三极管放大倍数误差消除电路、方法及测温传感器与流程

1.本技术属于电子电路技术领域，具体涉及一种三极管放大倍数误差消除电路、方法及测温传感器。


背景技术：

2.随着工艺制造水平的不断进步，集成电路器件的尺寸越来越小，使得三极管(bipolar junction transistor，bjt)的放大倍数(beta)越来越小，进而导致三极管的发射极电流(ie)和集电极电流(ic)的差异越来越大。
3.由于beta值变小，发射极电流和集电极电流误差变大，会导致基极-发射极电压(v
be
)存在一定偏差，因此，精确检测三极管的放大倍数对于精确计算v
be
十分重要。其中，is为三极管的饱和电流，k为波尔兹曼常数，t是绝对温度，q是电荷，ibias为偏置电流，β为三极管的放大倍数。


技术实现要素：

4.鉴于此，本技术的目的在于提供一种三极管放大倍数误差消除电路、方法及测温传感器，以消除因三极管放大倍数导致的基极-发射极电压存在误差的问题。
5.本技术的实施例是这样实现的：
6.第一方面，本技术实施例提供了一种三极管放大倍数误差消除电路，包括：偏置电流源、检测电路以及补偿电路；偏置电流源用于与三极管的发射极连接；检测电路用于与所述三极管的基极连接，所述检测电路用于检测所述三极管的基极电流；补偿电路与所述检测电路连接，以及还用于与所述三极管的发射极连接，所述补偿电路用于额外为所述三极管的发射极补偿大小与所述基极电流一致的补偿电流，使所述三极管的集电极电流等于所述偏置电流源提供的偏置电流。本技术实施例中，通过对三极管的基极电流进行检测，并额外为三极管的发射极补偿大小与基极电流一致的补偿电流，使三极管的集电极电流等于偏置电流源提供的偏置电流，从而可以消除因三极管放大倍数所带来的三极管基极-发射极电压(v
be
)误差。
7.结合第一方面实施例的一种可能的实施方式，所述检测电路包括：第一晶体管、第二晶体管；所述第一晶体管的第一端用于接电源或接地，所述第一晶体管的控制端与所述三极管的基极连接，所述第一晶体管的第二端与其控制端连接；所述第二晶体管的第一端用于接电源或接地，所述第二晶体管的控制端与所述三极管的基极连接，所述第二晶体管的第二端与所述补偿电路连接；所述第一晶体管的尺寸与所述第二晶体管的尺寸一致。本技术实施例中，采用晶体管结构的检测电路，在实现其发明目的的同时，不仅可以节约电路设计成本，而且还可以减少电路的面积，利于该三极管放大倍数误差消除电路的集成。
8.结合第一方面实施例的一种可能的实施方式，所述检测电路还包括：第一钳位电路，所述第二晶体管的第二端通过所述第一钳位电路与所述补偿电路连接，所述第一钳位
电路用于使流经所述第一晶体管的电流与流经所述第二晶体管的电流一致。本技术实施例中，通过引入第一钳位电路，能尽可能的使得使流经第一晶体管的电流与流经第二晶体管的电流一致，尽可能的消除因三极管放大倍数所带来的三极管基极-发射极电压误差。
9.结合第一方面实施例的一种可能的实施方式，所述第一钳位电路包括第一钳位晶体管，所述第二晶体管的第二端通过所述第一钳位晶体管与所述补偿电路连接，所述第一钳位晶体管的类型与所述第二晶体管的类型一致。本技术实施例中，采用晶体管结构的第一钳位电路，在实现其发明目的的同时，不仅可以节约电路设计成本，而且还可以减少电路的体积，利于该三极管放大倍数误差消除电路的集成。
10.结合第一方面实施例的一种可能的实施方式，所述补偿电路包括：第三晶体管、第四晶体管；所述第三晶体管的第一端用于接电源或接地，所述第三晶体管的控制端与其第二端均与所述检测电路连接；所述第四晶体管的第一端用于接电源或接地，所述第四晶体管的控制端与所述第三晶体管的控制端连接，所述第四晶体管的第二端与所述三极管的发射极连接，所述第三晶体管的尺寸与所述第四晶体管的尺寸一致。本技术实施例中，采用晶体管结构的补偿电路，在实现其发明目的的同时，不仅可以节约电路设计成本，而且还可以减少电路的面积，利于该三极管放大倍数误差消除电路的集成。
11.结合第一方面实施例的一种可能的实施方式，所述补偿电路还包括：第二钳位电路，所述第三晶体管的第二端经过所述第二钳位电路与所述检测电路连接，所述第四晶体管的第二端经过所述第二钳位电路与所述三极管的发射极连接；所述第二钳位电路，用于使流经所述第三晶体管的电流与流经所述第四晶体管的电流一致。本技术实施例中，通过引入第二钳位电路，能尽可能的使得使流经第三晶体管的电流与流经第四晶体管的电流一致，尽可能的消除因三极管放大倍数所带来的三极管基极-发射极电压误差。
12.结合第一方面实施例的一种可能的实施方式，所述第二钳位电路包括：第二钳位晶体管、第三钳位晶体管；所述第三晶体管的第二端经过所述第二钳位晶体管与所述检测电路连接，所述第二钳位晶体管的类型与所述第三晶体管的类型一致；所述第四晶体管的第二端经过所述第三钳位晶体管与所述三极管的发射极连接，所述第三钳位晶体管的类型与所述第四晶体管的类型一致。本技术实施例中，采用晶体管结构的第二钳位电路，在实现其发明目的的同时，不仅可以节约电路设计成本，而且还可以减少电路的体积，利于该三极管放大倍数误差消除电路的集成。
13.结合第一方面实施例的一种可能的实施方式，所述补偿电路中的晶体管类型与所述检测电路中的晶体管类型不同。本技术实施例中，采用补偿电路中的晶体管类型与检测电路中的晶体管类型不同的方式，可以在尽可能简化电路结构的前提下，实现其发明目的。
14.第二方面，本技术实施例还提供了一种测温传感器，包括三极管和如上述第一方面实施例和/或结合第一方面实施例的任一种可能的实施方式提供的三极管放大倍数误差消除电路；所述三极管放大倍数误差消除电路中的偏置电流源与所述三极管的发射极连接，所述三极管放大倍数误差消除电路中的检测电路与所述三极管的基极连接，所述三极管放大倍数误差消除电路中的补偿电路与所述三极管的发射极连接。
15.第三方面，本技术实施例还提供了一种soc芯片，该soc芯片内集成有上述第二方面实施例提供的测温传感器。
16.第四方面，本技术实施例还提供了一种电子设备，该电子设备包括本体和如上述
第二方面实施例提供的测温传感器，或者如上述第三方面实施例提供的soc芯片。
17.第五方面，本技术实施例还提供了一种三极管放大倍数误差消除方法，包括：为三极管的发射极提供一偏置电流；对所述三极管的基极电流进行检测，得到所述基极电流；为所述三极管的发射极额外补偿大小与所述基极电流一致的补偿电流，使所述三极管的集电极电流等于所述偏置电流。
18.结合第五方面实施例的一种可能的实施方式，对所述三极管的基极电流进行检测，得到所述基极电流，包括：利用检测电路对所述三极管的基极电流进行检测，得到所述基极电流，其中，所述检测电路包括：第一晶体管、第二晶体管；所述第一晶体管的第一端用于接电源或接地，所述第一晶体管的控制端与所述三极管的基极连接，所述第一晶体管的第二端与其控制端连接；第二晶体管所述第二晶体管的第一端用于接电源或接地，所述第二晶体管的控制端与所述三极管的基极连接，所述第二晶体管的第二端用于得到所述基极电流；所述第一晶体管的尺寸与所述第二晶体管的尺寸一致。本技术实施例中，采用晶体管结构的检测电路，在实现其发明目的的同时，不仅可以节约电路设计成本，而且还可以减少电路的面积，还易于实现。
19.结合第五方面实施例的一种可能的实施方式，为所述三极管的发射极额外补偿大小与所述基极电流一致的补偿电流，包括：利用补偿电路为所述三极管的发射极额外补偿大小与所述基极电流一致的补偿电流，其中，所述补偿电路包括：第三晶体管、第四晶体管；所述第三晶体管的第一端用于接电源或接地，所述第三晶体管的控制端与其第二端连接，所述第三晶体管的第二端用于获取所述基极电流；所述第四晶体管的第一端用于接电源或接地，所述第四晶体管的控制端与所述第三晶体管的控制端连接，所述第四晶体管的第二端与所述三极管的发射极连接，所述第三晶体管的尺寸与所述第四晶体管的尺寸一致。本技术实施例中，采用晶体管结构的补偿电路，在实现其发明目的的同时，不仅可以节约电路设计成本，而且还可以减少电路的面积，还易于实现。
20.本技术的其他特征和优点将在随后的说明书阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本技术实施例而了解。本技术的目的和其他优点可通过在所写的说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
21.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。通过附图所示，本技术的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本技术的主旨。
22.图1示出了本技术实施例提供的一种三极管放大倍数误差消除电路的结构示意图。
23.图2示出了本技术实施例提供的一种三极管放大倍数误差消除电路与pnp三极管连接的电路示意图。
24.图3示出了本技术实施例提供的又一种三极管放大倍数误差消除电路与pnp三极
管连接的电路示意图。
25.图4示出了本技术实施例提供的一种三极管放大倍数误差消除电路与npn三极管连接的电路示意图。
26.图5示出了本技术实施例提供的又一种三极管放大倍数误差消除电路与npn三极管连接的电路示意图。
27.图6示出了本技术实施例提供的一种三极管放大倍数误差消除方法的流程示意图。
具体实施方式
28.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行描述。
29.应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本技术的描述中诸如“第一”、“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
30.在本技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
31.鉴于三极管的放大倍数(beta)会影响三极管基极-发射极电压(v
be
)，为了消除三极管的放大倍数所带来的v
be
误差，本技术实施例提供了一种三极管放大倍数误差消除电路，通过补偿三极管基极电流技术，使三极管的集电极电流等于特定的偏置电流，从而能有效消除三极管的放大倍数带来的误差。
32.为了便于理解，下面结合图1对本技术实施例提供的三极管放大倍数误差消除电路的原理进行说明。该三极管放大倍数误差消除电路包括偏置电流源、检测电路、补偿电路。图1中的b点用于连接三极管的基极，e点用于连接三极管的发射极。
33.其中，偏置电流源用于与三极管的发射极连接，偏置电流源用于产生一偏置电流ibias，为了保证产生的偏置电流恒定，可选地，该偏置电流源为恒流源，其电流大小可以根据需要进行选择，在此不作限定。
34.检测电路与补偿电路连接，该检测电路用于与三极管的基极连接，用于检测三极管的基极电流，以便于补偿电路为三极管的发射极额外补偿大小与检测电路检测的基极电流大小一致的补偿电流，以使三极管的集电极电流等于偏置电流源提供的偏置电流。
35.一种实施方式下，检测电路可以包含目前市面上常见的用于检测电流的电流传感器，用以检测三极管的基极电流。在该种实施方式下，补偿电路可以包括控制器和可调节电流源，其中，控制器与检测电路和可调节电流源连接，可调节电流源用于与三极管的发射极
连接。控制器用于根据检测电路检测的基极电流，控制可调节电流源向三极管的发射极额外提供大小与基极电流大小一致的补偿电流，使三极管的集电极电流等于偏置电流源提供的偏置电流。
36.考虑到电流传感器的体积较大，不利于电路集成，又一种实施方式下，检测电路包括第一晶体管(如用m1表示)和第二晶体管(如用m2表示)，第一晶体管的第一端用于接电源或接地，第一晶体管的控制端与三极管的基极连接，第一晶体管的第二端与其控制端连接。第二晶体管的第一端用于接电源或接地，第二晶体管的控制端与三极管的基极连接，第二晶体管的第二端与补偿电路连接。其中，第一晶体管的尺寸与第二晶体管的尺寸一致，以保证流经第一晶体管的电流与流经第二晶体管的电流相同。
37.该种实施方式下，由于第一晶体管与三极管的基极串联，使得流经第一晶体管的电流等于三极管的基极电流，加之第一晶体管的尺寸与第二晶体管的尺寸相同，且第一晶体管的控制端与第二晶体管的控制端连接，使得流经第二晶体管的电流也等于基极电流。该种实施方式下，不需要关心基极电流的大小，即不需要真实地检测基极电流的数值。
38.考虑到现实中第一晶体管和第二晶体管的尺寸可能并不会完全相同，可能会存在一定误差，为了消除这种误差导致流经第一晶体管的电流与流经第二晶体管的电流不完全相同，一种实施方式下，该检测电路除了包括第一晶体管和第二晶体管外，还可以包括第一钳位电路。第二晶体管的第二端通过第一钳位电路与补偿电路连接，第一钳位电路用于使流经第一晶体管的电流与流经第二晶体管的电流一致。通过第一钳位电路的作用可以使第一晶体管的vds(漏极与源极之间的电压)与第二晶体管的vds相等，从而消除沟道调制效应，使流经第一晶体管的电流和流经第二晶体管的电流更趋于相等。
39.一种可选实施方式下，第一钳位电路包括第一钳位晶体管(如用m7表示)，第二晶体管的第二端通过第一钳位晶体管与补偿电路连接，第一钳位晶体管的类型与第二晶体管的类型一致，第一钳位晶体管为常开状态。其中，第二晶体管的第二端与第一钳位晶体管的第一端连接，第一钳位晶体管的第二端与补偿电路连接。
40.第二晶体管的第二端的电压等于第一钳位晶体管的第一端的电压。假设第一钳位晶体管的控制端的电压为vbias1，当第一钳位晶体管为nmos管时，第一钳位晶体管的第一端(源极)的电压当第一钳位晶体管为pmos管时，第一钳位晶体管的第一端(源极)的电压其中，vth为第一钳位晶体管的阈值电压，μ、c
ox
为工艺参数，仅与第一钳位晶体管的工艺相关，i7为第一钳位晶体管的电流，w7、l7为第一钳位晶体管的沟道宽度以及沟道长度，通过调整vbias1，可以使第一晶体管的vds与第二晶体管的vds相等。
41.其中，上述的第一晶体管和第二晶体管的型号一致，例如，第一晶体管和第二晶体管可以是nmos管，也可以是pmos管。当为nmos管时，第一晶体管的第一端、第二晶体管的第一端接地；当为pmos管时，第一晶体管的第一端、第二晶体管的第一端接电源。上述的三极
管可以是npn三极管，也可以是pnp三极管，当三极管为npn三极管时，第一晶体管和第二晶体管为pmos管。当三极管为pnp三极管时，第一晶体管和第二晶体管为nmos管。
42.除了采用上述的包含控制器和可调节电流源的补偿电路外，补偿电路也可以采用包含晶体管的补偿电路，一种实施方式下，补偿电路可以包括第三晶体管(如用m3表示)和第四晶体管(如用m4表示)。第三晶体管的第一端用于接电源或接地，第三晶体管的控制端与其第二端均与检测电路连接。第四晶体管的第一端用于接电源或接地，第四晶体管的控制端与第三晶体管的控制端连接，第四晶体管的第二端与三极管的发射极连接，第三晶体管的尺寸与第四晶体管的尺寸一致，以保证流经第三晶体管的电流与流经第四晶体管的电流相同。
43.由于第三晶体管的控制端与第四晶体管的控制端连接，且第三晶体管的尺寸与第四晶体管的尺寸一致，使得流经第三晶体管的电流与流经第四晶体管的电流相同。此外，第三晶体管与检测电路连接，例如与检测电路中的第二晶体管串联，使得流经第三晶体管的电流等于流经第二晶体管的电流，也即等于基极电流。
44.同理，考虑到现实中第三晶体管和第四晶体管的尺寸可能并不会完全相同，可能会存在一定误差，为了消除这种误差导致流经第三晶体管的电流与流经第四晶体管的电流不完全相同，一种实施方式下，该补偿电路除了包括第三晶体管和第四晶体管外，还可以包括第二钳位电路。第三晶体管的第二端经过第二钳位电路与检测电路连接，第四晶体管的第二端经过第二钳位电路与三极管的发射极连接。第二钳位电路，用于使流经第三晶体管的电流与流经第四晶体管的电流一致。通过第二钳位电路的作用可以使第三晶体管的vds(漏极与源极之间的电压)与第三晶体管的vds相等，从而消除沟道调制效应，使流经第三晶体管的电流和流经第四晶体管的电流更趋于相等。
45.一种可选实施方式下，第二钳位电路包括：第二钳位晶体管(如用m5表示)、第三钳位晶体管(如用m6表示)。第三晶体管的第二端经过第二钳位晶体管与检测电路连接，第二钳位晶体管的类型与第三晶体管的类型一致，第二钳位晶体管为常开状态。第四晶体管的第二端经过第三钳位晶体管与三极管的发射极连接，第三钳位晶体管的类型与第四晶体管的类型一致，第三钳位晶体管为常开状态。
46.其中，第三晶体管的第二端与第二钳位晶体管的第一端连接，第二钳位晶体管的第二端与检测电路连接。第四晶体管的第二端与第三钳位晶体管的第一端连接，第三钳位晶体管的第二端与三极管的发射极连接。可选地，第二钳位晶体管控制端的电压与第三钳位晶体管控制端的电压可以一致，如为vbias2。
47.第三晶体管的第二端的电压等于第二钳位晶体管的第一端的电压。假设第二钳位晶体管的控制端的电压为vbias2，当第二钳位晶体管为nmos管时，第二钳位晶体管的第一端(源极)的电压当第二钳位晶体管为pmos管时，第二钳位晶体管的第一端(源极)的电压其中，vth为第二钳位晶
体管的阈值电压，μ、c
ox
为工艺参数，仅与第二钳位晶体管的工艺相关，i5为第二钳位晶体管的电流，w5、l5为第二钳位晶体管的沟道宽度以及沟道长度。
48.第四晶体管的第二端的电压等于第三钳位晶体管的第一端的电压。假设第三钳位晶体管的控制端的电压为vbias2，当第三钳位晶体管为nmos管时，第三钳位晶体管的第一端(源极)的电压当第三钳位晶体管为pmos管时，第三钳位晶体管的第一端(源极)的电压其中，vth为第三钳位晶体管的阈值电压，μ、c
ox
为工艺参数，仅与第三钳位晶体管的工艺相关，i6为第三钳位晶体管的电流，w6、l6为第三钳位晶体管的沟道宽度以及沟道长度。
49.由于第三晶体管的第一端的电压和第四晶体管的第一端的电压相等，例如为vdd或为0，通过调整vbias2，可以使第三晶体管的vds等于第四晶体管的vds。当第三晶体管的第一端接电源vdd时，则第三晶体管的vds＝vdd-vs5，同理，当第四晶体管的第一端接电源vdd时，第四晶体管的vds＝vdd-vs6。当第三晶体管的第一端接地时，则第三晶体管的vds＝vs5，当第四晶体管的第一端接地时，则第四晶体管的vds＝vs6。
50.其中，上述的第三晶体管和第四晶体管的型号一致，例如，第三晶体管和第四晶体管可以是nmos管，也可以是pmos管。当为nmos管时，第三晶体管的第一端、第四晶体管的第一端接地；当为pmos管时，第三晶体管的第一端、第四晶体管的第一端接电源。上述的三极管可以是npn三极管，也可以是pnp三极管，当三极管为npn三极管时，第三晶体管和第四晶体管为nmos管。当三极管为pnp三极管时，第三晶体管和第四晶体管为pmos管。
51.其中，补偿电路中的晶体管类型与检测电路中的晶体管类型不同，例如，第一晶体管(或第二晶体管)的型号与第三晶体管(或第四晶体管)的型号不同，当第一晶体管为nmos管时，第三晶体管为pmos管；当第一晶体管为pmos管时，第三晶体管为nmos管。
52.为了便于理解上述的三极管放大倍数误差消除电路的原理，下面结合具体的电路图进行说明。当上述的三极管为pnp三极管时，一种实施方式下，三极管放大倍数误差消除电路的电路图可以如图2或图3所示。需要说明的是，图3所示的电路图为检测电路还包括第一钳位晶体管m7，且补偿电路还包括第二钳位晶体管m5、第三钳位晶体管m6的情形。可选地，当检测电路还包括第一钳位晶体管m7时，补偿电路可以不包括第二钳位晶体管m5、第三钳位晶体管m6，或者，当补偿电路还包括第二钳位晶体管m5、第三钳位晶体管m6时，检测电路可以不包括第一钳位晶体管m7，因此不能将图3所示的电路图理解成是对本技术的限制。
53.在图2或图3所示的实施方式下，三极管放大倍数误差消除电路的工作原理如下：
54.当三极管发射极给固定偏置电流ibias时，如果没有补偿电路，则在加入补偿电路后，额外为三极管的发射极补偿大小与基极电流一致的补偿电流(由于流经晶体管m1的电流等于基极电流ib，也等于流经晶体管m2的电流，而流经晶体管m2的电流等于流经晶体管m3的电流，而流经晶体管m4的电流
processor，np)等；还可以是数字信号处理器(digital signal processor，dsp)、专用集成电路(application specific integrated circuit，asic)、现场可编程门阵列(field programmable gate array，fpga)通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。
62.存储器可以是但不限于，随机存取存储器(random access memory，ram)，只读存储器(read only memory，rom)，可编程只读存储器(programmable read-only memory，prom)，可擦除只读存储器(erasable programmable read-only memory，eprom)，电可擦除只读存储器(electric erasable programmable read-only memory，eeprom)等。
63.本技术soc芯片实施例所提供的测温传感器中的三极管放大倍数误差消除电路，其实现原理及产生的技术效果和前述三极管放大倍数误差消除电路实施例相同，为简要描述，soc芯片实施例部分未提及之处，可参考前述三极管放大倍数误差消除电路实施例中相应内容。
64.基于同样的发明构思，本技术实施例还提供了一种电子设备，该电子设备至少包括设备本体和如上述测温传感器，或集成有测温传感器的soc芯片。其中，该电子设备可以是手机、平板、电脑等。
65.基于同样的发明构思，本技术实施例还提供了一种三极管放大倍数误差消除方法，下面将结合图6对其所包含的步骤进行说明。
66.s1：为三极管的发射极提供一偏置电流。
67.一种可选实施方式下，该三极管放大倍数误差消除方法可以应用于上述的三极管放大倍数误差消除电路。在该种实施方式下，可以利用三极管放大倍数误差消除电路中的偏置电流源为三极管的发射极提供一偏置电流。
68.s2：对所述三极管的基极电流进行检测，得到所述基极电流。
69.可选地，可以利用上述的三极管放大倍数误差消除电路中的检测电路来检测所述三极管的基极电流。
70.例如，一种实施方式下，检测电路包括：第一晶体管、第二晶体管。所述第一晶体管的第一端用于接电源或接地，所述第一晶体管的控制端与所述三极管的基极连接，所述第一晶体管的第二端与其控制端连接；第二晶体管所述第二晶体管的第一端用于接电源或接地，所述第二晶体管的控制端与所述三极管的基极连接，所述第二晶体管的第二端用于得到所述基极电流；所述第一晶体管的尺寸与所述第二晶体管的尺寸一致。其中，第二晶体管的第二端可以与补偿电路连接。该部分内容的详细介绍请参阅上述三极管放大倍数误差消除电路实施例中相应内容。
71.s3：为所述三极管的发射极额外补偿大小与所述基极电流一致的补偿电流，使所述三极管的集电极电流等于所述偏置电流。
72.可选地，可以利用上述的三极管放大倍数误差消除电路中的补偿电路来额外为所述三极管的发射极补偿大小与所述基极电流一致的补偿电流，使所述三极管的集电极电流等于所述偏置电流源提供的偏置电流。
73.例如，一种实施方式下，补偿电路包括：第三晶体管、第四晶体管。所述第三晶体管的第一端用于接电源或接地，所述第三晶体管的控制端与其第二端连接，所述第三晶体管的第二端用于获取所述基极电流；所述第四晶体管的第一端用于接电源或接地，所述第四
晶体管的控制端与所述第三晶体管的控制端连接，所述第四晶体管的第二端与所述三极管的发射极连接，所述第三晶体管的尺寸与所述第四晶体管的尺寸一致。其中，第三晶体管的第二端可以与检测电路连接。该部分内容的详细介绍请参阅上述三极管放大倍数误差消除电路实施例中相应内容。
74.本技术方法实施例中所提供的三极管放大倍数误差消除电路，其实现原理及产生的技术效果和前述三极管放大倍数误差消除电路实施例相同，为简要描述，方法实施例部分未提及之处，可参考前述三极管放大倍数误差消除电路实施例中相应内容。
75.以上所述，仅为本技术的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此，本技术的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。