一种集成电路用的硅蚀刻液及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种集成电路用的硅蚀刻液，其特征在于，包括以下质量百分比的原料：18-25％份四甲基氢氧化铵、2-3％氢氧化钾、0.3-0.5％催化剂、0.1％助剂、0.1％金属捕集剂、0.05-0.1％表面活性剂，余量为去离子水；其中，助剂由以下步骤制成：步骤a1、将含氢硅油、甲基丙烯酸缩水甘油醚和无水乙醇混合，通入氮气搅拌10-15min，将体系温度升高至70-80℃，加入氯铂酸，保温反应4-5h，减压蒸馏，得到中间产物1；步骤a2、氮气保护下，向三口烧瓶中加入中间产物1、全氟三丁胺和无水乙醇，升温至60-70℃，搅拌反应3-4h，加入冰醋酸调节体系ph值6-7，反应4-8h后，减压蒸馏，得到助剂。2.根据权利要求1所述的一种集成电路用的硅蚀刻液，其特征在于，步骤a1中含氢硅油中的si-h含量为0.27-0.4％。3.根据权利要求1所述的一种集成电路用的硅蚀刻液，其特征在于，步骤a1中无水乙醇的用量为含氢硅油和甲基丙烯酸缩水甘油醚总质量的20-30％。4.根据权利要求1所述的一种集成电路用的硅蚀刻液，其特征在于，步骤a1中氯铂酸的用量为含氢硅油和甲基丙烯酸缩水甘油醚总质量的0.05-0.1％。5.根据权利要求1所述的一种集成电路用的硅蚀刻液，其特征在于，金属捕集剂由以下步骤制成：步骤b1、向三口烧瓶中加入thf和3-羧基吗啉，加入质量分数10％的氢氧化钠溶液，冰水浴条件下，滴加二硫化碳的thf溶液，升温至室温，搅拌反应2h，滴加氯乙醇的thf溶液，升温至45℃，搅拌反应2h，冷却至室温，加入冰醋酸调节ph值为6-7，减压蒸馏，得到中间体1；步骤b2、将乙二胺四乙酸二酐、中间体1、4-二甲氨基吡啶和无水吡啶混合，功率为300w、温度110℃下微波反应30min，冷却后，蒸馏，蒸馏产物加入乙醚中研磨后转移至去离子水中，加入柠檬酸溶液调节ph值至5.0，于4℃冰箱中放置48h，过滤，滤饼洗涤，干燥，得到金属捕集剂。6.根据权利要求1所述的一种集成电路用的硅蚀刻液，其特征在于，步骤b1中二硫化碳的thf溶液由二硫化碳和thf按照0.1mol：19ml混合而成。7.根据权利要求1所述的一种集成电路用的硅蚀刻液，其特征在于，步骤b1中氯乙醇的thf溶液由氯乙醇和thf按照0.1mol：15ml混合而成。8.根据权利要求1所述的一种集成电路用的硅蚀刻液，其特征在于，步骤b2中乙二胺四乙酸二酐、中间体1、4-二甲氨基吡啶和无水吡啶的用量比为6mmol：12mmol：0.3-0.5g：15-20ml。9.根据权利要求1所述的一种集成电路用的硅蚀刻液，其特征在于，表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚非离子表面活性剂，其分子式为c
m-o-(ch2ch2o)
n
h，其中m＝12-18，n＝15-16。10.根据权利要求1所述的一种集成电路用的硅蚀刻液的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：向混配釜中加入四甲基氢氧化铵，转速100-200r/min搅拌条件下，加入氢氧化钾、催化剂、助剂、金属捕集剂、表面活性剂和去离子水，搅拌混合25-35min后，得到集成电路用的硅蚀刻液。

技术总结
本发明涉及一种集成电路用的硅蚀刻液，属于刻蚀液制备技术领域，包括以下质量百分比的原料：18-25％份四甲基氢氧化铵、2-3％氢氧化钾、0.3-0.5％催化剂、0.1％助剂、0.1％金属捕集剂、0.05-0.1％表面活性剂，余量为去离子水；本发明还公开该硅蚀刻液的制备方法，将配方中的原料按比例混合即可，本发明以四甲基氢氧化铵、氢氧化钾、助剂和金属捕集剂为主料原料；采用有机碱和无机碱结合，提高硅蚀刻速率，加入助剂减少硅蚀刻过程中会氢气气泡的产生，加入金属捕集剂对蚀刻液中的金属离子进行捕集，防止金属离子的沉积，减少蚀刻基板上被腐蚀的金属离子对硅蚀液的影响。属离子对硅蚀液的影响。


技术研发人员：戈士勇 何珂 展红峰
受保护的技术使用者：江苏中德电子材料科技有限公司
技术研发日：2021.11.18
技术公布日：2022/3/15