基于系统阻抗的电容分配的制作方法

基于系统阻抗的电容分配
1.交叉参考
2.本专利申请案要求巴德利(badrieh)在2020年8月10日申请的标题为“基于系统阻抗的电容分配(capacitance allocation based on system impedance)”的第16/989,555号美国专利申请案的优先权，所述申请案转让给其受让人，且其全部内容以引用的方式明确并入本文中。
技术领域
3.技术领域涉及基于系统阻抗的电容分配。


背景技术：

4.下文大体上涉及用于存储器的一或多个系统，且更具体来说，涉及基于系统阻抗的电容分配。
5.存储器装置广泛用于将信息存储在各种电子装置(例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似者)中。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元可被编程为两个支持的状态中的一者，通常由逻辑1或逻辑0表示。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两种状态，可存储其中的任一者。为存取所存储信息，组件可读取或感测存储器装置中的至少一种存储状态。为存储信息，组件可在存储器装置中写入状态或对状态进行编程。
6.存在各种类型的存储器装置及存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻性ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自选择存储器、硫族化物存储器技术及其它。存储器单元可为易失性或非易失性的。非易失性存储器(例如，feram)即使在不存在外部电源的情况下也可维持其存储的逻辑状态达延长时间段。易失性存储器装置(例如dram)可能在与外部电源断开连接时丢失其存储状态。


技术实现要素：

7.公开一种方法。所述方法可包含：通过第一电压轨将第一电压分布到使用垫与电路耦合的存储器裸片上的存储器单元阵列；在所述存储器裸片的所述垫处识别在所述第一电压轨将所述第一电压分布到所述存储器单元阵列时的持续时间内与所述电路相关联的阻抗；及至少部分地基于识别所述电路的所述阻抗将一或多个电容器与所述第一电压轨耦合。
8.公开一种设备。所述设备可包含：存储器单元阵列，其在存储器裸片上，所述存储器裸片使用垫与电路耦合；第一电压轨，其与所述存储器单元阵列耦合并经配置为将第一电压分布到所述存储器单元阵列；第二电压轨，其与所述存储器单元阵列耦合并经配置为将第二电压分布到所述存储器单元阵列；一或多个电容器，其选择性地可与所述第一电压轨及所述第二电压轨耦合；控制器，其经配置为识别与所述电路相关联的阻抗；及一或多个
开关，其经配置为至少部分地基于所述阻抗将所述一或多个电容器与所述第一电压轨或所述第二电压轨或两者耦合。
9.公开另一种设备。所述设备可包含：存储器单元阵列，其在存储器裸片上，所述存储器裸片使用垫与电路耦合；及控制器，其与所述存储器单元阵列耦合。所述控制器可为可操作以：使所述存储器裸片通过第一电压轨将第一电压分布到所述存储器单元阵列；在所述存储器裸片的所述垫处识别在所述第一电压轨将所述第一电压分布到所述存储器单元阵列时的持续时间内与所述电路相关联的阻抗；及至少部分地基于识别所述电路的所述阻抗将一或多个电容器与所述第一电压轨耦合。
附图说明
10.图1说明根据本文中所公开的实例的支持基于系统阻抗的电容分配的存储器裸片的实例。
11.图2说明根据本文中所公开的实例的支持基于系统阻抗的电容分配的电路的实例。
12.图3a说明根据本文中所公开的实例的支持基于系统阻抗的电容分配的系统的实例。
13.图3b说明根据本文中所公开的实例的支持基于系统阻抗的电容分配的系统的实例。
14.图4说明根据本文中所公开的实例的支持基于系统阻抗的电容分配的电路的实例。
15.图5展示根据本文中所公开的实例的支持基于系统阻抗的电容分配的存储器装置的框图。
16.图6展示根据本文中所公开的实例的支持基于系统阻抗的电容分配的方法或若干方法的流程图。
具体实施方式
17.存储器裸片可包含电力分布网络(pdn)，以将电力(例如，电压)分布到存储器裸片的各种组件。pdn可从一或多个电源或电压源接收电力，并且可使用一或多个电压“轨”(例如，导电路径)跨裸片分布电力或电压。每一电压轨可将特定的供应电压分布到存储器裸片的组件。例如，存储器裸片可包含用于将v
dd
供应电压分布到存储器裸片的v
dd
电压轨、用于将v
ss
供应电压分布到存储器裸片的v
ss
电压轨等。
18.每一电压轨可经配置以对存储器裸片上的组件供应单个电压(例如，恒定电压或直流(dc)电压)。存储器裸片可包含各种特征以帮助电压轨维持此恒定电压。例如，pdn可包含与电压轨耦合的电容器，以帮助电压轨在操作条件范围内维持其供应电压，并减少(或最小化)电压振荡。在一些情况下，此类电容器可在高需求的短持续时间内对电压轨提供额外电荷(例如，电压)，且因此包含此类电容器可在概念上类似于具有分布在整个pdn的小型辅助电源。在一些情况下，电压轨的性能是基于其维持相对恒定的供应电压及补偿归因于(例如)电压轨上的电流或功率需求而引起的电压变动的能力来评估的。电压轨的性能可受到存储器裸片中电路的阻抗以及与存储器裸片耦合的电路(例如，封装或板中的其它电路)的
阻抗影响。
19.与电压轨耦合的电容器的电容值及位置可基于存储器裸片及其中可使用所述存储器裸片的系统的各种特性来选择。例如，电容值及/或位置可基于与存储器裸片耦合的电路的阻抗来选择，其目的是使用适当的电容来补偿阻抗。阻抗可包含电路的电阻、电容或电感，所有这些都可影响电路的频率响应，并因此可影响用于实现电压轨的期望性能的电容。在一些情况下，与电压轨耦合的电容器的电容值可基于存储器裸片、封装或板的模拟或投影阻抗来选择。但是，归因于(例如)在制造期间可发生的工艺变动，每一物理存储器裸片、封装及板可具有稍微不同的阻抗。因此，在设计阶段期间选择的电容值或位置在一些系统中可能比在其它系统中更有效。
20.为了解决此类变动的影响，存储器裸片可经配置以基于识别(例如，测量、确定)其中使用存储器裸片的特定系统的阻抗来定制电压轨的电容。例如，存储器裸片可识别系统的阻抗，并基于所识别的阻抗将一或多个电容器与一或多个电压轨耦合。在一些情况下，存储器裸片可在存储器裸片物理安装在系统中之后而不是基于模拟或投影来识别系统的阻抗。
21.首先，在如参考图1及2描述的裸片及电路的上下文中描述本公开的特征。在如参考图3a、3b及4描述的系统及额外电路的上下文中描述本公开的特征。通过与如参考图5及6描述的基于系统阻抗的电容分配相关的设备图及流程图来进一步说明并对其进行参考来描述本公开的这些及其它特征。
22.图1说明根据本文中所公开的实例的支持基于系统阻抗的电容分配的存储器裸片100的实例。在一些实例中，存储器裸片100可被称为存储器芯片、存储器装置或电子存储器设备。存储器裸片100可包含一或多个存储器单元105，每一存储器单元可为可编程以存储不同逻辑状态(例如，经编程为一组两个或更多个可能状态中的一者)。举例来说，存储器单元105可为可操作以一次存储一位信息(例如，逻辑0或逻辑1)。在一些实例中，存储器单元105(例如，多电平存储器单元)可为可操作以一次存储多于一位信息(例如，逻辑00、逻辑01、逻辑10、逻辑11)。
23.存储器单元105可将表示可编程状态的电荷存储在电容器中。dram架构可包含电容器，其包含用以存储表示可编程状态的电荷的电介质材料。在其它存储器架构中，其它存储装置及组件是可能的。举例来说，可采用非线性电介质材料。存储器单元105可包含逻辑存储组件(例如电容器130)及开关组件135。电容器130可为电介质电容器或铁电电容器的实例。电容器130的节点可与电压源140耦合，电压源140可为单元板参考电压，例如vpl，或可为接地，例如vss。
24.存储器裸片100可包含以例如网格状图案的图案布置的一或多个存取线(例如，一或多个字线110及一或多个数字线115)。存取线可为与存储器单元105耦合的导电线，并且可用于对存储器单元105执行存取操作。在一些实例中，字线110可被称为行线。在一些实例中，数字线115可被称为列线或位线。在不失理解或操作的情况下，对存取线、行线、列线、字线、数字线或位线或其类似物的参考可互换。存储器单元105可定位在字线110及数字线115的交叉点处。
25.通过激活或选择例如字线110或数字线115中的一或多者的存取线，可对存储器单元105执行例如读取及写入的操作。通过偏置字线110及数字线115(例如，对字线110或数字
线115施加电压)，单个存储器单元105可在其交叉点处被存取。二维或三维配置中的字线110及数字线115的交叉点可被称为存储器单元105的地址。
26.可通过行解码器120或列解码器125来控制存取存储器单元105。举例来说，行解码器120可从本地存储器控制器160接收行地址并基于所接收行地址激活字线110。列解码器125可从本地存储器控制器160接收列地址并可基于所接收列地址激活数字线115。
27.选择或取消选择存储器单元105可通过使用字线110激活或解除激活开关组件135来实现。电容器130可使用开关组件135与数字线115耦合。举例来说，当开关组件135被解除激活时，电容器130可与数字线115隔离，并且当开关组件135被激活时，电容器130可与数字线115耦合。
28.感测组件145可为可操作以检测存储在存储器单元105的电容器130上的状态(例如，电荷)，并基于所存储状态确定存储器单元105的逻辑状态。感测组件145可包含一或多个感测放大器以放大或以其它方式转换源自存取存储器单元105的信号。感测组件145可将从存储器单元105检测到的信号与参考150(例如，参考电压)进行比较。存储器单元105的所检测到的逻辑状态可被提供为感测组件145的输出(例如，到输入/输出155)，并且可向包含存储器裸片100的存储器装置的另一组件指示所检测到的逻辑状态。
29.本地存储器控制器160可通过各种组件(例如，行解码器120、列解码器125、感测组件145)控制对存储器单元105的存取。在一些实例中，行解码器120、列解码器125及感测组件145中的一或多者可与本地存储器控制器160共同定位。本地存储器控制器160可为可操作以从一或多个不同存储器控制器(例如，与主机装置相关联的外部控制器)接收命令或数据中的一或多者，将所述命令或数据(或两者)转译为可由存储器裸片100使用的信息，对存储器裸片100执行一或多个操作，及基于执行所述一或多个操作将数据从存储器裸片100传达到主机装置。本地存储器控制器160可产生行信号及列地址信号以激活目标字线110及目标数字线115。本地存储器控制器160还可产生及控制在存储器裸片100的操作期间使用的各种电压或电流。一般来说，本文中所论述的所施加电压或电流的幅度、形状或持续时间可变化或对于在操作存储器裸片100时论述的各种操作可有所不同。
30.本地存储器控制器160可为可操作以对存储器裸片100的一或多个存储器单元105执行一或多个存取操作。存取操作的实例可包含写入操作、读取操作、刷新操作、预充电操作或激活操作等。在一些实例中，存取操作可由本地存储器控制器160响应于各种存取命令(例如，来自主机装置)执行或以其它方式由其协调。本地存储器控制器160可为可操作以执行此处未列出的其它存取操作，或与同存取存储器单元105不直接相关的存储器裸片100的操作相关的其它操作。
31.在一些实例中，存储器裸片100可经配置以基于识别(例如，测量、确定)其中使用存储器裸片100的特定系统的阻抗来定制电压轨的电容。例如，存储器裸片100可识别系统的阻抗，并基于所识别的阻抗将一或多个电容器与一或多个电压轨耦合。在一些情况下，存储器裸片100可在存储器裸片物理安装在系统中之后而不是基于模拟或投影来识别系统的阻抗。
32.图2说明根据本文中所公开的实例的支持存储器装置中的电容性组件的动态分配的电路200的实例。电路200可包含在存储器裸片中，例如参考图1描述的存储器裸片100中。电路200包含存储器单元阵列220，举例来说，存储器单元阵列220可包含在例如存储器裸片
100的存储器裸片中。
33.电路200可包含三个电压轨205，每一电压轨可包含连接在网格中的电阻元件210及(任选地)电容器215。每一电压轨205可使用裸片上电压源经由(例如)垫225(其可提供从裸片外或存储器装置外对电压轨的电存取)或经由直接电连接与对应供应电压源耦合。供应电压源可为(例如)电压调节器或电源，并且可经配置为对电压轨205供应(例如，施加)大体上恒定的供应电压。电压轨205可经配置为(例如)使用电阻网格来将由电压源施加的供应电压分布(例如，传送)到(例如，跨)存储器单元阵列220及/或存储器装置的其它部分。在一些情况下，电路200的垫225可与v
dd
电压源、v
ss
电压源、v
cc
电压源、v
pp
电压源或另一供应电压源耦合。在存储器装置的操作期间，此类供应电压源可对存储器单元阵列220及/或对存储器装置中的其它组件提供电力。
34.在一些情况下，供应电压可经由垫225提供给电压轨205。每一垫225可接收用于对应电压轨205的不同供应电压。例如，垫225-a可接收用于电压轨205-a的v
ss
电压，垫225-b可接收用于电压轨205-b的v
dd
电压及/或垫225-c可接收用于电压轨205-c的v
cc
电压。在一些情况下，两个电压轨205可与相同电压源耦合，或两个电压源可对两个对应的电压轨205供应相同的电压。即，电压轨205可用于将相同或不同的电压分布到存储器单元阵列220及/或存储器裸片的其它部分。
35.在一些情况下，电压轨205的电压可沿着电压轨205变化；即，电压轨205上的一个位置处的电压可不同于电压轨205上的另一位置处的电压。例如，归因于来自与电压轨205耦合的各种组件(例如存储器单元阵列220中的存储器单元)的电流或电压需求，或归因于沿电压轨205的寄生电容，电压轨205的在远离电压源的位置处的电压可低于电压轨205的更靠近电压源的电压。因此，电压轨205可被视为具有连接到电压轨205的各种电流源，其中每一电流源表示需要来自电压轨205的电流的组件(或多个组件)。
36.电压轨205可包含沿着电压轨205的电容器215，以通过对电压轨205供应额外电压或电荷来帮助补偿此类电压变动。此类电容器215可硬连线到电压轨205，并用作分布式电荷供应器，所述分布式电荷供应器可供应额外电荷以满足沿电压轨205的电流需求，从而避免将此需求传回电压源，此可导致轨上电压下降较大。
37.如参考图3a及3b描述，在一些情况下，存储器裸片可包含电容器，所述电容器可选择性地与一或多个电压轨(例如，电压轨205)耦合，以针对存储器裸片305驻留所在的特定系统(例如，封装、板)定制电压轨的电容。
38.图3a说明根据本文中所公开的实例的支持基于系统阻抗的电容分配的系统300-a的实例。系统300-a可包含存储器裸片305，例如，存储器裸片305可为存储器裸片100的实例。
39.存储器裸片305可包含在封装310中。在一些实例中，封装310可在物理情况下密封存储器裸片305(及可能密封额外电路或裸片)。封装310可包含外部电触点(例如，球)，其可用于将存储器裸片305的垫耦合到封装310外部的其它电路。此电路可包含与存储器裸片305电通信(例如，连接)的一或多个电组件，例如包含逻辑电路、模拟电路、电源电路或其它类型电路的组件。
40.存储器裸片305及/或封装310可包含在板315中。板315可为印刷电路板(pcb)或将封装310的外部电触点与板315上的其它电路(例如，其它电子组件、电源组件、封装或裸片)
电连接的另一类型的板。板315上的其它电路可与存储器裸片305电通信。
41.图3b说明根据本文中所公开的实例的支持基于系统阻抗的电容分配的系统300-b的实例。系统300-b可包含存储器裸片305、封装310及板315。在图3b中，存储器裸片305、封装310及板315以及系统300-b的其它元件的位置经布置以说明板315及封装310的阻抗对存储器裸片305的下游效应，而不是展示相对的物理位置。特定来说，板315及封装310的阻抗可影响提供到存储器裸片305的供应电压的频率行为，此又可影响存储器裸片305中对应电压轨的对应性能。
42.例如，板315可与电压源345耦合，电压源345可对板315供应(例如)vcc供应电压。板315又可对封装310提供vcc电压，封装310可安装在板315上。封装310可将vcc电压提供到存储器裸片305的垫320。存储器裸片305可使用裸片上pdn的电压轨330来将vcc电压分布到存储器裸片305上的一或多个存储器阵列，如参考图2描述。电压轨330可与电阻325及电容335相关联，电阻325及电容335可表示归因于物理电阻器及电容器而与电压轨330相关联的总电阻及电容，以及寄生电阻及电容。在垫320处看到(例如，在垫320处检测、测量、识别)的阻抗可包含与垫320耦合的电路(例如封装310及板315中的其它电路)的电阻、电容及电感，以及与电压轨330相关联的电阻325、电容335及任何电感。
[0043]vcc
电压可标称为dc电压(例如3.0伏，5.0伏，或另一电压)。然而，由存储器裸片305在垫320处实际接收的v
cc
电压可受到板315及封装310的阻抗影响。因此，裸片上pdn中的v
cc
电压轨330的性能(例如，其维持恒定电压及减小(或最小化)振荡或下降的能力)也可受到板315及封装310的阻抗以及电阻325及电容335引入的阻抗的影响。如前文论述，可在设计阶段期间选择电容335的电容值或物理位置，以抵消由板315及封装310引入的投影或模拟阻抗。但是，实际上，归因于(例如)工艺变动或其它影响，板315及封装310的阻抗可与模拟期间预测的值不同。
[0044]
为了补偿此类变动，存储器裸片305可识别(例如，测量、计算、估计)与同垫320耦合的电路(例如，板315、封装310或板315及封装310两者的部分或全部电路)相关联的阻抗，并基于所识别的阻抗改变与电压轨330相关联的电容335。即，存储器裸片305可在存储器裸片305的垫320处识别与同存储器裸片305耦合的电路相关联的阻抗。例如，如参考图4更详细地描述，存储器裸片305可通过将一或多个电容器与电压轨330耦合或解耦来改变电容335。在一些实例中，存储器裸片305可基于所识别的阻抗选择一或多个电容器，并将所述一或多个电容器与电压轨330耦合以改变电容335。存储器裸片305可基于电容器的电容、基于电容器在裸片上的物理位置或基于这两者来选择电容器。
[0045]
存储器裸片305(例如，存储器裸片305的控制器，例如本地存储器控制器160)可使用各种技术识别电路的阻抗。例如，存储器裸片305可在电压轨330将供应电压分布到存储器裸片305的存储器单元阵列时(例如，在其中的持续时间内)执行测试过程以对存储器单元阵列执行各种存储器存取操作(例如读取或写入)，并测量在与电压轨330耦合的节点340处的所得电流需求及输出电压v
out
。节点340可与垫320直接耦合或通过电阻325与垫320耦合。存储器裸片305可基于在节点340处测量的电流需求及测量的输出电压v
out
来计算阻抗。在一些实例中，存储器裸片305可通过确定节点340处根据时间变化、根据频率变化或两者的电流需求、电压vout或两者来识别阻抗。
[0046]
在一些实例中，存储器裸片305可通过将第一电压轨(例如，电压轨330)的性能与
第二电压轨的性能进行比较来识别阻抗，第二电压轨经配置为将第二供应电压分布到存储器单元阵列。例如，存储器裸片305可在第一及第二电压轨将相应供应电压分布到存储器单元阵列时对存储器裸片施加电流需求(例如，通过对存储器裸片执行需求电流的操作)，并确定存储器裸片305的裸片电压及裸片电流，例如第一及第二电压轨中的每一者的电压及电流。存储器裸片305可将第一电压轨的性能与第二电压轨的性能进行比较，以确定如何将电容分配给每一电压轨。例如，存储器裸片305可基于第一电压轨与第二电压轨的性能比较来识别与第一电压轨或第二电压轨耦合的一或多个电容器。以此方式，存储器裸片305可基于系统内电压轨的相对性能来定制与每一电压轨耦合的电容。
[0047]
在一些实例中，存储器裸片305可基于第一电压轨与第二电压轨的性能比较来将电容器从第一电压轨解耦及将所述电容器与第二电压轨耦合。
[0048]
图4说明根据本文中所公开的实例的支持基于系统阻抗的电容分配的电路400的实例。例如，电路400可表示存储器裸片(例如存储器裸片100)的一部分。
[0049]
在一些实例中，存储器裸片可包含一或多个电容器，所述电容器可基于与存储器裸片耦合的电路的阻抗与第一电压轨或第二电压轨选择性地耦合(例如，分配到第一电压轨或第二电压轨)。例如，存储器裸片305可基于电路的阻抗将一些或全部电容器与第一电压轨或第二电压轨耦合，使得基于系统的总阻抗及每一电压轨的相对性能将电容分配到电压轨。电路400可描绘用于将一或多个电容器与第一电压轨或第二电压轨选择性地耦合的电路的实例。
[0050]
电路400包含第一电压轨405-a，其经配置以将第一供应电压(例如，v1)分布到存储器阵列。电路400包含第二电压轨405-b，其经配置以将第二供应电压(例如，v2)分布到存储器阵列。
[0051]
电路400包含一或多个电容器415。每一电容器415可与电容值及存储器裸片上的物理位置相关联。电容器415可接地；即，电容器415的一个板可与接地节点420耦合。电容器415的另一板可通过分别激活开关410-a或开关410-b而与电压轨405-a或电压轨405-b选择性地耦合。
[0052]
在一些实例中，开关410可使用(例如，可包含)可逆开关(例如，晶体管)来实施。在一些实例中，开关410可使用非可逆开关(例如，熔丝或反熔丝)或使用开关式熔丝来实施。在一些实例中，熔丝可指当满足阈值时断开导电路径的熔丝或当满足阈值时创建导电路径的反熔丝。
[0053]
在一些实例中，电容器415可与电压轨405-a或电压轨405-b耦合，但不与电压轨405-a、405-b两者耦合。即，开关410-a可被激活(如图4中展示)，或开关410-b可被激活，但是开关410-a及410-b可不同时被激活。在一些实例中，开关410-a及开关410-b可同时被激活。
[0054]
图5展示根据本文中所公开的实例的支持基于系统阻抗的电容分配的存储器装置505的框图500。存储器装置505可为参考图1到4所描述的存储器裸片或存储器装置的方面的实例。存储器装置505可包含电压分布组件510、阻抗识别组件515、电容器耦合组件520及轨性能组件525。这些模块中的每一者可直接或间接地彼此通信(例如，经由一或多个总线)。
[0055]
电压分布组件510可使用第一电压轨将第一电压分布到使用垫与电路耦合的存储
器裸片上的存储器单元阵列。在一些实例中，电压分布组件510可在将第一电压轨与一或多个电容器耦合之后将第一电压分布到存储器单元阵列。
[0056]
阻抗识别组件515可在存储器裸片的垫处识别在第一电压轨将第一电压分布到存储器单元阵列的持续时间内与电路相关联的阻抗。在一些情况下，电路包含与存储器裸片电通信的一或多个组件。在一些实例中，阻抗识别组件515可将存储器裸片的第一电压轨的性能与第二电压轨的性能进行比较，其中第二电压轨经配置为将第二电压分布到存储器单元阵列。
[0057]
电容器耦合组件520可基于识别电路的阻抗将一或多个电容器与第一电压轨耦合。在一些实例中，电容器耦合组件520可基于第一电压轨的性能与第二电压轨的性能的比较来识别一或多个电容器，其中将所述一或多个电容器与第一电压轨耦合是基于识别所述一或多个电容器。
[0058]
在一些实例中，电容器耦合组件520可基于所述比较将一或多个电容器中的第一电容器从第二电压轨解耦，其中第一电容器在所述持续时间的至少一部分期间与第二电压轨耦合，且其中耦合一或多个电容器包含在将第一电容性组件从第二电压轨解耦之后将第一电容性组件与第一电压轨耦合。在一些实例中，电容器耦合组件520可激活一或多个开关以将一或多个电容器与第一电压轨耦合。在一些实例中，激活一或多个开关包含设置一或多个熔丝或反熔丝。
[0059]
轨性能组件525可通过对存储器裸片施加电流需求并基于施加电流需求来确定裸片电流及裸片电压来识别第一电压轨及第二电压轨的性能，其中阻抗是基于确定裸片电流及确定裸片电压来确定的。
[0060]
在一些实例中，轨性能组件525可使用频域分析、时域分析或其组合来识别第一电压轨的性能及第二电压轨的性能，其中基于所述识别来比较第一电压轨的性能及第二电压轨的性能。
[0061]
图6展示根据本文中所公开的实例的支持基于系统阻抗的电容分配的方法或若干方法600的流程图。方法600的操作可通过如本文描述的存储器裸片或存储器装置或其组件来实施。举例来说，方法600的操作可由参考图5描述的存储器裸片或存储器装置来执行。在一些实例中，存储器装置可执行一组指令以控制存储器装置的功能元件以执行所描述功能。额外地或替代地，存储器装置可使用专用硬件来执行所描述功能的方面。
[0062]
在605，存储器装置可使用第一电压轨将第一电压分布到使用垫与电路耦合的存储器裸片上的存储器单元阵列。605的操作可根据本文中描述的方法来执行。在一些实例中，605的操作的方面可由参考图5所描述的电压分布组件执行。
[0063]
在610，存储器装置可在存储器裸片的垫处识别在第一电压轨将第一电压分布到存储器单元阵列的持续时间内与电路相关联的阻抗。610的操作可根据本文中描述的方法来执行。在一些实例中，610的操作的方面可由参考图5所描述的阻抗识别组件执行。
[0064]
在615，存储器装置可基于识别电路的阻抗将一或多个电容器与第一电压轨耦合。615的操作可根据本文中描述的方法来执行。在一些实例中，615的操作的方面可由参考图5所描述的电容器耦合组件执行。
[0065]
在一些实例中，如本文中描述的设备可执行方法或若干方法，例如方法600。所述设备可包含特征、构件或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒
体)，其用于：通过第一电压轨将第一电压分布到使用垫与电路耦合的存储器裸片上的存储器单元阵列；在所述存储器裸片的所述垫处识别在所述第一电压轨将所述第一电压分布到所述存储器单元阵列时的持续时间内与所述电路相关联的阻抗；及基于识别所述电路的所述阻抗将一或多个电容器与所述第一电压轨耦合。
[0066]
在本文中描述的方法600及设备的一些实例中，识别阻抗可包含操作、特征、构件或指令，其用于将存储器裸片的第一电压轨的性能与第二电压轨的性能进行比较，其中第二电压轨可经配置为将第二电压分布到存储器单元阵列，及基于所述比较识别一或多个电容器，其中将一或多个电容器与第一电压轨耦合可基于识别所述一或多个电容器。
[0067]
本文中描述的方法600及设备的一些实例可进一步包含操作、特征、构件或指令，其用于通过对存储器裸片施加电流需求并基于施加所述电流需求来确定裸片电流及裸片电压来识别第一电压轨及第二电压轨的性能，其中阻抗可基于确定裸片电流及确定裸片电压来确定。
[0068]
本文中描述的方法600及设备的一些实例可进一步包含操作、特征、构件或指令，其用于使用频域分析、时域分析或其组合来识别第一电压轨的性能及第二电压轨的性能，其中可基于所述识别来比较第一电压轨的性能及第二电压轨的性能。
[0069]
本文中描述的方法600及设备的一些实例可进一步包含操作、特征、构件或指令，其用于基于所述比较将一或多个电容器中的第一电容器从第二电压轨解耦，其中第一电容器可在所述持续时间的至少一部分期间与第二电压轨耦合，且其中耦合一或多个电容器包含在将第一电容性组件从第二电压轨解耦之后将第一电容性组件与第一电压轨耦合。
[0070]
在本文中描述的方法600及设备的一些实例中，将一或多个电容器与第一电压轨耦合可包含用于激活一或多个开关以将一或多个电容器与第一电压轨耦合的操作、特征、构件或指令。
[0071]
在本文中描述的方法600及设备的一些实例中，将一或多个电容器与第一电压轨耦合可包含用于设置一或多个熔丝或反熔丝的操作、特征、构件或指令。
[0072]
在本文中描述的方法600及设备的一些实例中，电路包含与存储器裸片电通信的一或多个组件。
[0073]
在本文中描述的方法600及设备的一些实例可进一步包含用于在将第一电压轨与一或多个电容器耦合之后，通过第一电压轨将第一电压分布到存储器单元阵列的操作、特征、构件或指令。
[0074]
应注意，上文描述的方法描述可能的实施方案，并且可重新布置或以其它方式修改操作及步骤，并且其它实施方案是可能的。此外，可组合来自方法中的两者或更多者的部分。
[0075]
描述一种设备。所述设备可包含：存储器单元阵列，其在存储器裸片上，所述存储器裸片使用垫与电路耦合；第一电压轨，其与所述存储器单元阵列耦合并经配置为将第一电压分布到所述存储器单元阵列；第二电压轨，其与所述存储器单元阵列耦合并经配置为将第二电压分布到所述存储器单元阵列；一或多个电容器，其选择性地可与所述第一电压轨及所述第二电压轨耦合；控制器，其经配置为识别与所述电路相关联的阻抗；及一或多个开关，其经配置为基于所述阻抗将所述一或多个电容器与所述第一电压轨或所述第二电压轨或两者耦合。
[0076]
在一些实例中，所述一或多个开关包含一或多个晶体管，所述晶体管经配置以将所述一或多个电容器与所述第一电压轨或所述第二电压轨耦合。
[0077]
在一些实例中，所述一或多个开关包含一或多个熔丝，所述熔丝经配置以基于设置所述一或多个熔丝将所述一或多个电容器与所述第一电压轨或所述第二电压轨耦合。
[0078]
在一些实例中，所述控制器可经配置以基于识别所述阻抗来设置所述一或多个熔丝。
[0079]
在一些实例中，所述电路及所述存储器裸片可包含在电路板中。在一些实例中，所述电路及所述存储器裸片可容纳在单个封装中。
[0080]
描述一种设备。所述设备可包含：存储器单元阵列，其在存储器裸片上，所述存储器裸片使用垫与电路耦合；及控制器，所述控制器与所述存储器单元阵列耦合且可操作以：使所述存储器装置通过第一电压轨将第一电压分布到所述存储器单元阵列；在所述存储器裸片的所述垫处识别在所述第一电压轨将所述第一电压分布到所述存储器单元阵列时的持续时间内与所述电路相关联的阻抗；及基于识别所述电路的所述阻抗将一或多个电容器与所述第一电压轨耦合。
[0081]
一些实例可进一步包含将存储器裸片的第一电压轨的性能与第二电压轨的性能进行比较，其中第二电压轨可经配置为将第二电压分布到存储器单元阵列，及基于所述比较识别一或多个电容器，其中将一或多个电容器与第一电压轨耦合可基于识别所述一或多个电容器。
[0082]
一些实例可进一步包含通过对存储器裸片施加电流需求并基于施加所述电流需求确定裸片电流及裸片电压来识别第一电压轨的性能及第二电压轨的性能，其中阻抗可基于确定裸片电流及确定裸片电压来确定。
[0083]
一些实例可进一步包含使用频域分析或时域分析来识别第一电压轨的性能及第二电压轨的性能，其中可基于所述识别来比较第一电压轨的性能及第二电压轨的性能。
[0084]
一些实例可进一步包含基于所述比较将一或多个电容器中的第一电容性组件从第二电压轨解耦，其中第一电容性组件可在可识别第一电压轨的性能及第二电压轨的性能时的至少一部分期间与第二电压轨耦合，其中耦合一或多个电容器包含在将第一电容性组件从第二电压轨解耦之后将第一电容性组件与第一电压轨耦合。
[0085]
一些实例可进一步包含激活一或多个开关以将一或多个电容器与第一电压轨耦合。一些实例可进一步包含设置一或多个熔丝以将一或多个电容器与第一电压轨耦合。
[0086]
在一些实例中，电路包含与存储器裸片电通信的一或多个组件。
[0087]
一些实例可进一步包含在将第一电压轨与一或多个电容器耦合之后，通过第一电压轨将第一电压分布到存储器单元阵列。
[0088]
本文中所描述的信息及信号可使用各种不同科技及技术中的任一者来表示。举例来说，可贯穿上文描述引用的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号及芯片可由电压、电流、电磁波、磁场或磁性粒子、光场或光学粒子或其任何组合来表示。一些图可将信号说明为单个信号；但是，所述信号可表示信号总线，其中所述总线可具有各种位宽度。
[0089]
术语“电子通信”、“导电接触”、“连接”及“耦合”可指支持组件之间的信号流动的组件之间的关系。如果组件之间存在可在任何时间支持组件之间的信号流动的任何导电路径，那么可认为组件彼此电子通信(或彼此导电接触或连接或耦合)。在任何给定时间，基于
包含经连接组件的装置的操作，彼此电子通信(或彼此导电接触或连接或耦合)的组件之间的导电路径可为开路或闭路。经连接组件之间的导电路径可为组件之间的直接导电路径，或经连接组件之间的导电路径可为可包含中间组件(例如开关、晶体管或其它组件)的间接导电路径。在一些实例中，经连接组件之间的信号流动可例如使用一或多个中间组件(例如开关或晶体管)来中断一段时间。
[0090]
术语“耦合”指从组件之间的开路关系(其中信号当前不能够通过导电路径在组件之间传达)转变为组件之间的闭路关系(其中信号能够通过导电路径在组件之间传达)的条件。当例如控制器的组件将其它组件耦合在一起时，组件引发允许信号通过先前不允许信号流动的导电路径在其它组件之间流动的改变。
[0091]
术语“隔离”指其中信号当前无法在组件之间流动的组件之间的关系。如果组件之间存在开路，那么其彼此隔离。举例来说，当定位于两个组件之间的开关断开时，由所述开关分离的组件彼此隔离。当控制器隔离两个组件时，控制器引起阻止信号使用先前允许信号流动的导电路径在组件之间流动的改变。
[0092]
本文中所论述的装置(包含存储器阵列)可形成于半导体衬底(例如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等)上。在一些实例中，衬底是半导体晶片。在其它实例中，衬底可为绝缘体上硅(soi)衬底，例如玻璃上硅(sog)或蓝宝石上硅(sop)，或另一衬底上的半导体材料的外延层。可通过使用各种化学物种(包含但不限于：磷、硼或砷)的掺杂来控制衬底或衬底子区域的导电性。掺杂可在衬底的初始形成或生长期间通过离子植入或通过任何其它掺杂方法而执行。
[0093]
本文中所讨论的开关可为可设置(例如，“熔断”)以电隔离两个电元件或组件(例如电容器及电压轨)的熔丝的实例，或为可设置(例如，“熔断”)以电耦合两个电元件或组件的反熔丝的实例。
[0094]
本文中论述的开关或晶体管可表示场效晶体管(fet)且包括包含源极、漏极及栅极的三端子装置。端子可通过导电材料(例如金属)连接到其它电子元件。源极及漏极可为导电的且可包括重度掺杂(例如退化)半导体区域。源极及漏极可由轻度掺杂半导体区域或沟道分离。如果沟道是n型(即，大多数载子是电子)，那么fet可称为n型fet。如果沟道是p型(即，大多数载子是空穴)，那么fet可称为p型fet。沟道可由绝缘栅极氧化物覆盖。可通过将电压施加到栅极来控制沟道导电性。例如，将正电压或负电压分别施加到n型fet或p型fet可导致沟道变成导电的。当将大于或等于晶体管阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可为“接通”或“激活”的。当将小于晶体管阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可为“关断”或“解除激活”的。
[0095]
结合附图在本文中阐述的描述对实例配置进行描述且不表示可实施或在权利要求书的范围内的全部实例。本文中使用的术语“示范性”意味着“充当实例、例子或说明”而非“优选”或“比其它实例有利”。详细描述包含用于提供对所描述技术的理解的特定细节。但是，可在没有这些特定细节的情况下实践这些技术。在一些例子中，以框图形式展示众所周知结构及装置以免模糊所描述的实例的概念。
[0096]
在附图中，类似组件或特征可具有相同元件符号。此外，可通过在参考标记之后加上破短划线及在类似组件当中进行区分的第二标记而区分相同类型的各种组件。如果在说明书中仅使用第一参考标记，那么描述适用于具有相同第一参考标记的类似组件中的任一
者而不考虑第二参考标记。
[0097]
可使用各种不同科技及技术的任何者来表示本文中所描述的信息及信号。举例来说，在整个以上描述中可引用的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号及芯片可由电压、电流、电磁波、磁场或磁性粒子、光场或光学粒子或其任何组合表示。
[0098]
可使用经设计以执行本文中描述的功能的通用处理器、数字信号处理器(dsp)、特定应用集成电路(asic)、场可编程门阵列(fpga)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其任何组合来实施或执行结合本文的公开内容描述的各种说明性块及模块。通用处理器可为微处理器，但在替代例中，处理器可为任何处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器还可实施为计算装置的组合(例如dsp及微处理器的组合、多个微处理器、结合dsp核心的一或多个微处理器或任何其它此类配置)。
[0099]
本文中描述的功能可在硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合中实施。如果在由处理器执行的软件中实施，那么可将功能作为一或多个指令或代码存储于计算机可读媒体上或经由计算机可读媒体传输。其它实例及实施方案在本公开及随附权利要求书的范围内。举例来说，归因于软件的性质，可使用由处理器执行的软件、硬件、固件、硬接线或这些中的任意者的组合来实施上文描述的功能。实施功能的特征还可在物理上定位在各种位置处，包含经分布使得在不同物理位置处实施功能的部分。此外，如本文中使用，包含权利要求书中，如在项目列表(例如，前面标有例如“中的至少一者”或“中的一或多者”的短语的项目列表)中使用的“或”指示包含性列表，使得(例如)a、b或c中的至少一者的列表意味着a或b或c或ab或ac或bc或abc(即，a及b及c)。此外，如本文中使用，短语“基于”不应理解为对一组封闭条件的引用。举例来说，在不脱离本公开的范围的情况下，描述为“基于条件a”的示范性步骤可基于条件a及条件b两者。换句话说，如本文中使用，短语“基于”应以与短语“至少部分基于”的相同方式来理解。
[0100]
计算机可读媒体包含非暂时性计算机存储媒体及通信媒体两者，其包含促进计算机程序从一个位置转移到另一位置的任何媒体。非暂时性存储媒体可为可由通用或专用计算机存取的任何可用媒体。举例来说(但不限于)，非暂时性计算机可读媒体可包括ram、rom、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)、压缩光盘(cd)rom或其它光盘存储器、磁盘存储器或其它磁性存储装置或可用于承载或存储呈指令或数据结构的形式的所要程序代码构件且可由通用或专用计算机或通用或专用处理器存取的任何其它非暂时性媒体。此外，任何连接被适当称为计算机可读媒体。例如，如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(dsl)或无线技术(例如红外线、无线电及微波)从网站、服务器或其它远程源传输软件，那么同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(dsl)或无线技术(例如红外线、无线电及微波)被包含于媒体的定义中。如本文中所使用，磁盘及光盘包含cd、激光光盘、光盘、数字多功能光盘(dvd)、软盘及蓝光光盘，其中磁盘通常磁性地复制数据，而光盘使用激光来光学地复制数据。上述的组合也包含于计算机可读媒体的范围内。
[0101]
提供本文中的描述来使所属领域的技术人员能够制造或使用本发明。所属领域的技术人员将明白对本公开的各种修改，且在不脱离本公开的范围的情况下，本文中定义的一般原理可应用到其它变型。因此，本公开不限于本文中描述的实例及设计，而符合与本文中公开的原理及新颖特征一致的最广范围。