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线性镶板的制作方法

2022-03-04 23:51:56 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种线性墙壁或天花板镶板(1、11、13、15、17),其包括可热成型的织造或非织造纤维材料并由所述可热成型的织造或非织造纤维材料形成,所述材料包括双芯聚酯纤维和非双芯聚酯纤维的混合物,所述双芯聚酯纤维包括内芯和外部护套,所述外部护套具有低于所述非双芯聚酯纤维和所述双芯聚酯纤维的内芯两者的熔点的软化温度,使得通过将所述材料加热到高于所述双芯聚酯纤维的软化温度但低于所述非双芯聚酯纤维和所述双芯聚酯纤维的内芯两者的熔点的温度能够形成所述线性墙壁或天花板镶板。2.根据权利要求1所述的线性墙壁或天花板镶板,其中所述双芯聚酯纤维包括聚酯纤维总质量和/或体积和/或数量的25-80%。3.根据权利要求1或2所述的线性墙壁或天花板镶板,其中所述纤维材料是非织造纤维材料。4.根据权利要求1至3中任一项所述的线性墙壁或天花板镶板,其中所述镶板被成形为提供用于将所述镶板安装到托架的装置,并且其中用于安装所述线性镶板的所述装置(7)形成所述镶板的整体部分,所述镶板和用于安装所述镶板的所述装置两者都由所述纤维材料形成。5.根据权利要求4所述的线性墙壁或天花板镶板,其中所述用于安装所述镶板的所述装置包括沿着所述镶板的长度的至少一部分延伸的至少一个凸缘(9)。6.根据权利要求1至5中任一项所述的线性墙壁或天花板镶板,其中所述双芯聚酯纤维的所述外部护套具有在约100℃至225℃的范围内的熔融和/或软化温度,并且所述双芯聚酯纤维的所述内芯具有约255℃的熔点。7.根据权利要求1至6中任一项所述的线性墙壁或天花板镶板,其包括细长部分(3),所述细长部分(3)在所述线性镶板的纵向方向上延伸并且包括两个侧壁(20)和位于所述侧壁之间的中央部分(16),所述线性镶板还包括在纵向端部处在所述侧壁与所述中央部分之间延伸的端部部分(30)。8.根据权利要求7所述的线性墙壁或天花板镶板,其中所述线性镶板的所述侧壁(20)包括向内且朝向所述镶板的所述中央部分延伸的凸缘(9)。9.根据权利要求8所述的线性墙壁或天花板镶板,其中所述线性镶板的所述端部部分(30)包括槽(32),所述槽(32)被构造为接纳从所述镶板的所述侧壁(20)延伸的所述凸缘(9)。10.根据权利要求7至9中任一项所述的线性墙壁或天花板镶板,其中所述线性镶板的所述侧壁(20)各自具有纵向端部并且在所述侧壁中每个的所述纵向端部中形成切口部分(35),并且其中在所述端部部分上设置有对应的突片(36),每个突片被构造成由形成在所述镶板的侧壁的所述纵向端部中的切口部分接纳。11.根据权利要求7至10中任一项所述的线性墙壁或天花板镶板,其中所述线性镶板的所述细长部分(31)和所述端部部分(30)由单件相同的纤维材料形成。12.根据权利要求7至11中任一项所述的线性墙壁或天花板镶板,其中所述端部部分(30)基本上由所述线性镶板的所述中央部分(16)的延伸部(37)或所述侧壁(20)中的一个的延伸部(37)形成,所述中央部分的延伸部延伸超出所述线性镶板的所述侧壁的所述纵向端部并且一个侧壁的延伸部延伸超出另一侧壁的所述纵向端部和所述线性镶板的所述中央部分。
13.根据权利要求12所述的线性墙壁或天花板镶板,其中所述中央部分或侧壁的所述延伸部(37)被构造成折叠约90
°
,从而覆盖所述线性镶板的敞开的所述纵向端部(34)。14.根据权利要求7或8中任一项所述的线性墙壁或天花板镶板,其中所述线性镶板的所述端部部分(30)是与所述线性镶板的所述细长部分(31)分离的材料件,并且其中所述端部部分包括三个区域,即第一区域(41),所述第一区域(41)在所述线性镶板的纵向端部处在所述侧壁(20)和所述中央部分(16)之间延伸,以及第二区域(42)和第三区域(43),所述第二区域(42)和所述第三区域(43)分别从所述第一区域的相对端延伸并且沿着每个侧壁的面向内的表面的部分延伸。15.一种由包括双芯聚酯纤维和非双芯聚酯纤维的混合物的材料形成线性镶板(1、11、13、15、17)的方法,包括:将所述材料加热至高于双芯纤维的外部护套的软化温度但低于非双芯纤维和所述双芯纤维的内芯的熔点两者的温度,以及施加压力以使所述材料的至少一部分沿其长度变形,并且其中所述镶板通过加热模具经由连续工艺来制造,所述连续工艺是比如对所述材料进行辊轧成型或牵引。

技术总结
一种包括织造或非织造纤维材料并由所述织造或非织造纤维材料形成的线性墙壁或天花板镶板。优选地,所述材料是可热成型的和非织造的并且包括由以下各项组成的组中的至少一者:双芯聚醋纤维;具有不同熔点的两种不同类型的纤维;双芯聚醋纤维和非双芯(单芯)聚醋纤维的混合物。所述镶板优选地成形为提供用于将所述镶板安装到托架的装置。任选地,可以提供端部部分以覆盖所述线性镶板的敞开的纵向端部。部。部。


技术研发人员:L
受保护的技术使用者:亨特道格拉斯工业公司
技术研发日:2016.09.08
技术公布日:2022/3/3
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