一种集成增加集成在高压环内升压二极管电流的结构的制作方法

1.本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种集成增加集成在高压环内升压二极管电流的结构。


背景技术：

2.随着半导体集成电路技术的不断发展，芯片内部通常会划分有多个不同的电压区域，用于集成不同电源电压需求的器件。相关技术中集成有不同电压区域的芯片，包括低压区域和高压区域，低压区域和高压区域之间由隔离环结构隔离。通常高压区域器件的电源需求电压高于低压区域器件的电源需求电压，因此为了实现低压区域器件和高压区域器件之间的信息交互，需要在低压区域和高压区域之间连接电压转换器，通过该电压转换器实现电压转换。
3.然而现有技术中的隔离环结构无法提高升压二极管电流的效果。因此需要提出一种新的结构来解决上述问题。


技术实现要素：

4.鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种集成增加集成在高压环内升压二极管电流的结构，用于解决现有技术中升压二极管电流无法提高的问题。
5.为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种集成增加集成在高压环内升压二极管电流的结构，至少包括：
6.第一至第三横向平直部、u型部以及纵向平直部；
7.所述u型部包括第一、第二u型纵向部以及u型端；其中所述第一、第二u型纵向部的一端分别连接于所述u型端的两端；
8.所述第一横向平直部的一端连接于所述u型部中所述第一u型纵向部的另一端；所述第二u型纵向部的另一端与所述第二横向平直部的一端连接；所述第二横向平直部的另一端连接于所述纵向平直部的一端；所述纵向平直部的另一端连接于所述第三横向平直部的一端；
9.所述第一、第二横向平直部处于一条直线上；所述第三横向平直部与所述第一、第二横向平直部相互平行；并且所述u型部处于所述第一、第二横向平直部与所述第三横向平直部之间；
10.所述第一至第三横向平直部、u型部以及纵向平直部分别包括：外延区，位于所述外延区内的p阱、位于所述p阱内表面的n阱；位于所述n阱内表面的第一n 区；所述第一n 区边缘的一侧设有从所述n阱上表面延伸至所述p阱上表面的第一多晶硅栅；所述n阱远离所述第一多晶硅栅一侧的所述p阱内上表面设有p 区。
11.优选地，所述外延区为n型外延区。
12.优选地，所述外延区内的所述p阱底部还设有p型掺杂区。
13.优选地，所述外延区位于所述p型衬底上。
14.优选地，所述p 区和所述第一n 区之间的所述p阱和n阱的分界处设有第一场氧区。
15.优选地，所述p 区远离所述第一场氧区一侧的所述外延区与所述p阱分界处设有第二场氧区。
16.优选地，所述p型衬底与所述外延区分界处的所述p型掺杂区下方设有p型埋层。
17.优选地，所述第一场氧区远离所述第二场氧区一侧的所述外延区上表面设有第三场氧区，所述第一多晶硅栅从所述p阱上表面延伸至所述第三场氧区的一端上表面；所述第三场氧区下方的所述外延区形成扩散区。
18.优选地，所述第三场氧区远离所述第二场氧区一侧所述外延区上表面设有第四场氧区，所述第三、第四场氧区之间的所述外延区上设有第二n 区。
19.优选地，所述第三场氧区上表面设有第二多晶硅栅。
20.优选地，所述p 区为基极接出端。
21.优选地，所述第一n 区为源极接出端。
22.优选地，所述第三场氧区一端的所述第一多晶硅栅为栅极接出端。
23.优选地，所述第二n 区和所述第二多晶硅栅共同作为漏极接出端。
24.优选地，所述第四场氧区下方的所述外延区与所述p型衬底分界处设有n型埋层。
25.优选地，所述第四场氧区以及位于所述第四场氧区下方的所述外延区构成高压端。
26.如上所述，本发明的集成增加集成在高压环内升压二极管电流的结构，具有以下有益效果：本发明改变高压环结构形成包括u型结构，集成了升压二极管的高压环结构，这种结构在版图上增加ldmos宽度从而增大升压二极管的电流。
附图说明
27.图1显示为本发明中的高压环结构的纵截面结构示意图；
28.图2显示为本发明的高压环结构的俯视图。
具体实施方式
29.以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
30.请参阅图1至图2。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
31.本发明提供一种集成增加集成在高压环内升压二极管电流的结构，如图1和图2所示，图1显示为本发明中的高压环结构的纵截面结构示意图。图2显示为本发明的高压环结构的俯视图。至少包括：
32.第一至第三横向平直部、u型部以及纵向平直部；如图2所示，其中所述第一横向平
直部的长度为a，所述第二平直部的长度为e，所述第三横向平直部的长度为g；所述纵向平直部的长度为f。
33.所述u型部包括第一、第二u型纵向部以及u型端；如图2所示，其中所述第一、第二u型纵向部的一端分别连接于所述u型端的两端；其中所述u型部中的所述第一u型纵向部的长度为b，第二u型纵向部的长度为d，所述u型端的长度为c。
34.所述第一横向平直部的一端连接于所述u型部中所述第一u型纵向部的另一端；所述第二u型纵向部的另一端与所述第二横向平直部的一端连接；所述第二横向平直部的另一端连接于所述纵向平直部的一端；所述纵向平直部的另一端连接于所述第三横向平直部的一端；
35.所述第一、第二横向平直部处于一条直线上；所述第三横向平直部与所述第一、第二横向平直部相互平行；并且所述u型部处于所述第一、第二横向平直部与所述第三横向平直部之间；
36.如图1所示，所述第一至第三横向平直部、u型部以及纵向平直部分别包括：外延区(n-epi)，位于所述外延区(n-epi)内的p阱(pw)、位于所述p阱(pw)内表面的n阱(nw)；位于所述n阱(nw)内表面的第一n 区01；所述第一n 区01边缘的一侧设有从所述n阱上表面延伸至所述p阱上表面的第一多晶硅栅02；所述n阱远离所述第一多晶硅栅一侧的所述p阱内上表面设有p 区03。
37.本发明进一步地，本实施例中的所述外延区为n型外延区。
38.本发明进一步地，本实施例中的所述外延区内的所述p阱底部还设有p型掺杂区(ptype)。
39.本发明进一步地，所述外延区位于所述p型衬底(psub)上。
40.本发明进一步地，所述p 区和所述第一n 区之间的所述p阱和n阱的分界处设有第一场氧区04。
41.本发明进一步地，所述p 区远离所述第一场氧区一侧的所述外延区与所述p阱分界处设有第二场氧区05。
42.本发明进一步地，所述p型衬底与所述外延区分界处的所述p型掺杂区下方设有p型埋层pbl。
43.本发明进一步地，所述第一场氧区远离所述第二场氧区一侧的所述外延区上表面设有第三场氧区06，所述第一多晶硅栅从所述p阱上表面延伸至所述第三场氧区的一端上表面；所述第三场氧区下方的所述外延区形成扩散区(drift region)。
44.本发明进一步地，所述第三场氧区远离所述第二场氧区一侧所述外延区上表面设有第四场氧区，所述第三、第四场氧区之间的所述外延区上设有第二n 区08。
45.本发明进一步地，所述第三场氧区上表面设有第二多晶硅栅09。
46.本发明进一步地，所述p 区为基极接出端(bulk)。
47.本发明进一步地，所述第一n 区为源极接出端(source)。
48.本发明进一步地，所述第三场氧区一端的所述第一多晶硅栅为栅极接出端(gate)。
49.本发明进一步地，所述第二n 区和所述第二多晶硅栅共同作为漏极接出端(drain)。
50.本发明进一步地，所述第四场氧区下方的所述外延区与所述p型衬底分界处设有n型埋层。
51.本发明进一步地，所述第四场氧区以及位于所述第四场氧区下方的所述外延区构成高压端(highside)。
52.综上所述，本发明改变高压环结构形成包括u型结构，集成了升压二极管的高压环结构，这种结构在版图上增加ldmos宽度从而增大升压二极管的电流。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
53.上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。