阵列基板及显示面板的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示面板。


背景技术：

2.随着面板行业的不断发展，对显示面板具有窄边框、高开口率、高亮度、高分辨率等功能提出了越来越高的要求，导致显示面板的制造也面临新的挑战。显示面板包括多个薄膜晶体管，薄膜晶体管中包括金属，金属导致显示面板的开口率降低。
3.因此，有必要提出一种技术方案以解决薄膜晶体管导致显示面板的开口率降低的问题。


技术实现要素：

4.本技术的目的在于提供一种阵列基板及显示面板，以保证阵列基板上薄膜晶体管的性能的同时，有利于提高显示面板的分辨率。
5.为实现上述目的，技术方案如下：
6.一种阵列基板，所述阵列基板包括：
7.凹槽，所述凹槽的纵截面对应的图形为圆弧形；以及
8.至少一个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
9.有源图案，包括第一连接部、中间部以及第二连接部，所述中间部连接于所述第一连接部和所述第二连接部之间，所述中间部设置于所述凹槽中，且所述中间部的纵截面对应的图形为圆弧形；
10.栅极，对应所述中间部设置；以及
11.源漏电极，包括源极和漏极，所述源极与所述第一连接部接触，所述漏极与所述第二连接部接触。
12.在上述阵列基板中，所述凹槽的纵截面对应的图形为半圆弧形，所述凹槽的横截面对应的图形为矩形。
13.在上述阵列基板中，所述圆弧形对应的半径为2微米-10微米。
14.在上述阵列基板中，所述阵列基板还包括：
15.基板；以及
16.缓冲层，设置于所述基板上；
17.其中，至少一个所述薄膜晶体管设置于所述缓冲层远离所述基板的一侧，且所述凹槽设置于所述基板和所述缓冲层中的至少一者上。
18.在上述阵列基板中，所述有源图案设置于所述缓冲层远离所述基板的一侧，所述栅极设置于所述有源图案远离所述基板的一侧，所述源漏电极设置于所述栅极远离所述有源图案的一侧，阵列基板还包括：
19.栅极绝缘层，设置于所述有源图案与所述栅极之间，且覆盖所述缓冲层和所述有源图案；以及
20.层间绝缘层，设置于栅极与所述源漏电极之间，且覆盖所述栅极绝缘层和所述栅极；
21.所述源极通过贯穿所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层的第一接触孔与第一连接部接触，所述漏极通过贯穿所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层的第二接触孔与所述第二连接部接触。
22.在上述阵列基板中，所述阵列基板还包括：
23.平坦化层，设置于所述源漏电极远离所述层间绝缘层的一侧，且覆盖所述源漏电极和所述层间绝缘层；
24.第一电极，设置于所述平坦化层远离所述源漏电极的一侧；
25.钝化层，设置于所述第一电极远离所述平坦化层的一侧；以及
26.第二电极，设置于所述钝化层远离所述第一电极的一侧；
27.其中，所述第一电极和所述第二电极中的一者与所述漏极电性连接。
28.在上述阵列基板中，所述平坦化层的厚度大于或等于2.5微米且小于或等于5微米。
29.在上述阵列基板中，所述平坦化层、所述层间绝缘层以及所述栅极绝缘层均包括对应所述凹槽的内陷部。
30.在上述阵列基板中，所述中间部沿着所述中间部的圆周方向的尺寸大于所述第一连接部和所述第二连接部在所述第二连接部指向所述第一连接部方向上的尺寸。
31.一种显示面板，所述显示面板包括上述阵列基板。
32.有益效果：本技术提供一种阵列基板及显示面板，通过有源图案的中间部设置于凹槽中，凹槽的纵截面对应的图形为圆弧形，中间部的纵截面对应的图形为圆弧形，以保证有源图案的中间部的尺寸进而保证薄膜晶体管的性能的同时，有利于减小薄膜晶体管占用的面积，进而提高显示面板的开口率。而且，凹槽的纵截面对应的图形为圆弧形，相较于凹槽为其他形状，能使有源图案的中间部的尺寸最大的同时减小薄膜晶体管的尺寸。另外，凹槽的纵截面对应的图形为圆弧形，使得中间部各处所受的应力相同，减小有源图案的中间部断裂的风险。此外，相较于平面型的有源层，本技术中间部的投影面积小，有利于减小中间部上单位面积受的光照强度，有利于省略遮光层的设计，从而减小制程数。
附图说明
33.图1为本技术第一实施例阵列基板的示意图；
34.图2为图1所示阵列基板中缓冲层的示意图；
35.图3为图1所示阵列基板中有源图案的俯视示意图；
36.图4为本技术第二实施例阵列基板的示意图；
37.图5为本技术对比例阵列基板的示意图；
38.图6为本技术实施例显示面板的示意图。
具体实施方式
39.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于
本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
40.请参阅图1，其为本技术第一实施例阵列基板10的示意图。阵列基板10包括基板101、缓冲层102、至少一个薄膜晶体管t、平坦化层108、第一电极109、钝化层110以及第二电极111。
41.在本实施例中，基板101为玻璃基板，玻璃基板的厚度为0.3毫米-0.5毫米。
42.在本实施例中，缓冲层102用于阻挡基板101中的杂质进入至薄膜晶体管t中，避免杂质影响薄膜晶体管t的电性能。缓冲层102设置于基板101上，缓冲层102包括至少一个凹槽10a，凹槽10a的深度小于缓冲层102的厚度，凹槽10a的纵截面对应的图形为圆弧形，圆弧形对应的弧度大于90度且小于或等于180度，例如为120度、150度或者180度。缓冲层102的厚度为2微米-5微米。缓冲层102包括有机绝缘层和无机绝缘层，有机绝缘层的厚度为1微米-3微米，无机绝缘层的厚度为0.1微米至0.5微米。有机绝缘层为聚酰亚胺层。无机绝缘层的制备材料选自氮化硅和氧化硅层中的至少一种。
43.具体地，如图2所示，缓冲层102包括第一无机绝缘层1021、有机层1022以及第二无机绝缘层1023，第一无机绝缘层1021设置于基板101上，有机层1022设置于第一无机绝缘层1021，第二无机绝缘层1023设置于有机层1022上。凹槽10a贯穿第二无机绝缘层1023和有机层1022，凹槽10a的纵截面对应的图形为半圆弧形，凹槽10a的横截面对应的图形为矩形，即凹槽10a的立体构型呈柱状。
44.在本实施例，圆弧形对应的半径为2微米-10微米，以提供足够的空间设置薄膜晶体管t的有源图案，使得有源图案的沟道尺寸满足薄膜晶体管基本的性能要求。凹槽10a的纵截面对应的图形为半圆弧形时，凹槽10a的最大深度等于圆弧形对应的半径。例如，圆弧形对应的半径为2微米、3微米、4微米、5微米、6微米、7微米或者8微米。
45.在本实施例中，至少一个薄膜晶体管t设置于缓冲层102远离基板101的一侧，每个薄膜晶体管t包括有源图案103、栅极105、源漏电极、栅极绝缘层104以及层间绝缘层106。
46.在本实施例中，结合图1和图3，有源图案103设置于缓冲层102远离基板101的一侧。有源图案103包括第一连接部1034、中间部103a以及第二连接部1035，中间部103a连接于第一连接部1034和第二连接部1035之间，中间部103a设置于凹槽10a中，且中间部103a的纵截面对应的图形为圆弧形，第一连接部1034和第二连接部1035设置于缓冲层102的凹槽10a之外。中间部103a、第一连接部1034、第二连接部1035在基板上的正投影均为矩形。中间部103a沿着中间部103a的圆周方向的尺寸大于第一连接部1034和第二连接部1035在第二连接部1035指向第一连接部1034方向上的尺寸。例如，沿着中间部103a的圆周方向，中间部103a的尺寸为4微米-8微米。在第二连接部1035指向第一连接部1034方向上，第一连接部1034和第二连接部1035的尺寸为2微米-4微米。有源图案103的制备材料为低温多晶硅。可以理解的是，有源图案103的制备材料也可以为金属氧化物。
47.其中，中间部103a包括第一轻掺杂部1032、第二轻掺杂部1033以及沟道部1031，沟道部1031连接于第一轻掺杂部1032和第二轻掺杂部1033之间，第一轻掺杂部1032连接于第一连接部1034与沟道部1031之间，第二轻掺杂部1033连接于第二连接部1035与沟道部1031之间，第一轻掺杂部1032、第二轻掺杂部1033以及沟道部1031在基板101上的正投影均为矩形。沿着中间部103a的圆周方向，沟道部1031的尺寸大于第一轻掺杂部1032的尺寸和第二
轻掺杂部1033的尺寸。第一连接部1034和第二连接部1035的掺杂浓度大于第一轻掺杂部1032和第二轻掺杂部1033的掺杂浓度，以使得第一连接部1034和第二连接部1035的导电能力强于第一轻掺杂部1032和第二轻掺杂部1033的导电能力。
48.在本实施例中，栅极105设置于有源图案103远离基板101的一侧，栅极105对应中间部103a设置。栅极105的纵截面也呈圆弧形，栅极105在基板101上的正投影为矩形。栅极105在基板101上正投影与中间部103a在基板101上的正投影完全重合。栅极105的制备材料选自钼、铝、钛、铜、银中的至少一种。
49.在本实施例中，栅极绝缘层104设置于有源图案103与栅极105之间，且覆盖缓冲层102和有源图案103。栅极绝缘层104的厚度为800埃-2500埃。栅极绝缘层104的制备材料为氮化硅或者氧化硅中的至少一种。由于栅极绝缘层104较薄且凹槽10a的深度较深，栅极绝缘层104包括对应凹槽10a的第一内陷部。
50.在本实施例中，源漏电极设置于栅极105远离有源图案103的一侧。源漏电极包括源极1071和漏极1072，源极1071与第一连接部1034接触，漏极1072与第二连接部1035接触。源漏电极的制备材料钼、铝、钛、铜、银中的至少一种。
51.在本实施例中，层间绝缘层106设置于栅极105与源漏电极之间，且覆盖栅极绝缘层104和栅极105。层间绝缘层106的厚度为3000埃-6000埃。栅极105绝缘层的制备材料为氮化硅或者氧化硅中的至少一种。由于层间绝缘层106的厚度较薄且凹槽10a的深度较深，层间绝缘层106包括对应凹槽10a的第二内陷部。
52.在本实施例中，源极1071通过贯穿层间绝缘层106和栅极绝缘层104的第一接触孔10b与第一连接部1034接触，漏极1072通过贯穿层间绝缘层106和栅极绝缘层104的第二接触孔10c与第二连接部1035接触。
53.在本实施例中，平坦化层108设置于源漏电极远离层间绝缘层106的一侧，且覆盖源漏电极和层间绝缘层106。平坦化层108包括对凹槽10a的第三内陷部。相对于传统技术，为了凹槽10a所在处更加平整，本实施例平坦化层108的厚度增加，平坦化层108的厚度大于或等于2.5微米且小于或等于5微米，以使得形成有至少一个薄膜晶体管t的表面平整，有利于后续形成的第一电极109和第二电极111能在平坦的表面上形成，避免影响第一电极109与第二电极111之间形成的电场方向。例如，平坦化层108的厚度为3微米、4微米或者5微米。平坦化层108的制备材料为聚酰亚胺或者丙烯酸酯。
54.在本实施例中，第一电极109设置于平坦化层108远离源漏电极的一侧。第一电极109为公共电极，第一电极109整面的形成于平坦化层108上。可以理解的是，第一电极109也可以为像素电极。第一电极109的制备材料为氧化铟锡或氧化铟锌中的至少一种。
55.在本实施例中，钝化层110设置于第一电极109远离平坦化层108的一侧。钝化层110为无机绝缘层。钝化层110的制备材料为氮化硅或者氧化硅中的至少一种。
56.在本实施例中，第二电极111设置于钝化层110远离第一电极109的一侧。第二电极111为像素电极，第二电极111通过贯穿钝化层110、第一电极109以及平坦化层108的第三接触孔10d与漏极1072接触。第二电极111的制备材料为氧化铟锡或氧化铟锌中的至少一种。若第一电极109为像素电极，则第二电极111为公共电极，第一电极109通过贯穿平坦化层108的接触孔与漏极1072接触。
57.本实施例阵列基板通过有源图案的中间部设置于凹槽中，凹槽的纵截面对应的图
形为圆弧形，中间部的纵截面对应的图形为圆弧形，以保证有源图案的中间部的尺寸较大进而保证薄膜晶体管的性能的同时，有利于减小薄膜晶体管占用的面积，进而提高显示面板的开口率。
58.请参阅图4，本技术第二实施例阵列基板的示意图。图4所示阵列基板10与图1所示阵列基板10相似，不同之处在于，凹槽10a设置于基板101上，缓冲层102包括对应凹槽10a的第四凹陷部，此时，缓冲层102的厚度为2500埃-3000埃。
59.相对于图1所示阵列基板10，图4所示阵列基板10在基板101上设置凹槽10a，有利于薄化缓冲层102的厚度，进而保证阵列基板10的厚度。
60.需要说明的是，除了图1和图4所示阵列基板10，凹槽10a可以同时贯穿缓冲层102和基板101。凹槽10a可以通过采用半色调掩膜板结合黄光工艺制备蚀刻得到，此处不做详述。
61.如图5所示，其为本技术对比例阵列基板的示意图。图5所示阵列基板40与图1所示阵列基板10基本相似，不同之处在于，凹槽40a的纵截面对应的图形为折线，折线包括第一斜边、第二斜边以及底边，第一斜边与第二斜边为倒等腰梯形的两个腰边，底边为倒等腰梯形的底边。
62.在对比例中，凹槽40a的纵截面对应的图形为折线时，有源图案的中间部形成于凹槽40a中时，在凹槽40a的转角处有源图案容易断裂。本技术凹槽10a的纵截面对应的图形为圆弧形，圆弧形的曲率处处相等且底面平滑，使得中间部103a各处所受的应力相同，减小有源图案103的中间部103a断裂的风险。另外，当有源图案的中间部在基板上投影长度相同时，凹槽40a的纵截面对应的图形为折线时凹槽40a中设置的中间部的长度小于凹槽10a的纵截面对应的图形为半圆弧时凹槽10a中设置中间部的尺寸，因此，凹槽10a的纵截面对应的图形为半圆弧更有利于保证有源图案的中间部的尺寸的同时，减小薄膜晶体管占用的面积。此外，相较于凹槽40a的纵截面为折线时，有源图案的中间部的部分位于平面上导致其所受的光照强度较大，本技术设置于凹槽10a中的中间部103a的投影面积小，有利于减小中间部103a上单位面积受的光照强度，有利于省略遮光层的设计，从而减小制程数。
63.如图6所示，本技术还提供一种显示面板，显示面板30包括阵列基板10和彩膜基板20，阵列基板10与彩膜基板20相对设置，阵列基板10与彩膜基板20之间设置有液晶层。
64.本实施例显示面板的阵列基板通过有源图案的中间部设置于凹槽中，凹槽的纵截面对应的图形为圆弧形，中间部的纵截面对应的图形为圆弧形，以保证有源图案的中间部的尺寸进而保证薄膜晶体管的性能的同时，有利于减小薄膜晶体管占用的面积，进而提高显示面板的开口率和分辨率。
65.以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例的技术方案的范围。