FVF结构开环型参考电压驱动电路的制作方法

技术特征：
1.一种fvf结构开环型参考电压驱动电路，其特征在于，包括：第一运算放大器（opa1）、第一pmos管（m11）、第二pmos管（m12）、第三pmos管（m2）、第四pmos管（m1）、第五pmos管（m6）、第六pmos管（m4）、第一恒定电流源（i2）、第二恒定电流源（i3）、第一nmos管（m3）、第二nmos管（m5）、第三nmos管（m7）、第四nmos管（m8）、第五nmos管（m9）、第六nmos管（m10）、第一电阻（r1）和第一电容（c1），其中，所述第一运算放大器（opa1）的反相输入端外接参考电压输入，同相输入端连接第三pmos管（m2）的漏极；所述第一pmos管（m11）的源极外接电源，栅极连接所述第一运算放大器（opa1）的输出端，漏极连接所述第二pmos管（m12）的源极；所述第二pmos管（m12）的栅极和漏极相接，栅极通过串接的第一电阻（r1）和第一电容（c1）接地，漏极连接所述第四nmos管（m8）的漏极；所述第三nmos管（m7）、第四nmos管（m8）、第五nmos管（m9）和第六nmos管（m10）各自的源极接地，各自的栅极相接；所述第三nmos管（m7）的栅极连接漏极，漏极接收偏置电流；所述第一电阻（r1）和第一电容（c1）的相接端连接所述第四pmos管（m1）和第六pmos管（m4）各自的栅极；所述第三pmos管（m2）的源极连接电源，栅极连接所述第一nmos管（m3）的漏极，漏极连接所述第四pmos管（m1）的源极；所述第四pmos管（m1）漏极连接所述第五nmos管（m9）的漏极；所述第一nmos管（m3）的漏极通过所述第一恒定电流源（i2）连接电源，源极连接所述第五nmos管（m9）的漏极；所述第五pmos管（m6）的源极连接电源，栅极连接所述第二nmos管（m5）的漏极，漏极连接所述第六pmos管（m4）的源极并作为输出端；所述第二nmos管（m5）通过第二恒定电流源（i3）连接电源，源极连接所述第六nmos管（m10）的漏极；所述第六pmos管（m4）的漏极连接所述第六nmos管（m10）的漏极；所述第一nmos管（m3）和第二nmos管（m5）各自的栅极外接直流电压偏置vb1。2.根据权利要求1所述的fvf结构开环型参考电压驱动电路，其特征在于，还包括：第一补偿电容（c2）、第二补偿电容（c3）和第三补偿电容（c4），其中，所述第一补偿电容（c2）的一端外接电源，另一端连接所述第一运算放大器（opa1）的输出端；所述第二补偿电容（c3）两端连接所述第三pmos管（m2）的源极和栅极；所述第三补偿电容（c4）两端连接所述第五pmos管（m6）的源极和栅极。3.根据权利要求1所述的fvf结构开环型参考电压驱动电路，其特征在于，所述第一运算放大器（opa1）包括：第七pmos管（pm5）、第八pmos管（pm3）、第九pmos管（m29）、第十pmos管（m30）、第十一pmos管（m27）、第十二pmos管（m28）、第十三pmos管（m20）、第十四pmos管（m21）、第七nmos管（m24）、第八nmos管（m25）、第九nmos管（m22）和第十nmos管（m23），其中，所述第七pmos管（pm5）、第九pmos管（m29）和第十pmos管（m30）各自的源极接电源；所述第七pmos管（pm5）的栅极接电流镜直流偏置vb4，漏极接所述第八pmos管（pm3）的
源极；所述第八pmos管（pm3）的栅极接电流镜直流偏置vb5，漏极连接所述第十三pmos管（m20）和第十四pmos管（m21）各自的源极；所述第十三pmos管（m20）和第十四pmos管（m21）各自的栅极接参考电压输入；所述第九pmos管（m29）和第十pmos管（m30）各自的栅极连接所述第十一pmos管（m27）的漏极；所述第十一pmos管（m27）的源极连接所述第九pmos管（m29）的漏极，栅极接电流镜直流偏置vb5；所述第十二pmos管（m28）的源极连接所述第十pmos管（m30）的漏极，栅极接电流镜直流偏置vb5；所述第七nmos管（m24）和第八nmos管（m25）各自的栅极接vb3；所述第七nmos管（m24）的漏极接所述第十一pmos管（m27）的漏极，源极连接所述第十四pmos管（m21）的漏极和所述第九nmos管（m22）的漏极；所述第八nmos管（m25）的漏极连接所述第十二pmos管（m28）的漏极并作为输出端，源极连接所述第十三pmos管（m20）的漏极和第十nmos管（m23）的漏极；所述第九nmos管（m22）和第十nmos管（m23）各自的栅极接直流偏置vb2，各自的源极接地。4.一种fvf结构开环型参考电压驱动电路，其特征在于，包括：第二运算放大器（opa2）、第十五pmos管（m40）、第十六pmos管（m41）、第十七pmos管（m42）、第十八pmos管（m43）、第十九pmos管（m36）、第二十pmos管（m39）、第三恒定电流源（i5）、第四恒定电流源（i6）、第十一nmos管（m44）、第十二nmos管（m34）、第十三nmos管（m37）、第十四nmos管（m45）、第十五nmos管（m35）、第十六nmos管（m38）、第二电阻（r3）和第二电容（c3），其中，所述第二运算放大器（opa2）的反相输入端外接参考电压输入，同相输入端连接第十五nmos管（m35）的漏极；所述第十四nmos管（m45）的源极接地，栅极连接所述第二运算放大器（opa2）的输出端，漏极连接所述第十一nmos管（m44）的源极；所述第十一nmos管（m44）的栅极和漏极相接，栅极通过串接的第二电阻（r3）和第二电容（c3）接地，漏极连接所述第十六pmos管（m41）的漏极；所述第十五pmos管（m40）、第十六pmos管（m41）、第十七pmos管（m42）、第十八pmos管（m43）各自的源极接电源，各自的栅极相接；所述第十五pmos管（m40）的栅极连接漏极，漏极接收偏置电流；所述第二电阻（r3）和第二电容（c3）的相接端连接所述第十二nmos管（m34）和第十三nmos管（m37）各自的栅极；所述第十五nmos管（m35）的源极接地，栅极连接所述第十九pmos管（m36）的漏极，漏极连接所述第十二nmos管（m34）的源极；所述第十二nmos管（m34）漏极连接所述第十七pmos管（m42）的漏极；所述第十九pmos管（m36）的漏极通过所述第三恒定电流源（i5）连接接地，源极连接所述第十七pmos管（m42）的漏极；所述第十六nmos管（m38）的源极连接地，栅极连接所述第二十pmos管（m39）的漏极，漏
极连接所述第十三nmos管（m37）的源极并作为输出端；所述第二十pmos管（m39）通过第四恒定电流源（i6）连接地，源极连接所述第十八pmos管（m43）的漏极；所述第十三nmos管（m37）的漏极连接所述第十八pmos管（m43）的漏极；所述第十九pmos管（m36）和第十三nmos管（m37）各自的栅极外接直流电压偏置vb1。

技术总结
本发明公开了一种FVF结构开环型参考电压驱动电路，包括：第一运算放大器、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第一恒定电流源、第二恒定电流源、第一NMOS（N型场效应管）管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第一电阻和第一电容。本发明能够在低电源电压供电的工作情况下，提供具有很强驱动能力的参考电压，有利于逐次逼近模拟-数字转换器中电容数字-模拟转换阵列参考电压的高速切换，使CDAC参考电压的稳定时间得到极大的节省，提高异步逐次逼近模拟-数字转换器的工作速度。速度。速度。


技术研发人员：郑锐
受保护的技术使用者：灿芯半导体（上海）股份有限公司
技术研发日：2021.12.03
技术公布日：2022/3/25