可流动CVD膜的表面粗糙度的制作方法

技术特征：
1.一种处理方法，包括：用等离子体对基板表面进行预处理，以形成平滑的预处理基板表面；通过将所述预处理基板表面暴露于前驱物和反应物，来在所述预处理基板表面上形成可流动cvd膜；以及固化所述可流动cvd膜。2.如权利要求1所述的方法，其中所述等离子体包括氩(ar)、氦(he)、氢(h2)、氮(n2)、氨(nh3)中的一者或多者。3.如权利要求1所述的方法，其中对所述基板表面进行预处理在约5毫托至约100毫托的范围中的压力下进行。4.如权利要求3所述的方法，其中对所述基板表面进行预处理在约25℃至约400℃的范围中的温度下进行。5.如权利要求1所述的方法，进一步包括：在形成可流动cvd膜之前，使三硅基胺(tsa)在经预处理的基板之上流动，随后使氨(nh3)流动以形成经处理的基板。6.如权利要求5所述的方法，其中tsa/nh3的比率在约5:1至约30:1的范围中。7.如权利要求5所述的方法，其中在氧(o2)的存在下进行使tsa和nh3流动。8.如权利要求5所述的方法，其中使tsa和nh3流动是在实质上不存在氧(o2)的情况下进行。9.如权利要求5所述的方法，其中形成所述经处理的基板在约0.3托至约1托的范围中的压力下进行。10.如权利要求9所述的方法，其中形成所述经处理的基板在约25℃至约100℃的范围中的温度下进行。11.如权利要求1所述的方法，其中所述可流动cvd膜具有在约5nm至约50nm的范围中的厚度。12.如权利要求7所述的方法，进一步包括：去除氧(o2)；以及停止氨(nh3)的流动，同时继续使tsa在经处理的基板之上流动。13.一种处理方法，包括：用等离子体对基板表面进行预处理，以形成平滑的预处理基板表面；使三硅基胺(tsa)在经预处理的基板之上流动，随后使氨(nh3)流动以形成经处理的基板；通过将所述经处理的基板暴露于前驱物和反应物，在所述经处理的基板上形成可流动cvd膜，所述可流动cvd膜具有在约5nm至约50nm的范围中的厚度；以及固化所述可流动cvd膜。14.如权利要求13所述的方法，其中tsa/nh3的比率在约5:1至约30:1的范围中。15.如权利要求13所述的方法，其中在氧(o2)的存在下进行使tsa和nh3流动。16.如权利要求13所述的方法，其中tsa和nh3的流动是在实质上不存在氧(o2)的情况下进行。17.如权利要求13所述的方法，其中形成经处理的基板在约0.3托至约1托的范围中的压力下进行。
18.如权利要求17所述的方法，其中形成经处理的基板在约10℃至约100℃的范围中的温度下进行。19.如权利要求15所述的方法，进一步包括：去除氧(o2)；以及停止氨(nh3)的流动，同时继续使tsa在经处理的基板之上流动。20.一种处理方法，包括：用等离子体对基板表面进行预处理，以形成平滑的预处理基板表面；使三硅基胺(tsa)在经预处理的基板之上流动，随后使氨(nh3)和氧(o2)流动以形成可流动cvd膜，所述可流动cvd膜具有在约5nm至约50nm的范围中的厚度；去除氧(o2)；停止氨(nh3)的流动，同时继续使tsa在经处理的基板之上流动；以及固化所述可流动cvd膜。

技术总结
用于在沉积可流动CVD膜之前在基板表面上进行表面处理来形成平滑的超薄可流动CVD膜的方法可改进均匀性和整体的膜平滑度。可透过任何合适的固化工艺来固化可流动CVD膜，以形成平滑的可流动CVD膜。平滑的可流动CVD膜。平滑的可流动CVD膜。


技术研发人员：郭津睿 梁璟梅 P
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：2020.07.17
技术公布日：2022/3/4