体声波滤波器芯片的封装结构的制作方法

技术特征：
1.一种体声波滤波器芯片的封装结构，其特征在于，包括相位补偿器、多个第一体声波谐振器单元、第二体声波谐振器单元和电感器；所述第一体声波谐振器单元依次串联；相邻所述第一体声波谐振器单元之间与所述第二体声波谐振器单元的一端连接；所述电感器与第二体声波谐振器单元的另一端连接；所述相位补偿器与任一第一体声波谐振器单元的管脚连接。2.根据权利要求1所述的体声波滤波器芯片的封装结构，其特征在于，所述第一体声波谐振器单元和第二声波谐振器单元都包括体声波谐振器，所述体声波谐振器采用薄膜体声波谐振器。3.根据权利要求1所述的体声波滤波器芯片的封装结构，其特征在于，所述第二体声波谐振器单元和电感器一一对应设置多个，至少存在一个电感器以远离其连接的第二体声波谐振器单元的一端与另一电感器和对应第二体声波谐振器单元之间的管脚连接。4.根据权利要求1所述的体声波滤波器芯片的封装结构，其特征在于，所述第一体声波谐振器单元包括多个体声波谐振器且依次串联。5.根据权利要求1所述的体声波滤波器芯片的封装结构，其特征在于，所述第二体声波谐振器单元包括多个体声波谐振器且依次并联。6.根据权利要求2所述的体声波滤波器芯片的封装结构，其特征在于，所述体声波谐振器包括依次设置于衬底上的底电极、压电薄膜和顶电极；所述底电极与衬底之间设有支撑层；所述支撑层下部的衬底位置设有空腔。7.根据权利要求6所述的体声波滤波器芯片的封装结构，其特征在于，所述体声波谐振器设有封装层，所述封装层包括内腔，所述体声波谐振器设置在内腔中。8.根据权利要求6所述的体声波滤波器芯片的封装结构，其特征在于，所述底电极在衬底侧埋设有第一焊接盘；所述顶电极设有延伸至衬底的第二焊接盘；所述衬底在所述第一焊接盘和所述第二焊接盘处设有延伸至背离体声波谐振器表面的柱孔，所述柱孔填充有导电极。9.根据权利要求7所述的体声波滤波器芯片的封装结构，其特征在于，所述电感器和/或所述相位补偿器设置在衬底背离体声波谐振器的表面。10.根据权利要求6-9中任意一项所述的体声波滤波器芯片的封装结构，其特征在于，所述顶电极的上表面设置隔热层，所述隔热层的厚度不小于压电薄膜厚度的一半。

技术总结
本发明提供了一种体声波滤波器芯片的封装结构，包括相位补偿器、多个第一体声波谐振器单元、第二体声波谐振器单元和电感器；所述第一体声波谐振器单元依次串联；相邻所述第一体声波谐振器单元之间与所述第二体声波谐振器单元的一端连接；所述电感器与第二体声波谐振器单元的另一端连接；所述相位补偿器与任一第一体声波谐振器单元的管脚连接。本发明通过在至少一个第一体声波谐振器单元的管脚上连接相位补偿器，进行相位补偿，提高相位补偿器与体声波滤波器芯片的匹配性和集成度，降低或者减少体声波失真，使用时无需再设置相位补偿电路，可以简化应用的外部配套电路设置，使得体声波滤波器芯片的使用更为便利，有利于应用产品的小型化。产品的小型化。产品的小型化。


技术研发人员：ꢀ(51)Int.Cl.H03H9/10
受保护的技术使用者：深圳新声半导体有限公司
技术研发日：2022.02.08
技术公布日：2022/3/8