一种设置组合钝化介质的氮化物HEMT器件及制备方法与流程

一种设置组合钝化介质的氮化物hemt器件及制备方法
技术领域
1.本发明涉及半导体技术领域，更具体地说，涉及一种设置组合钝化介质的氮化物hemt器件，以及一种设置组合钝化介质的氮化物hemt器件的制备方法。


背景技术：

2.氮化物hemt器件以其电流密度大，输出功率高，工作频率高及优良的抗辐照能力等优势在微波，大功率等领域得到广泛运用。
3.然而，氮化物hemt器件的阈值电压与栅极下方的2deg(二维电子气)密度密切相关，2deg密度越小，器件的阈值电压越大；2deg密度越大，器件的阈值电压越小。以gan hemt器件为例，想要获得大的阈值电压，可以通过减小algan势垒层的al组分或者厚度来减小2deg浓度。但是2deg的浓度降低会导致器件的导通电阻很大，从而增加器件的导通损耗。
4.除此之外，氮化物hemt器件在一定条件下漏电流比预想值下降，可定义为电流崩塌效应。电流崩塌效应使得器件输出电流减小，导通损耗增加，输出功率密度减小，器件性能恶化，影响器件工作。


技术实现要素：

5.本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种设置组合钝化介质的氮化物hemt器件及制备方法，通过施加不同应力调节器件的电场分布，提高器件阈值电压，同时保证较小的导通电阻同时可以降低栅极区域的峰值电场，抑制电流崩塌效应。
6.本发明的技术方案如下：
7.一种氮化物hemt器件，包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、p型氮化物栅极层、源极金属、漏极金属；p型氮化物栅极层上设置栅极金属，p型氮化物栅极层及其周边一定范围的区域定义为栅极区域，源极金属及其周边一定范围的区域定义为源极区域，漏极金属及其周边一定范围的区域定义为漏极区域；栅极区域与源极区域覆盖压应力介质层，漏极区域覆盖张应力介质层；p型氮化物栅极层至漏极金属之间的压应力介质层与张应力介质层的宽度比值x:y为0.1《x:y《10。
8.作为优选，p型氮化物栅极层至漏极金属之间的压应力介质层与张应力介质层的宽度比值x:y为0.5《x:y《2。
9.作为优选，压应力介质层包括一层应力介质层；或者，压应力介质层包括至少两层应力介质层，相邻的应力介质层的应力值不同；压应力介质层的厚度为50nm～1000nm，应力值范围为-0.1gpa～-5gpa；
10.张应力介质层包括一层应力介质层；或者，张应力介质层包括至少两层应力介质层，相邻的应力介质层的应力值不同；张应力介质层的厚度为50nm～1000nm，应力值范围为0.1gpa～2gpa。
11.作为优选，压应力介质层的应力介质为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的一种或几种组合，张应力介质层的应力介质为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的一种或几种组合。
12.一种氮化物hemt器件的制备方法，包括如下步骤：
13.1)在衬底上制备氮化物外延结构，氮化物外延结构包括缓冲层、沟道层、势垒层、p型氮化物层；对p型氮化物层进行选择性蚀刻，形成p型氮化物栅极层；在势垒层的表面制备源极金属、漏极金属；p型氮化物栅极层及其周边一定范围的区域定义为栅极区域，源极金属及其周边一定范围的区域定义为源极区域，漏极金属及其周边一定范围的区域定义为漏极区域；
14.2)在氮化物外延结构的表面沉积压应力介质层，压应力介质层覆盖栅极区域、源极区域与漏极区域；
15.或者，在氮化物外延结构的表面沉积张应力介质层，张应力介质层覆盖栅极区域、源极区域与漏极区域；
16.3)去除覆盖于漏极区域的压应力介质层；
17.或者，去除覆盖于栅极区域与源极区域的张应力介质层；
18.4)在氮化物外延结构的表面沉积张应力介质层，张应力介质层覆盖压应力介质层、漏极区域；
19.或者，在氮化物外延结构的表面沉积压应力介质层，压应力介质层覆盖张应力介质层、栅极区域与源极区域；
20.压应力介质层的厚度为50nm～1000nm，应力值范围为-0.1gpa～-5gpa；
21.张应力介质层的厚度为50nm～1000nm，应力值范围为0.1gpa～2gpa。
22.作为优选，还包括步骤5)去除覆盖于压应力介质层的张应力介质层；
23.或者，去除覆盖于张应力介质层的压应力介质层。
24.作为优选，压应力介质层包括一层应力介质层；或者，压应力介质层包括至少两层应力介质层，相邻的应力介质层的应力值不同；
25.当压应力介质层包括至少两层应力介质层时，步骤2)或步骤4)中，逐层依次沉积压应力介质层的应力介质层；
26.张应力介质层包括一层应力介质层；或者，张应力介质层包括至少两层应力介质层，相邻的应力介质层的应力值不同；
27.当张应力介质层包括至少两层应力介质层时，步骤2)或步骤4)中，逐层依次沉积张应力介质层的应力介质层。
28.作为优选，压应力介质层的应力介质为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的一种或几种组合，张应力介质层的应力介质为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的一种或几种组合。
29.一种氮化物hemt器件的制备方法，包括如下步骤：
30.1)在衬底上制备氮化物外延结构，氮化物外延结构包括缓冲层、沟道层、势垒层、p型氮化物层；对p型氮化物层进行选择性蚀刻，形成p型氮化物栅极层；在势垒层的表面制备源极金属、漏极金属；p型氮化物栅极层及其周边一定范围的区域定义为栅极区域，源极金属及其周边一定范围的区域定义为源极区域，漏极金属及其周边一定范围的区域定义为漏极区域；
31.2)在氮化物外延结构的表面沉积压应力介质层，压应力介质层覆盖栅极区域、源极区域与漏极区域；
32.或者，在氮化物外延结构的表面沉积张应力介质层，张应力介质层覆盖栅极区域、
源极区域与漏极区域；
33.3)进行高温退火，使压应力介质层转换成张应力介质层；
34.或者，进行高温退火，使张应力介质层转换成压应力介质层；
35.4)去除覆盖于栅极区域、源极区域的张应力介质层；
36.或者，去除覆盖于漏极区域的压应力介质层；
37.5)在氮化物外延结构的表面沉积压应力介质层，压应力介质层覆盖栅极区域、源极区域与张应力介质层；
38.或者，在氮化物外延结构的表面沉积张应力介质层，张应力介质层覆盖漏极区域与压应力介质层；
39.压应力介质层的厚度为50nm～1000nm，应力值范围为-0.1gpa～-5gpa；
40.张应力介质层的厚度为50nm～1000nm，应力值范围为0.1gpa～2gpa。
41.作为优选，还包括步骤6)去除覆盖于张应力介质层的压应力介质层；
42.或者，去除覆盖于压应力介质层的张应力介质层。
43.作为优选，步骤3)中，退火温度为700-1000℃，退火时间为1-5小时。
44.作为优选，压应力介质层包括一层应力介质层；或者，压应力介质层包括至少两层应力介质层，相邻的应力介质层的应力值不同；
45.当压应力介质层包括至少两层应力介质层时，步骤5)中，逐层依次沉积压应力介质层的应力介质层；
46.张应力介质层包括一层应力介质层；或者，张应力介质层包括至少两层应力介质层，相邻的应力介质层的应力值不同；
47.当张应力介质层包括至少两层应力介质层时，步骤5)中，逐层依次沉积张应力介质层的应力介质层。
48.作为优选，压应力介质层的应力介质为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的一种或几种组合，张应力介质层的应力介质为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的一种或几种组合。
49.本发明的有益效果如下：
50.本发明所述的设置组合钝化介质的氮化物hemt器件，通过不同应力的组合钝化介质，在栅极区域采用压应力介质，压应力介质会抵消势垒层的张应力，从而减小压电极化，异质结界面极化电荷密度减少，从而减小2deg浓度，提高器件阈值；在漏极区域采用张应力介质，使得势垒层压电极化增强，异质结界面极化电荷密度增加，从而增加2deg浓度，减小器件的导通电阻。同时，栅极区域2deg浓度小，耗尽区展宽大，可以有效减小栅极区域的峰值电场，抑制电流崩塌效应。
51.本发明在提高氮化物器件的阈值电压的基础上保证较小的导通电阻，同时减小栅极区域的峰值电场，抑制电流崩塌。
52.本发明中，压应力介质层与张应力介质层可以是单层膜结构，也可以是多层膜结构；当实施为多层膜结构时，其中的低应力介质层或无应力介质层起钝化作用，对器件的表面起保护作用。
53.本发明所述的设置组合钝化介质的氮化物hemt器件的制备方法，用于制备所述的氮化物hemt器件，在漏极区域制备张应力介质层，在源极区域与栅极区域制备压应力介质层，通过压应力介质层使得势垒层压电极化减弱，异质结界面极化电荷密度减少，从而减小
2deg浓度，提高器件阈值；通过张应力介质层使压电极化增强，从而2deg浓度提高，降低沟道的电阻。同时，栅极区域2deg浓度小，耗尽区展宽大，可以有效减小栅极区域的峰值电场，抑制电流崩塌效应。
54.制备压应力介质层或张应力介质层时，可先沉积整面的张应力介质层或压应力介质层，再通过高温退火使张应力介质层或压应力介质层转换为压应力介质层或张应力介质层，克服常规工序繁琐、工艺窗口小等缺陷。
附图说明
55.图1是p型氮化物hemt器件的结构剖视图(压应力介质层与张应力介质层为单层结构)；
56.图2是p型氮化物hemt器件的结构剖视图(压应力介质层与张应力介质层为多层结构)；
57.图3是p型氮化物hemt器件的结构剖视图(无应力介质层位于最下层)；
58.图4是p型氮化物hemt器件的结构剖视图；
59.图中：10是衬底，11是缓冲层，12是势垒层，13是p型氮化物栅极层，14是源极金属，15是漏极金属，16是栅极金属，20是压应力介质层，201是第一压应力介质子层，202是第二压应力介质子层，203是第三压应力介质子层，21是张应力介质层，211是第一张应力介质子层，212是第二张应力介质子层，213是第三张应力介质子层。
具体实施方式
60.以下结合附图及实施例对本发明进行进一步的详细说明。
61.实施例1
62.一种设置组合钝化介质的氮化物hemt器件，如图1、图2所示，包括衬底10、缓冲层11、沟道层、势垒层12、p型氮化物栅极层13、源极金属14、漏极金属15；p型氮化物栅极层13上设置栅极金属16，栅极区域与源极区域覆盖压应力介质层20，漏极区域覆盖张应力介质层21。p型氮化物栅极层13及其周边一定范围的区域定义为栅极区域，源极金属14及其周边一定范围的区域定义为源极区域，漏极金属15及其周边一定范围的区域定义为漏极区域；栅极区域、源极区域与漏极区域通常包括p型氮化物栅极层13、源极金属14、漏极金属15以及周边一定范围等金属区域及无金属区域。
63.所述p型氮化物栅极层的材料是p-gan、p-algan、p-ingan或p-inalgan。
64.本发明提供一种组合式的钝化介质，即压应力介质层20结合张应力介质层21，可以提高器件阈值，抑制电流崩塌，同时保证器件具有较小的导通电阻。与本发明的组合式的钝化介质相比，如果采用单一应力介质，则不足在于：采用单一的压应力介质，虽然可以提高器件的阈值，但是会导致器件的导通电阻很大，从而增加器件的导通损耗；采用单一的张应力介质，虽然可以减小器件的导通电阻，提高器件饱和电流，但是会导致器件的阈值减小。
65.本实施例中，氮化物hemt器件包括衬底10、gan缓冲层11、沟道层、algan势垒层12、p型氮化物栅极层13，gan缓冲层11的厚度大于algan势垒层12的厚度。由于gan缓冲层11和algan势垒层12都是ga-面极化，gan缓冲层11和algan势垒层12中的自发极化方向相同。在
较厚(相对于algan势垒层12)的gan缓冲层11上生长一层较薄(相对于gan缓冲层11)的algan势垒层12时，由于algan的晶格常数小于gan，所以，较薄的algan势垒层12受到张应力，而gan缓冲层11由于比较厚，应力得到了释放。
66.对于ga-面材料来说，algan势垒层12受到张应力的作用所形成的压电极化方向指向衬底10，与自发极化的方向相同，因此，相同的自发极化和压电极化方向进一步增加了界面处的极化正电荷。为了保持平衡状态，在gan缓冲层11的界面一侧会诱发出可自由移动的电子，该电子只可以在平行于gan缓冲层11的界面的平面内自由运动，而在垂直于gan缓冲层11的界面的方向受到限制，即二维电子气(2deg)。
67.可见，2deg浓度与极化的强度密切相关，压应力介质层20会抵消algan势垒层12受到的张应力，从而减小压电极化，进而压应力介质层20下方的2deg浓度减小，器件的阈值电压提高。同时，因为2deg浓度减小，器件在关断状态下形成的耗尽区更大，电场强度减小，栅极区域的峰值电场也减小。而器件的电流崩塌与电场强度密切相关，电场越强，电流崩塌越严重，因此，压应力介质层20可以改善器件的电流崩塌。另一方面，张应力介质层21能够使压电极化增强，从而2deg浓度提高，进而可降低沟道的电阻。
68.本发明中，压应力介质层20、张应力介质层21可实施为单层结构，也可以实施为多层结构；并且，可以实施为单层结构的压应力介质层20结合多层结构的张应力介质层21，也可以实施为多层结构的压应力介质层20结合单层结构的张应力介质层21，或者多层结构的压应力介质层20结合多层结构的张应力介质层21。其中，当压应力介质层20、张应力介质层21实施为多层结构时，特别是当多层结构的一层为低应力介质层或无应力介质层，且直接覆盖于algan势垒层12表面时，可作为钝化层，对algan势垒层12的表面起保护作用，防止在使用pecvd沉积压应力介质层20和张应力介质层21时，会对非栅极区域的algan势垒层12造成损伤，引入大量表面态。
69.具体地，压应力介质层20包括一层应力介质层(即单层膜结构)；或者，压应力介质层20包括至少两层应力介质层(即多层膜结构)，如包括第一压应力介质子层201、第二压应力介质子层202等，相邻的应力介质层的应力值不同。当压应力介质层20实施为两层或两层以上应力介质层时，特别地，当朝向algan势垒层12的应力介质层的应力值最小，为低应力介质层(如应力值范围为-250mpa～150mpa，即，在压应力介质层20中，低应力介质层形成的压应力小于相邻的应力介质层；或者，在张应力介质层21中，低应力介质层形成的张应力小于相邻的应力介质层)或无应力介质时，可用为钝化层，对algan势垒层12的表面起保护作用。
70.本实施例中，压应力介质层20的应力介质为氮化硅(如sin)、氧化硅(sio)或氮氧化硅(sion)的一种或几种组合，即当压应力介质层20实施为单层结构，压应力介质层20包括一层应力介质层时，压应力介质层20的应力介质为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的一种；当压应力介质层20实施为多层结构，压应力介质层20包括至少两层应力介质层时，压应力介质层20的应力介质为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的几种组合，具体根据实施需求进行选择。压应力介质层20的整体厚度为50nm～1000nm，应力值范围为-0.1gpa～-5gpa(
“‑”
表示压应力)。
71.张应力介质层21包括一层应力介质层(即单层膜结构)；或者，张应力介质层21包括至少两层应力介质层(即多层膜结构)，如包括第一张应力介质子层211、第二张应力介质
子层212等，相邻的应力介质层的应力值不同。当张应力介质层21实施为两层或两层以上应力介质层时，特别地，当朝向algan势垒层12的应力介质层的应力值最小，为低应力介质层(如应力值范围为-250mpa～150mpa，即，在压应力介质层20中，低应力介质层形成的压应力小于相邻的应力介质层或无应力介质时；或者，在张应力介质层21中，低应力介质层形成的张应力小于相邻的应力介质层)或无应力介质时，可用为钝化层，对algan势垒层12的表面起保护作用。
72.本实施例中，张应力介质层21的应力介质为氮化硅(如sin)、氧化硅(sio)或氮氧化硅(sion)的一种或几种组合，即当张应力介质层21实施为单层结构，张应力介质层21包括一层应力介质层时，张应力介质层21的应力介质为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的一种；当张应力介质层21实施为多层结构，张应力介质层21包括至少两层应力介质层时，张应力介质层21的应力介质为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的几种组合，具体根据实施需求进行选择。张应力介质层21的整体厚度为50nm～1000nm，应力值范围为0.1gpa～2gpa。
73.如图3所示，当压应力介质层20与张应力介质层21实施为三层结构的压应力介质层20结合三层结构的张应力介质层21的结构时，即压应力介质层20包括第一压应力介质子层201、第二压应力介质子层202、第三压应力介质子层203，相邻的应力介质层的应力值不同；张应力介质层21包括第一张应力介质子层211、第二张应力介质子层212、第三张应力介质子层213，相邻的应力介质层的应力值不同。本实施例中，当压应力介质层20朝向algan势垒层12的一层应力介质层与张应力介质层21朝向algan势垒层12的一层应力介质层，即最靠近algan势垒层12的第三压应力介质子层203和第三张应力介质子层213，应力值均为零。
74.如图4所示，在p型氮化物栅极层13对应的开孔，在p型氮化物栅极层13上制备栅极金属16。
75.本实施例中，p型氮化物栅极层13至漏极金属15之间的压应力介质层与张应力介质层的宽度比值x:y为0.1《x:y《10。优选的，可实施为0.5《x:y《2。
76.实施例2
77.本发明还提供一种设置组合钝化介质的氮化物hemt器件的制备方法，用于制备所述的氮化物hemt器件(如实施例1记载的氮化物hemt器件)，以先制备压应力介质层20、再制备张应力介质层21的制备方法为例，包括如下步骤：
78.1)选取合适的氮化物外延结构，本实施例中，p型氮化物hemt外延结构，包括衬底10、gan缓冲层11、沟道层、algan势垒层12、p型氮化物层，其中，algan势垒层12厚度可根据实施需求设置为1nm～50nm，al的组分为1％～100％，p型氮化物层的厚度为50nm～300nm，掺杂浓度为10
17
～10
21
cm-3
之间。
79.2)对p型氮化物层进行选择性蚀刻，形成p型氮化物栅极层13；具体实施时，可采用icp刻蚀等工艺。其中，p型氮化物层的材料是p-gan、p-algan、p-ingan或p-inalgan。
80.3)在algan势垒层12的表面制备源极金属14、漏极金属15；具体实施时，可采用蒸镀、溅射等方式进行制备，可采用的金属体系包括ti、al、ni、au或ta等，以及包含所述的金属体系的合金或所述的金属体系的化合物。
81.4)在氮化物外延结构的表面(整面)沉积压应力介质层20，压应力介质层20覆盖栅极区域、源极区域与漏极区域；并采用刻蚀或其他去除方法，选择性地去除覆盖于漏极区域的压应力介质层20。其中，压应力介质层20的应力介质为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的一种
或几种组合；压应力介质层20的整体厚度为50nm～1000nm，应力值范围为-0.1gpa～-5gpa(
“‑”
表示压应力)。
82.5)在氮化物外延结构的表面(整面)沉积张应力介质层21，张应力介质层21覆盖压应力介质层20、漏极区域；并采用刻蚀或其他去除方法，选择性去除覆盖于压应力介质层20的张应力介质层21，即去除位于源极区域和栅极区域范围内的张应力介质层21。其中，张应力介质层21的应力介质为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的一种或几种组合；张应力介质层21的整体厚度为50nm～1000nm，应力值范围为0.1gpa～2gpa。
83.进一步地，还包括步骤6)在覆盖p型氮化物栅极层13的压应力介质层20进行开孔，在p型氮化物栅极层13对应的开孔，在p型氮化物栅极层13上制备栅极金属16。
84.压应力介质层20、张应力介质层21可实施为单层结构，也可以实施为多层结构；并且，可以实施为单层结构的压应力介质层20结合多层结构的张应力介质层21，也可以实施为多层结构的压应力介质层20结合单层结构的张应力介质层21，或者多层结构的压应力介质层20结合多层结构的张应力介质层21。
85.当压应力介质层20包括至少两层应力介质层时，步骤4)中，逐层依次沉积压应力介质层20的应力介质层。
86.当张应力介质层21包括至少两层应力介质层时，步骤5)中，逐层依次沉积张应力介质层21的应力介质层。
87.实施例3
88.本实施例与实施例2的区别在于，先制备张应力介质层21、再制备压应力介质层20，具体区别如下：
89.步骤4)中，先在氮化物外延结构的表面沉积张应力介质层21，张应力介质层21覆盖栅极区域、源极区域与漏极区域；再去除覆盖于栅极区域与源极区域的张应力介质层21；
90.步骤5)中，先在氮化物外延结构的表面沉积压应力介质层20，压应力介质层20覆盖张应力介质层21、栅极区域与源极区域；再去除覆盖于张应力介质层21的压应力介质层20。
91.当压应力介质层20包括至少两层应力介质层时，步骤4)中，逐层依次沉积张应力介质层21的应力介质层。
92.当张应力介质层21包括至少两层应力介质层时，步骤5)中，逐层依次沉积压应力介质层20的应力介质层。
93.实施例4
94.本实施例与实施例2、实施例3的区别在于，压应力介质层20与张应力介质层21的制备工艺不同，本实施例中，利用转换应力介质的应力特性，先沉积整面的压应力介质层20，再通过高温退火使压应力介质层20转换为张应力介质层21，再沉积压应力介质层20，进而获得不同区域的压应力介质层20与张应力介质层21的结合。
95.具体地，本实施例所述的一种设置组合钝化介质的氮化物hemt器件的制备方法，包括如下步骤：
96.1)选取合适的氮化物外延结构，本实施例中，p型氮化物hemt外延结构，包括衬底10、gan缓冲层11、沟道层、algan势垒层12、p型氮化物层，其中，algan势垒层12厚度可根据实施需求设置为1nm～50nm，al的组分为1％～100％，p型氮化物层的厚度为50nm～300nm，
掺杂浓度为10
17
～10
21
cm-3
之间。
97.2)对p型氮化物层进行选择性蚀刻，形成p型氮化物栅极层13；具体实施时，可采用icp刻蚀等工艺。其中，p型氮化物层的材料是p-gan、p-algan、p-ingan或p-inalgan。
98.3)在algan势垒层12的表面制备源极金属14、漏极金属15；具体实施时，可采用蒸镀、溅射等方式进行制备，可采用的金属体系包括ti、al、ni、au或ta等，以及包含所述的金属体系的合金或所述的金属体系的化合物。
99.4)在氮化物外延结构的表面(整面)沉积压应力介质层20，压应力介质层20覆盖栅极区域、源极区域与漏极区域。
100.5)进行高温退火，使压应力介质层20转换成张应力介质层21；具体实施时，退火温度为700℃～1000℃，退火时间为1h～5h。其中，张应力介质层21的应力介质为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的一种或几种组合；张应力介质层21的整体厚度为50nm～1000nm，应力值范围为0.1gpa～2gpa。
101.6)采用刻蚀或其他去除方法，选择性地去除覆盖于栅极区域、源极区域的张应力介质层21。
102.7)在氮化物外延结构的表面(整面)沉积压应力介质层20，压应力介质层20覆盖栅极区域、源极区域与张应力介质层21。其中，压应力介质层20的应力介质为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的一种或几种组合；压应力介质层20的整体厚度为50nm～1000nm，应力值范围为-0.1gpa～-5gpa(
“‑”
表示压应力)。
103.8)采用刻蚀或其他去除方法，选择性地去除覆盖于张应力介质层21的压应力介质层20。
104.当压应力介质层20包括至少两层应力介质层，相邻的应力介质层的应力值不同；张应力介质层21包括至少两层应力介质层，相邻的应力介质层的应力值不同；则步骤4)与步骤7)中，依次沉积压应力介质层20的应力介质层。
105.其他部分与实施例2相同。
106.实施例5
107.本实施例与实施例4的区别在于，沉积张应力介质层21，将张应力介质层21转换为压应力介质层20，再沉积张应力介质层21，进而获得不同区域的压应力介质层20与张应力介质层21的结合。具体区别如下：
108.步骤4)中，在氮化物外延结构的表面(整面)沉积张应力介质层21，张应力介质层21覆盖栅极区域、源极区域与漏极区域。
109.步骤5)中，进行高温退火，使张应力介质层21转换成压应力介质层20。其中，压应力介质层20的应力介质为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的一种或几种组合；压应力介质层20的整体厚度为50nm～1000nm，应力值范围为-0.1gpa～-5gpa(
“‑”
表示压应力)。
110.6)采用刻蚀或其他去除方法，选择性地去除覆盖于漏极区域的压应力介质层20。
111.7)在氮化物外延结构的表面(整面)沉积张应力介质层21，张应力介质层21覆盖漏极区域与压应力介质层20。其中，张应力介质层21的应力介质为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的一种或几种组合；张应力介质层21的整体厚度为50nm～1000nm，应力值范围为0.1gpa～2gpa。
112.8)采用刻蚀或其他去除方法，选择性地去除覆盖于压应力介质层20的张应力介质
层21。
113.当压应力介质层20包括至少两层应力介质层，相邻的应力介质层的应力值不同；张应力介质层21包括至少两层应力介质层，相邻的应力介质层的应力值不同；则步骤4)与步骤7)中，依次沉积张应力介质层21的应力介质层。
114.其他部分与实施例4相同。
115.上述实施例仅是用来说明本发明，而并非用作对本发明的限定。只要是依据本发明的技术实质，对上述实施例进行变化、变型等都将落在本发明的权利要求的范围内。