采用氯化浸出体系：盐酸：4-8mol/l、氯化钠：100-200g/l、次氯酸钠：，液固比为：2-7，浸出时间2-5h。
9.本发明的有益效果是：1)避免了现行方法：将废芯片混入电子废弃物进行集中处理，提高了有价金属回收率；2)采用高温热解回收芯片中有价金属，填补了芯片中有价资源回收方面的空白；3)热解产物可作为燃烧为热解反应提供热量。
10.4)可与现行整形回用芯片方法，可实现单独处理芯片，处理量小。
11.5)不采用氰化浸金，保障了人员操作安全。
附图说明
12.图1为实验所采用工艺流程图。
具体实施方式
13.下面结合附图和具体实施方式，对本发明作进一步说明。
14.实施例1取200目芯片200g置于马弗炉进行热解，热解温度：450℃，时间：15min，将热解后混合物进行研磨，取100g该热解后混合物粉末加入4mol/l硫酸溶液250ml，并加入100ml双氧水，除浸出条件为温度：常温，时间：4h；转速：200r/min。
15.除铜结束后将，除铜混合物进行过滤，将滤渣烘干-研磨。
16.将除铜渣加入氯化钠200g/l，含盐酸4mol/l的混合溶液，通入氯气进行浸金，氯气通入量为0.2ml/min，浸出条件为：温度60℃，时间4h，转速150r/min. 该氧化焙烧封装芯片，金浸出率：98.6%；实施例2取200目芯片200g置于马弗炉进行热解，热解温度：550℃，时间：10min，将热解后混合物进行研磨，取100g该热解后混合物粉末加入4mol/l硫酸溶液250ml，并加入100ml双氧水，除浸出条件为温度：60℃，时间：3.5h；转速：200r/min。
17.除铜结束后将，除铜混合物进行过滤，将滤渣烘干-研磨。
18.将除铜渣加入氯化钠200g/l，含盐酸4mol/l的混合溶液，通入氯气进行浸金，氯气通入量为0.4ml/min，浸出条件为：温度60℃，时间4h，转速150r/min. 该氧化焙烧封装芯片，金浸出率：99.1%；实施例2取200目芯片200g置于马弗炉进行热解，热解温度：550℃，时间：10min，将热解后混合物进行研磨，取100g该热解后混合物粉末加入4mol/l硫酸溶液250ml，并加入100ml双氧水，除浸出条件为温度：60℃，时间：3.5h；转速：200r/min。
19.除铜结束后将，除铜混合物进行过滤，将滤渣烘干-研磨。
20.将除铜渣加入氯化钠200g/l，含盐酸4mol/l的混合溶液，通入氯气进行浸金，氯气通入量为0.6ml/min，浸出条件为：温度60℃，时间4h，转速150r/min. 该氧化焙烧封装芯片，金浸出率：99.6%；以上结合附图对本发明的具体实施方式作了详细说明，但是本发明并不限于上述实施方式，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下作出各种变化。


技术特征：
1.一种高温热解封装芯片回收有价金属的方法，其特征在于具体步骤如下：将电路板芯片进行破碎，破碎至一定大小；将破碎后的粉末置于裂解炉进行高温裂解；焙烧结束后，将所得裂解渣进行破碎、浸出除铜；除铜后渣进行浸金，获得含金浸出液。2.根据权利要求1所述的一种高温热解封装芯片回收有价金属的方法，其特征在于：步骤（1）中封装芯片为电路板拆解所得，含金0.5-5g/kg，银0.1-6kg，铜10-30%等金属。3.根据权利要求1所述的一种高温热解封装芯片回收有价金属的方法，其特征在于：步骤（1）中对芯片进行破碎，破碎至60-200目。4.根据权利要求1所述的一种高温热解封装芯片回收有价金属的方法，其特征在于：步骤（2）中高温热解条件为400-650℃，热解时间：5-25min。5.根据权利要求1所述的一种高温热解封装芯片回收有价金属的方法，其特征在于：步骤（3）中反应结束后对所得粉末进行研磨至100-200目。6.根据权利要求1所述的一种高温热解封装芯片回收有价金属的方法，其特征在于：步骤（3）浸出除铜条件为硫酸：2-10mol/l，双氧水：15-40%。7.根据权利要求1所述的一种高温热解封装芯片回收有价金属的方法，其特征在于：步骤（4）浸金采用氯化浸出体系：盐酸：4-8mol/l、氯化钠：100-200g/l、次氯酸钠：，液固比为：2-7，浸出时间2-5h。

技术总结
本发明涉及一种高温热解封装芯片提金的方法，属于资源综合利用领域。首先将电路板芯片进行破碎，破碎至一定大小；将混合均匀的混合粉末置于热解炉进行高温热解；热解结束后将所得粉末进行浸出除铜；除铜后渣进行浸金，获得含金浸出液。本方法采用高温热解封装芯片提金的方法，采用热解芯片-氧化浸出除铜-氯化浸出溶金的工艺思路，填补了废弃芯片有价金属资源回收空白；采用氯化浸金避免了现行氰化法提金过程的安全问题，同时，避免了芯片混入电子废弃物进行处理，提高了金属回收率，具有显著经济、环境效益。该方法做到了变害为宝，实现了危险废物资源化利用，有利于缓解资源与环境的压力，具有优越的经济和生态效益。具有优越的经济和生态效益。具有优越的经济和生态效益。


技术研发人员：邓晓辉 余霞 孟祥晨 申帅杰
受保护的技术使用者：河南海瑞智能科技集团有限公司
技术研发日：2021.12.24
技术公布日：2022/4/5