图案形成方法与流程

技术特征：
1.一种在基片形成图案的图案形成方法，其特征在于，包括：准备的基片的步骤，其中，所述基片在基体上形成有呈凸状且线状地设置的多个芯材、和分别在所述芯材的一侧及另一侧呈凸状且线状地设置的第一线材及第二线材；通过包含各向异性成膜的处理，在所述第一线材和所述第二线材中的任一者选择性地形成掩模材的步骤；通过包含使用线掩模的蚀刻的处理，以蚀刻的方式除去要进行线切割的区域中的所述第一线材和所述第二线材中没有形成所述掩模材的一侧的步骤，其中，所述线掩模在与该区域对应的部分具有线状的孔；以及除去所述芯材的步骤。2.如权利要求1所述的图案形成方法，其特征在于：在所述第一线材和所述第二线材中的任一者选择性地形成掩模材的步骤包括：通过所述各向异性成膜，在所述第一线材及所述第二线材中的任一者和所述芯材上形成掩模材的处理；以及在整个面形成了填充材后，通过回刻或cmp除去所述芯材上的掩模材，使所述掩模材仅保留在所述第一线材和所述第二线材中的任一者的处理。3.如权利要求1或2所述的图案形成方法，其特征在于：蚀刻所述第一线材和所述第二线材中的没有形成所述掩模材的一侧的步骤包括：在整个面形成填充材、第一掩模层和第二掩模层的处理；通过使用所述线掩模的蚀刻，以蚀刻的方式除去所述要进行线切割的区域的所述第二掩模层的处理；以及将所述第二掩模层作为掩模，以蚀刻的方式除去所述要进行线切割的区域的所述第一掩模层、所述填充材、以及所述第一线材和所述第二线材中的任一者的处理。4.一种在基片形成图案的图案形成方法，其特征在于，包括：准备基片的步骤，其中，所述基片在基体上形成有呈凸状且线状地设置的多个芯材、和分别在所述芯材的一侧及另一侧呈凸状且线状地设置的第一线材及第二线材；通过包含各向异性成膜的处理，在所述第二线材选择性地形成掩模材的步骤；通过包含使用线掩模的蚀刻的处理，以蚀刻的方式除去要将所述第一线材线切割的区域中的所述第一线材的步骤，其中，该线掩模在与要将所述第一线材线切割的区域对应的部分具有线状的孔；通过包含各向异性成膜的处理，在所述第一线材选择性地形成掩模的步骤；通过包含使用线掩模的蚀刻的处理，以蚀刻的方式除去要将所述第二线材线切割的区域中的所述第二线材的步骤，其中，该线掩模在与要将所述第二线材线切割的区域对应的部分具有线状的孔；以及除去所述芯材的步骤。5.如权利要求4所述的图案形成方法，其特征在于：形成sti槽形成用的图案。6.如权利要求4或5所述的图案形成方法，其特征在于：在所述第二线材选择性地形成掩模的步骤包括：通过所述各向异性成膜，在所述第二线材和所述芯材上形成掩模材的处理；以及
在整个面形成了填充材后，通过回刻或cmp除去所述芯材上的掩模材，使所述掩模材仅保留在所述第二线材的处理。7.如权利要求4～6中任一项所述的图案形成方法，其特征在于：以蚀刻的方式除去所述第一线材的步骤包括：在整个面形成填充材、第一掩模层和第二掩模层的处理；通过使用所述线掩模的蚀刻，以蚀刻的方式除去要将所述第一线材线切割的区域的所述第二掩模层的处理；以及将所述第二掩模层作为掩模，以蚀刻的方式除去要将所述第一线材线切割的区域的所述第一掩模层、所述填充材和所述第一线材的处理。8.如权利要求4～7中任一项所述的图案形成方法，其特征在于：在所述第一线材选择性地形成掩模的步骤包括：通过所述各向异性成膜，在所述第一线材和所述芯材上形成掩模材的处理；以及在整个面形成了填充材后，通过回刻或cmp除去所述芯材上的掩模材，使所述掩模材仅保留在所述第一线材的处理。9.如权利要求4～8中任一项所述的图案形成方法，其特征在于：以蚀刻的方式除去所述第二线材的步骤包括：在整个面形成填充材、第一掩模层和第二掩模层的处理；通过使用所述线掩模的蚀刻，以蚀刻的方式除去要将所述第二线材线切割的区域的所述第二掩模层的步骤；以及将所述第二掩模层作为掩模，以蚀刻的方式除去要将所述第二线材线切割的区域的所述第一掩模层、所述填充材和所述第二线材的步骤。10.如权利要求1～9中任一项所述的图案形成方法，其特征在于：所述各向异性成膜是对基片在倾斜方向上供给成膜颗粒的倾斜成膜。11.如权利要求10所述的图案形成方法，其特征在于：所述倾斜成膜是使从倾斜配置的靶材倾斜地释放的溅射颗粒沉积在移动的基片上的溅射。12.如权利要求1～11中任一项所述的图案形成方法，其特征在于：作为所述芯材、所述第一线材和所述第二线材、以及所述掩模材，使用从包括si、ti、zr、al、w、wc、wsi、hf、sic、c、ta、它们的氧化物、氮化物的组中适当选择的材料。13.如权利要求12所述的图案形成方法，其特征在于：作为所述芯材、所述第一线材和所述第二线材、以及所述掩模材，使用从包括sio2、sin、si、tin、w、wsi和wc的组中选择的材料。14.如权利要求13所述的图案形成方法，其特征在于：所述芯材由si形成，所述第一线材和所述第二线材由sin形成，所述掩模材由tin或sio2形成。15.如权利要求1～14中任一项所述的图案形成方法，其特征在于：所述芯材、所述第一线材和所述第二线材隔着转印层设置在所述基体上。16.如权利要求15所述的图案形成方法，其特征在于：作为所述转印层，具有sin膜和sio2膜。

技术总结
本发明提供一种图案形成方法，其能够高精度且不使工序复杂化地进行线材的线切割以形成所希望的图案。在基片形成图案的图案形成方法包括：准备的基片的步骤，其中，所述基片在基体上形成有呈凸状且线状地设置的多个芯材、和分别在所述芯材的一侧及另一侧呈凸状且线状地设置的第一线材及第二线材；通过包含各向异性成膜的处理，在所述第一线材和所述第二线材中的任一者选择性地形成掩模材的步骤；通过包含使用线掩模的蚀刻的处理，以蚀刻的方式除去要进行线切割的区域中的所述第一线材和所述第二线材中没有形成所述掩模材的一侧的步骤，其中，所述线掩模在与要进行线切割的区域对应的部分具有线状的孔；以及除去所述芯材的步骤。骤。骤。


技术研发人员：石桥翔太
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：2021.08.02
技术公布日：2022/2/23