前驱体源布置和原子层沉积设备的制作方法

技术特征：
1.一种用于原子层沉积反应器的前驱体源布置(2)，用于接纳前驱体容器(30)，其特征在于，所述前驱体源布置(2)包括：-阀室(40)，所述阀室(40)包括一个或多个供应阀(72)；-前驱体源室(20、20’)，所述前驱体源室(20、20’)具有在所述前驱体源室(20、20’)内部的前驱体容器空间(23)，用于接纳所述前驱体容器(30)；-所述前驱体源室(20、20’)包括前驱体源传热元件(22)，所述前驱体源传热元件(22)布置成加热在所述前驱体容器空间(23)内部的所述前驱体容器(30)；-所述阀室(40)包括阀室传热元件(50)，所述阀室传热元件(50)布置成加热所述阀室(40)内部的所述一个或多个阀(72)，并且所述阀室传热元件(50)布置成与所述前驱体源传热元件(22)传热接触，并布置成将热能从所述阀室(40)朝向所述前驱体源室(20、20’)传递。2.根据权利要求1所述的前驱体源布置(2)，其特征在于：-所述前驱体源室(20、20’)包括布置成加热所述前驱体源传热元件(22)的前驱体源加热器(24)，并且所述阀室(40)包括布置成加热所述阀室传热元件(50)的阀室加热器(52)；或者-所述前驱体源室(20、20’)包括布置成加热所述前驱体源传热元件(22)的前驱体源加热器(24)；或者-所述阀室(40)包括布置成加热所述阀室传热元件(50)的阀室加热器(52)。3.根据权利要求1或2所述的前驱体源布置(2)，其特征在于：-所述前驱体源室(20、20’)是气密室；或者-所述前驱体源室(20、20’)和所述阀室(40)是单独的气密室。4.根据权利要求1至3中任一项所述的前驱体源布置(2)，其特征在于：-所述阀室传热元件(50)布置成从所述阀室(40)延伸到所述前驱体源室(20、20’)；或者-所述前驱体源传热元件(22)布置成从所述前驱体源室(20、20’)延伸到所述阀室(40)。5.根据权利要求1至4中任一项所述的前驱体源布置(2)，其特征在于：-所述阀室传热元件(50)和所述前驱体源传热元件(22)布置成彼此接触；或者-所述阀室传热元件(50)和所述前驱体源传热元件(22)布置成在所述前驱体源室(20、20’)中彼此接触；或者-所述阀室传热元件(50)和所述前驱体源传热元件(22)布置成在所述阀室(40)中彼此接触。6.根据权利要求1至5中任一项所述的前驱体源布置(2)，其特征在于：-所述前驱体源传热元件(22)设置在所述前驱体源室(20、20’)的内表面上；或者-所述前驱体源传热元件(22)设置为所述前驱体源室(20、20’)的内表面上的内衬。7.根据权利要求1至6中任一项所述的前驱体源布置(2)，其特征在于：-所述前驱体源传热元件(22)布置成在所述前驱体源室(20、20’)的高度方向上或在所述前驱体源室(20、20’)中在竖向方向上延伸；或者-所述前驱体源传热元件(22)布置成在所述前驱体源室(20、20’)中在所述前驱体容器
空间(23)的底部(25)与上端部(26)之间的方向上延伸；或者-所述前驱体源传热元件(22)布置成在所述前驱体源室(20、20’)中从所述前驱体容器空间(23)的底部延伸到所述前驱体源空间(23)的上端部(26)。8.根据权利要求1至7中任一项所述的前驱体源布置(2)，其特征在于：-所述阀室传热元件(50)设置为所述阀室(40)中的传热板；或者-所述阀室传热元件(50)在所述阀室(40)内部设置在所述阀室(40)的底部上；或者-所述阀室传热元件(50)设置为所述阀室(40)内部的底板。9.根据权利要求1至8中任一项所述的前驱体源布置(2)，其特征在于：-所述阀室传热元件(50)布置成在水平方向上或在横向于竖向方向的方向上延伸；或者-所述阀室传热元件(50)布置成垂直于或横向于所述前驱体源传热元件(22)延伸。10.根据权利要求1至9中任一项所述的前驱体源布置(2)，其特征在于：-所述阀室传热元件(50)连接到所述前驱体源传热元件(22)的上端部；或者-所述前驱体源传热元件(22)布置成在竖向方向上延伸，并且所述阀室传热元件(50)布置成在水平方向上延伸，并且其特征在于，所述阀室传热元件(50)连接到所述前驱体源传热元件(22)的上端部；或者-所述前驱体源传热元件(22)的上端部连接到所述阀室传热元件(50)；或者-所述前驱体源传热元件(22)布置成在竖向方向上延伸，并且所述阀室传热元件(50)布置成在水平方向上延伸，并且其特征在于，所述前驱体源传热元件(22)的上端部连接到所述阀室传热元件(50)。11.根据权利要求1至10中任一项所述的前驱体源布置(2)，其特征在于，所述前驱体源布置(2)包括从所述前驱体源室(20、20’)延伸到所述阀室(40)的第一前驱体供应导管(70)，并且其特征在于：-所述前驱体源布置(2)包括支撑构件(29、60)，所述支撑构件(29、60)布置成与所述阀室传热元件(50)传热连接，所述第一前驱体供应导管(70)支撑到所述支撑构件(29、60)，以将热能从所述阀室传热元件(50)传递到所述第一前驱体供应导管(70)；或者-所述前驱体源布置(2)包括第一支撑构件(29)，所述第一支撑构件(29)布置成与所述前驱体源室(20、20’)内部的阀室传热元件(50)传热连接，所述第一前驱体供应导管(70)支撑到所述第一支撑构件(29)，以将热能从所述阀室传热元件(50)传递到所述第一前驱体供应导管(70)。12.根据权利要求1至11中任一项所述的前驱体源布置(2)，其特征在于，所述前驱体源室(20、20’)和所述阀室(40)抵靠着彼此布置，在抵靠着彼此布置的前驱体源室(20、20’)与阀室(40)之间设置有导通件，并且其特征在于，所述前驱体源布置(2)包括所述第一前驱体供应导管(70)，所述第一前驱体供应导管(70)经由所述导通件从所述前驱体源室(20、20’)延伸到所述阀室(40)，并且其特征在于：-所述导通件包括第二支撑构件(60)，所述第二支撑构件(60)布置成与所述阀室传热元件(50)传热连接，所述第一前驱体供应导管(70)支撑到所述第二支撑构件(60)，以将热能从所述阀室传热元件(50)传递到所述第一前驱体供应导管(70)；或者-所述前驱体源布置(2)包括所述第一支撑构件(29)，所述第一支撑构件(29)布置成与
所述前驱体源室(20、20’)内部的阀室传热元件(50)传热连接，并且所述导通件包括第二支撑构件(60)，所述第二支撑构件(60)布置成与所述阀室传热元件(50)传热连接，所述第一前驱体供应导管(70)支撑到所述第一支撑构件(29)和所述第二支撑构件(60)，以将热能从所述阀室传热元件(50)传递到所述第一前驱体供应导管(70)。13.根据权利要求1至12中任一项所述的前驱体源布置(2)，其特征在于，所述前驱体源室(20、20’)包括设置在所述前驱体源室(20、20’)内部和所述前驱体容器空间(23)上方的上部前驱体源空间(27)，并且其特征在于：-所述前驱体源布置(2)包括从所述前驱体源室(20、20’)延伸到所述阀室(40)的所述第一前驱体供应导管(70)，所述第一前驱体供应导管(70)布置成经由所述上部前驱体源空间(27)延伸到所述阀室(40)；或者-所述前驱体源布置(2)包括从所述前驱体源室(20、20’)延伸到所述阀室(40)的所述第一前驱体供应导管(70)和布置成与所述上部前驱体源空间(27)内部的阀室传热元件(50)传热连接的所述第一支撑构件(29)，所述第一前驱体供应导管(70)布置成经由所述上部前驱体源空间(27)延伸到所述阀室(40)，并支撑到所述第一支撑构件(29)，以将热能从所述阀室传热元件(50)传递到所述第一前驱体供应导管(70)。14.根据权利要求1至13中任一项所述的前驱体源布置(2)，其特征在于，所述阀室传热元件(50)布置成从所述阀室(40)延伸到所述前驱体源室(20、20’)，并且所述前驱体源布置(2)包括所述第一前驱体供应导管(70)，所述第一前驱体供应导管(70)从所述前驱体源室(20、20’)延伸到所述阀室传热元件(50)上方的阀室(40)。15.根据权利要求1至14中任一项所述的前驱体源布置(2)，其特征在于，所述一个或多个供应阀(72)附接到所述阀室(40)内部的阀室传热元件(50)。16.根据权利要求1至15中任一项所述的前驱体源布置(2)，其特征在于，所述阀室(40)包括布置到阀室壁(40)的前驱体供应连接件(78)以及从所述供应阀(72)延伸到所述前驱体供应连接件(78)的第二前驱体供应导管(76)，所述前驱体供应连接件在竖向方向上布置在所述阀室(40)中的所述供应阀(72)上方。17.根据权利要求1至16中任一项所述的前驱体源布置(2)，其特征在于，所述前驱体源布置(2)包括围绕所述前驱体源室(20、20’)和所述阀室(40)的前驱体源壳体(10)，所述前驱体源室(20、20’)和所述阀室(40)布置在所述前驱体源壳体(10)内部，并且所述前驱体源壳体(10)包括用于对所述前驱体源壳体(10)的内部进行通风的通风入口(12、14)和通风出口(16)。18.根据权利要求17所述的前驱体源布置(2)，其特征在于：-所述通风出口(16)在竖向方向上设置在所述前驱体源壳体(10)内部的所述通风入口(12)上方；或者-所述通风入口(12)在竖向方向上布置在所述前驱体源室(20、20’)下方，并且所述通风出口(16)在竖向方向上设置在所述前驱体源壳体(10)内部的所述通风入口(12)上方；或者-所述通风出口(16)在竖向方向上设置在所述阀室(40)上方，并且在竖向方向上设置在所述前驱体源壳体(10)内部的所述通风入口(12)上方；或者-所述通风入口(12)在竖向方向上布置在所述前驱体源室(20、20’)下方，并且所述通
风出口(16)在竖向方向上设置在所述阀室(40)上方，并且所述通风出口(16)在竖向方向上设置在所述前驱体源壳体(10)内部的所述通风入口(12)上方。19.根据权利要求1至18中任一项所述的前驱体源布置(2)，其特征在于，所述前驱体源布置(2)包括连接到所述阀室(40)的第一前驱体源室(20)以及连接到所述阀室(40)的第二前驱体源室(20’)，所述第一前驱体源室(20)和所述第二前驱体源室(20’)彼此相距一定距离，使得在所述第一前驱体源室(20)与所述第二前驱体源室(20’)之间设置有用于通风气体流动的流动间隙(80)。20.一种原子层沉积设备(1)，用于根据原子层沉积方法的原理处理基材，所述设备(1)包括：-真空室(8)；-反应室(9)，所述反应室在所述真空室(8)内部；-过程加热器(4)，所述过程加热器(4)布置在所述真空室(8)内部，用于加热所述真空室(8)内部的反应室(9)；-前驱体源布置(2)；-导通连接件(79)，所述导通连接件(79)设置到所述真空室(8)并从所述真空室(8)在所述真空室(8)与所述前驱体源布置(2)之间延伸；以及-第二前驱体供应导管(76)，所述第二前驱体供应导管(76)经由所述导通连接件(79)从所述前驱体源布置(2)延伸到所述真空室(8)内部，其特征在于，-所述前驱体源布置(2)是根据权利要求1至19中任一项所述的前驱体源布置；-所述前驱体源布置(2)包括前驱体供应连接件(78)；-所述第二前驱体供应导管(76)连接到所述前驱体供应连接件(78)；以及-所述前驱体供应连接件(78)连接到所述导通连接件(79)。

技术总结
本发明涉及用于原子层沉积反应器的前驱体源布置(2)和原子层沉积设备。前驱体源布置(2)包括阀室(40)，阀室(40)包括一个或多个供应阀(72)；以及前驱体源室(20、20’)，前驱体源室(20、20’)具有在前驱体源室(20、20’)内部的前驱体容器空间(23)。前驱体源室(20、20’)包括前驱体源传热元件(22)，其布置成加热在前驱体容器空间(23)内部的前驱体容器(30)。阀室(40)包括阀室传热元件(50)，其布置成加热阀室(40)内部的一个或多个阀(72)，并且阀室传热元件(50)布置成与前驱体源传热元件(22)传热接触。(50)布置成与前驱体源传热元件(22)传热接触。(50)布置成与前驱体源传热元件(22)传热接触。


技术研发人员：P
受保护的技术使用者：BENEQ有限公司
技术研发日：2020.06.26
技术公布日：2022/2/28