面发射半导体激光器的制作方法

技术特征：
1.一种面发射半导体激光器，其中，所述面发射半导体激光器具备：衬底，其具有包含第一区域、第二区域以及第三区域的主面；第一导电型半导体层，其设置在所述主面上，且所述第一区域上的部分和所述第三区域上的部分相互分离；主台面部，其具有设置在所述衬底的所述第一区域上且所述第一导电型半导体层上的作为分布布格拉反射器的第一半导体叠层、设置在所述第一半导体叠层上的活性层、设置在所述活性层上的作为分布布格拉反射器的第二半导体叠层、以及设置在所述第二半导体叠层上的第二导电型半导体层；第一副台面部，其设置在所述衬底的所述第二区域上且所述第一导电型半导体层上；第二副台面部，其设置在所述衬底的所述第三区域上且所述第一导电型半导体层上；绝缘膜，其具有设置在与所述主台面部相连的所述第一导电型半导体层上的第一开口、以及设置在所述主台面部的所述第二导电型半导体层上的第二开口，并设置在所述主台面部、所述第一副台面部以及所述第二副台面部的侧面以及上表面；第一电极，其经由所述绝缘膜的所述第一开口而与所述第一导电型半导体层形成接触；第二电极，其经由所述绝缘膜的所述第二开口而与所述第二导电型半导体层形成接触；第一导电体，其包含设置在所述第一副台面部上且所述绝缘膜上的第一焊盘电极，并与所述第一电极电连接；第二导电体，其包含设置在所述第二副台面部上且所述绝缘膜上的第二焊盘电极，并沿着所述第二副台面部以及所述主台面部的各侧面在所述绝缘膜上延伸而到达所述第二电极；第一凸点，其设置在所述第一焊盘电极上；以及第二凸点，其设置在所述第二焊盘电极上。2.根据权利要求1所述的面发射半导体激光器，其中，所述第一副台面部以及所述第二副台面部具有与所述主台面部相同的叠层结构。3.根据权利要求1或2所述的面发射半导体激光器，其中，所述面发射半导体激光器还具备贯通所述第一导电型半导体层而到达所述衬底的凹部，所述第一导电型半导体层中的所述第一区域上的部分和所述第三区域上的部分隔着所述凹部而相互分离。4.根据权利要求3所述的面发射半导体激光器，其中，所述凹部以将所述第一区域包围的方式沿着所述第一区域的外缘延伸。5.根据权利要求1至4中任一项所述的面发射半导体激光器，其中，所述衬底的所述主面还包含第四区域，该面发射半导体激光器还具备：第三副台面部，其设置在所述衬底的所述第四区域上且所述第一导电型半导体层上；以及
第三凸点，其设置在所述第三副台面部上，并与所述第一导电体以及所述第二导电体均绝缘。6.根据权利要求1至5中任一项所述的面发射半导体激光器，其中，所述第一凸点以及所述第二凸点包含au。7.根据权利要求1至6中任一项所述的面发射半导体激光器，其中，所述第二导电体包含第一部分、第二部分以及第三部分，所述第三部分位于所述第二电极上，所述第一部分从所述第三部分延伸至所述第二部分，所述第二部分从所述第二焊盘电极延伸至所述第一部分，所述第一部分的宽度比所述第二部分的宽度小。8.一种面发射半导体激光器，其中，所述面发射半导体激光器具备：衬底，其具有包含第一区域、第二区域以及第三区域的主面；第一导电型半导体层，其设置在所述主面中的除所述第三区域以外的其他区域中的至少包含所述第一区域的区域上；主台面部，其具有设置在所述衬底的所述第一区域上且所述第一导电型半导体层上的作为分布布格拉反射器的第一半导体叠层、设置在所述第一半导体叠层上的活性层、设置在所述活性层上的作为分布布格拉反射器的第二半导体叠层、以及设置在所述第二半导体叠层上的第二导电型半导体层；第一副台面部，其包含电介质，并设置在所述衬底的所述第二区域上；第二副台面部，其包含电介质，并设置在所述衬底的所述第三区域上；绝缘膜，其具有设置在所述第一导电型半导体层上的第一开口、以及设置在所述第二导电型半导体层上的第二开口，并至少设置在所述主台面部的上表面以及侧面；第一电极，其经由所述绝缘膜的所述第一开口而与所述第一导电型半导体层形成接触；第二电极，其经由所述绝缘膜的所述第二开口而与所述第二导电型半导体层形成接触；第一导电体，其包含设置在所述第一副台面部上的第一焊盘电极，并与所述第一电极电连接；第二导电体，其包含设置在所述第二副台面部上的第二焊盘电极，沿着所述第二副台面部的侧面延伸，并沿着所述主台面部的侧面在所述绝缘膜上延伸而到达所述第二电极；第一凸点，其设置在所述第一焊盘电极上；以及第二凸点，其设置在所述第二焊盘电极上。9.根据权利要求8所述的面发射半导体激光器，其中，所述第一副台面部以及所述第二副台面部的所述电介质为聚酰亚胺。10.根据权利要求8或9所述的面发射半导体激光器，其中，所述衬底的所述主面还包含第四区域，该面发射半导体激光器还具备：第三副台面部，其包含电介质，并设置在所述衬底的所述第四区域上；以及第三凸点，其设置在所述第三副台面部上，并与所述第一导电体以及所述第二导电体均绝缘。
11.根据权利要求8至10中任一项所述的面发射半导体激光器，其中，在所述主面形成有台阶，通过所述台阶，所述主面中的除所述第一区域以外的其他区域的高度比所述第一区域的高度低。12.根据权利要求8至11中任一项所述的面发射半导体激光器，其中，所述第一副台面部以及所述第二副台面部的上表面的高度比所述主台面部的所述上表面高。13.根据权利要求8至12中任一项所述的面发射半导体激光器，其中，所述第一凸点以及所述第二凸点包含au。14.根据权利要求8至13中任一项所述的面发射半导体激光器，其中，所述第二导电体包含第一部分、第二部分以及第三部分，所述第三部分位于所述第二电极上，所述第一部分从所述第三部分延伸至所述第二部分，所述第二部分从所述第二焊盘电极延伸至所述第一部分，所述第一部分的宽度比所述第二部分的宽度小。

技术总结
本发明提供面发射半导体激光器。面发射半导体激光器具备第一导电型半导体层、主台面部、第一副台面部和第二副台面部。第一导电型半导体层具有相互分离的第一区域上的部分以及第三区域上的部分。主台面部具有设置在第一区域上且第一导电型半导体层上的作为分布布格拉反射器的第一半导体叠层、设置在第一半导体叠层上的活性层、设置在活性层上的作为分布布格拉反射器的第二半导体叠层以及设置在第二半导体叠层上的第二导电型半导体层。第一副台面部设置在第二区域上且第一导电型半导体层上。第二副台面部设置在第三区域上且第一导电型半导体层上。第一凸点设置在第一副台面部上的第一焊盘电极上。第二凸点设置在第二副台面部上的第二焊盘电极上。面部上的第二焊盘电极上。面部上的第二焊盘电极上。


技术研发人员：小山雄司
受保护的技术使用者：住友电气工业株式会社
技术研发日：2021.08.04
技术公布日：2022/3/3