技术特征：
1.一种减少水性系统中二氧化硅污垢的方法，其包含：将包含三价铁盐和镁盐的组合物添加到水性介质中，以在所述水性介质中沉淀二氧化硅并且形成沉淀的二氧化硅；和从所述水性介质中去除所述沉淀的二氧化硅的至少一部分，以形成水性上清液。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述三价铁盐为氯化铁、氯化铁水合物、聚氯化铁、硫酸铁、聚硫酸铁或其组合。3.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中所述镁盐为氧化镁、氯化镁、六水合氯化镁、硫酸镁、一水合硫酸镁、七水合硫酸镁、碳酸镁或其组合。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中在添加到所述水性介质中之前，所述组合物通过将所述三价铁盐和所述镁盐混合来制备。5.根据权利要求4中任一项所述的方法，其中所述镁盐为无水镁盐。6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述镁盐为氯化镁并且所述三价铁盐为氯化铁。7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述镁盐为硫酸镁并且所述三价铁盐为聚硫酸铁。8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中所述组合物以在约10ppm至约2,000ppm的范围内的量添加到所述水性介质中。9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其另外包含将基于聚丙烯酰胺的絮凝剂添加到所述水性介质中。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述基于聚丙烯酰胺的絮凝剂以约0.05ppm至约5ppm的量添加。11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中所述水性介质的ph为约9.5至约12.5。12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其另外包含将铝化合物添加到所述水性介质中。13.根据权利要求1至12中任一项所述的方法，其另外包含将所述水性上清液进料到过滤系统中，随后进料到逆渗透系统中。14.根据权利要求1至13中任一项所述的方法，其中所述水性介质的电导率为约100μs/cm至约100,000μs/cm并且二氧化硅浓度为约30mg/l至约250mg/l，并且所述水性介质另外包含防垢剂。15.根据权利要求1至14中任一项所述的方法，其中所述水性介质的温度为约10℃至约50℃。16.根据权利要求1至15中任一项所述的方法，其中所述水性介质以caco3计的总硬度为约0mg/l至约2,000mg/l。17.根据权利要求1至16中任一项所述的方法，其另外包含在添加所述组合物后搅拌所述水性介质。18.根据权利要求1至16中任一项所述的方法，其另外包含在添加所述组合物后添加碱。19.根据权利要求18所述的方法，其中所述碱为碱金属氢氧化物。
20.一种包含三价铁盐和镁盐的组合物的用途，其用于从水性介质中去除二氧化硅。
技术总结
提供一种减少水性系统中二氧化硅污垢的方法。所述方法包括将包括三价铁盐和镁盐的组合物添加到水性介质中，以在所述水性介质中沉淀二氧化硅并且形成沉淀的二氧化硅。所述方法还包括从所述水性介质中去除所述沉淀的二氧化硅的至少一部分，以形成水性上清液。以形成水性上清液。
技术研发人员：金宁 韩灵凤 于春波
受保护的技术使用者：埃科莱布美国股份有限公司
技术研发日：2020.08.31
技术公布日：2022/2/28
再多了解一些
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