金属氧化物半导体器件的制造方法与流程

技术特征：
1.一种金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，所述金属氧化物半导体器件的制造方法包括：提供一衬底，所述衬底上形成有至少一层第一介质层，每层所述第一介质层中均形成有导电层，所述导电层贯穿部分厚度的所述第一介质层；形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述导电层；形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述第一介质层和所述导电层；利用等离子体刻蚀工艺，对所述导电层上方的所述第二介质层进行第一刻蚀处理以形成第一开口，所述第一开口暴露出所述阻挡层，且所述第一开口的内表面聚集有正电荷；对所述第一开口的内表面进行电荷消除处理，以消除所述第一开口的内表面聚集的正电荷；以及，利用等离子体刻蚀工艺，对所述第一开口暴露出的所述阻挡层进行第二刻蚀处理以形成第二开口，所述第二开口暴露出所述导电层的顶表面。2.如权利要求1所述的金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，对所述第一开口的内表面进行电荷消除处理的方法包括：通过向所述第一开口内通入等离子体锗和/或等离子体钨的方式来消除所述第一开口的内表面聚集的正电荷，其中，所述等离子体锗及所述等离子体钨中均具有带负电荷的电子。3.如权利要求2所述的金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，通过对锗和/或含锗的气体进行等离子体化来形成所述等离子体锗；通过对钨和/或含钨的气体进行等离子体化来形成所述等离子体钨；其中，在进行所述等离子体化时，低频射频功率为300w至500w，高频射频功率为300w至500w。4.如权利要求1所述的金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，对所述第一开口的内表面进行电荷消除处理的方法包括：通过等离子电子喷淋装置向所述第一开口的内表面发射带负电荷的电子的方式，来消除所述第一开口的内表面聚集的正电荷。5.如权利要求1所述的金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一刻蚀处理的时间为100s～110s，所述第二刻蚀处理的时间为60s～70s。6.如权利要求1所述的金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，在进行第一刻蚀处理之后，在对所述第一开口的内表面进行电荷消除处理之前，还包括：将第一刻蚀处理之后的衬底置于非真空环境下，以降低所述衬底的表面温度。7.如权利要求1所述的金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，所述导电层包括形成于所述第一介质层中的两个以上分立的导电部，每个所述导电部的顶表面均与所述第一介质层的顶表面平齐，且至少两个所述导电部在平行于衬底表面方向上的尺寸不同；在进行所述第一刻蚀处理时，在每个所述导电部上方的所述第二介质层中形成一个所述第一开口，且尺寸不同的导电部上方的所述第一开口内的正电荷量不同。8.如权利要求7所述的金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，每层所述第一介质层中还形成有与所述导电部相对应的导电插塞，所述导电插塞贯穿所述导电部底部的所述第一介质层，所述导电部通过所述导电插塞与所述衬底电连接，或者，不同的所述第一
介质层中的导电部通过所述导电插塞电连接。9.如权利要求8所述的金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，所述导电插塞与所述导电部的材质均为钨、铝、铜或者镍。10.如权利要求1所述的金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一介质层和所述第二介质层的材质均为二氧化硅，通过等离子体化学气相沉积工艺的方式形成所述第一介质层和所述第二介质层；所阻挡层包括一钛层和覆盖所述钛层的一氮化钛层。

技术总结
本发明提供一种金属氧化物半导体器件的制造方法，先对第二介质层进行第一刻蚀处理，以形成第一开口，并通过对第一开口的内表面进行电荷消除处理，可以消除第一刻蚀处理的过程中聚集在所述第一开口的内表面的正电荷。由于所述电荷消除处理能够消除第一开口的内表面聚集的正电荷，故在对所述第一开口暴露出的阻挡层进行第二刻蚀处理的过程中所产生的电荷不会与第一刻蚀处理过程中产生的电荷积累在一起，由此能够避免产生较大的电势差及电流，从而避免出现电弧放电的现象。从而避免出现电弧放电的现象。从而避免出现电弧放电的现象。


技术研发人员：陈宏
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2021.11.26
技术公布日：2022/4/1