一种离子液体修饰量子点的制备方法及其应用与流程

技术特征：
1.一种离子液体修饰量子点的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)制备半导体量子点将pbo溶于油酸和1-十八烯，硒粉溶于三正辛基膦中，采用热注入法得到pbse半导体量子点；(2)离子液体修饰半导体量子点将步骤(1)制备得到的半导体量子点分散在有机溶剂中，并加入离子液体分散均匀，得到离子液体修饰的半导体量子点溶液。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述pbo、硒粉与top的摩尔比为1:2:4，油酸与pbo的摩尔比为3:1，1-十八烯与pbo的摩尔比为12:1。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述热注入法的反应温度为160-190℃，反应时间为1-5min。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述有机溶剂选自甲苯、氯仿、四氯乙烯、己烷、辛烷中的一种。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述离子液体为氨基咪唑盐，选自1-胺丙基-3-甲基咪唑溴盐、1-丁基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑溴盐中的一种。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述半导体量子点在有机溶剂中的加入量为10-30mg/ml，所述离子液体在有机溶剂中的加入量为0.5-10mg/ml。7.权利要求1至6任一项所述方法制备得到的离子液体修饰的量子点溶液。8.权利要求7所述的离子液体修饰的量子点在半导体器件中的应用，其特征在于，包括将所述离子液体修饰的半导体量子点溶液旋涂在si/sio2片上得到均匀的半导体量子点薄膜，然后将所述si/sio2片进行热蒸镀源漏电极得到场效应晶体管。9.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，所述旋涂速度为800-2500r/min，旋涂时间为30-90s，旋涂次数为5-10次；优选地，旋涂得到的半导体量子点薄膜在80℃下真空退火1h，然后进行热蒸镀；优选地，热蒸镀仪器为四源蒸发镀膜专用电源，采用热蒸镀铝作为源漏电极，真空度为9
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pa，蒸发电流为150a，蒸发电压为2v，蒸镀时间为5-15min。10.权利要求8所述离子液体修饰的量子点溶液制备得到的半导体器件。

技术总结
本发明提供了一种离子液体修饰量子点的制备方法，所述方法先通过热注入法制备得到PbSe半导体量子点，然后向量子点中加入离子液体进行配体交换，取代量子点表面的油酸长链配体，所述方法可以提高量子点在空气中的稳定性。本发明还提供了所述量子点在半导体器件中的应用，包括将其分散在有机溶剂中旋涂制备半导体量子点薄膜，得到的薄膜更加连续均匀，器件光电性能显著提升。件光电性能显著提升。件光电性能显著提升。


技术研发人员：冯文然 李珍 万江红 蔡晓芸 马继楠
受保护的技术使用者：北京安兴高科新能源发展有限公司
技术研发日：2021.12.13
技术公布日：2022/3/25