像素和包括该像素的显示设备的制作方法

像素和包括该像素的显示设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年8月26日提交至韩国知识产权局的第10-2020-0108121号韩国专利申请的优先权和益处，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
3.本公开总体上涉及像素和包括该像素的显示设备。


背景技术：

4.随着在信息显示中的兴趣和对便携式信息媒介的需求的增加，研究和商业化已经集中在显示设备上。
5.在显示技术的领域中，显示器可以包括平板计算机、智能电话显示器、计算机监视器、智能手表、个人数字助理(pda)等。这些设备使用各种形式的显示器，诸如发光二极管(led)、有机发光二极管(oled)、有源矩阵有机发光二极管(amoled)等。在许多依赖于电池寿命的便携式设备中，显示器是电力损耗和/或电路问题的主要原因之一。
6.这种显示装置可以包括作为驱动电路的薄膜晶体管(tft)、电容器等。薄膜晶体管可以包括有源层和栅极电极，有源层包括沟道区域、源极区域和漏极区域，栅极电极通过栅极绝缘层与有源层电绝缘。通常，薄膜晶体管的有源层可以包括非晶硅或多晶硅。
7.将理解的是，技术部分的该背景部分地旨在提供用于理解技术的有用背景。然而，技术部分的该背景还可以包括在本文中公开的主题的对应有效提交日期之前不是相关技术领域中的技术人员已知的或理解的部分的思想、概念或认知。


技术实现要素：

8.实施方式提供了一种能够提高发光效率同时使两个相邻的电极之间的短路缺陷最小化的像素。
9.实施方式还提供了一种包括像素的显示设备。
10.根据本公开的方面，提供了一种像素，该像素可以包括：第一电极和第二电极，在第一方向上彼此间隔开，第一电极和第二电极各自在与第一方向相交的第二方向上延伸；以及发光元件，设置在第一电极和第二电极之间。第一电极可以包括至少一个第(1-1)电极和至少一个第(1-2)电极，其中，至少一个第(1-1)电极在相对于第一方向和第二方向中的一个倾斜的第三方向上延伸，至少一个第(1-2)电极在与第三方向相交的第四方向上延伸。第二电极可以包括在第三方向上延伸的至少一个第(2-1)电极和在第四方向上延伸的至少一个第(2-2)电极。
11.至少一个第(1-1)电极和至少一个第(2-1)电极可以在第一方向上彼此对应，以及至少一个第(1-2)电极和至少一个第(2-2)电极可以在第一方向上彼此对应。
12.像素还可以包括在平面图中沿着发光元件的外围围绕发光元件的堤部，该堤部包括至少一个开口。该至少一个开口可以与发光元件中的每个中的在其中发射光的发射区域
对应。
13.第一电极和第二电极可以在发射区域中具有相同的平面形状。
14.至少一个第(1-1)电极和至少一个第(2-1)电极可以具有相同的平面形状，并且至少一个第(1-2)电极和至少一个第(2-2)电极可以具有相同的平面形状。
15.至少一个第(1-1)电极和至少一个第(1-2)电极可以相对于至少一个第(1-1)电极和至少一个第(1-2)电极之间的边界形成镜像对称，以及至少一个第(2-1)电极和至少一个第(2-2)电极可以相对于至少一个第(2-1)电极和至少一个第(2-2)电极之间的边界形成镜像对称。
16.至少一个第(1-1)电极、至少一个第(1-2)电极、至少一个第(2-1)电极和至少一个第(2-2)电极中的每个在第二方向上的宽度可以小于发光元件中的每个的长度。
17.在平面图中，至少一个第(1-1)电极和至少一个第(2-1)电极中的每个可以具有拥有与第三方向对应的倾斜度的多边形形状，以及在平面图中，至少一个第(1-2)电极和至少一个第(2-2)电极中的每个可以具有拥有与第四方向对应的倾斜度的多边形形状。
18.至少一个第(1-1)电极和至少一个第(1-2)电极可以沿着第二方向交替布置，以及至少一个第(2-1)电极和至少一个第(2-2)电极可以沿着第二方向交替布置。
19.像素还可以包括设置在发光元件之上的绝缘层。绝缘层可以具有与第一电极和第二电极对应的平面形状。
20.像素还可以包括：第一接触电极，设置在绝缘层上，第一接触电极电连接到发光元件中的每个和第一电极；以及第二接触电极，设置成在第一方向上与第一接触电极间隔开，第二接触电极电连接到发光元件中的每个和第二电极。
21.第一接触电极可以具有与第一电极对应的平面形状，以及第二接触电极可以具有与第二电极对应的平面形状。
22.在平面图中，第一电极和第二电极之间在第一方向上的宽度可以沿着第二方向恒定。
23.至少一个第(1-1)电极在第一方向上的宽度和至少一个第(2-1)电极在第一方向上的宽度可以彼此相等，以及至少一个第(1-2)电极在第一方向上的宽度和至少一个第(2-2)电极在第一方向上的宽度可以彼此相等。
24.发光元件中的每个可以包括第一端部部分和第二端部部分，第一端部部分和第二端部部分位于发光元件中的每个的在第一电极和第二电极之间的长度方向上的端部处。第一端部部分可以定位成邻近于第一电极和第二电极中的一个，以及第二端部部分可以定位成邻近于第一电极和第二电极中的另一个。
25.发光元件可以包括其长度方向平行于第三方向或第四方向的发光元件。
26.在平面图中，第一电极和第二电极可以具有锯齿形状。
27.第一电极和第二电极可以包括在平面图中具有预定曲率的至少一个曲线。
28.根据本公开的方面，提供了一种显示设备，该显示设备可以包括：衬底；以及多个像素，设置在衬底上。像素中的每个可以包括：像素电路层，设置在衬底上，像素电路层包括至少一个晶体管；第一电极和第二电极，设置在像素电路层上并且在第一方向上彼此间隔开，第一电极和第二电极各自在与第一方向相交的第二方向上延伸；发光元件，设置在第一电极和第二电极之间；以及绝缘层，设置在发光元件之上。
29.第一电极可以包括至少一个第(1-1)电极和至少一个第(1-2)电极，其中至少一个第(1-1)电极在相对于第一方向和第二方向中的一个倾斜的第三方向上延伸，至少一个第(1-2)电极在与第三方向相交的第四方向上延伸。第二电极可以包括在第三方向上延伸的至少一个第(2-1)电极和在第四方向上延伸的至少一个第(2-2)电极。
30.至少一个第(1-1)电极和至少一个第(2-1)电极可以在第一方向上彼此对应，以及至少一个第(1-2)电极和至少一个第(2-2)电极可以在第一方向上彼此对应。
附图说明
31.现在下文中将参考附图更全面地描述示例性实施方式；然而，示例性实施方式可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施方式。确切地说，提供这些实施方式使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域中的技术人员充分传达示例性实施方式的范围。
32.在附图中，为了清楚说明，尺寸可以被夸大。将理解的是，当元件被称为在两个元件“之间”时，该元件可以是两个元件之间的唯一元件，或者也可以存在一个或多个居间元件。在全文中，相同的参考标记表示相同的元件。
33.图1a是示意性地示出根据本公开的实施方式的发光元件的立体图。
34.图1b是示意性地示出根据本公开的另一实施方式的发光元件的立体图。
35.图2a是图1a中所示的发光元件的剖视图。
36.图2b是图1b中所示的发光元件的剖视图。
37.图3是示出根据本公开的实施方式的显示设备的示意性平面图，并且特别地，是使用图1a和图2a中所示的发光元件作为光源的显示设备的视图。
38.图4是示出包括在图3中所示的一个像素中的组件之间的电连接关系的实施方式的电路图。
39.图5是示出图3中所示的像素之中的一个像素的示意性平面图。
40.图6a是仅示出图5中所示的像素中的第一电极和第二电极以及发光元件的示意性平面图。
41.图6b是示出图6a中所示的第一电极和第二电极的另一实施方式的示意性平面图。
42.图7是沿着图5中所示的线i-i’截取的剖视图。
43.图8是沿着图5中所示的线ii-ii’截取的剖视图。
44.图9是沿着图5中所示的线iii-iii’截取的剖视图。
45.图10是示出根据本公开的另一实施方式的像素的示意性平面图。
46.图11是沿着图10中所示的线iv-iv’截取的剖视图。
47.图12示出了图10中所示的堤部图案的另一实施方式，并且是沿着图10中所示的线iv-iv’截取的剖视图。
48.图13示出了图10中所示的第一接触电极和第二接触电极的另一实施方式，并且是沿着图10中所示的线iv-iv’截取的剖视图。
49.图14是示意性地示出根据本公开的又一实施方式的像素的平面图。
50.图15是沿着图14中所示的线v-v’截取的剖视图。
具体实施方式
51.本公开可以适用各种变化和不同形状，因此仅用特定示例进行详细说明。然而，示例不限于某些形状，而是适用于所有变化和等效材料和替换。包括的附图被示出为其中为了更好地理解而对图进行了扩展的方式。
52.在附图中，为了清楚起见，某些线、层、组件、元件或特征的厚度可以被夸大。将理解的是，尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件和另一元件区分开。因此，在不背离本公开的教导的情况下，下面讨论的“第一”元件也可以被称为“第二”元件。如本文中所使用的，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式也旨在包括复数形式。
53.还将理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括(include)”和/或“包括(including)”指明了所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但是不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在和/或添加。此外，诸如层、区、衬底或板的元件被放置在另一元件“上”或“上方”的表述不仅表示其中该元件被“直接”放置在所述另一元件“上”或被放置在所述另一元件“正上方”的情况，而且表示其中另外元件插置在该元件和所述另一元件之间的情况。类似地，诸如层、区、衬底或板的元件被放置在另一元件“下面”或“下方”的表述不仅表示其中该元件被“直接”放置在所述另一元件“下面”或被放置在所述另一元件“正下方”的情况，而且表示其中另外元件插置在该元件和所述另一元件之间的情况。
54.术语“和”以及“或”可以以连接或析取的意义使用，并且通常应该被解释为“和/或”。例如，表述“a和/或b”表示仅a、仅b或者a和b两者。在整个公开内容中，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或其变型。
55.在本说明书中，将理解的是，当元件(例如，第一元件)与另一元件(例如，第二元件)“(可操作地或可通信地)联接”/“(可操作地或可通信地)联接到”或“连接到”另一元件(例如，第二元件)时，该元件可以直接与所述另一元件联接或联接到所述另一元件，或者在该元件与所述另一元件之间可以存在居间元件(例如，第三元件)。相反，将理解的是，当元件(例如，第一元件)与另一元件(例如，第二元件)“直接联接”/“直接联接到”或“直接连接到”另一元件(例如，第二元件)时，在该元件和所述另一元件之间不存在居间元件(例如，第三元件)。
56.在下文中，将参考附图详细描述本公开的实施方式和本领域中技术人员容易理解本公开的内容所需的项目。
57.术语“重叠”可以包括层、叠层、面向(face)或面向(facing)、在
…
之上延伸、在
…
下方延伸、覆盖或部分覆盖或如本领域中普通技术人员将领会和理解的任何其它合适术语。短语“不重叠”可以包括如本领域中普通技术人员将领会和理解的与
…
分离或与
…
并排设置或与
…
偏移以及任何其它适当的等同物。
58.如本文中所使用的，诸如“约”、“近似地”和“基本上”的术语包括所述值和在如本领域中普通技术人员在考虑所讨论的测量和与特定量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制)时确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可以意指在一个或多个标准偏差内，或例如在所述值的
±
30％、
±
20％、
±
10％或
±
5％内。
59.除非另外限定或暗示，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具
有与本公开所属领域中的技术人员所通常理解的相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在常用字典中限定的术语)应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且除非在说明书中清楚地限定，否则将不以理想的或过于正式的意义进行解释。
60.图1a是示意性地示出根据本公开的实施方式的发光元件的立体图。图2a是图1a中所示的发光元件的剖视图。
61.在本公开的实施方式中，发光元件的种类和/或形状不限于图1a和图2a中所示的实施方式。
62.参考图1a和图2a，发光元件ld可以包括第一半导体层11、第二半导体层13和插置在第一半导体层11和第二半导体层13之间的有源层12。在示例中，发光元件ld可以实施为具有其中第一半导体层11、有源层12和第二半导体层13顺序堆叠的发光叠层结构。
63.发光元件ld可以设置成在一个方向上延伸的形状。在假设发光元件ld的延伸方向是长度方向的情况下，发光元件ld可以包括沿着延伸方向的一个端部部分(或下端部部分)和另一端部部分(或上端部部分)。第一半导体层11和第二半导体层13中的任一个可以设置在发光元件ld的所述一个端部部分(或下端部部分)处，并且第一半导体层11和第二半导体层13中的另一个可以设置在发光元件ld的所述另一端部部分(或上端部部分)处。在示例中，第一半导体层11可以设置在发光元件ld的所述一个端部部分(或下端部部分)处，并且第二半导体层13可以设置在发光元件ld的所述另一端部部分(或上端部部分)处。
64.发光元件ld可以设置成各种形状。在示例中，发光元件ld可以具有在其长度l方向上较长(即，其纵横比大于1)的杆状形状或棒状形状。在本公开的实施方式中，发光元件ld在长度l方向上的长度l可以大于发光元件ld的直径d(或剖面的宽度)。发光元件ld可以包括例如制造成足够小以具有纳米尺度到微米尺度的程度的直径d和/或长度l的发光二极管(led)。
65.发光元件ld的直径d可以是约0.5μm至5μm，并且发光元件ld的长度l可以是约1μm至10μm。然而，发光元件ld的直径d和长度l不限于此，并且发光元件ld的尺寸可以被修改为适合于发光元件ld所应用的照明设备或自发光显示设备的要求(或设计条件)。
66.第一半导体层11可以包括例如至少一个n型半导体层。例如，第一半导体层11可以包括inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn之中的任一种半导体材料，并且包括掺杂有诸如si、ge或sn的第一导电掺杂剂(或n型掺杂剂)的n型半导体层。然而，构成第一半导体层11的材料不限于此。第一半导体层11可以用各种材料来配置。在本公开的实施方式中，第一半导体层11可以包括掺杂有第一导电掺杂剂(或n型掺杂剂)的氮化镓(gan)半导体材料。第一半导体层11可以包括与有源层12接触的上表面和沿着发光元件ld的长度l方向暴露于外部的下表面。第一半导体层11的下表面可以是发光元件ld的所述一个端部部分(或下端部部分)。
67.有源层12可以形成在第一半导体层11上，并且可以以单量子阱结构或多量子阱结构形成。在示例中，在有源层12以多量子阱结构形成的情况下，构成一个单元的阻挡层(未示出)、应变增强层(未示出)和阱层(未示出)可以周期性地且重复地堆叠在有源层12中。应变增强层可以具有比阻挡层的晶格常数小的晶格常数，以进一步增强施加到阱层的应变，例如压缩应变。然而，有源层12的结构不限于上述实施方式。
68.有源层可以发射具有400nm至900nm的波长的光，并使用双异质结构。在本公开的
实施方式中，可以沿着发光元件ld的长度l方向在有源层12的顶部和/或底部上形成掺杂有导电掺杂剂的包覆层(未示出)。在示例中，包覆层可以形成为algan层或inalgan层。在一些实施方式中，可以使用诸如algan或inalgan的材料来形成有源层12。有源层12可以用各种材料来配置。有源层12可以包括与第一半导体层11接触的第一表面和与第二半导体层13接触的第二表面。
69.在将具有预定电压或更大电压的电场施加到发光元件ld的两个端部部分的情况下，当电子-空穴对在有源层12中复合时，发光元件ld可以发射光。可以通过使用这种原理来控制发光元件ld的发光，使得发光元件ld可以用作用于包括显示设备的像素的各种发光装置的光源(或发光源)。
70.第二半导体层13可以形成在有源层12的第二表面上，并且可以包括具有与第一半导体层11的类型不同的类型的半导体层。在示例中，第二半导体层13可以包括至少一种p型半导体材料。例如，第二半导体层13可以包括inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn之中的至少一种半导体材料，并且包括掺杂有诸如mg的第二导电掺杂剂(或p型掺杂剂)的p型半导体层。然而，构成第二半导体层13的材料不限于此。第二半导体层13可以用各种材料来配置。在本公开的实施方式中，第二半导体层13可以包括掺杂有第二导电掺杂剂(或p型掺杂剂)的氮化镓(gan)半导体材料。第二半导体层13可以包括与有源层12的第二表面接触的下表面和沿着发光元件ld的长度l方向暴露于外部的上表面。第二半导体层13的上表面可以是发光元件ld的所述另一端部部分(或上端部部分)。
71.在本公开的实施方式中，在发光元件ld的长度l方向上，第一半导体层11和第二半导体层13可以具有不同的厚度。在示例中，沿着发光元件ld的长度l方向，第一半导体层11可以具有比第二半导体层13的厚度相对更厚的厚度。因此，发光元件ld的有源层12可以定位成相比于第一半导体层11的下表面邻近于第二半导体层13的上表面。
72.尽管示出了第一半导体层11和第二半导体层13中的每个可以配置有一个层，但是本公开不限于此。在本公开的实施方式中，根据有源层12的材料，第一半导体层11和第二半导体层13中的每个还可以包括至少一个层，例如，包覆层和/或拉伸应变势垒减小(tsbr)层。tsbr层可以是设置在具有不同晶格结构的半导体层之间以执行用于减小晶格常数差的缓冲功能的应变减小层。tsbr层可以配置有诸如p-gainp、p-alinp或p-algainp的p型半导体层，但是本公开不限于此。
73.在一些实施方式中，除了上述的第一半导体层11、有源层12和第二半导体层13之外，发光元件ld还可以包括设置在第二半导体层13的顶部上的附加电极(未示出)(在下文中称为“第一附加电极”)。在其它实施方式中，发光元件ld还可以包括设置在第一半导体层11的一个端部处的另一附加电极(未示出)(在下文中称为“第二附加电极”)。
74.第一附加电极和第二附加电极中的每个可以是欧姆接触电极，但是本公开不限于此。在一些实施方式中，第一附加电极和第二附加电极中的每个可以是肖特基接触电极。第一附加电极和第二附加电极可以包括导电材料。例如，第一附加电极和第二附加电极可以包括使用铬(cr)、钛(ti)、铝(al)、金(au)、镍(ni)及其任何氧化物和合金中的一种或混合物的不透明金属，但是本公开不限于此。在一些实施方式中，第一附加电极和第二附加电极可以包括透明导电氧化物，诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟镓锌(igzo)或氧化铟锡锌(itzo)。
75.分别包括在第一附加电极和第二附加电极中的材料可以彼此相同或不同。第一附加电极和第二附加电极可以是基本上透明的或半透明的。因此，在发光元件ld中产生的光可以通过穿过第一附加电极和第二附加电极发射到发光元件ld的外部。在一些实施方式中，在发光元件ld中产生的光不穿过第一附加电极和第二附加电极并且通过除了发光元件ld的两个端部部分之外的区域发射到发光元件ld的外部的情况下，第一附加电极和第二附加电极可以包括不透明金属。
76.在本公开的实施方式中，发光元件ld还可以包括绝缘膜14。然而，在一些实施方式中，绝缘膜14可以被省略，或者可以设置成仅覆盖第一半导体层11、有源层12和第二半导体层13的部分。
77.绝缘膜14可以防止在有源层12与除第一半导体层11和第二半导体层13之外的导电材料接触的情况下可能发生的电短路。此外，绝缘膜14使发光元件ld的表面缺陷最小化，从而提高发光元件ld的寿命和发光效率。此外，在发光元件ld密集设置的情况下，绝缘膜14可以防止在发光元件ld之间可能发生的不希望的短路。是否设置绝缘膜14不受限制，只要有源层12可以防止与外部导电材料发生短路即可。
78.绝缘膜14可以设置成完全围绕包括第一半导体层11、有源层12和第二半导体层13的发光叠层结构的外圆周的形状。
79.尽管在上述实施方式中描述了其中绝缘膜14设置成完全围绕第一半导体层11、有源层12和第二半导体层13中的每个的外圆周的形状的情况，但是本公开不限于此。在一些实施方式中，在发光元件ld包括第一附加电极的情况下，绝缘膜14可以完全围绕第一半导体层11、有源层12、第二半导体层13和第一附加电极中的每个的外圆周。在其它实施方式中，绝缘膜14可以不完全围绕第一附加电极的外圆周，或者可以仅围绕第一附加电极的外圆周的一部分，并且可以不围绕第一附加电极的外圆周的其它部分。在一些实施方式中，在第一附加电极设置在发光元件ld的所述另一端部部分(或上端部部分)处并且第二附加电极设置在发光元件ld的所述一个端部部分(或下端部部分)处的情况下，绝缘膜14可以暴露第一附加电极和第二附加电极中的每个的至少一个区域。
80.绝缘膜14可以包括透明绝缘材料。例如，绝缘膜14可以包括选自由氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(alo
x
)、二氧化钛(tio2)等组成的群组中的至少一种绝缘材料。然而，本公开不限于此，并且可以使用具有绝缘特性的各种材料作为绝缘膜14的材料。绝缘膜14可以设置成单膜的形式或包括至少两个膜的多膜的形式。
81.图1b是示意性地示出根据本公开的另一实施方式的发光元件的立体图。图2b是图1b中所示的发光元件的剖视图。在图1b和图2b中，发光元件ld可以包括具有芯-壳结构的发光图案10。第一半导体层11可以位于芯处，即发光元件ld的中间(或中心)处，有源层12可以设置和/或形成为围绕第一半导体层11的外圆周的形状，以及第二半导体层13可以设置和/或形成为围绕有源层12的形状。此外，发光元件ld还可以包括围绕第二半导体层13的至少一侧的附加电极(未示出)。在一些实施方式中，发光元件ld还可以包括绝缘膜14，绝缘膜14可以设置在具有芯-壳结构的发光图案10的外圆周上，并且可以包括透明绝缘材料。包括具有芯-壳结构的发光图案10的发光元件ld可以通过生长工艺制造。
82.上述发光元件ld可以用作用于各种显示设备的发光源(或光源)。发光元件ld可以通过表面处理工艺制造。例如，在将发光元件ld混合在液体溶液(或溶剂)中以提供给每个
像素区域(例如，每个像素的发光区域或每个子像素的发光区域)的情况下，可以对每个发光元件ld进行表面处理，使得发光元件ld不会在溶液中不均匀地凝聚，而是均匀地分散在溶液中。
83.包括上述发光元件ld的发光单元(或发光装置)可以在需要光源的各种类型的设备(包括显示设备)中使用。在发光元件ld设置在显示面板的每个像素的发光区域中的情况下，发光元件ld可以用作像素的光源。然而，发光元件ld的应用领域不限于上述示例。例如，发光元件ld可以用于需要光源的其它类型的设备，例如照明设备。
84.图3示出了根据本公开的实施方式的显示设备，并且特别地，是使用图1a和图2a中所示的发光元件作为光源的显示设备的示意性平面图。
85.在图3中，为了方便，基于其中可以显示图像的显示区域da简要示出了显示设备dd的结构。
86.参考图1a至图3，根据本公开的实施方式的显示设备dd可以包括衬底sub、设置在衬底sub上且各自可以包括至少一个发光元件ld的多个像素pxl、可以设置在衬底sub上并驱动像素pxl的驱动单元、以及连接像素pxl和驱动单元(未示出)的线单元(未示出)。
87.只要显示设备可以是其中显示表面可以应用于其至少一个表面的电子设备，诸如智能电话、电视、平板个人计算机(pc)、移动电话、视频电话、电子书阅读器、台式pc、膝上型pc、上网本计算机、工作站、服务器、个人数字助理(pda)、便携式多媒体播放器(pmp)、mp3播放器、医疗设备、相机或可穿戴设备，就可以应用本公开。
88.根据驱动发光元件ld的方法，显示设备dd可以分为无源矩阵型显示设备和有源矩阵型显示设备。在示例中，在显示设备dd实施为有源矩阵型显示设备的情况下，像素pxl中的每个可以包括用于控制提供给发光元件ld的电流的量的驱动晶体管、用于向驱动晶体管传送数据信号的开关晶体管等。
89.显示设备dd可以设置成各种形状。在示例中，显示设备dd可以设置成具有彼此平行的两对边的矩形板形状，但是本公开不限于此。在显示设备dd设置成矩形板形状的情况下，两对边之中的任一对边可以设置成长于另一对边。为了方便，示出了其中显示设备dd可以设置成具有一对长边和一对短边的矩形形状的情况。长边的延伸方向可以表示为第二方向dr2，短边的延伸方向可以表示为第一方向dr1，并且垂直于长边和短边的延伸方向的方向可以表示为第三方向dr3。在设置成矩形板形状的显示设备dd中，一个长边和一个短边在其处可以彼此接触(或会合)的角部分可以具有圆形形状，但是本公开不限于此。
90.衬底sub可以包括显示区域da和非显示区域nda。
91.显示区域da可以是其中设置有用于显示图像的像素pxl的区域。非显示区域nda可以是其中设置有用于驱动像素pxl的驱动单元和连接像素pxl和驱动单元的线单元的一部分的区域。为了方便，在图3中仅示出了一个像素pxl，但是基本上可以在衬底sub的显示区域da中设置多个像素pxl。
92.非显示区域nda可以设置在显示区域da的至少一侧处。非显示区域nda可以围绕显示区域da的圆周(或边缘)。非显示区域nda可以设置有连接到像素pxl的线单元和可以电连接到线单元并驱动像素pxl的驱动单元。
93.线单元可以电连接驱动单元和像素pxl。线单元可以是向每个像素pxl提供信号并且电连接到信号线(例如，电连接到每个像素pxl的扫描线、数据线、发射控制线等)的扇出
线。此外，线单元可以是电连接到信号线(例如，电连接到每个像素pxl的控制线、感测线等)的扇出线，以便实时补偿每个像素pxl的电特性变化。
94.衬底sub可以包括透明绝缘材料，以使光能够透过其中。衬底sub可以是刚性衬底或柔性衬底。
95.衬底sub上的一个区域可以设置为显示区域da，使得像素pxl设置在其中，并且衬底sub上的另一区域可以设置为非显示区域nda。在示例中，衬底sub可以包括显示区域da和非显示区域nda，其中显示区域da包括其中设置有相应像素pxl的像素区域，非显示区域nda设置在显示区域da的外围处(或邻近于显示区域da)。
96.像素pxl中的每个可以设置在显示区域da中。在本公开的实施方式中，像素pxl可以以条纹或蜂窝(pentile)排列结构布置(设置)在显示区域da中，但是本公开不限于此。
97.每个像素pxl可以包括由对应扫描信号和对应数据信号驱动的至少一个发光元件ld。发光元件ld可以具有小到纳米尺度到微米尺度的程度的尺寸，并且与设置成邻近它的发光元件并联连接。然而，本公开不限于此。发光元件ld可以构成每个像素pxl的光源。
98.每个像素pxl可以包括至少一个光源，例如，图1a中所示的可以由预定信号(例如，扫描信号和数据信号)和/或预定电源(例如，第一驱动电源和第二驱动电源)驱动的发光元件ld。然而，在本公开的实施方式中，可以用作像素pxl的光源的发光元件ld的种类不限于此。
99.驱动单元通过线单元向每个像素pxl提供预定信号和预定电源，并且因此，像素pxl的驱动可以得到控制。驱动单元可以包括扫描驱动器、发射驱动器、数据驱动器和时序控制器。
100.图4是示出包括在图3中所示的一个像素中的组件之间的电连接关系的实施方式的电路图。
101.例如，图4示出了可应用于有源矩阵型显示设备的像素pxl中包括的组件之间的电连接关系的实施方式。然而，本公开的实施方式可应用到其的像素pxl中包括的组件的种类不限于此。
102.在图4中，像素pxl可以全面地不仅包括图3中所示的像素pxl中的每个中包括的组件，而且包括其中设置有组件的区域。
103.参考图1a至图4，一个像素pxl(在下文中称为“像素”)可以包括发光单元emu，该发光单元emu产生具有与数据信号对应的亮度的光。此外，像素pxl还可以选择性地包括用于驱动发光单元emu的像素电路pxc。
104.在一些实施方式中，发光单元emu可以包括发光元件ld，该发光元件ld并联地电连接在可以向其施加第一驱动电源vdd的电压的第一电源线pl1和可以向其施加第二驱动电源vss的电压的第二电源线pl2之间。例如，发光单元emu可以包括经由像素电路pxc和第一电源线pl1电连接到第一驱动电源vdd的第一电极el1(或“第一对准电极”)、通过第二电源线pl2电连接到第二驱动电源vss的第二电极el2(或“第二对准电极”)、以及在第一电极el1和第二电极el2之间在相同方向上并联电连接的发光元件ld。在本公开的实施方式中，第一电极el1可以是阳极电极，以及第二电极el2可以是阴极电极。
105.发光单元emu中包括的发光元件ld中的每个可以包括通过第一电极el1电连接到第一驱动电源vdd的一个端部部分和通过第二电极el2电连接到第二驱动电源vss的另一端
部部分。第一驱动电源vdd和第二驱动电源vss可以具有不同的电位。在示例中，第一驱动电源vdd可以设置成高电位电源，并且第二驱动电源vss可以设置成低电位电源。第一驱动电源vdd和第二驱动电源vss之间的电位差可以设置成在像素pxl的发射周期期间发光元件ld的阈值电压。
106.如上所述，在向其施加具有电位差的电压的第一电极el1和第二电极el2之间在相同方向(例如，正向方向)上并联电连接的发光元件ld可以分别形成有效光源。有效光源可以构成像素pxl的发光单元emu。
107.发光单元emu的发光元件ld中的每个可以发射具有与通过对应像素电路pxc提供的驱动电流对应的亮度的光。例如，像素电路pxc可以在每个帧周期期间向发光单元emu提供与对应帧数据的灰度值对应的驱动电流。可以将提供给发光单元emu的驱动电流进行划分以流过发光元件ld。因此，发光单元emu可以发射具有与驱动电流对应的亮度的光，而每个发光元件ld可以发射具有与流过其中的电流对应的亮度的光。
108.同时，尽管示出了其中发光元件ld的两个端部部分在相同方向上连接在第一驱动电源vdd和第二驱动电源vss之间的实施方式，但是本公开不限于此。在一些实施方式中，除了形成相应有效光源的发光元件ld之外，发光单元emu还可以包括至少一个无效光源，例如，反向发光元件ldr。反向发光元件ldr可以与在第一电极el1和第二电极el2之间形成有效光源的发光元件ld一起并联电连接，并且可以在与其中发光元件ld连接的方向相反的方向上电连接在第一电极el1和第二电极el2之间。尽管可以在第一电极el1和第二电极el2之间施加预定的驱动电压(例如，正向驱动电压)，但是反向发光元件ldr保持非激活状态，并且因此，实质上没有电流流过反向发光元件ldr。
109.像素电路pxc可以电连接到对应像素pxl的扫描线si和数据线dj。在示例中，在假设像素pxl设置在显示区域da的第i(i是自然数)行和第j(j是自然数)列中的情况下，像素pxl的像素电路pxc可以电连接到显示区域da的第i扫描线si和第j数据线dj。此外，像素电路pxc可以电连接到显示区域da的第i控制线cli和第j感测线senj。
110.上述像素电路pxc可以包括第一晶体管t1至第三晶体管t3和存储电容器cst。
111.第一晶体管t1(驱动晶体管)的第一端子可以电连接到第一驱动电源vdd，并且第一晶体管t1的第二端子可以电连接到发光单元emu的第一电极el1。第一晶体管t1的栅极电极可以电连接到第一节点n1。第一晶体管t1可以控制提供给发光元件ld的与第一节点n1的电压对应的驱动电流的量。
112.第二晶体管t2(开关晶体管)的第一端子可以电连接到第j数据线dj，并且第二晶体管t2的第二端子可以电连接到第一节点n1。第二晶体管t2的第一端子和第二端子是不同的端子。例如，在第一端子是源极电极的情况下，第二端子可以是漏极电极。第二晶体管t2的栅极电极可以电连接到第i扫描线si。
113.当从第i扫描线si提供具有第二晶体管t2可以在其处导通的电压的扫描信号时，第二晶体管t2可以导通，以电连接第j数据线dj和第一节点n1。对应帧的数据信号可以提供给第j数据线dj。因此，数据信号可以被传送到第一节点n1。传送到第一节点n1的数据信号可以存储在存储电容器cst中。
114.第三晶体管t3可以电连接在第一晶体管t1和第j感测线senj之间。例如，第三晶体管t3的第一端子可以电连接到第j感测线senj，以及第三晶体管t3的第二端子可以电连接
到第一晶体管t1的第二端子(例如，源极电极)，该第一晶体管t1的第二端子(例如，源极电极)电连接到第一电极el1。第三晶体管t3的栅极电极可以电连接到第i控制线cli。第三晶体管t3可以由可以在预定的感测周期期间提供给第i控制线cli的具有栅极导通电压的控制信号导通，以电连接第j感测线senj和第一晶体管t1。
115.感测周期可以是其中感测布置在显示区域da中的像素pxl中的每个的特性信息(例如，第一晶体管t1的阈值电压等)的周期。
116.存储电容器cst的一个电极可以电连接到第一驱动电源vdd，并且存储电容器cst的另一电极可以电连接到第一节点n1。存储电容器cst可以对与提供给第一节点n1的数据信号对应的电压充电，并维持充电电压，直到可以提供下一帧的数据信号为止。
117.尽管在图4中示出了其中所有的第一晶体管t1、第二晶体管t2和第三晶体管t3是n型晶体管的实施方式，但是本公开不限于此。例如，第一晶体管t1、第二晶体管t2和第三晶体管t3中的至少一个可以用p型晶体管替换。另外，尽管在图4中示出了其中发光单元emu可以电连接在像素电路pxc和第二驱动电源vss之间的实施方式，但是发光单元emu也可以电连接在第一驱动电源vdd和像素电路pxc之间。
118.像素电路pxc的结构可以进行各种修改和实现。在示例中，像素电路pxc还可以包括至少一个晶体管，诸如用于初始化第一节点n1的晶体管和/或用于控制发光元件ld的发射时间的晶体管，或者诸如用于将第一节点n1的电压升压的升压电容器的其它电路元件。
119.另外，尽管在图4中示出了其中构成每个发光单元emu的发光元件ld全部并联电连接的实施方式，但是本公开不限于此。在一些实施方式中，发光单元emu可以配置成包括至少一个串联级，该至少一个串联级包括彼此并联电连接的发光元件ld。例如，发光单元emu可以配置成串联/并联混合结构。
120.应用于本公开的像素pxl的结构不限于图4中所示的实施方式，并且对应像素pxl可以具有各种结构。例如，每个像素pxl可以配置在无源型发光显示设备的内侧处等。可以省略像素电路pxc，并且包括在发光单元emu中的发光元件ld的两个端部部分可以直接连接到第i扫描线si、第j数据线dj、可以向其施加第一驱动电源vdd的第一电源线pl1、可以向其施加第二驱动电源vss的第二电源线pl2和/或预定控制线。
121.图5是示意性地示出图3中所示的像素之中的一个像素的平面图。图6a是仅示出图5中所示的像素中的第一电极和第二电极以及发光元件的示意性平面图。图6b是示出图6a中所示的第一电极和第二电极的另一实施方式的示意性平面图。
122.在图5中，为了便于描述，省略了电连接到发光元件ld的晶体管t(参见图7)和电连接到晶体管t的信号线的图示。
123.在本公开的实施方式中，为了便于描述，将平面图中(或平面上)的横向方向(或水平方向)指定为第一方向dr1，将平面图中(或平面上)的纵向方向(或竖直方向)指定为第二方向dr2，将衬底sub在剖面上的厚度方向指定为第三方向dr3，将相对于第一方向dr1和第二方向dr2中的一个倾斜的斜向方向指定为第四方向dr4，以及将与第四方向dr4相交的方向指定为第五方向dr5。
124.参考图3和图5至图6b，每个像素pxl可以形成在布置(或设置)在衬底sub上的像素区域pxa中。像素区域pxa可以包括发射区域ema和外围区域。在实施方式中，外围区域可以包括其中不发射光的非发射区域。
125.在一些实施方式中，像素pxl可以包括位于外围区域中的堤部bnk。
126.堤部bnk可以是限定(或划分)对应像素pxl和与其相邻的像素pxl中的每个的像素区域pxa或发射区域ema的结构。在示例中，堤部bnk可以是像素限定层。在实施方式中，在向每个像素pxl提供发光元件ld的工艺中，堤部bnk可以是限定将向其提供发光元件ld的每个发射区域ema的像素限定层或坝结构。在示例中，每个像素pxl的发射区域ema可以由堤部bnk划分，使得包括期望量和/或期望种类的发光元件ld的混合料液(例如，墨)可以被提供(或输入)到发射区域ema。
127.堤部bnk可以包括至少一种光阻挡材料和/或至少一种反射材料，以防止其中光(或光束)可能在每个像素pxl和与其相邻的像素pxl之间泄漏的光泄漏缺陷。在一些实施方式中，堤部bnk可以包括透明材料(或物质)。在示例中，透明材料可以包括聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等，但是本公开不限于此。在另一实施方式中，反射材料层可以单独设置和/或形成在堤部bnk上，以便进一步提高从每个像素pxl发射的光的效率。
128.堤部bnk可以包括暴露位于对应像素pxl的像素区域pxa中的堤部bnk下方的组件的至少一个开口。对应像素pxl的发射区域ema可以由堤部bnk的开口限定。在示例中，堤部bnk可以包括暴露位于对应像素pxl的像素区域pxa中的堤部bnk下方的组件的第一开口op1和第二开口op2。每个像素pxl的发射区域ema可以由堤部bnk的第二开口op2限定。
129.在像素区域pxa中，堤部bnk的第一开口op1可以定位成与第二开口op2间隔开，并且定位成邻近像素区域pxa的一侧(例如，上侧或下侧)。在示例中，堤部bnk的第一开口op1可以位于像素区域pxa的上侧处。
130.每个像素pxl可以包括在第一方向dr1上彼此间隔开的第一电极el1和第二电极el2。第一电极el1可以与参考图4描述的第一电极el1对应，以及第二电极el2可以与参考图4描述的第二电极el2对应。
131.在显示设备的制造工艺中，在发光元件ld被提供并布置在像素区域pxa中之后，第一电极el1可以与设置在其它像素(例如，在第二方向dr2上彼此相邻的相邻像素pxl)中的每个中的第一电极(未示出)分离。例如，可以设置堤部bnk的第一开口op1以对第一电极el1执行分离工艺。
132.第一电极el1可以通过第一接触孔ch1电连接到参考图4描述的第一晶体管t1，以及第二电极el2可以电连接到参考图4描述的第二驱动电源vss(或第二电源线pl2)。
133.第一电极el1和第二电极el2可以具有包括反射电极和导电包覆层的多层结构。反射电极可以具有单层或多层结构。在示例中，反射电极可以包括至少一个不透明金属层，并且选择性地还包括设置在不透明金属层的顶部和/或底部上的至少一个透明导电层。
134.第一电极el1可以包括至少一个第(1-1)电极el1_1和至少一个第(1-2)电极el1_2。第二电极el2可以包括至少一个第(2-1)电极el2_1和至少一个第(2-2)电极el2_2。
135.在平面图中，第(1-1)电极el1_1可以沿着相对于第一方向dr1或第二方向dr2倾斜的第四方向dr4延伸。在平面图中，第(1-2)电极el1_2可以沿着与第四方向dr4相交的第五方向dr5延伸。第五方向dr5可以与第四方向dr4相交。
136.在平面图中，第(2-1)电极el2_1可以沿着第四方向dr4延伸，以及第(2-2)电极el2_2可以沿着第五方向dr5延伸。
137.在实施方式中，第(1-1)电极el1_1和第(1-2)电极el1_2可以沿着第二方向dr2交
替布置。第(1-1)电极el1_1和第(1-2)电极el1_2可以相对于第(1-1)电极el1_1和第(1-2)电极el1_2之间的边界bd形成镜像对称。在示例中，第(1-1)电极el1_1和第(1-2)电极el1_2可以相对于边界bd形成竖直对称。
138.在实施方式中，第(2-1)电极el2_1和第(2-2)电极el2_2可以沿着第二方向dr2交替布置。第(2-1)电极el2_1和第(2-2)电极el2_2可以相对于第(2-1)电极el2_1和第(2-2)电极el2_2之间的边界bd形成镜像对称。在示例中，第(2-1)电极el2_1和第(2-2)电极el2_2可以相对于边界bd形成竖直对称。
139.第(1-1)电极el1_1可以与第(2-1)电极el2_1对应，以及第(1-2)电极el1_2可以与第(2-2)电极el2_2对应。在实施方式中，第(1-1)电极el1_1可以设置成在第一方向dr1上与第(2-1)电极el2_1间隔开，以及第(1-2)电极el1_2可以设置成在第一方向dr1上与第(2-2)电极el2_2间隔开。
140.第(1-1)电极el1_1可以包括从自边界bd延伸的第一虚拟线vl1朝向垂直于第一虚拟线vl1的第二虚拟线vl2以预定角度θ1(在下文中，称为“第一角度”)倾斜的第一侧表面s1和第二侧表面s2。第一侧表面s1和第二侧表面s2可以具有相同的倾斜度。第(2-1)电极el2_1可以包括具有与第(1-1)电极el1_1的第一侧表面s1相同的倾斜度的第一侧表面el2_s1，并且包括具有与第(1-1)电极el1_1的第二侧表面s2相同的倾斜度的第二侧表面el2_s2。
141.第(1-1)电极el1_1和第(2-1)电极el2_1可以具有相同的平面形状。在示例中，第(1-1)电极el1_1和第(2-1)电极el2_1可以具有拥有与第四方向dr4对应的倾斜度的多边形形状。第(1-1)电极el1_1在第一方向dr1上的宽度和第(2-1)电极el2_1在第一方向dr1上的宽度可以彼此相等。
142.第(2-2)电极el2_2可以包括从自边界bd延伸的第一虚拟线vl1朝向第二虚拟线vl2以预定角度θ2(在下文中，称为“第二角度”)倾斜的第三侧表面s3和第四侧表面s4。第三侧表面s3和第四侧表面s4可以具有相同的倾斜度。第(1-2)电极el1_2可以包括具有与第(2-2)电极el2_2的第三侧表面s3相同的倾斜度的第三侧表面el1_s3，并且包括具有与第(2-2)电极el2_2的第四侧表面s4相同的倾斜度的第四侧表面el1_s4。在实施方式中，第一角度θ1和第二角度θ2可以相同。
143.第(1-2)电极el1_2和第(2-2)电极el2_2可以具有相同的平面形状。在示例中，第(1-2)电极el1_2和第(2-2)电极el2_2可以具有拥有与第五方向dr5对应的倾斜度的多边形形状。第(1-2)电极el1_2在第一方向dr1上的宽度w1和第(2-2)电极el2_2在第一方向dr1上的宽度w2可以彼此相等。
144.在每个像素pxl的像素区域pxa中，第一电极el1和第二电极el2之间在第一方向dr1上的区域的宽度w3可以沿着第一电极el1和第二电极el2的延伸方向(例如，沿着第二方向dr2)是恒定的。
145.在实施方式中，第(1-1)电极el1_1、第(1-2)电极el1_2、第(2-1)电极el2_1和第(2-2)电极el2_2中的每个可以设计成使得在第二方向dr2上的宽度d(或长度)可以小于发光元件ld中的每个的长度l。
146.包括沿着第二方向dr2交替布置的第(1-1)电极el1_1和第(1-2)电极el1_2的第一电极el1以及包括沿着第二方向dr2交替布置的第(2-1)电极el2_1和第(2-2)电极el2_2的第二电极el2可以在每个像素pxl的发射区域ema中具有相同的平面形状。在示例中，第一电
极el1和第二电极el2可以在发射区域ema中沿着第二方向dr2形成双边对称。在发射区域ema中，第一电极el1和第二电极el2可以在平面图中具有锯齿形状。
147.虽然已经在上述实施方式中描述了其中第一电极el1和第二电极el2设置成具有拥有预定倾斜度的直线的锯齿形状形式的情况，但是本公开不限于此。在一些实施方式中，第一电极el1和第二电极el2可以设置成包括具有如图6b中所示的预定曲率的曲线的形状。第(1-1)电极el1_1的第一侧表面s1和第(2-1)电极el2_1的第一侧表面el2_s1可以具有相同的曲率，并且第(1-1)电极el1_1的第二侧表面s2和第(2-1)电极el2_1的第二侧表面el2_s2可以具有相同的曲率。第(2-2)电极el2_2的第三侧表面s3和第(1-2)电极el1_2的第三侧表面el1_s3可以具有相同的曲率，并且第(2-2)电极el2_2的第四侧表面s4和第(1-2)电极el1_2的第四侧表面el1_s4可以具有相同的曲率。
148.每个像素pxl可以具有发光元件ld。在一些实施方式中，每个像素pxl可以还包括参考图4描述的反向发光元件ldr。
149.发光元件ld可以设置在第一电极el1和第二电极el2之间。发光元件ld中的每个可以包括位于其长度l方向上的两端的第一端部部分ep1(或一个端部部分)和第二端部部分ep2(或另一端部部分)。在实施方式中，p型半导体层可以位于第一端部部分ep1处，以及n型半导体层可以位于第二端部部分ep2处。p型半导体层可以是参考图1a描述的第二半导体层13，以及n型半导体层可以是参考图1a描述的第一半导体层11。发光元件ld可以在第一电极el1和第二电极el2之间彼此并联电连接。发光元件ld中的每个可以具有与参考图1a和图2a描述的发光元件ld相同的配置。
150.在实施方式中，发光元件ld中的每个的第一端部部分ep1可以不直接设置在第一电极el1上，而是可以通过例如第一接触电极cne1的至少一个接触电极电连接到第一电极el1。发光元件ld中的每个的第二端部部分ep2可以不直接设置在第二电极el2上，而是可以通过例如第二接触电极cne2的至少另一接触电极电连接到第二电极el2。
151.发光元件ld中的每个可以是具有微型尺寸(例如，小到纳米尺度到微米尺度的程度的尺寸)的可以通过使用具有无机晶体结构的材料来制造的发光二极管。例如，发光元件ld中的每个可以是通过蚀刻工艺制造的微型发光二极管或通过生长工艺制造的微型发光二极管。
152.可以在每个像素pxl的发射区域ema中对准和/或设置至少两个发光元件ld至几十个发光元件ld，但是发光元件ld数量不限于此。在一些实施方式中，可以不同地改变在发射区域ema中对准和/或设置的发光元件ld的数量。
153.发光元件ld中的每个可以发射有色光中的任一种和/或白光。发光元件ld中的每个可以在第一电极el1和第二电极el2之间对准，使得其延伸方向(或长度l方向)与相对于第一方向dr1或第二方向dr2倾斜的斜向方向对应。发光元件ld可以设置成其中发光元件ld分散在溶液中的形式，以输入(或提供)到每个像素pxl的发射区域ema。
154.发光元件ld可以通过喷墨打印工艺、狭缝涂布工艺或各种其它工艺输入(或提供)到每个像素pxl的发射区域ema。在示例中，发光元件ld可以与挥发性溶剂混合，以通过喷墨打印工艺或狭缝涂布工艺输入(或提供)到发射区域ema。在对应对准信号施加到第一电极el1和第二电极el2的情况下，可以在第一电极el1和第二电极el2之间形成电场。因此，发光元件ld可以在第一电极el1和第二电极el2之间对准。在发光元件ld对准之后，溶剂可以通
过另一工艺挥发或去除，使得发光元件ld可以在第一电极el1和第二电极el2之间稳定地对准。
155.在实施方式中，每个像素pxl可以包括第二绝缘层ins2、第一接触电极cne1和第二接触电极cne2。
156.第二绝缘层ins2可以与发光元件ld中的每个重叠，并且暴露发光元件ld中的每个的两个端部部分ep1和ep2。
157.第二绝缘层ins2可以配置为单层或多层，并且包括包含至少一种无机材料的无机绝缘层或包含至少一种有机材料的有机绝缘层。第二绝缘层ins2还可以固定发光元件ld中的每个。第二绝缘层ins2可以包括在保护发光元件ld中的每个的有源层12方面有利的无机绝缘层。然而，本公开不限于此。第二绝缘层ins2可以根据其中应用上述发光元件ld作为光源的显示设备的设计条件而配置为包括有机材料的有机绝缘层。
158.在可以完成发光元件ld在像素pxl中的每个的发射区域ema(或像素区域pxa)中的对准之后，可以在发光元件ld上形成第二绝缘层ins2，使得可以防止发光元件ld与发光元件ld所对准的位置分离。
159.在本公开的实施方式中，第二绝缘层ins2可以设计成具有与第一电极el1和第二电极el2的形状对应的形状。在示例中，第二绝缘层ins2可以设计成包括在第四方向dr4上延伸的第一区域a1和在第五方向dr5上延伸的第二区域a2。这是出于通过将第二绝缘层ins2设计到发光元件ld的排列方向而稳定地固定发光元件ld的目的。第二绝缘层ins2的第一区域a1和第二区域a2可以相对于位于它们之间的边界bd形成镜像对称。
160.第二绝缘层ins2的第一区域a1可以与第(1-1)电极el1_1和第(2-1)电极el2_1对应。第二绝缘层ins2的第一区域a1可以设置和/或形成在于第(1-1)电极el1_1和第(2-1)电极el2_1之间对准的发光元件ld上，以暴露发光元件ld中的每个的两个端部部分ep1和ep2。
161.第二绝缘层ins2的第二区域a2可以与第(1-2)电极el1_2和第(2-2)电极el2_2对应。第二绝缘层ins2的第二区域a2可以设置和/或形成在于第(1-2)电极el1_2和第(2-2)电极el2_2之间对准的发光元件ld上，以暴露发光元件ld中的每个的两个端部部分ep1和ep2。
162.第一接触电极cne1可以设置和/或形成在发光元件ld中的每个的第一端部部分ep1上和第一电极el1的与之对应的一个区域上，以将发光元件ld中的每个的第一端部部分ep1物理和/或电连接到第一电极el1。
163.在本公开的实施方式中，第一接触电极cne1可以具有与第一电极el1的形状对应的形状。在示例中，第一接触电极cne1可以包括在第四方向dr4上延伸的第(1-1)接触电极cne1_1和在与第四方向dr4相交的第五方向dr5上延伸的第(1-2)接触电极cne1_2。第(1-1)接触电极cne1_1和第(1-2)接触电极cne1_2可以沿着第二方向dr2交替布置。第一接触电极cne1可以在平面图中具有拥有预定倾斜度的锯齿形状。
164.第二接触电极cne2可以设置和/或形成在发光元件ld中的每个的第二端部部分ep2上以及第二电极el2的与之对应的一个区域上，以将发光元件ld中的每个的第二端部部分ep2物理和/或电连接到第二电极el2。
165.在本公开的实施方式中，第二接触电极cne2可以具有与第二电极el2的形状对应的形状。在示例中，第二接触电极cne2可以包括在第四方向dr4上延伸的第(2-1)接触电极cne2_1和在第五方向dr5上延伸的第(2-2)接触电极cne2_2。第(2-1)接触电极cne2_1和第
(2-2)接触电极cne2_2可以沿着第二方向dr2交替布置。第二接触电极cne2可以在平面图中具有拥有预定倾斜度的锯齿形状。
166.第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以在每个像素pxl的发射区域ema中沿着第二方向dr2形成双边对称。
167.如上所述，由于第(1-1)电极el1_1和第(2-1)电极el2_1以及第(1-2)电极el1_2和第(2-2)电极el2_2具有不同的延伸方向，因此在第(1-1)电极el1_1和第(2-1)电极el2_1之间形成的电场方向可以不同于在第(1-2)电极el1_2和第(2-2)电极el2_2之间形成的电场方向。设置在沿着第四方向dr4延伸的第(1-1)电极el1_1和第(2-1)电极el2_1之间的发光元件ld(在下文中，称为“第一发光元件”)可以在与设置在沿着第五方向dr5延伸的第(1-2)电极el1_2和第(2-2)电极el2_2之间的发光元件ld(在下文中，称为“第二发光元件”)的方向不同的方向上对准。在示例中，第一电极el1和第二电极el2之间的发光元件ld中的一些可以在第一电极el1和第二电极el2之间对准，使得其长度l方向与第四方向dr4对应或者可以平行于第四方向dr4，发光元件ld中的其它一些可以在第一电极el1和第二电极el2之间对准，使得其长度l方向与第五方向dr5对应或者可以平行于第五方向dr5，并且发光元件ld的又一些可以在第一电极el1和第二电极el2之间对准，使得其长度l方向与第一方向dr1对应或者可以平行于第一方向dr1。
168.如上所述，在第一电极el1和第二电极el2具有在相对于第一方向dr1或第二方向dr2倾斜的斜向方向上(例如，在第四方向dr4或第五方向dr5上)延伸的形状的情况下，第一电极el1和第二电极el2之间的发光元件ld可以在各种方向上对准。可以进一步确保设置在第一电极el1和第二电极el2之间的相邻的发光元件ld之间的距离p。
169.在第一电极el1和第二电极el2具有在第二方向dr2上延伸的棒状形状的情况下，可以在第一电极el1和第二电极el2之间在平行于第一方向dr1的水平方向上形成电场。发光元件ld中的每个可以设置在第一电极el1和第二电极el2之间，使得其长度l方向可以通过在水平方向上形成的电场平行于第一方向dr1。输入(或提供)到对应像素pxl的发射区域ema的发光元件ld中的一些可以设置成彼此相邻以根据发光元件ld的量和/或位置形成群组，并且发光元件ld中的其它一些可以在其中它们以一定距离彼此间隔开的状态下形成群组。在发光元件ld的一部分设置成彼此相邻以形成群组的情况下，相邻的发光元件ld之间的距离可能不是充分固定的。在第一接触电极cne1和第二接触电极cne2形成在发光元件ld上的情况下，构成第一接触电极cne1和第二接触电极cne2的导电层的一部分可能残留在相邻的发光元件ld之间的微小间隙中。可能由于导电层残留在相邻的发光元件ld之间而出现第一接触电极cne1和第二接触电极cne2之间的短路缺陷。对应像素pxl由于短路缺陷不发射光，并且因此，可能在显示设备中发生针对每个位置的亮度不平衡。
170.在上述实施方式中，第一电极el1和第二电极el2中的每个设计成具有其中在相对于第一方向dr1或第二方向dr2倾斜的斜向方向(例如，在第四方向dr4上和/或第五方向dr5上)上延伸的电极沿着第二方向dr2交替布置的形状。因此，第一电极el1和第二电极el2之间的发光元件ld可以在各种方向上对准。设置在第一电极el1和第二电极el2之间的相邻的发光元件ld之间的距离p可以被充分固定，使得构成第一接触电极cne1和第二接触电极cne2的导电层不会残留在相邻的发光元件ld之间。因此，可以防止第一接触电极cne1和第二接触电极cne2之间的短路缺陷。
171.此外，根据上述实施方式，第二绝缘层ins2可以设计成具有与第一电极el1和第二电极el2对应的形状，使得发光元件ld稳定地固定在每个像素pxl的发射区域ema中。因此，可以减少发光元件ld的损耗。因此，发射区域ema中的有效发光元件ld的数量增加，使得可以提高对应像素pxl的发光效率。
172.另外，根据上述实施方式，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2设计成具有与第一电极el1和第二电极el2对应的形状，使得可以防止在发光元件ld中的每个的两个端部部分ep1和ep2不与对应接触电极接触的情况下出现接触缺陷。
173.在下文中，将参考图7至图9沿着堆叠顺序描述根据上述实施方式的像素pxl的结构。
174.图7是沿着图5中所示的线i-i’截取的剖视图。图8是沿着图5中所示的线ii-ii’截取的剖视图。图9是沿着图5中所示的线iii-iii’截取的剖视图。
175.参考图5和图7至图9，像素pxl可以包括衬底sub、像素电路层pcl和显示元件层dpl。
176.衬底sub可以包括透明绝缘材料，以使光能够透过其中。衬底sub可以是刚性衬底或柔性衬底。
177.刚性衬底可以包括例如玻璃衬底、石英衬底、玻璃陶瓷衬底和水晶玻璃衬底中的一种。
178.柔性衬底可以是包括聚合物有机材料的膜衬底和塑料衬底中的一种。例如，柔性衬底可以包括聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和乙酸丙酸纤维素中的至少一种。
179.像素电路层pcl可以包括缓冲层bfl、至少一个晶体管t、至少一个存储电容器cst和保护层psv。
180.缓冲层bfl可以防止杂质扩散到包括在像素电路(参见图4中所示的“pxc”)中的晶体管t中。缓冲层bfl可以是包括无机材料的无机绝缘层。缓冲层bfl可以包括例如氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sion)和诸如氧化铝(alo
x
)的金属氧化物中的至少一种。缓冲层bfl可以设置为单层，或者可以设置为包括至少两层的多层。在缓冲层bfl设置为多层的情况下，这些层可以由相同的材料形成或由不同的材料形成。根据衬底sub的材料和工艺条件，可以省略缓冲层bfl。
181.晶体管t可以包括用于控制发光元件ld的驱动电流的驱动晶体管tdr和连接到驱动晶体管tdr的开关晶体管(未示出)。驱动晶体管tdr可以是参考图4描述的第一晶体管t1，并且开关晶体管可以是参考图4描述的第二晶体管t2。驱动晶体管tdr和开关晶体管可以具有彼此基本上相似或相同的结构。因此，开关晶体管的描述将用驱动晶体管tdr的描述替代。
182.驱动晶体管tdr可以包括半导体图案scl、栅极电极ge、第一端子et1和第二端子et2。第一端子et1可以是源极电极和漏极电极中的任一个，以及第二端子et2可以是源极电极和漏极电极中的另一个。
183.半导体图案scl可以设置和/或形成在缓冲层bfl上。半导体图案scl可以包括与第一端子et1接触的第一接触区和与第二端子et2接触的第二接触区。第一接触区和第二接触
区之间的区可以是沟道区。沟道区可以与对应晶体管t的栅极电极ge重叠。半导体图案scl可以由多晶硅、非晶硅、氧化物半导体等制成。沟道区可以是未掺杂杂质的半导体图案，并且可以是本征半导体。第一接触区和第二接触区中的每个可以是掺杂有杂质的半导体图案。
184.栅极电极ge可以设置和/或形成在栅极绝缘层gi上以与半导体图案scl的沟道区对应。栅极电极ge可以设置在栅极绝缘层gi上以与半导体图案scl的沟道区重叠。栅极电极ge可以形成在包括选自由可以是低电阻材料以便减小布线电阻的铜(cu)、钼(mo)、钨(w)、钕(nd)、钛(ti)、铝(al)、银(ag)及其任何合金和其混合物组成的群组中的一种的单层中，或者形成在包括可以是低电阻材料以便减小布线电阻的钼(mo)、钛(ti)、铜(cu)、铝(al)或银(ag)的双层或多层结构中。
185.栅极绝缘层gi可以是包括无机材料的无机绝缘层。在示例中，栅极绝缘层gi可以包括氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sion)和诸如氧化铝(alo
x
)的金属氧化物中的至少一种。然而，栅极绝缘层gi的材料不限于上述实施方式。在一些实施方式中，栅极绝缘层gi可以是包括有机材料的有机绝缘层。栅极绝缘层gi可以设置为单层，或者可以设置为包括至少两层的多层。
186.第一端子et1和第二端子et2可以设置和/或形成在第二层间绝缘层ild2上，并且通过顺序穿透栅极绝缘层gi以及第一层间绝缘层ild1和第二层间绝缘层ild2的接触孔分别与半导体图案scl的第一接触区和第二接触区接触。在示例中，第一端子et1可以与半导体图案scl的第一接触区接触，以及第二端子et2可以与半导体图案scl的第二接触区接触。第一端子et1和第二端子et2中的每个可以包括与栅极电极ge相同的材料，或者包括从例示为构成栅极电极ge的材料的材料中选择的至少一种。
187.第一层间绝缘层ild1可以包括与栅极绝缘层gi相同的材料，或者包括从例示为构成栅极绝缘层gi的材料的材料中选择的至少一种。
188.第二层间绝缘层ild2可以设置和/或形成在第一层间绝缘层ild1上。第二层间绝缘层ild2可以是包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层。在一些实施方式中，第二层间绝缘层ild2可以包括与第一层间绝缘层ild1相同的材料，但是本公开不限于此。第二层间绝缘层ild2可以设置为单层，或者可以设置为包括至少两层的多层。
189.尽管在上述实施方式中已经描述了晶体管t的第一端子et1和第二端子et2是通过顺序穿透栅极绝缘层gi和第一层间绝缘层ild1和第二层间绝缘层ild2的接触孔电连接到半导体图案scl的单独电极的情况，但是本公开不限于此。在一些实施方式中，晶体管t的第一端子et1可以是与对应半导体图案scl的沟道区相邻的第一接触区，以及晶体管t的第二端子et2可以是与对应半导体图案scl的沟道区相邻的第二接触区。晶体管t的第二端子et2可以通过诸如桥接电极的单独连接装置电连接到对应像素pxl的发光元件ld。
190.在本公开的实施方式中，晶体管t可以用低温多晶硅(ltps)薄膜晶体管来实施，但是本公开不限于此。在一些实施方式中，晶体管t可以用氧化物半导体薄膜晶体管来实施。另外，尽管在上述实施方式中已经描述了用具有顶栅结构的薄膜晶体管来实施晶体管t的情况，但是本公开不限于此，并且晶体管t的结构可以不同地修改。
191.存储电容器cst可以包括设置在栅极绝缘层gi上的下电极le和设置在第一层间绝缘层ild1上以与下电极le重叠的上电极ue。
192.下电极le可以设置在与驱动晶体管tdr的栅极电极ge相同的层中，并且包括与驱动晶体管tdr的栅极电极ge相同的材料。下电极le可以与驱动晶体管tdr的栅极电极ge一体地设置。下电极le可以被认为是驱动晶体管tdr的一个区。在一些实施方式中，下电极le可以设置为与驱动晶体管tdr的栅极电极ge分离(或与栅极电极ge非一体)的组件。下电极le和驱动晶体管tdr的栅极电极ge可以通过单独的连接装置彼此电连接。
193.上电极ue可以与下电极le重叠，并覆盖下电极le。上电极ue和下电极le的重叠区域变宽，使得可以增加存储电容器cst的电容。上电极ue可以电连接到第一电源线(参见图4中所示的“pl1”)。存储电容器cst可以被第二层间绝缘层ild2覆盖。
194.像素电路层pcl可以包括设置和/或形成在第二层间绝缘层ild2上的驱动电压线dvl。驱动电压线dvl可以是与参考图4描述的第二电源线pl2相同的组件。因此，第二驱动电源vss的电压可以施加到驱动电压线dvl。像素电路层pcl还可以包括电连接到第一驱动电源vdd的第一电源线pl1(参见图4)。尽管在附图中未直接示出，但是第一电源线pl1可以设置在与驱动电压线dvl相同的层中，或者可以设置在与驱动电压线dvl的层不同的层中。尽管在上述实施方式中已经描述了驱动电压线dvl可以设置在与晶体管t的第一端子et1和第二端子et2相同的层中的情况，但是本公开不限于此。在一些实施方式中，驱动电压线dvl可以设置在与设置在像素电路层pcl中的导电层之中的任一个导电层相同的层中。例如，驱动电压线dvl在像素电路层pcl中的位置可以不同地改变。
195.第一电源线pl1和驱动电压线dvl中的每个可以包括导电材料(或物质)。在示例中，第一电源线pl1和驱动电压线dvl中的每个可以形成在包括选自由可以是低电阻材料以便减小布线电阻的铜(cu)、钼(mo)、钨(w)、钕(nd)、钛(ti)、铝(al)、银(ag)及其任何合金和其混合物组成的群组中的一种的单层中，或者形成在包括可以是低电阻材料以便减小布线电阻的钼(mo)、钛(ti)、铜(cu)、铝(al)或银(ag)的双层或多层结构中。在示例中，第一电源线pl1和驱动电压线dvl中的每个可以配置为其中钛(ti)/铜(cu)顺序堆叠的双层。
196.第一电源线pl1可以电连接到一个组件，例如显示元件层dpl的第一电极el1，以及驱动电压线dvl可以电连接到另一组件，例如显示元件层dpl的第二电极el2。
197.保护层psv可以设置和/或形成在晶体管t和驱动电压线dvl之上。
198.保护层psv可以设置成包括有机绝缘层、无机绝缘层或设置在无机绝缘层上的有机绝缘层的形式。无机绝缘层可以包括例如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sion)和诸如氧化铝(alo
x
)的金属氧化物中的至少一种。例如，有机绝缘层可以包括聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯树脂中的至少一种。
199.保护层psv可以包括暴露驱动晶体管tdr的第二端子et2的第一接触孔ch1和暴露驱动电压线dvl的第二接触孔ch2。
200.显示元件层dpl可以设置在保护层psv上。
201.显示元件层dpl可以包括堤部bnk、第一电极el1和第二电极el2、发光元件ld、第一接触电极cne1和第二接触电极cne2以及第一绝缘层ins1至第三绝缘层ins3。
202.堤部bnk可以设置和/或形成在第一绝缘层ins1上，并限定(或划分)对应像素pxl的发射区域ema。堤部bnk可以包括第一开口op1和与第一开口op1间隔开的第二开口op2。堤部bnk的第二开口op2可以与像素pxl中的每个的发射区域ema对应。
203.第一电极el1和第二电极el2可以设置成沿着第一方向dr1彼此间隔开。第一电极el1的一端部部分可以位于堤部bnk的第一开口op1中。在显示设备的制造工艺中，在发光元件ld被提供并布置在对应像素pxl的发射区域ema中之后，第一电极el1可以与设置在第一开口op1中的另一电极中的第一电极(未示出)(例如，在第二方向dr2上设置在彼此相邻的相邻像素pxl中的第一电极(未示出))分离。堤部bnk的第一开口op1可以设置成用于针对第一电极el1的分离工艺的目的。
204.尽管在上述实施方式中已经描述了仅第一电极el1可以与堤部bnk的第一开口op1中的另一电极分离的情况，但是本公开不限于此。在一些实施方式中，第二电极el2也可以与在堤部bnk的第一开口op1中的另一电极(例如，在第二方向dr2上设置在彼此相邻的相邻像素pxl中的第二电极(未示出))分离。堤部bnk的第一开口op1可以设置成用于针对第一电极el1和第二电极el2的分离工艺的目的。
205.第一电极el1和第二电极el2中的每个可以由具有恒定反射率的材料制成，以便允许从发光元件ld中的每个发射的光在显示设备的图像显示方向(或前方方向)上前进。在示例中，第一电极el1和第二电极el2中的每个可以由具有恒定反射率的导电材料(或物质)制成。导电材料(或物质)可以包括有利于在显示设备的图像显示方向上反射从发光元件ld发射的光的不透明金属。不透明金属可以包括例如诸如银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钛(ti)及其合金的金属。在一些实施方式中，第一电极el1和第二电极el2中的每个可以包括透明导电材料(或物质)。透明导电材料(或物质)可以包括诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟镓锌(igzo)或氧化铟锡锌(itzo)的导电氧化物、诸如聚(3，4-亚乙基二氧噻吩(pedot)的导电聚合物等等。在第一电极el1和第二电极el2中的每个包括透明导电材料的情况下，可以另外包括可以由用于在显示设备的图像显示方向上反射从发光元件ld发射的光的不透明金属制成的单独导电层。然而，第一电极el1和第二电极el2中的每个的材料不限于上述材料。
206.此外，第一电极el1和第二电极el2中的每个可以设置和/或形成为单层，但是本公开不限于此。在一些实施方式中，第一电极el1和第二电极el2中的每个可以设置和/或形成为其中堆叠有金属、合金、导电氧化物和导电聚合物之中的两种或更多种材料的多层。第一电极el1和第二电极el2中的每个可以设置为包括至少两层的多层，以便在信号(或电压)被传送到发光元件ld中的每个的两个端部部分(参见图6a中的“ep1”和“ep2”)的情况下，最小化由信号延迟引起的失真。在示例中，第一电极el1和第二电极el2中的每个可以设置为其中顺序堆叠有氧化铟锡(ito)/银(ag)/氧化铟锡(ito)的多层。
207.第一电极el1可以通过第一接触孔ch1电连接到像素电路层pcl的驱动晶体管tdr，以及第二电极el2可以通过保护层psv的第二接触孔ch2电连接到像素电路层pcl的驱动电压线dvl。
208.第一绝缘层ins1可以设置和/或形成在第一电极el1和第二电极el2之上。
209.第一绝缘层ins1可以包括由无机材料制成的无机绝缘层或由有机材料制成的有机绝缘层。第一绝缘层ins1可以配置为有利于保护发光元件ld免受每个像素pxl的像素电路层pcl影响的无机绝缘层。在示例中，第一绝缘层ins1可以包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sion)和诸如氧化铝(alo
x
)的金属氧化物中的至少一种，但是本公开不限于此。在一些实施方式中，第一绝缘层ins1可以配置为有利于发光元件ld的支承表面平坦
化的有机绝缘层。
210.第一绝缘层ins1可以设置和/或形成在保护层psv上以完全覆盖第一电极el1和第二电极el2。在发光元件ld被提供并对准在第一绝缘层ins1上之后，第一绝缘层ins1可以部分地打开以暴露图7和图8中所示的第一电极el1和第二电极el2中的每个的一个区。在发光元件ld被提供和对准之后，第一绝缘层ins1可以图案化成局部地设置在发光元件ld的底部上的单独图案的形状。第一绝缘层ins1可以覆盖除了第一电极el1和第二电极el2中的每个的一个区之外的其它区。在一些实施方式中，可以省略第一绝缘层ins1。
211.堤部bnk可以设置和/或形成在第一绝缘层ins1上。堤部bnk可以形成在其它像素pxl之间以围绕每个像素pxl的发射区域ema。因此，堤部bnk可以构成划分对应像素pxl的发射区域ema的像素限定层。在将发光元件ld形成到发射区域ema的工艺中，堤部bnk可以用作坝结构，该坝结构防止将其中混合了发光元件ld的溶液引入到相邻的像素pxl的发射区域ema，或者控制要提供到每个发射区域ema的溶液的恒定量。
212.发光元件ld可以被提供和对准在每个像素pxl的其中可以形成第一绝缘层ins1的发射区域ema中。在示例中，发光元件ld通过喷墨工艺等提供(或输入)到发射区域ema，并且通过施加到第一电极el1和第二电极el2中的每个的预定对准电压(或对准信号)在第一电极el1和第二电极el2之间对准。
213.第二绝缘层ins2可以设置和/或形成在发光元件ld上。第二绝缘层ins2可以设置和/或形成在对准在第一电极el1和第二电极el2之间的发光元件ld上，以部分地覆盖发光元件ld中的每个的外圆周表面(或表面)，并将发光元件ld中的每个的两个端部部分ep1和ep2暴露于外部。
214.第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以是稳定地连接第一电极el1和第二电极el2与发光元件ld的组件。
215.第一接触电极cne1可以设置和/或形成在发光元件ld中的每个的一个端部部分(例如，第一端部部分ep1)以及第一电极el1上。第一接触电极cne1可以设置成在第一电极el1的可以不被第一绝缘层ins1覆盖的一个区上与第一电极el1接触。在一些实施方式中，在导电包覆层(未示出)设置在第一电极el1上的情况下，第一接触电极cne1可以设置在导电包覆层上以通过导电包覆层连接到第一电极el1。导电包覆层可以保护第一电极el1免受在显示设备的制造工艺中发生的故障的影响，并且进一步加强第一电极el1和位于其底部上的像素电路层pcl之间的粘合。导电包覆层可以包括诸如氧化铟锌(izo)的透明导电材料(或物质)。
216.此外，第一接触电极cne1可以设置在与第一电极el1相邻的发光元件ld中的每个的第一端部部分ep1上，以与发光元件ld中的每个的第一端部部分接触。例如，第一接触电极cne1可以设置成覆盖发光元件ld中的每个的第一端部部分ep1和第一电极el1的与之对应的至少一个区。
217.第二接触电极cne2可以设置和/或形成在发光元件ld中的每个的第二端部部分ep2以及第二电极el2上。第二接触电极cne2可以设置在第二电极el2的可以不被第一绝缘层ins1覆盖的一个区上以与第二电极el2接触。在一些实施方式中，在导电包覆层设置在第二电极el2上的情况下，第二接触电极cne2可以设置在导电包覆层上以通过导电包覆层连接到第二电极el2。
218.此外，第二接触电极cne2可以设置在与第二电极el2相邻的发光元件ld中的每个的第二端部部分ep2上，以与发光元件ld中的每个的第二端部部分ep2接触。例如，第二接触电极cne2可以设置成覆盖发光元件ld中的每个的第二端部部分ep2以及第二电极el2的与之对应的至少一个区。
219.第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以由各种透明导电材料(或物质)制成，以便允许可以从发光元件ld中的每个发射以及然后被第一电极el1和第二电极el2反射的光在显示设备的图像显示方向上前进，而不损失光。在示例中，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以包括包含氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟镓锌(igzo)和氧化铟锡锌(itzo)的各种透明导电材料(或物质)中的至少一种，并且可以基本上透明或半透明以满足预定的透射率(或透光率)。然而，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2的材料不限于上述实施方式。在一些实施方式中，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以由各种不透明导电材料制成。第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以形成为单层或多层。
220.第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以设置在相同的层中。第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以通过在相同工艺中使用相同材料来形成，但是本公开不限于此。在一些实施方式中，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以通过不同工艺形成以设置在不同的层中。这将在后面参考图14和图15进行描述。
221.第三绝缘层ins3可以设置和/或形成在第一接触电极cne1和第二接触电极cne2之上。第三绝缘层ins3可以是包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层。在示例中，第三绝缘层ins3可以具有其中交替堆叠有至少一个无机绝缘层和至少一个有机绝缘层的结构。第三绝缘层ins3可以完全覆盖显示元件层dpl以阻止来自外部的水分、湿气等被引入包括发光元件ld的显示元件层dpl。
222.在一些实施方式中，除了第三绝缘层ins3之外，显示元件层dpl可以选择性地还包括光学层。在示例中，显示元件层dpl还可以包括颜色转换层，该颜色转换层包括用于将从发光元件ld发射的光转换为特定颜色的光的颜色转换颗粒。
223.在其它实施方式中，至少一个外涂层(例如，平坦化显示元件层dpl的顶表面的层)还可以设置在第三绝缘层ins3的顶部上。
224.图10是示意性地示出根据本公开的另一实施方式的像素的平面图。图11是沿着图10中所示的线iv-iv’截取的剖视图。图12示出了图10中所示的堤部图案的另一实施方式，并且是沿着图10中所示的线iv-iv’截取的剖视图。图13示出了图10中所示的第一接触电极和第二接触电极的另一实施方式，并且是沿着图10中所示的线iv-iv’截取的剖视图。
225.图10至图13中所示的像素pxl可以具有与图5至图9中所示的像素pxl的配置基本上相同或相似的配置，其中，堤部图案bnkp可以设置在保护层psv与第一电极el1和第二电极el2中的每个之间。
226.因此，关于图10至图13中所示的像素，将描述与上述实施方式的部分不同的部分以避免冗余。
227.参考图10至图13，支承构件可以位于第一电极el1和第二电极el2中的每个与保护层psv之间。在示例中，如图11至图13中所示，堤部图案bnkp可以位于第一电极el1和第二电极el2中的每个与保护层psv之间。
228.堤部图案bnkp可以位于发射区域ema中，其中光可以在每个像素pxl的像素区域pxa中发射。堤部图案bnkp可以是支承第一电极el1和第二电极el2中的每个以改变第一电极el1和第二电极el2中的每个的表面轮廓(或形状)的支承构件，使得从发光元件ld发射的光可以被引导在显示设备的图像显示方向上。
229.堤部图案bnkp可以在对应像素pxl的发射区域ema中设置在保护层psv与第一电极el1和第二电极el2中的每个之间。
230.堤部图案bnkp可以是包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层。在一些实施方式中，堤部图案bnkp可以包括单层有机绝缘层和/或单层无机绝缘层，但是本公开不限于此。在一些实施方式中，堤部图案bnkp可以设置成其中堆叠有至少一个有机绝缘层和至少一个无机绝缘层的多层的形式。然而，堤部图案bnkp的材料不限于上述实施方式。在一些实施方式中，堤部图案bnkp可以包括导电材料。
231.堤部图案bnkp可以具有拥有梯形形状的剖面，该梯形形状的宽度从保护层psv的一个表面(例如，上表面)沿着第三方向dr3随着接近顶部而变窄，但是本公开不限于此。在一些实施方式中，如图12中所示，堤部图案bnkp可以包括具有诸如半椭圆形形状或半圆形形状(或半球形形状)的剖面的弯曲表面，该剖面的宽度从保护层psv的一个表面沿着第三方向dr3随着接近顶部而变窄。在剖面上观察的情况下，堤部图案bnkp的形状不限于上述实施方式，并且可以在其中可以提高从发光元件ld中的每个发射的光的效率的范围内不同地修改。
232.堤部图案bnkp可以设计成具有与第一电极el1和第二电极el2的形状对应的形状。在示例中，位于第一电极el1和保护层psv之间的堤部图案bnkp(在下文中，称为“第一堤部图案”)可以设计成具有与位于其顶部上的第一电极el1的形状对应的形状，并且位于第二电极el2和保护层psv之间的堤部图案bnkp(在下文中，称为“第二堤部图案”)可以设计成具有与位于其顶部上的第二电极el2的形状对应的形状。
233.第一堤部图案bnkp可以包括在第四方向dr4(例如，相对于第一方向dr1(或水平方向)和/或第二方向dr2(或竖直方向)倾斜的斜向方向)上延伸的第一区域b1和在与第四方向dr4相交的第五方向dr5上延伸的第二区域b2。第一区域b1和第二区域b2可以沿着第二方向dr2交替布置。第一堤部图案bnkp可以在平面图中具有锯齿形状。第二堤部图案bnkp可以包括在第四方向dr4上延伸的第一区域b1和在与第四方向dr4相交的第五方向dr5上延伸的第二区域b2。第一区域b1和第二区域b2可以沿着第二方向dr2交替布置。第二堤部图案bnkp可以在平面图中具有锯齿形状。
234.第一堤部图案bnkp和第二堤部图案bnkp可以在每个像素pxl的发射区域ema中沿着第二方向dr2形成双边对称。
235.第一电极el1和第二电极el2中的每个可以设置和/或形成在对应的堤部图案bnkp之上。第一电极el1和第二电极el2中的每个可以具有与设置在其底部上的堤部图案bnkp的形状对应的表面轮廓。因此，从发光元件ld发射的光可以被第一电极el1和第二电极el2中的每个反射，以在显示设备的图像显示方向上进一步前进。堤部图案bnkp以及第一电极el1和第二电极el2中的每个可以用作将从发光元件ld发射的光引导在期望的方向上的反射构件，从而提高显示设备的光效率。因此，可以进一步提高发光元件ld的发光效率。
236.第二绝缘层ins2可以设置和/或形成在发光元件ld中的每个之上。
237.在实施方式中，在可以完成发光元件ld在像素pxl中的每个的发射区域ema中的提供和对准之后，第二绝缘层ins2可以形成在发光元件ld上，使得可以防止发光元件ld与发光元件ld所对准的位置分离。如图13中所示，在形成第二绝缘层ins2之前，在第一绝缘层ins1和发光元件ld之间存在空隙(或空间)的情况下，可以在形成第二绝缘层ins2的工艺中用第二绝缘层ins2填充该空隙。第二绝缘层ins2可以配置为有利于填充第一绝缘层ins1和发光元件ld之间的空隙的有机绝缘层。
238.图14是示意性地示出根据本公开的又一实施方式的像素的平面图。图15是沿着图14中所示的线v-v’截取的剖视图。
239.图14和图15中所示的像素pxl可以具有与图5至图9中所示的像素pxl的配置基本上相同或相似的配置，其中，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2形成在不同的层中。
240.因此，关于图14和图15中所示的像素，将描述与上述实施方式的内容不同的部分以避免冗余。
241.参考图14和图15，辅助绝缘层auins可以设置和/或形成在第一接触电极cne1和第二接触电极cne2之间。
242.第一接触电极cne1可以分别设置和/或形成在由第一绝缘层ins1暴露的第一电极el1、发光元件ld中的每个的第一端部部分ep1和第二绝缘层ins2上。第一接触电极cne1可以由各种透明导电材料制成，使得从发光元件ld中的每个发射的并且然后被第一电极el1反射的光在显示设备的图像显示方向上前进而没有损耗。辅助绝缘层auins可以完全设置和/或形成在第一接触电极cne1之上。
243.辅助绝缘层auins可以设置在第一接触电极cne1之上以允许第一接触电极cne1不暴露于外部，从而防止第一接触电极cne1的腐蚀。辅助绝缘层auins可以包括由无机材料制成的无机绝缘层或由有机材料制成的有机绝缘层。在示例中，辅助绝缘层auins可以包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sion)和诸如氧化铝(alo
x
)的金属氧化物中的至少一种，但是本公开不限于此。另外，辅助绝缘层auins可以形成为单层或多层。
244.辅助绝缘层auins可以设计成具有比第一接触电极cne1的尺寸(或面积)相对更大的尺寸(或面积)，以便充分覆盖第一接触电极cne1，同时具有与位于其底部上的第一接触电极cne1的形状对应的形状。
245.辅助绝缘层auins可以设计成包括第一区域c1和第二区域c2，第一区域c1在与相对于第一方向dr1(或水平方向)和/或第二方向dr2(或竖直方向)倾斜的斜向方向对应的第四方向dr4上延伸，第二区域c2在与第四方向dr4相交的第五方向dr5上延伸。辅助绝缘层auins的第一区域c1可以设计成具有比第一接触电极cne1的第(1-1)接触电极cne1_1的尺寸(或面积)相对更大的尺寸(或面积)。因此，辅助绝缘层auins的第一区域c1可以完全覆盖第(1-1)接触电极cne1_1。辅助绝缘层auins的第二区域c2可以设计成具有比第一接触电极cne1的第(1-2)接触电极cne1_2的尺寸(或面积)相对更大的尺寸(或面积)。因此，辅助绝缘层auins的第二区域c2可以完全覆盖第(1-2)接触电极cne1_2。
246.辅助绝缘层auins可以在平面图中具有包括具有预定倾斜度的直线的锯齿形状。第一区域c1和第二区域c2可以沿着第二方向dr2交替布置。第二接触电极cne2可以设置和/或形成在辅助绝缘层auins上。
247.第二接触电极cne2可以分别设置和/或形成在辅助绝缘层auins、由第一绝缘层
ins1暴露的第二电极el2和发光元件ld中的每个的第二端部部分ep2上。第二接触电极cne2可以由透明导电材料制成。第二接触电极cne2可以包括与第一接触电极cne1相同的材料，但是本公开不限于此。
248.覆盖第二接触电极cne2的第三绝缘层ins3可以设置和/或形成在第二接触电极cne2之上。第三绝缘层ins3可以包括包含至少一个无机层和/或至少一个有机层的薄膜封装层，但是本公开不限于此。在一些实施方式中，至少一个外涂层(例如，平坦化显示元件层dpl的顶表面的层)还可以设置在第三绝缘层ins3的顶部上。
249.在根据本公开的像素和包括该像素的显示设备中，可以有效地对准两个相邻的电极之间的发光元件，使得可以提高发光效率。
250.本文中已经公开了示例性实施方式，并且尽管采用了特定的术语，但是它们仅被用于一般和描述性的意义并且将仅以一般和描述性的意义来解释，而不是出于限制的目的。在一些情况下，如本领域中普通技术人员在提交本技术时将显而易见的是，除非另外特别指示，否则结合特定实施方式描述的特征、特性和/或元件可以单独使用，或与结合其它实施方式描述的特征、特性和/或元件结合使用。因此，本领域中技术人员将理解的是，在不背离如在包括其等同物的所附权利要求中阐述的本公开的精神和范围的情况下，可以进行形式和细节上的各种改变。