功率芯片的制作方法

技术特征：
1.一种功率芯片，其特征在于，包括：芯片本体，包括由多个元胞组成的至少一个有源区；与所述有源区对应设置的发射极焊盘；栅极焊盘，设置在所述芯片本体上，且与所述发射极焊盘位于同侧；环形的栅极总线，设置在所述有源区周围，且与所述发射极焊盘位于同侧；片上栅极电阻，分别与所述环形的栅极总线以及所述栅极焊盘连接；其中，所述环形的栅极总线的宽度与距离所述栅极焊盘的距离成反比。2.根据权利要求1所述的功率芯片，其特征在于，所述环形的栅极总线中至少部分栅极总线的宽度以阶梯状的方式逐渐进变小，和/或，以线性方式逐渐进变小。3.根据权利要求1所述的功率芯片，其特征在于，所述栅极焊盘的数目为1个；所述功率芯片的形状为四边形；所述栅极焊盘位于所述功率芯片的任意一条边的中央位置，或者，位于所述功率芯片的任意两条相邻的边的交界处，或者，位于所述功率芯片的中央位置。4.根据权利要求1所述的功率芯片，其特征在于，所述栅极焊盘的数目为1个；所述功率芯片的形状为四边形；所述栅极焊盘位于所述功率芯片的任意一条边的中央位置；所述有源区的数目为n；各边对应的栅极总线的宽度满足如下表达式：w
bottom
>w
side_1
>w
side_2
>
…
>w
side_n-1
>w
middle_1
＝w
middle_2
＝
…
＝w
middle_n-1
>wside_
n
＝w
top
；其中，w
bottom
表示位于所述功率芯片的第一边对应的栅极总线的宽度；所述功率芯片的第一边为所述栅极焊盘所在位置的边；w
side_n-1
表示第n-1个所述有源区外围位于所述第一边两端的两个所述功率芯片的第二边对应的栅极总线的宽度；w
middle_n-1
表示第n个所述有源区与第n-1个所述有源区之间的第三边所对应的栅极总线的宽度；所述w
side_n
表示第n个所述有源区外围位于所述第一边两端的两个所述功率芯片的第二边对应的栅极总线的宽度；所述w
top
表示第n个所述有源区外围远离所述第一边的第四边对应的栅极总线的宽度。5.根据权利要求1所述的功率芯片，其特征在于，所述栅极焊盘的数目为至少2个，且所述栅极焊盘在所述芯片本体上呈对称分布。6.根据权利要求5所述的功率芯片，其特征在于，所述功率芯片的形状为四边形；所述栅极焊盘的数目为2个；2个所述栅极焊盘分别位于所述功率芯片的平行的两条边的中央位置。7.根据权利要求5所述的功率芯片，其特征在于，所述功率芯片的形状为四边形；所述栅极焊盘的数目为4个；所述功率芯片的每条边的中央位置分别设置一个所述栅极焊盘。8.根据权利要求1所述的功率芯片，其特征在于，至少一个环形的栅极总线设置有缺口。9.根据权利要求6所述的功率芯片，其特征在于，所述环形的栅极总线的材质包括金属、金属硅化物和多晶硅的复合膜层材料的至少一种。10.根据权利要求1所述的功率芯片，其特征在于，还包括：终端区域，设置在环形的栅极总线的外围。

技术总结
本发明公开了一种功率芯片，包括芯片本体，包括由多个元胞组成的至少一个有源区；与所述有源区对应设置的发射极焊盘；栅极焊盘，设置在所述芯片本体上，且与所述发射极焊盘位于同侧；环形的栅极总线，设置在所述有源区周围，且与所述发射极焊盘位于同侧；片上栅极电阻，分别与所述环形的栅极总线以及所述栅极焊盘连接；其中，所述环形的栅极总线的宽度与距离所述栅极焊盘的距离成反比。即：栅极总线离栅极焊盘越远，栅极总线的宽度越小。这样，改善了栅极信号在栅极总线上传输的一致性，从而提高了距离栅极焊盘远、近不同的元胞之间的开关一致性，进而改善了元胞均流，提高了功率芯片工作的鲁棒性与可靠性。工作的鲁棒性与可靠性。工作的鲁棒性与可靠性。


技术研发人员：姚尧 罗海辉 肖强 梁利晓 刘葳 管佳宁 覃荣震
受保护的技术使用者：株洲中车时代半导体有限公司
技术研发日：2021.12.15
技术公布日：2022/3/21