显示装置的制作方法

1.本公开涉及显示装置。


背景技术：

2.显示装置是显示画面的装置，具有液晶显示装置(liquid crystal display，lcd)、有机发光显示装置(organic light emitting diode，oled)等。这种显示装置被用在如移动电话、导航仪、数码相机、电子书、便携式游戏机或各种终端机等这样的各种电子设备中。
3.显示装置由多层结构形成。例如，显示装置可以由在基板上层叠了发光元件、触摸传感器等的多层结构形成。由发光元件产生的光可以通过这种多个层而被射出到显示装置的外部，从而显示画面。但是，由发光元件产生的光的一部分可能会因被层间界面反射等而在无法被射出到外部的情况下消失掉。由此，存在显示装置的正面出光效率和显示品质下降的问题。


技术实现要素：

4.各实施例用于提供一种可以提高正面出光效率和显示品质的显示装置。
5.一实施例涉及的显示装置包括：基板；发光元件，位于所述基板上，并且包括像素电极、公共电极以及位于所述像素电极与所述公共电极之间的发光层；封装层，位于所述发光元件上；触摸电极，位于所述封装层上；遮光部，位于所述触摸电极上；滤色器层，与所述发光层重叠；以及平坦化层，位于所述遮光部和所述滤色器层上，所述滤色器层位于所述封装层和所述遮光部上，并且所述滤色器层的边缘位置部与所述遮光部重叠。
6.可以是，所述平坦化层的折射率高于所述滤色器层的折射率。
7.可以是，所述平坦化层的折射率在1.65以上且2.0以下。
8.可以是，所述滤色器层的折射率在约1.5以上且约1.7以下。
9.可以是，所述滤色器层具有中心部凹陷的形状。
10.可以是，所述滤色器层的中心部的高度低于边缘位置部的高度。
11.可以是，所述平坦化层包括有机绝缘物质以及纳米复合体。
12.可以是，所述平坦化层包括tio2、al2o3、sio2、al2tio3、zro2、pb s和zns中的至少任一种。
13.可以是，所述滤色器层包括第一滤色器以及第二滤色器，所述第一滤色器和所述第二滤色器至少一部分重叠。
14.可以是，所述第一滤色器的边缘位置与所述第二滤色器的边缘位置重叠。
15.可以是，所述第一滤色器和所述第二滤色器在所述遮光部上重叠。
16.一实施例涉及的显示装置包括：基板；发光元件，位于所述基板上，并且包括像素电极、公共电极以及位于所述像素电极与所述公共电极之间的发光层；封装层，位于所述发光元件上，并且包括沟槽；滤色器层，位于所述封装层上，并且被设置成填充所述沟槽内；触
摸电极，位于所述滤色器层上；遮光部，位于所述触摸电极上；以及平坦化层，位于所述遮光部和所述滤色器层上。
17.可以是，所述沟槽与所述发光层重叠，并且所述遮光部与所述滤色器层重叠。
18.可以是，所述滤色器层的折射率高于所述封装层的折射率。
19.可以是，所述滤色器层的折射率在1.65以上且2.0以下。
20.一实施例涉及的显示装置包括：基板；发光元件，位于所述基板上，并且包括像素电极、公共电极以及位于所述像素电极与所述公共电极之间的发光层；封装层，位于所述发光元件上；触摸电极，位于所述封装层上；遮光部，位于所述触摸电极上；滤色器层，位于所述封装层和所述遮光部上，并且与所述发光层重叠；以及平坦化层，位于所述遮光部和所述滤色器层上，所述滤色器层的中心部的高度低于边缘位置部的高度。
21.可以是，所述平坦化层的折射率高于所述滤色器层的折射率。
22.可以是，所述平坦化层的折射率在1.65以上且2.0以下。
23.可以是，所述平坦化层包括有机绝缘物质和纳米复合体。
24.可以是，所述平坦化层包括tio2、al2o3、sio2、al2tio3、zro2、pbs和zns中的至少任一种。
25.(发明效果)
26.根据各实施例，可以提高显示装置的正面出光效率和显示品质。
附图说明
27.图1是一实施例涉及的显示装置的示意性平面图。
28.图2是在一实施例涉及的显示装置中包括感知部的部分的平面图。
29.图3是在一实施例涉及的显示装置中示出了显示区域的一部分的剖视图。
30.图4是表示与一实施例涉及的显示装置的上部平坦化层的纳米复合体的含量相关的折射率的图表。
31.图5a和图5b是表示比较例涉及的显示装置内的光路径的剖视图。
32.图5c是表示一实施例涉及的显示装置内的光路径的剖视图。
33.图6a是表示用3d轮廓测量了一实施例涉及的显示装置的滤色器层的上部面的情况的图。
34.图6b是表示用3d轮廓测量了一实施例涉及的显示装置的任一像素的滤色器层的上部面的情况的图。
35.图7是表示一实施例涉及的显示装置的一部分的图。
36.图8是沿着图7的viii-viii线表示的剖视图。
37.图9是表示一实施例涉及的显示装置的一部分的图。
38.图10是沿着图9的x-x线表示的剖视图。
39.图11是表示一实施例涉及的显示装置的一部分的图。
40.图12是沿着图11的xii-xii线表示的剖视图。
41.图13是一实施例涉及的显示装置的电路图。
42.图14是一实施例涉及的显示装置的剖视图。
43.(符号说明)
44.100：基板；191：像素电极；220：遮光部；230：滤色器层；230r：红色过滤器；230g：绿色过滤器；230b：蓝色过滤器；270：公共电极；350：发光层；370：分隔壁；400：封装层；410：第一无机封装层；420：有机封装层；430：第二无机封装层；501：缓冲层；510：感知绝缘层；512、522：感知布线；520：第一触摸电极；540：第二触摸电极；521：第一触摸电极连接部；541：第二触摸电极连接部；550：上部平坦化层。
具体实施方式
45.以下，参照附图，详细说明本发明的各实施例，以便本领域技术人员能够容易实施。本发明可以由各种不同的形态实现，并不限于在此说明的各实施例。
46.为了明确说明本发明，省略了与说明无关的部分，并在整个说明书中对相同或者类似的构成要素赋予相同的符号。
47.此外，图示的各构成的大小以及厚度为了便于说明而任意示出，本发明并不一定限于图示的情况。在附图中，为了明确表示各层以及区域，有所夸张地示出了厚度。另外，在附图中，为了便于说明，有所夸张地示出了部分层和区域的厚度。
48.此外，层、膜、区域、板等部分位于其他部分上或上方时，不仅包括直接位于其他部分上的情况，还包括其间包括其他部分的情况。相反，某一部分直接位于其他部分上时，是指其间不存在其他部分。此外，位于作为基准的部分上或上方是指位于作为基准的部分的下或下方，并不一定指在重力方向侧位于上或上方的情况。
49.此外，在整个说明书中，某一部分包括某一构成要素时，在没有特别相反的记载的情况下，并不是排除包括其他构成要素，而是指还可以包括其他构成要素。
50.此外，在整个说明书中，“平面上”是指从上观察对象部分的情况，“截面上”是指从侧方观察垂直截取对象部分的截面的情况。
51.以下，参照图1和图2来说明一实施例涉及的显示装置。
52.图1是一实施例涉及的显示装置的示意性平面图，图2是在一实施例涉及的显示装置中包括感知部的部分的平面图。
53.如图1所示，一实施例涉及的显示装置包括基板100以及焊盘部30。
54.基板100包括显示区域da和非显示区域na。显示区域da是形成有包括发光元件和晶体管的像素而显示图像的区域，非显示区域na是不显示图像的区域。非显示区域na可以包围显示区域da。非显示区域na是包括形成有向像素施加驱动信号的焊盘pad的焊盘部30的区域。
55.在显示区域da可以设有包括晶体管(transistor)、发光二极管(light emitting diode)等的多个像素(未图示)。多个像素可以以各种形态排列，例如可以排列成矩阵形态。在显示区域da的上部还可以设有包括多个触摸电极520、540(图2)的感知区域ta(图2)，使得可以识别触摸。
56.在非显示区域na可以设有用于向形成在显示区域da的像素传递电压、信号等驱动信号的驱动电压线(未图示)、驱动低电压线(未图示)、焊盘部30等。此外，在非显示区域na还可以设有多个感知布线512、522(图2)。多个感知布线512、522可以与多个触摸电极520、540连接。对于多个感知布线512、522和多个触摸电极520、540，以下在图2中进一步进行说明。
57.焊盘部30位于非显示区域na的一部分，包括多个焊盘pad。通过多个焊盘pad，可以向与显示区域da连接的多个电压线(未图示)、多个感知布线512、522(图2)等施加电压、信号等。在非显示区域na可以附着柔性印刷电路基板(flexible printed circuit board(fpcb)，未图示)。柔性印刷电路基板可以与焊盘部30电连接。柔性印刷电路基板和焊盘部30可以通过各向异性导电膜而电连接。柔性印刷电路基板可以包括驱动集成电路(integrated chip，未图示)，从驱动集成电路输出的驱动信号可以通过焊盘部30的多个焊盘pad被供给至各像素。
58.如图2所示，基板100还包括在显示区域da的上部形成有多个触摸电极520、540的感知区域ta以及包围感知区域ta的周边区域pa。根据实施例，感知区域ta可以包括图1的显示区域da以及非显示区域na的一部分，周边区域pa可以包括图1的非显示区域na中除了感知区域ta的区域。但是，这仅仅是一个例示，感知区域ta和周边区域pa的位置可以以各种方式变更。例如，感知区域ta可以包括显示区域da的一部分，周边区域pa可以包括显示区域da中除了感知区域ta的区域以及非显示区域na。或者，感知区域ta也可以包括显示区域da和非显示区域na。
59.感知区域ta可以包括多个触摸电极520、540。多个触摸电极520、540可以包括多个第一触摸电极520以及多个第二触摸电极540。
60.第一触摸电极520和第二触摸电极540可以彼此被电分离。根据实施例，第一触摸电极520可以是感知输入电极，第二触摸电极540可以是感知输出电极。但是，并不限于此，也可以是第一触摸电极520为感知输出电极，第二触摸电极540为感知输入电极。
61.多个第一触摸电极520和多个第二触摸电极540在感知区域ta中可以交替地分散成彼此不重叠，从而被配置成网格(mesh)形态。多个第一触摸电极520可以沿着列方向和行方向分别被配置多个，多个第二触摸电极540也可以沿着列方向和行方向分别被配置多个。多个第一触摸电极520可以通过多个第一触摸电极连接部521而在列方向上彼此被连接，并且多个第二触摸电极540可以通过多个第二触摸电极连接部541而在行方向上彼此被连接。
62.第一触摸电极520和第二触摸电极540可以位于彼此相同的层。根据实施例，第一触摸电极520和第二触摸电极540也可以位于彼此不同的层。第一触摸电极520和第二触摸电极540可以是菱形形状，但是并不限于此。第一触摸电极520和第二触摸电极540可以是四边形、六边形等多边形或圆形、椭圆形，并且为了提高感知传感器的灵敏度，可以以具有突出部等各种形状实现。第一触摸电极520和第二触摸电极540也可以由透明导电体或不透明导电体形成。例如，第一触摸电极520和第二触摸电极540可以包括透明传导性氧化物(transparent conductive oxide，tco)，透明传导性氧化物(tco)可以包括铟锡氧化物(indium tin oxide，ito)、铟锌氧化物(indium zinc oxide，izo)、氧化锌(zno)、cnt(carbon nanotube，碳纳米管)和石墨烯(graphene)中的至少任一种。此外，第一触摸电极520和第二触摸电极540可以包括多个开口。形成于触摸电极520、540的开口起到使从发光元件射出的光可以无干扰地被射出到前表面的作用。
63.多个第一触摸电极520可以通过第一触摸电极连接部521(也称为桥)而彼此被电连接，多个第二触摸电极540可以通过第二触摸电极连接部541而彼此被电连接。在多个第一触摸电极520沿着第一方向被连接的情况下，多个第二触摸电极540可以沿着与其交叉的第二方向被连接。在第一触摸电极520和第二触摸电极540位于同一层的情况下，第一触摸
电极连接部521和第二触摸电极连接部541中的一个可以位于与第一触摸电极520和第二触摸电极540相同的层，另一个可以位于与第一触摸电极520和第二触摸电极540不同的层。其结果，多个第一触摸电极520和多个第二触摸电极540可以被电分离。位于其他层的触摸电极连接部可以位于第一触摸电极520和第二触摸电极540的上部或下部的层，在以下所述的实施例中，以触摸电极连接部位于下部层(即，更靠近基板的层)的实施例为中心进行叙述。
64.在周边区域pa设有分别与多个第一触摸电极520及多个第二触摸电极540连接的多个感知布线512、522。多个感知布线512、522可以包括多个第一感知布线512和多个第二感知布线522。第一感知布线512可以与配置在行方向上的多个第二触摸电极540连接，第二感知布线522可以与配置在列方向上的多个第一触摸电极520连接。根据实施例，第一感知布线512和第二感知布线522也可以与图1的焊盘部30所包括的焊盘pad中的一部分电连接。
65.在图2中示出了使用两个触摸电极520、540来感知触摸的互电容(mu tual-cap)方式的感知部。但是，根据实施例，也可以形成为仅使用一个触摸电极来感知触摸的自电容(self-cap)方式的感知部。
66.以下，参照图3，以显示区域da中的剖视图为中心，进一步说明一实施例涉及的显示装置。
67.图3是在一实施例涉及的显示装置中示出显示区域的一部分的剖视图。
68.如图3所示，一实施例涉及的显示装置的显示区域da可以包括基板100、具有半导体131、栅电极124、源电极173以及漏电极175的晶体管tft、栅极绝缘膜120、层间绝缘膜160、下部平坦化层180、像素电极191、发光层350、分隔壁370、公共电极270以及封装层400。在此，像素电极191、发光层350和公共电极270可以构成发光元件led。此外，显示装置还可以包括位于显示区域da的上部的感知区域ta，感知区域ta可以包括感知绝缘层510、多个触摸电极520、540以及第二触摸电极连接部541。此外，显示装置还可以包括位于感知区域ta的上部的遮光部220、滤色器层230以及上部平坦化层550。滤色器层230可以包括红色过滤器230r、绿色过滤器230g以及蓝色过滤器230b。
69.基板100可以包括玻璃等具有刚性(rigid)的特性而不会被弯曲的物质或者如塑料或聚酰亚胺(polyimide)这样可以被弯曲的柔性的物质。虽然在图3中未示出，但是在基板100上还可以设有用于使基板100的表面变得平坦且阻断杂质成分的渗透的下部缓冲层(未图示)或阻挡层(未图示)等。此时，在基板100上可以设有阻挡层，在阻挡层上可以设有缓冲层。阻挡层可以包括无机物质，作为一例，可以包括氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)等无机绝缘物质。阻挡层可以是所述物质的单层或多层的结构。缓冲层可以包括氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)等无机绝缘物质。缓冲层可以是所述物质的单层或多层的结构。
70.半导体131可以位于基板100上。半导体131可以包括非晶硅、多晶硅和氧化物半导体中的任一种。作为一例，半导体131可以包括低温多晶硅(ltps)，或者可以包括含有锌(zn)、铟(in)、镓(ga)、锡(sn)以及它们的混合物中的至少一种的氧化物半导体物质。作为一例，半导体131可以包括igzo(indium-gallium-zinc oxide，铟镓锌氧化物)。半导体131可以包括根据是否掺杂有杂质而划分的沟道区域、源极区域以及漏极区域。源极区域和漏极区域可以具有与导电体相应的导电特性。
71.栅极绝缘膜120可以覆盖半导体131和基板100。栅极绝缘膜120可以包括氮化硅
(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)等无机绝缘物质。栅极绝缘膜120可以是所述物质的单层或多层的结构。
72.栅电极124可以位于栅极绝缘膜120上。栅电极124可以包括铜(cu)、钼(mo)、铝(al)、银(ag)、铬(cr)、钽(ta)、钛(ti)等金属或金属合金。栅电极124可以由单层或多层构成。半导体131中，在平面上与栅电极124重叠的区域是沟道区域。
73.层间绝缘膜160可以覆盖栅电极124和栅极绝缘膜120。层间绝缘膜160可以包括氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)等无机绝缘物质。层间绝缘膜160可以是所述物质的单层或多层的结构。
74.源电极173和漏电极175可以位于层间绝缘膜160上。源电极173和漏电极175可以通过形成在层间绝缘膜160和栅极绝缘膜120的开口而分别与半导体131的源极区域及漏极区域连接。由此，前述的半导体131、栅电极124、源电极173和漏电极175构成一个晶体管tft。根据实施例，晶体管tft可以代替源电极173和漏电极175而仅包括半导体131的源极区域和漏极区域。
75.源电极173和漏电极175可以包括铝(al)、铜(cu)、银(ag)、金(au)、铂(pt)、钯(pd)、镍(ni)、钼(mo)、钨(w)、钛(ti)、铬(cr)、钽(ta)等金属或金属合金。源电极173和漏电极175可以由单层或多层构成。一实施例涉及的源电极173和漏电极175可以由包括上部层、中间层以及下部层的三层构成，上部层和下部层可以包括钛(ti)，并且中间层可以包括铝(al)。
76.下部平坦化层180可以位于源电极173和漏电极175上。下部平坦化层180覆盖源电极173、漏电极175和层间绝缘膜160。下部平坦化层180用于使晶体管tft所具备的基板100的表面变得平坦化，可以是有机绝缘膜，可以包括选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂形成的组中的一种以上的物质。
77.像素电极191可以位于下部平坦化层180上。像素电极191也被称为阳极，可以由包括透明传导性氧化膜和金属物质的单层或包括它们的多层构成。透明传导性氧化膜可以包括ito(indium tin oxide，铟锡氧化物)、聚(poly)-ito、izo(indium zinc oxide，铟锌氧化物)、igzo(indium gallium zinc oxide，铟镓锌氧化物)和itzo(indium tin zinc oxide，铟锡锌氧化物)等。金属物质可以包括银(ag)、钼(mo)、铜(cu)、金(au)和铝(al)等。
78.下部平坦化层180可以包括使漏电极175露出的过孔81(或也称为开口)。通过下部平坦化层180的过孔81，漏电极175和像素电极191可以以物理方式以及电方式被连接。由此，像素电极191可以被施加将会从漏电极175传递至发光层350的输出电流。
79.在像素电极191和下部平坦化层180上可以设有分隔壁370。分隔壁370也称为像素定义层(pixel defining layer，pdl)，包括使像素电极191的上表面的一部分露出的像素开口351。分隔壁370可以在像素电极191的上表面划分发光层350的形成位置使得可以在露出的部分设置发光层350。分隔壁370可以是包括选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂形成的组中的一种以上的物质的有机绝缘膜。根据实施例，分隔壁370可以由包括黑色颜料的黑色像素定义层(black pixel define layer，bpdl)形成。
80.发光层350可以位于被分隔壁370划分出的像素开口351内。发光层350可以包括射出红色、绿色和蓝色的光的有机物。射出红色、绿色和蓝色的光的发光层350可以包括低分子有机物或高分子有机物。在图3中以单层示出了发光层350，但是实际上，在发光层350的
上下还可以包括如电子注入层、电子传输层、空穴传输层和空穴注入层这样的辅助层，在发光层350的下部可以设有空穴注入层和空穴传输层，并在发光层350的上部可以设有电子传输层和电子注入层。
81.公共电极270可以位于分隔壁370和发光层350上。公共电极270也被称为阴极，可以由包括ito(indium tin oxide，铟锡氧化物)、izo(indium zinc oxide，铟锌氧化物)、igzo(indium gallium zinc oxide，铟镓锌氧化物)和itzo(indium tin zinc oxide，铟锡锌氧化物)等的透明导电层形成。此外，公共电极270可以具有半透明特性，且此时可以与像素电极191一起构成微腔。根据微腔结构，通过两个电极之间的间隔及特性，可以使特定波长的光射出到上部，其结果可以显示红色、绿色或蓝色。
82.封装层400可以位于公共电极270上。封装层400可以包括至少一个无机膜和至少一个有机膜。在本实施例中，封装层400可以包括第一无机封装层410、有机封装层420以及第二无机封装层430。但是，这仅仅是一个例示，构成封装层400的无机膜和有机膜的数量可以以各种方式变更。第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430可以位于显示区域da和非显示区域na的一部分。根据实施例，有机封装层420可以以显示区域da为中心形成，第一无机封装层410和第二无机封装层430可以形成至非显示区域na。封装层400可以保护发光元件led免受可从外部流入的水分或氧等的影响，第一无机封装层410和第二无机封装层430的一端可以形成为直接接触。
83.在封装层400上可以设有缓冲层501。缓冲层501可以由无机绝缘膜形成，无机绝缘膜所包括的无机物质可以是硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、锡氧化物、铈氧化物和硅氮氧化物中的至少任一种。根据实施例，可以省略缓冲层501。
84.在缓冲层501上可以设有第二触摸电极连接部541、感知绝缘层510和多个触摸电极520、540。第一触摸电极连接部521和第二触摸电极连接部541中的一个可以位于与多个触摸电极520、540相同的层，另一个可以位于与多个触摸电极520、540不同的层。以下，说明第二触摸电极连接部541位于与多个触摸电极520、540不同的层的例。
85.第二触摸电极连接部541、感知绝缘层510和多个触摸电极520、540可以构成感知传感器。感知传感器可以分类为电阻膜方式(resistive type)、电容方式(capacitive type)、电磁感应方式(electro-magnetic type)、光感应方式(optical type)等方式。一实施例涉及的感知传感器可以使用电容方式的传感器。
86.在缓冲层501上可以设有第二触摸电极连接部541，感知绝缘层510可以位于缓冲层501和第二触摸电极连接部541上。感知绝缘层510可以是无机绝缘膜，根据实施例，可以包括有机物质。无机物质可以包括硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、锡氧化物、铈氧化物和硅氮氧化物种的至少任一种。有机物质可以包括丙烯酸系树脂、甲基丙烯酸系树脂、聚异戊二烯、乙烯系树脂、环氧系树脂、氨基甲基乙酸树脂、纤维素树脂和苝树脂中的至少任一种。
87.在感知绝缘层510上可以设有多个触摸电极520、540。多个触摸电极520、540可以包括多个第一触摸电极520和多个第二触摸电极540。第一触摸电极520和第二触摸电极540可以被电绝缘。感知绝缘层510包括使第二触摸电极连接部541的上表面露出的开口，通过感知绝缘层510的开口，第二触摸电极连接部541与第二触摸电极540连接而将相邻的两个
第二触摸电极540电连接。另一方面，连接第一触摸电极520的第一触摸电极连接部521可以形成在与第一触摸电极520及第二触摸电极540相同的层。
88.多个触摸电极520、540可以包括传导性出色的导电物质。例如，多个触摸电极520、540可以包括铝(al)、铜(cu)、银(ag)、金(au)、铂(pt)、钯(pd)、镍(ni)、钼(mo)、钨(w)、钛(ti)、铬(cr)、钽(ta)等金属或金属合金。多个触摸电极520、540可以由单层或多层构成。此时，多个触摸电极520、540可以包括开口，从而使从发光元件led射出的光无干扰地被射出到上部。根据实施例，多个触摸电极520、540可以由包括上部层、中间层和下部层的三层构成，上部层和下部层可以包括钛(ti)，并且中间层可以包括铝(al)。
89.在多个触摸电极520、540上可以设有遮光部220。遮光部220可以被设置成不与重叠于触摸电极520、540的发光层350重叠。遮光部220可以与触摸电极520、540的整体重叠。因此，遮光部220可以形成为覆盖触摸电极520、540的上部面和侧面。遮光部220可以包括含有黑色颜料的有机物质、或含有黑色颜料的有机物质与无机物质的混合物。随着设置成触摸电极520、540和遮光部220不与发光层350重叠，从而可显示图像的发光层350不会受到触摸电极520、540和遮光部220的妨碍。遮光部220可以由矩阵形态形成。即，遮光部220可以由黑色矩阵形成。
90.在感知绝缘层510上可以设有滤色器层230。滤色器层230可以与发光层350重叠。此外，滤色器层230可以与遮光部220重叠，并且也可以与触摸电极520、540重叠。此时，滤色器层230的边缘位置可以与遮光部220重叠。滤色器层230可以包括红色过滤器230r、绿色过滤器230g和蓝色过滤器230b。红色过滤器230r可以与相当于红色像素的发光元件led的发光层350重叠。即，与红色过滤器230r重叠的发光层350可以射出红色光。绿色过滤器230g可以与相当于绿色像素的发光元件led的发光层350重叠。即，与绿色过滤器230g重叠的发光层350可以射出绿色光。蓝色过滤器230b可以与相当于蓝色像素的发光元件led的发光层350重叠。即，与蓝色过滤器230b重叠的发光层350可以射出蓝色光。构成滤色器层230的红色过滤器230r、绿色过滤器230g和蓝色过滤器230b可以在像素的边界部彼此重叠。此外，红色过滤器230r、绿色过滤器230g和蓝色过滤器230b可以在像素的边界部与遮光部220重叠。例如，在红色像素与绿色像素之间的边界部，遮光部220、红色过滤器230r和绿色过滤器230g可以彼此重叠。此外，在绿色像素与蓝色像素之间的边界部，遮光部220、绿色过滤器230g和蓝色过滤器230b可以彼此重叠。此外，在蓝色像素与红色像素之间的边界部，遮光部220、蓝色过滤器230b和红色过滤器230r可以彼此重叠。
91.构成滤色器层230的红色过滤器230r、绿色过滤器230g和蓝色过滤器230b可以具有各自的中心部的高度hc低于边缘位置部的高度he的形状。滤色器层230的中心部可以整体上具有类似的高度，从中心部与边缘位置部的边界开始越朝向边缘位置，高度可以逐渐越变高。因此，滤色器层230的上部面可以在中心部与边缘位置部的边界处形成倾斜面。滤色器层230的中心部的延长线与倾斜面所形成的角度θ可以是在约1度以上且约15度以下。但是，图3所示的滤色器层230的形状仅仅是一个例示，可以实现各种变更。滤色器层230的中心部可以直接位于感知绝缘层510上。滤色器层230的边缘位置部可以与遮光部220重叠。此外，滤色器层230的边缘位置部可以与相邻的其他滤色器层230的边缘位置部重叠。即，相邻的彼此不同的滤色器层230可以在遮光部220上彼此重叠。
92.一实施例涉及的显示装置通过包括遮光部220和滤色器层230，从而可以省略偏振
板。如上所述，通过不使用偏振板，可以降低制造费用，并且可以减小显示装置的厚度。
93.根据实施例，包括红色过滤器230r、绿色过滤器230g和蓝色过滤器230b的滤色器层230可以被色变换层代替，或者还可以包括色变换层。色变换层可以包括量子点(quantum dot)。
94.在滤色器层230和遮光部220上可以设有上部平坦化层550。上部平坦化层550可以直接位于滤色器层230上。即，上部平坦化层550可以与滤色器层230相接。此时，上部平坦化层550的下部面可以与滤色器层230的上部面相接。上部平坦化层550可以包括具有高折射率的透光性有机物。上部平坦化层550可以具有比滤色器层230相对高的折射率。滤色器层230的折射率可以在约1.5以上且约1.7以下。上部平坦化层550的折射率可以在约1.65以上且约2.0以下。例如，红色过滤器230r的折射率可以是约1.62，绿色过滤器230g的折射率可以是约1.57，蓝色过滤器230b的折射率可以是约1.54。此时，上部平坦化层550的折射率可以是约1.7至约1.75。但是，这仅仅是一个例示，红色过滤器230r、绿色过滤器230g、蓝色过滤器230b和上部平坦化层550的折射率可以在所述的数值范围内实现各种变更。
95.上部平坦化层550可以使显示装置的上表面变得平坦化，可以由有机绝缘膜形成。有机绝缘膜可以包括选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂形成的组中的一种以上的物质。有机绝缘物质与无机绝缘物质相比具有耐冲击性、工序稳定性出色等很多优点，但是折射率可能会相对低。因此，在一实施例中，为了在显示装置中确保上部平坦化层550的高的折射率，可以使用有机绝缘膜，但在其内部可以包括纳米复合体。一般的有机绝缘膜的折射率可以是约1.3至约1.7。一实施例涉及的上部平坦化层550可以包括可如tio2、al2o3、sio2、al2tio3、zro2、pbs、zns等这样的无机物质的纳米复合体。一实施例涉及的上部平坦化层550通过与有机绝缘物质一起包括纳米复合体，从而可以将上部平坦化层550的折射率增加至约1.65至约2.0的程度。
96.以下，参照图4，说明与一实施例涉及的显示装置的上部平坦化层所包括的纳米复合体的含量相关的折射率。
97.图4是表示与一实施例涉及的显示装置的上部平坦化层的纳米复合体的含量相关的折射率的图表。图4表示上部平坦化层包括丙烯酸树脂和zro2的情况。
98.如图4所示，可知包括如丙烯酸树脂这样的有机物质的上部平坦化层550所包括的zro2这样的纳米复合体的含量越高，上部平坦化层550的折射率越增加。通过在有机绝缘膜中追加如tio2、al2o3、sio2、al2tio3、zro2、pbs、zns等这样的无机物质的纳米复合体，从而可以提高有机绝缘膜的折射率。此时，通过提高纳米复合体的含量，可以提高上部平坦化层550的折射率。
99.虽然未图示，但是在上部平坦化层550上还可以设有保护显示装置的盖窗。在上部平坦化层550与盖窗之间还可以设有粘接层。
100.一实施例涉及的显示装置可以具有构成滤色器层230的红色过滤器230r、绿色过滤器230g和蓝色过滤器230b其中心部的高度低于边缘位置部的高度的形状，并且在滤色器层230上设有具有比滤色器层230高的折射率的上部平坦化层550，从而可以提高显示装置的正面识别性以及出光效率。以下，参照图5a至图5c，说明一实施例涉及的显示装置中的光路径。
101.图5a和图5b是表示比较例涉及的显示装置内的光路径的剖视图，图5c是表示一实
施例涉及的显示装置内的光路径的剖视图。
102.由发光层350产生的光的大部分可以通过各像素的中心部而被射出到正面。例如，由发光层350产生的红色光可以被射出到红色像素的正面。此外，由发光层350产生的绿色光可以被射出到绿色像素的正面。此外，由发光层350产生的蓝色光可以被射出到蓝色像素的正面。但是，由发光层350产生的光的一部分也可能会入射到各像素的边缘位置。如图5a所示，在比较例涉及的显示装置中，由发光层350产生而通过了各像素的边缘位置的光可能不会被射出到各像素的正面。比较例涉及的显示装置不包括一实施例涉及的显示装置的滤色器层230和上部平坦化层550。在比较例涉及的显示装置中，通过了各像素的边缘位置的光可能被射出到侧面，或者可能被射出到相邻的其他像素，或者虽然省略了图示但是也可能被其他层反射而再次入射到显示装置的内部。如图5b所示，其他比较例涉及的显示装置可以包括低折射率层561以及高折射率层562。低折射率层561在触摸电极520、540上可以被设置成与触摸电极520、540重叠。高折射率层562可以位于低折射率层561上。高折射率层562可以整体位于基板100上。此时，通过了各像素的边缘位置的光在低折射率层561与高折射率层562的界面被全反射，从而光可以聚集到正面。
103.如图5c所示，在一实施例涉及的显示装置中可以做到：在由发光层350产生而入射到滤色器层230的边缘位置的光通过滤色器层230与上部平坦化层550之间的界面时，变更光的路径，从而使光射出到各像素的正面。由发光层350产生而通过了各像素的边缘位置的光在具有相对低的折射率的滤色器层230与具有相对高的折射率的上部平坦化层550之间的界面，光路径被变更，从而可以被聚光到正面。即，一实施例涉及的显示装置可以通过与图5b类似的原理，在省略使用偏振板的同时还可以提高正面出光效率。
104.以下，参照图6a至图12，进一步说明一实施例涉及的显示装置的滤色器层。
105.图6a是表示用3d轮廓测量了一实施例涉及的显示装置的滤色器层的上部面的情况的图，图6b是表示用3d轮廓测量了一实施例涉及的显示装置的任一像素的滤色器层的上部面的情况的图。图7是表示一实施例涉及的显示装置的一部分的图，图8是沿着图7的viii-viii线表示的剖视图。图9是表示一实施例涉及的显示装置的一部分的图，图10是沿着图9的x-x线表示的剖视图。图11是表示一实施例涉及的显示装置的一部分的图，图12是沿着图11的xii-xii线表示的剖视图。
106.如图6a和图6b所示，一实施例涉及的显示装置的滤色器层的上部面不平坦，且可以随着位置而具有不同的高度。一实施例涉及的显示装置可以包括多个像素red、green、blue。多个像素red、green、blue可以包括红色像素red、绿色像素green和蓝色像素blue。在沿着横向或竖向相邻的红色像素red之间可以设有蓝色像素blue。在沿着对角线方向相邻的红色像素red之间可以设有绿色像素green。在沿着对角线方向相邻的蓝色像素blue之间可以设有绿色像素green。红色像素red、绿色像素green和蓝色像素blue的大小可以彼此不同。例如，蓝色像素blue的大小可以与红色像素red的大小类似，绿色像素green的大小可以小于蓝色像素blue的大小且可以小于红色像素red的大小。各像素red、green、blue的中心部的滤色器层其高度可以相对低，各像素red、green、blue之间的边界部的滤色器层其高度可以相对高。即，各像素red、green、blue的边缘位置部的滤色器层其高度可以相对高。各像素red、green、blue的中心部的滤色器层可以具有恒定的高度，并且从中心部越是朝向边缘位置部，滤色器层的高度逐渐越变高。
107.如图7和图8所示，可以首先形成遮光部220，然后形成绿色过滤器230g。此时，绿色过滤器230g的中心部可以不与遮光部220重叠，并且绿色过滤器230g的边缘位置部可以与遮光部220重叠。不与遮光部220重叠的绿色过滤器230g的中心部其高度可以相对低，并且可以具有恒定的高度。与遮光部220重叠的绿色过滤器230g的边缘位置部其高度可以相对高，并且可以具有如下的形态，即，越是远离绿色过滤器230g的中心部，高度逐渐越变高，但是在最端部再次变低。即，绿色过滤器230g的边缘位置部与遮光部220重叠的同时，与中心部相比高度可以相对高。
108.如图9和图10所示，可以在形成遮光部220和绿色过滤器230g之后形成蓝色过滤器230b。此时，蓝色过滤器230b的边缘位置部可以与遮光部220重叠，且可以与绿色过滤器230g重叠。即，可以在遮光部220上设有绿色过滤器230g，并且在绿色过滤器230g上设有蓝色过滤器230b。蓝色过滤器230b的中心部可以不与遮光部220和绿色过滤器230g重叠。不与遮光部220和绿色过滤器230g重叠的蓝色过滤器230b的中心部其高度可以相对低，且可以具有恒定的高度。与遮光部220和绿色过滤器230g重叠的蓝色过滤器230b的边缘位置部其高度可以相对高，且可以具有如下的形态，即，越是远离蓝色过滤器230b的中心部，高度逐渐越变高，但是在最端部再次变低。即，蓝色过滤器230b的边缘位置部可以与遮光部220和绿色过滤器230g重叠的同时，与中心部相比高度可以相对高。
109.如图11和图12所示，可以在形成遮光部220、绿色过滤器230g和蓝色过滤器230b之后形成红色过滤器230r。此时，红色过滤器230r的边缘位置部可以与遮光部220重叠，且可以与绿色过滤器230g重叠。即，可以在遮光部220上设有绿色过滤器230g，且在绿色过滤器230g上设有红色过滤器230r。红色过滤器230r的中心部可以不与遮光部220和绿色过滤器230g重叠。不与遮光部220和绿色过滤器230g重叠的红色过滤器230r的中心部其高度可以相对低，并且可以具有恒定的高度。与遮光部220和绿色过滤器230g重叠的红色过滤器230r的边缘位置部其高度可以相对高，且可以具有如下的形态，越是远离红色过滤器230r的中心部，高度逐渐越变高，但是在最端部再次变低。即，红色过滤器230r的边缘位置部可以在与遮光部220和绿色过滤器230g重叠的同时，与中心部相比高度可以相对高。
110.如以上说明，可以利用滤色器层230与遮光部220的重叠关系，形成为滤色器层230的中心部具有凹陷的形状。即，可以具有滤色器层230的中心部其高度相对低且边缘位置部其高度相对高的形状。为了形成这种滤色器层230的形状，也可以利用其他各种方法。滤色器层230的中心部与边缘位置部的高度差越大，越有利于提高正面出光率。因此，为了将滤色器层230的中心部与边缘位置部的高度差形成得大，也可以利用半色调掩模等。通过利用半色调掩模，将滤色器层230的边缘位置部的厚度形成得比中心部的厚度厚，从而可以形成为滤色器层230的中心部具有凹陷的形状。
111.在前说明中，在图3中已在一实施例涉及的显示装置的各像素中示出了一个晶体管，但是并不限于此，一实施例涉及的显示装置的各像素可以包括多个晶体管。以下，参照图13，说明一实施例涉及的显示装置的一个像素所包括的多个晶体管与各布线的连接关系。
112.图13是一实施例涉及的显示装置的电路图。
113.如图13所示，一实施例涉及的显示装置的一个像素px包括与各布线127、128、151、152、153、154、155、171、172、741连接的多个晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6、t7、维持电容器
cst、升压电容器cbt以及发光元件led。
114.一个像素px与多个布线127、128、151、152、153、154、155、171、172、741连接。多个布线127、128、151、152、153、154、155、171、172、741包括第一初始化电压线127、第二初始化电压线128、第一扫描线151、第二扫描线152、初始化控制线153、旁路控制线154、发光控制线155、数据线171、驱动电压线172以及公共电压线741。
115.第一扫描线151与栅极驱动部(未图示)连接而将第一扫描信号gw传递至第二晶体管t2。第二扫描线152可以在与第一扫描线151的信号相同的时刻，被施加与施加到第一扫描线151的电压相反极性的电压。例如，在向第一扫描线151施加负极性的电压时，可以向第二扫描线152施加正极性的电压。第二扫描线152可以将第二扫描信号gc传递至第三晶体管t3。
116.初始化控制线153将初始化控制信号gi传递至第四晶体管t4。旁路控制线154将旁路信号gb传递至第七晶体管t7。旁路控制线154可以由前一级的第一扫描线151形成。发光控制线155将发光控制信号em传递至第五晶体管t5和第六晶体管t6。
117.数据线171是传递由数据驱动部(未图示)生成的数据电压data的布线，根据施加到像素px的数据电压data，发光元件led发光的亮度会变。
118.驱动电压线172施加驱动电压elvdd。第一初始化电压线127传递第一初始化电压vint，第二初始化电压线128传递第二初始化电压aint。公共电压线741将公共电压elvss施加到发光元件led的阴极。在本实施例中，施加到驱动电压线172、第一初始化电压线127及第二初始化电压线128以及公共电压线741的电压可以分别是恒定电压。
119.以下，具体说明多个晶体管的结构以及连接关系。
120.驱动晶体管t1可以具有p型晶体管特性，可以包括多晶半导体。驱动晶体管t1是根据施加到其栅电极的数据电压data来调节输出到发光元件led的阳极的电流的大小的晶体管。根据输出到发光元件led的阳极的驱动电流的大小，调节发光元件led的明亮度，因此可以根据施加到像素px的数据电压data来调节发光元件led的亮度。为此，驱动晶体管t1的第一电极被配置成可以接收驱动电压elvdd的施加，从而经由第五晶体管t5而与驱动电压线172连接。此外，驱动晶体管t1的第一电极还与第二晶体管t2的第二电极连接，从而还接收数据电压data的施加。另一方面，驱动晶体管t1的第二电极被配置成可以朝向发光元件led输出电流，从而经由第六晶体管t6而与发光元件led的阳极连接。此外，驱动晶体管t1的第二电极将施加到第一电极的数据电压data传递至第三晶体管t3。另一方面，驱动晶体管t1的栅电极与维持电容器cst的一电极(以下称为“第二维持电极”)连接。由此，根据存储在维持电容器cst中的电压，驱动晶体管t1的栅电极的电压会变化，从而驱动晶体管t1所输出的驱动电流被变更。此外，维持电容器cst还起到在一帧期间内将驱动晶体管t1的栅电极的电压维持恒定的作用。
121.第二晶体管t2可以具有p型晶体管特性，可以包括多晶半导体。第二晶体管t2是将数据电压data接收到像素px内的晶体管。第二晶体管t2的栅电极与第一扫描线151及升压电容器cbt的一电极(以下，称为“第一升压电极”)连接。第二晶体管t2的第一电极与数据线171连接。第二晶体管t2的第二电极与驱动晶体管t1的第一电极连接。若根据通过第一扫描线151传递的第一扫描信号gw中的负极性的电压，第二晶体管t2导通，则通过数据线171传递的数据电压data被传递至驱动晶体管t1的第一电极。
122.第三晶体管t3可以具有n型晶体管特性，可以包括氧化物半导体。第三晶体管t3电连接驱动晶体管t1的第二电极和驱动晶体管t1的栅电极。其结果，第三晶体管t3是将经由驱动晶体管t1改变数据电压data而得到的补偿电压传递至维持电容器cst的第二维持电极的晶体管。第三晶体管t3的栅电极与第二扫描线152连接，第三晶体管t3的第一电极与驱动晶体管t1的第二电极连接。第三晶体管t3的第二电极与维持电容器cst的第二维持电极、驱动晶体管t1的栅电极及升压电容器cbt的另一电极(以下，称为“第二升压电极”)连接。若第三晶体管t3因通过第二扫描线152接收的第二扫描信号gc中的正极性的电压而导通，则连接驱动晶体管t1的栅电极和驱动晶体管t1的第二电极，将施加到驱动晶体管t1的栅电极的电压传递至维持电容器cst的第二维持电极来存储到维持电容器cst中。
123.第四晶体管t4可以具有n型晶体管特性，可以包括氧化物半导体。第四晶体管t4起到将驱动晶体管t1的栅电极和维持电容器cst的第二维持电极初始化的作用。第四晶体管t4的栅电极与初始化控制线153连接，第四晶体管t4的第一电极与第一初始化电压线127连接。第四晶体管t4的第二电极经由第三晶体管t3的第二电极而与维持电容器cst的第二维持电极、驱动晶体管t1的栅电极及第二升压电极连接。若第四晶体管t4因通过初始化控制线153接收的初始化控制信号gi中的正极性的电压而导通，则此时，将第一初始化电压vint传递到驱动晶体管t1的栅电极以及维持电容器cst的第二维持电极。由此，驱动晶体管t1的栅电极的电压和维持电容器cst被初始化。
124.第五晶体管t5可以具有p型晶体管特性，可以包括多晶半导体。第五晶体管t5起到将驱动电压elvdd传递至驱动晶体管t1的作用。第五晶体管t5的栅电极与发光控制线155连接，第五晶体管t5的第一电极与驱动电压线172连接，第五晶体管t5的第二电极与驱动晶体管t1的第一电极连接。
125.第六晶体管t6可以具有p型晶体管特性，可以包括多晶半导体。第六晶体管t6起到将从驱动晶体管t1输出的驱动电流传递到发光元件led的作用。第六晶体管t6的栅电极与发光控制线155连接，第六晶体管t6的第一电极与驱动晶体管t1的第二电极连接，第六晶体管t6的第二电极与发光元件led的阳极连接。
126.第七晶体管t7可以具有p型晶体管特性，可以包括多晶半导体。第七晶体管t7起到将发光元件led的阳极初始化的作用。第七晶体管t7的栅电极与旁路控制线154连接，第七晶体管t7的第一电极与发光元件led的阳极连接，第七晶体管t7的第二电极与第二初始化电压线128连接。若第七晶体管t7因旁路信号gb中的负极性的电压而导通，则第二初始化电压aint被施加到发光元件led的阳极而进行初始化。
127.在上述中，说明了一个像素px包括七个晶体管t1至t7、一个维持电容器cst和一个升压电容器cbt的情况，但是并不限于此，晶体管的数量、电容器的数量以及它们的连接关系可以以各种方式变更。
128.在上述中，说明了驱动晶体管t1、第二晶体管t2、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7可以具有p型晶体管特性，并且第三晶体管t3和第四晶体管t4可以具有n型晶体管特性，但是并不限于此，各晶体管的特性可以以各种方式变更。例如，驱动晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7可以都具有p型晶体管特性。
129.在本实施例中，驱动晶体管t1可以包括多晶半导体。此外，第三晶体管t3和第四晶
体管t4可以包括氧化物半导体。第二晶体管t2、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7可以包括多晶半导体。但是，并不限于此，第二晶体管t2、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7中的至少任一个可以包括氧化物半导体。此外，也可以是所有晶体管包括多晶半导体。在本实施例中，第三晶体管t3和第四晶体管t4包括与驱动晶体管t1彼此不同的半导体物质，从而可以更稳定地进行驱动，可以提高可靠性。
130.如以上说明，在向第一扫描线151施加正极性的电压时，向第二扫描线152施加负极性的电压，并且在向第一扫描线151施加负极性的电压时，向第二扫描线152施加正极性的电压。即，施加到第二扫描线152的第二扫描信号gc由施加到第一扫描线151的第一扫描信号gw被反转的信号形成，因此在数据写入后，驱动晶体管t1的栅极电压被下拉。相反，第一扫描信号gw会将驱动晶体管t1的栅极电压上拉。因此，在写入黑色电压的情况下，可以减小黑色电压。在本实施例中，通过使升压电容器cbt位于施加第一扫描信号gw的第一扫描线151与驱动晶体管t1的栅电极之间，从而可以调节驱动晶体管t1的栅极电压来顺利地实现第二晶体管t2导通时的驱动晶体管t1的导通，由此可以将数据电压data顺利地传递至第三晶体管t3。因此，可以稳定地输出黑色电压。升压电容器cbt的电容越大，可以使驱动晶体管t1的栅极电压上升得越多。通过调节升压电容器cbt的电容，可以控制驱动晶体管t1的栅极电压。
131.以下，参照图14来说明一实施例涉及的显示装置。
132.由于图14所示的实施例涉及的显示装置与图1至图13所示的实施例涉及的显示装置相同的部分很多，因此省略对相同部分的说明。在本实施例中，滤色器层的位置以及形状与在前说明的实施例不同，以下进一步进行说明。
133.图14是一实施例涉及的显示装置的剖视图。
134.如图14所示，一实施例涉及的显示装置可以包括基板100、具有半导体131、栅电极124、源电极173和漏电极175的晶体管tft、栅极绝缘膜120、层间绝缘膜160、下部平坦化层180、像素电极191、发光层350、分隔壁370、公共电极270以及封装层400。此外，一实施例涉及的显示装置还可以包括感知绝缘层510、多个触摸电极520、540、第二触摸电极连接部541、遮光部220以及上部平坦化层550。
135.在前说明的实施例中滤色器层230位于感知绝缘层510上，但是在本实施例中，区别在于，滤色器层230位于感知绝缘层510的下方。在本实施例中，滤色器层230可以位于封装层400上。
136.封装层400可以包括第一无机封装层410和有机封装层420。有机封装层420可以包括沟槽421。沟槽421可以在有机封装层420的上部面形成为具有预定的深度。沟槽421可以与各像素的发光层350重叠。沟槽421的宽度可以与各像素的发光层350的宽度类似。例如，沟槽421的宽度可以与各像素的发光层350的宽度实质上相同。
137.在封装层400上可以设有滤色器层230。滤色器层230可以形成为填充沟槽421内。因此，滤色器层230的下部面的形状可以根据沟槽421的形状来决定。滤色器层230可以包括红色过滤器230r、绿色过滤器230g和蓝色过滤器230b。彼此相邻的滤色器层230的边缘位置可以彼此重叠。不同于在前说明的实施例，在本实施例中，滤色器层230可以包括具有高的折射率的物质。在本实施例中，滤色器层230的折射率可以在约1.65以上且约2.0以下。滤色器层230的折射率可以大于有机封装层420的折射率。
138.在滤色器层230上可以设有缓冲层501。在缓冲层501上可以设有第二触摸电极连接部541、感知绝缘层510和多个触摸电极520、540。在多个触摸电极520、540上可以设有遮光部220。在感知绝缘层510和遮光部220上可以设有上部平坦化层550。上部平坦化层550可以包括具有高折射率的透光性有机物。上部平坦化层550的折射率可以在约1.65以上且约2.0以下。上部平坦化层550的折射率可以大于感知绝缘层510的折射率。
139.在本实施例中，结构如下，即，滤色器层230具有比位于其下部的有机封装层420高的折射率，并且上部平坦化层550具有比位于其下部的感知绝缘层510高的折射率，从而可以变更由发光层350产生的光的路径来提高正面出光效率。
140.以上，详细说明了本发明的实施例，但是本发明的权利范围并不限于此，利用了权利要求书所定义的本发明的基本概念的本领域技术人员的各种变形以及改良形态均属于本发明的权利范围内。