基板支承部件及具有基板支承部件的基板处理装置及方法与流程

1.本发明涉及支承基板的基板支承部件及具有基板支承部件的基板处理装置及方法。更具体地，涉及在清洗基板时支承基板的基板支承部件及具有基板支承部件的基板处理装置及方法。


背景技术：

2.可以通过在基板上形成预定的图案来制造半导体元件。当在基板上形成预定的图案时，可以在半导体制造设备中连续地执行多个工艺。
3.通常，可以将半导体制造设备所在的空间定义为fab。可以在这种fab的内部顺序地执行以下工艺：在半导体基板上形成膜的沉积工艺(deposition process)、对膜进行平坦化的抛光工艺(polishing process)、在膜上形成光刻胶图案的光刻工艺(photo-lithography process)、利用光刻胶图案将膜形成为具有电特性的图案的蚀刻(etching process)工艺、向半导体基板的预定的区域注入特定离子的离子注入工艺(ion implantation process)、去除半导体基板上的污染源的清洗工艺(cleaning process)、以及对形成有图案的半导体基板的表面进行检查的检查工艺。


技术实现要素：

4.当利用药液来清洗基板时，需要调节基板上的电荷。在现有技术中，通过将支承基板的导向销和设置在卡盘的内部的电机轴接地来调节基板上的电荷。
5.然而，当以这种方式调节电荷时，需要在卡盘的内部单独设置与导向销电连接的铝板。
6.此外，电阻能力可能根据导向销的材质而变化，因此，可能发生蚀刻速率(er；etching rate)厚度(thickness)及边缘(edge)偏差。
7.此外，由于在卡盘的内部没有能够控制接地电阻值的系统，所以电荷可能无差别地流出。
8.本发明要解决的技术问题是提供利用可变电阻器来控制导向销和支承销的接地电阻值，从而能够调节基板上的电荷的流动的基板支承部件及具有基板支承部件的基板处理装置及方法。
9.本发明的技术问题不限于以上提及的技术问题，本领域的技术人员可以通过下面的记载明确地理解未提及的其它技术问题。
10.用于解决上述技术问题的本发明的基板支承部件的一个方面包括：主体；支承销，设置在所述主体上，并且支承所述基板；导向销，设置在所述主体上，并且支承所述基板；以及电荷控制装置，控制所述支承销与第一电阻器之间的电连接以及所述导向销与第二电阻器之间的电连接，以控制所述基板的周围的电荷。
11.所述电荷控制装置可以包括：所述第一电阻器，设置在连接所述支承销和接地端的第一线路上；第一开关，设置在所述第一线路上，并且切换所述支承销与所述第一电阻器
之间的电连接；所述第二电阻器，设置在连接所述导向销和所述接地端的第二线路上；第二开关，设置在所述第二线路上，并且切换所述导向销与所述第二电阻器之间的电连接；以及控制部，控制所述第一开关和所述第二开关的切换。
12.所述第一电阻器可以设置在连接所述支承销和接地端的第一线路上，所述第二电阻器可以设置在连接所述导向销和所述接地端的第二线路上，并且所述第一电阻器和所述第二电阻器中的至少一者可以设置在所述基板支承部件中。
13.在所述第一电阻器设置为多个的情况下，可以根据多个第一电阻器中的与所述支承销电连接的第一电阻器的数量来控制所述电荷的电荷量，和/或在所述第二电阻器设置为多个的情况下，可以根据多个第二电阻器中的与所述导向销电连接的第二电阻器的数量来控制所述电荷的电荷量。
14.所述第一电阻器可以设置在连接所述支承销和接地端的第一线路上，并且多个第一电阻器可以并联连接，和/或所述第二电阻器可以设置在连接所述导向销和所述接地端的第二线路上，并且多个第二电阻器可以并联连接。
15.在所述多个第一电阻器并联连接的情况下，所述多个第一电阻器可以具有彼此不同的电阻值，和/或在所述多个第二电阻器并联连接的情况下，所述多个第二电阻器可以具有彼此不同的电阻值。
16.所述第一电阻器可以设置在连接所述支承销和接地端的第一线路上，并且多个第一电阻器中的至少一部分第一电阻器可以串联连接，和/或所述第二电阻器可以设置在连接所述导向销和接地端的第二线路上，并且多个第二电阻器中的至少一部分第二电阻器可以串联连接。
17.在所述第一电阻器设置为多个的情况下，多个第一电阻器中的至少两个第一电阻器可以具有彼此不同的电阻值，并且可以利用所述至少两个第一电阻器来精确地控制所述电荷的电荷量，和/或在所述第二电阻器设置为多个的情况下，多个第二电阻器中的至少两个第二电阻器可以具有彼此不同的电阻值，并且可以利用所述至少两个第二电阻器来精确地控制所述电荷的电荷量。
18.至少一个所述支承销可以与所述第一电阻器电连接，和/或至少一个所述导向销可以与所述第二电阻器电连接。
19.所述第一电阻器和所述第二电阻器中的至少一个电阻器可以是可变电阻器。
20.所述第一电阻器和所述第二电阻器可以设置在所述主体的内部。
21.在所述基板的周围积聚的电荷可以用于处理所述基板。
22.所述电荷控制装置可以在利用药液来清洗所述基板时控制电荷。
23.所述电荷控制装置可以在所述药液供给到所述基板的上部的情况下控制所述导向销与所述第二电阻器之间的电连接。
24.所述电荷控制装置可以在所述药液供给到所述基板的上部和下部的情况下控制所述支承销与所述第一电阻器之间的电连接。
25.所述电荷控制装置还可以控制所述导向销与所述第二电阻器之间的电连接。
26.所述支承销与所述第一电阻器之间的第一电连接可以为多个，并且所述电荷控制装置可以控制多个第一电连接中的至少一个第一电连接，和/或所述导向销与所述第二电阻器之间的第二电连接可以为多个，并且所述电荷控制装置可以控制多个第二电连接中的
至少一个第二电连接。
27.所述电荷控制装置可以基于所述基板的蚀刻速率来控制所述至少一个第一电连接和/或所述至少一个第二电连接。
28.所述电荷控制装置可以在所述基板被供给所述药液之前控制电荷。
29.所述电荷控制装置可以在所述药液供给到所述基板期间，以时间差反复控制电荷。
30.用于解决上述技术问题的本发明的基板支承部件的另一个方面包括：主体；支承销，设置在所述主体上，并且支承所述基板；导向销，设置在所述主体上，并且支承所述基板；以及电荷控制装置，控制所述支承销与第一电阻器之间的电连接以及所述导向销与所述第二电阻器之间的电连接，以控制所述基板的周围的电荷，其中，所述电荷控制装置在所述基板被供给所述药液之前以及所述药液供给到所述基板时控制电荷，并且在所述药液供给到所述基板期间，以时间差反复控制电荷。
31.用于解决上述技术问题的本发明的基板处理装置的一个方面包括：支承部件，所述支承部件包括主体、设置在所述主体上并且支承所述基板的支承销、以及设置在所述主体上并且支承所述基板的导向销；喷射部件，向所述基板的上表面供给药液；后喷嘴，向所述基板的底表面供给药液；以及电荷控制装置，控制所述支承销与第一电阻器之间的电连接以及所述导向销与第二电阻器之间的电连接，以控制所述基板的周围的电荷。
32.所述基板处理装置可以是利用所述药液来清洗所述基板的装置。
33.用于解决上述技术问题的本发明的基板处理方法的一个方面包括以下步骤：第一步骤：在处理基板之前，控制所述基板的周围的电荷的电荷量；以及第二步骤：在处理所述基板的过程中，控制所述基板的周围的电荷的电荷量。
34.所述第二步骤可以包括：利用药液来处理所述基板，并且在所述药液供给到所述基板期间，以时间差反复控制电荷的电荷量。
35.其它实施例的具体事项包括在详细的说明及附图中。
附图说明
36.图1是示意性地示出用于清洗基板的基板处理系统的内部构造的平面图。
37.图2是示意性地示出设置在图1的工艺腔体内的基板处理装置的内部构造的剖视图。
38.图3是示意性地示出根据本发明第一实施例的设置在支承部件上的电荷控制装置的视图。
39.图4是示意性地示出根据本发明第二实施例的设置在支承部件上的电荷控制装置的视图。
40.图5是示意性地示出根据本发明第三实施例的设置在支承部件上的电荷控制装置的视图。
41.图6是示意性地示出根据本发明第四实施例的设置在支承部件上的电荷控制装置的视图。
42.图7是示意性地示出根据本发明第五实施例的设置在支承部件上的电荷控制装置的视图。
43.图8是示意性地示出根据本发明第六实施例的设置在支承部件上的电荷控制装置的视图。
44.图9是示意性地示出根据本发明第七实施例的设置在支承部件上的电荷控制装置的视图。
45.图10是利用导向销来控制电荷的情况的示例图。
46.图11是利用支承销来控制电荷的情况的第一示例图。
47.图12是利用支承销来控制电荷的情况的第二示例图。
48.图13是示出在基板处理工艺时使用连接到支承销和导向销的电阻器的情况的示例图。
49.附图标记的说明
50.200：基板处理装置
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210：杯体
51.220：支承部件
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221：主体
52.222：支承销
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223：导向销
53.224：第一支承轴
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230：升降单元
54.240：喷射部件
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250：控制器
55.300：电荷控制装置
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310：第一开关
56.320、320a、320b：第一电阻器
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330：第二开关
57.340、340a、340b：第二电阻器
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350：控制部
58.360：接地端
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410：电荷
59.w：基板
具体实施方式
60.下面，将参照附图详细说明本发明的优选的实施例。本发明的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法将通过参照下面与附图一起详细描述的实施例而变得清楚。然而，本发明并不限于以下所公开的实施例，而是能够以彼此不同的多种形态实现，本实施例只是为了使本发明的公开完整，并向本发明所属技术领域的普通技术人员完整地告知发明的范围而提供的，本发明仅由权利要求书的范围限定。在整个说明书中，相同的附图标记指代相同的构成要素。
61.元件或层等被称为在另一个元件或层“上(on)”或“上方(on)”不仅包括其在另一个元件或层的正上方，而且还包括其它层或其它元件介于中间的情况。相反，元件被称为“直接”在另一个元件“上”或者在另一个元件的正上方表示没有其它元件或层介于中间的情况。
62.为了容易地描述如图所示的一个元件或构成要素与另一个元件或构成要素的相关关系，可以使用空间相对术语“下方(below)”、“下面(beneath)”、“下部(lower)”、“上方(above)”、“上部(upper)”等。应该理解的是，除了图中所示的方向之外，空间相对术语是还包括元件在使用或操作时的彼此不同的方向的术语。例如，当图中所示的元件被翻转时，被描述为在另一个元件的“下方(below)”或“下面(beneath)”的元件可以位于另一个元件的“上方(above)”。因此，示例性的术语“下方”可以包括下方和上方两种方向。元件也可以以另一个方向定向，因此空间相对术语可以根据定向进行解释。
63.虽然术语“第一”、“第二”等用于描述各种元件、构成要素和/或部分，但是这些元件、构成要素和/或部分显然不被这些术语所限制。这些术语仅用于区分一个元件、构成要素和/或部分与另一个元件、构成要素和/或部分。因此，以下提及的第一元件、第一构成要素或第一部分在本发明的技术思想之内显然也可以是第二元件、第二构成要素或第二部分。
64.本说明书中使用的术语是为了说明实施例，并不是为了限制本发明。在本说明书中，除非在句中特别提及，单数形式也包括复数形式。说明书中使用的“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”不排除除了所提及的构成要素、步骤、操作和/或元件之外存在或增加一个以上的其它构成要素、步骤、操作和/或元件。
65.如果没有其它定义，则在本说明书中使用的所有术语(包括技术和科学术语)可以以本发明所属领域的普通技术人员能够共同理解的含义所使用。此外，在通常使用的词典中定义的术语，除非明确地特别定义，否则不被理想地或过度地解释。
66.以下，参照附图详细说明本发明的实施例，在参照附图说明时，与附图标记无关地，相同或对应的构成要素被赋予相同的参照标号，并省略对其的重复说明。
67.本发明涉及利用可变电阻器来控制导向销和支承销的接地电阻值，从而能够调节基板上的电荷的流动的基板支承部件及具有基板支承部件的基板处理装置。
68.以下，将参照附图详细地说明本发明。
69.图1是示意性地示出用于清洗基板的基板处理系统的内部构造的平面图。
70.参照图1，基板处理系统100可以构成为包括索引模块110和工艺处理模块120。
71.索引模块110和工艺处理模块120可以在一个方向上顺序地排列。在本实施例中，将索引模块110和工艺处理模块120的排列的方向定义为第一方向10。此外，当从上方观察时，将垂直于第一方向10的方向定义为第二方向20，并且将垂直于包括第一方向10和第二方向20的平面的方向定义为第三方向30。
72.索引模块110布置在工艺处理模块120的前方。这种索引模块110可以构成为包括装载端口111和移送框架112。
73.装载端口111安放容纳有基板的载体130。这种装载端口111可以在移送框架112的前方设置为多个，并且多个装载端口111可以沿着第二方向20布置成一列。
74.图1示出了四个装载端口111设置在索引模块110中。然而，本实施例不限于此。装载端口111的数量可以根据工艺处理模块120的工艺效率和占用空间等的条件而增加或减少。
75.载体130容纳多个基板(例如，晶片)。这种载体130可以具有设置在其内部以支承基板的边缘的槽(未示出)。
76.槽可以在第三方向30上设置为多个。此时，基板可以沿着第三方向30以彼此隔开的状态层叠而位于载体130内。例如，载体130可以被实现为前开口统一舱(foup；front opening unified pod)。
77.移送框架112在安放于装载端口111的载体130与缓冲单元121之间搬运基板。这种移送框架112可以构成为包括索引轨道113和索引机器人114。
78.索引轨道113提供索引机器人114移动的路径。这种索引轨道113可以布置成其长度方向与第二方向20平行。
79.索引机器人114直接搬运基板。这种索引机器人114可以设置在索引轨道113上，并且可以在索引轨道113上沿着第二方向20直线移动。
80.索引机器人114可以构成为包括第一基座114a、第一本体114b和索引臂114c。其中，第一基座114a可以设置为可沿着索引轨道113移动。
81.第一本体114b可以结合到第一基座114a。第一本体114b可以设置为可在第一基座114a上沿着第三方向30移动。此外，第一本体114b也可以设置为可在第一基座114a上旋转。
82.索引臂114c可以结合到第一本体114b，并且可以设置为相对于第一本体114b可前进和后退地移动。这种索引臂114c可以在第一本体114b上设置为多个，并可以设置为各自单独被驱动。
83.多个索引臂114c可以沿着第三方向30以彼此隔开的状态层叠布置。在多个索引臂114c中，其一部分可以在从工艺处理模块120向载体130搬运基板时使用，且另一部分可以在从载体130向工艺处理模块120搬运基板时使用。如果多个索引臂114c被如此构成，则可以得到防止从工艺处理之前的基板产生的粒子在索引机器人114搬入和搬出基板的过程中附着到工艺处理之后的基板的效果。
84.工艺处理模块120可以构成为包括缓冲单元121、移送腔体122和工艺腔体125。
85.缓冲单元121提供基板在移送框架112与移送腔体122之间被搬运之前停留的空间。为此，缓冲单元121可以布置在移送框架112与移送腔体122之间。
86.缓冲单元121的内部可以设置有安放基板的槽(未示出)。槽可以在缓冲单元121内设置为多个，并且多个槽可以设置为沿着第三方向30相互隔开。此外，在缓冲单元121中，面对移送框架112的表面、面对移送腔体122的表面等可以各自敞开。
87.移送腔体122在缓冲单元121与工艺腔体125之间搬运基板。这种移送腔体122可以构成为包括导轨123和主机器人124。此外，移送腔体122也可以在彼此不同的两个工艺腔体125之间搬运基板。
88.导轨123提供主机器人124移动的路径。这种导轨123可以布置为其长度方向与第一方向10平行。
89.主机器人124直接搬运基板。这种主机器人124可以设置在导轨123上，并且可以在导轨123上沿着第一方向10直线移动。
90.主机器人124可以构成为包括第二基座124a、第二本体124b和主臂124c。其中，第二基座124a可以设置为可沿着导轨123移动。
91.第二本体124b可以结合到第二基座124a。第二本体124b可以设置为可在第二基座124a上沿着第三方向30移动。此外，第二本体124b也可以设置为可在第二基座124a上旋转。
92.主臂124c可以结合到第二本体124b，并且可以设置为相对于第二本体124b可前进和后退地移动。这种主臂124c可以在第二本体124b上设置为多个，并可以设置为各自单独被驱动。
93.多个主臂124c可以沿着第三方向30以彼此隔开的状态层叠布置。在多个主臂124c中，其一部分可以在从缓冲单元121向工艺腔体125搬运基板时使用，且另一部分也可以在从工艺腔体125向缓冲单元121搬运基板时使用。
94.移送腔体122可以布置为其长度方向与第一方向10平行。此时，可以沿着第二方向20在移送腔体122的两侧分别布置多个工艺腔体125，并且也可以在移送腔体122的各侧沿
着第一方向10布置多个工艺腔体125。
95.多个工艺腔体125可以彼此层叠布置。即，多个工艺腔体125可以在移送腔体122的一侧以x*y的排列方式布置。其中，x是1以上的自然数，意味着沿着第一方向10设置为一列的工艺腔体125的数量，且y是1以上的自然数，意味着沿着第三方向30设置为一列的工艺腔体125的数量。
96.例如，在工艺腔体125在移送腔体122的一侧设置为四个的情况下，四个工艺腔体125可以布置成2*2的排列，且在工艺腔体125在移送腔体122的一侧设置为六个的情况下，六个工艺腔体125可以布置成3*2的排列。
97.此外，工艺腔体125的数量可以增加或减少。此外，工艺腔体125可以仅设置在移送腔体122的一侧，或者也可以在移送腔体122的一侧或两侧设置为单层。
98.基板处理装置利用药液对基板进行清洗处理。这种基板处理装置可以设置在工艺腔体125内。
99.图2是示意性地示出设置在图1的工艺腔体内的基板处理装置的内部构造的剖视图。以下的说明参照图1和图2。
100.基板处理装置200可以设置为在多个工艺腔体125内具有相同的构造。然而，本实施例不限于此。基板处理装置200也可以根据药液的种类、工艺方式的种类等设置为在多个工艺腔体125内具有不同的构造。
101.多个工艺腔体125可以被区分为多个组。在这种情况下，属于同一组的工艺腔体内的基板处理装置可以具有相同的构造，且属于不同组的工艺腔体内的基板处理装置可以具有不同的构造。
102.例如，在属于第一组的第一工艺腔体布置在移送腔体122的一侧、且属于第二组的第二工艺腔体设置在移送腔体122的另一侧的情况下，第一工艺腔体内的基板处理装置之间可以具有相同的构造，且第二工艺腔体内的基板处理装置之间可以具有相同的构造。而且，第一工艺腔体内的基板处理装置可以具有与第二工艺腔体内的基板处理装置不同的构造。
103.此外，例如，在属于第三组的第三工艺腔体布置在移送腔体122的一侧和另一侧各自的下层、且属于第四组的第四工艺腔体布置在移送腔体122的一侧和另一侧各自的上层的情况下，第三工艺腔体内的基板处理装置之间可以具有相同的构造，且第四工艺腔体内的基板处理装置之间可以具有相同的构造。而且，第三工艺腔体内的基板处理装置可以具有与第四工艺腔体内的基板处理装置不同的构造。
104.例如，如图2所示，基板处理装置200可以包括杯体210、支承部件220、升降单元230、喷射部件240和控制器250。
105.杯体210提供处理基板w的空间。这种杯体210可以形成为其上部敞开。
106.杯体210可以构成为包括内部回收桶211、中间回收桶212和外部回收桶213。此时，回收桶211、212、213中的每一个可以回收在工艺中使用的处理液中彼此不同的处理液。
107.内部回收桶211可以设置为围绕支承部件220的环的形状。此时，内部回收桶211的内侧空间214可以起到使处理液流入内部回收桶211的流入口的功能。
108.中间回收桶212可以设置为围绕内部回收桶211的环的形状。此时，内部回收桶211与中间回收桶212之间的空间215可以起到使处理液流入中间回收桶212的流入口的功能。
109.外部回收桶213可以设置为围绕中间回收桶212的环的形状。此时，中间回收桶212与外部回收桶213之间的空间216可以起到使处理液流入外部回收桶213的流入口的功能。
110.回收桶211、212、213中的每一个可以分别与在其底表面的向下方向上垂直延伸的回收管线217、218、219连接。回收管线217，218，219中的每一个可以将通过回收桶211，212，213中的每一个流入的处理液排出到外部。排出到外部的处理液可以通过处理液再生系统(未示出)进行处理以再使用。
111.支承部件220在工艺进行过程中支承基板w并旋转基板w。这种支承部件220可以布置在杯体210的内部。
112.支承部件220可以构成为包括主体221、支承销(support pin)222、导向销(guide pin)223和第一支承轴224。
113.当从上方观察时，主体221可以具有大致设置为圆形的上表面。这种主体221的底表面上可以固定地结合有可由电机225旋转的第一支承轴224。此外，主体221的上面可以设置有后喷嘴(未示出)。
114.支承销222在主体221上支承基板w的底表面。这种支承销222可以在主体221上设置为多个。
115.多个支承销222可以形成为从主体221的上表面向上突出。此外，多个支承销222可以在主体221的上表面的边缘以预定的间隔隔开布置。例如，多个支承销222可以布置为通过彼此之间的组合整体上具有环的形状。多个支承销222可以通过这种构造支承基板w的后表面的边缘，使得基板w与主体221的上表面隔开一定的距离。
116.导向销223也被称为卡盘销(chuck pin)，其支承基板w的侧部，使得当支承部件220旋转时，基板w不会从正位置向侧方向脱离。这种导向销223可以像支承销222一样在主体221上设置为多个，并且可以形成为从主体221的上表面向上突出。
117.导向销223可以布置为比支承销222更远离主体221的中心。导向销223可以设置为可沿着主体221的半径方向在等待位置与支承位置之间直线移动。其中，等待位置意味着比支承位置更远离主体221的中心的位置。
118.导向销223可以在基板w被装载到支承部件220或基板w从支承部件220被卸载时位于等待位置，且在对基板w执行工艺时位于支承位置。导向销223可以在支承位置处与基板w的侧部接触。
119.升降单元230在竖直方向上直线移动杯体210。随着杯体210在竖直方向上直线移动，杯体210相对于支承部件220的相对高度可以改变。
120.升降单元230可以构成为包括支架231、移动轴232和第一驱动器233。
121.支架231固定地设置在杯体210的外壁。这种支架231可以与通过第一驱动器233在竖直方向上移动的移动轴232结合。
122.当将基板w放置在支承部件220上或从支承部件220提升时，杯体210可以下降，使得支承部件220向杯体210的上部突出。此外，当工艺进行时，可以根据供给到基板w的处理液的种类调节杯体210的高度，使得处理液流入已设定的回收桶211、212、213。
123.例如，在用第一处理液处理基板w的过程中，基板w可以位于与内部回收桶211的内侧空间214对应的高度。此外，在用第二处理液处理基板w的过程中，基板w可以位于与内部回收桶211和中间回收桶212之间的空间215对应的高度。此外，在用第三处理液处理基板w
的过程中，基板w可以位于与中间回收桶212和外部回收桶213之间的空间216对应的高度。
124.此外，升降单元230也可以在竖直方向上移动支承部件220而不是杯体210。
125.喷射部件240在基板处理工艺时向基板w供给处理液。为此，喷射部件240可以构成为包括喷嘴支承杆241、喷嘴242、第二支承轴243和第二驱动器244。
126.喷射部件240可以设置为一个或多个。在喷射部件240设置为多个的情况下，药液、清洗液、有机溶剂等可以通过彼此不同的喷射部件240来提供。清洗液可以是第一流体，且有机溶剂可以是异丙醇蒸气和惰性气体的混合物或异丙醇液体。
127.喷嘴支承杆241的长度方向可以沿着第二方向20设置。喷嘴支承杆241可以在与第二支承轴243的长度方向垂直的方向上连接到第二支承轴243的一端。第二驱动器244可以结合到第二支承轴243的另一端。
128.喷嘴242可以设置在喷嘴支承杆241的末端的底表面。这种喷嘴242可以通过第二驱动器244移动到工艺位置和等待位置。其中，工艺位置意味着能够使喷嘴242向基板w上喷射处理液的、支承部件220的垂直上方区域，且等待位置意味着除了支承部件220的垂直上方区域之外的区域，即，从支承部件220的垂直上方区域向外侧脱离的区域。
129.第二支承轴243的长度方向可以沿着第三方向30设置。这种第二支承轴243其下端可以连接到第二驱动器244。
130.第二驱动器244使第二支承轴243进行旋转和升降运动。这种第二驱动器244可以连接到控制器250，并且可以被控制器250控制。
131.此外，在图2中示出了控制器250连接到第二驱动器244。然而，本实施例不限于此。控制器250不仅可以连接到第二驱动器244，而且还可以连接到第一驱动器233以控制第一驱动器233。
132.在利用药液来清洗基板的情况下，未剥离(un-strip)和蚀刻速率(er；etching rate)取决于药液的流速、特性、导电性、表面张力等，并且可以由于各个装置、基板的种类和配方(recipe)等而每一瞬间都改变。
133.为了防止发生未剥离并改善er，可以调节基板上的电荷。但是，在基板处理装置200内部的有限空间中反复进行基板处理过程的情况下，其内部的材料因喷射、摩擦、感应等各种起电而持续积累过量的
±
kv，从而会引发静电放电(esd；electro static discharge)。因此，需要能够在处理基板时防止esd现象的技术。
134.此外，由于各种起电和离子化效果，药液的内部可以具有电荷。然而，还没有能够利用此时的电荷来防止发生未剥离并控制er和esd的技术。
135.此外，存在难以监测由支承部件220的周边材料和环境因素引起的静电力的问题。
136.在本实施例中，可以利用可变电阻器来控制支承销222和导向销223的接地电阻值，从而有效地调节基板w上的电荷的流动。下面对此进行详细说明。
137.图3是示意性地示出根据本发明第一实施例的设置在支承部件上的电荷控制装置的视图。
138.参照图3，电荷控制装置300可以构成为包括第一开关310、第一电阻器320、第二开关330、第二电阻器340和控制部350。
139.电荷控制装置300通过选择性地切换控制分别连接到支承销222和导向销223的多个电阻器来控制基板的周围的电荷。这种电荷控制装置300可以设置在支承部件220的内部
和其外部。
140.第一开关310电连接支承销222与第一电阻器320。第一开关310可以设置在连接支承销222、第一电阻器320和接地端360的线路上，并且可以在此线路上设置在支承销222与第一电阻器320之间。
141.第一开关310可以根据控制部350的控制而切换，以电连接支承销222与第一电阻器320。例如，如果第一开关310被控制部350设定为接通(switching on)，则支承销222与第一电阻器320电连接。此时，位于基板w的周围的电荷依次经过支承销222和第一电阻器320移动到接地端360，因此可以减少存在于基板w的周围的电荷量。
142.相反地，如果第一开关310被控制部350设定为断开(switching off)，则支承销222不与第一电阻器320电连接。因此，位于基板w的周围的电荷不能移动到接地端360，并且可以维持存在于基板w的周围的电荷量。
143.第一开关310可以设置在支承部件220的主体221的内部。然而，本实施例不限于此。只要能够与支承销222电连接，第一开关310也可以设置在支承部件220的主体221的外部。
144.第一电阻器320在连接支承销222和接地端360的线路上控制电荷的移动。这种第一电阻器320可以被实现为可变电阻器，以控制电荷的移动速度。
145.第一电阻器320可以设置在第一开关310与接地端360之间。第一电阻器320可以像第一开关310一样设置在支承部件220的主体221的内部，并且只要能够与第一开关310电连接，也可以设置在支承部件220的主体221的外部。
146.第二开关330电连接导向销223与第二电阻器340。第二开关330可以设置在连接导向销223、第二电阻器340和接地端360的线路上，并且可以在此线路上设置在导向销223与第二电阻器340之间。
147.第二开关330可以根据控制部350的控制而切换，以电连接导向销223与第二电阻器340。例如，如果第二开关330被控制部350设定为接通，则导向销223与第二电阻器340电连接。此时，位于基板w的周围的电荷依次经过导向销223和第二电阻器340移动到接地端360，因此可以减少存在于基板w的周围的电荷量。
148.相反地，如果第二开关330被控制部350设定为断开，则导向销223不与第二电阻器340电连接。因此，位于基板w的周围的电荷不能移动到接地端360，并且可以维持存在于基板w的周围的电荷量。
149.第二开关330可以设置在支承部件220的主体221的内部。然而，本实施例不限于此。只要能够与导向销223电连接，第二开关330也可以设置在支承部件220的主体221的外部。
150.第二电阻器340在连接导向销223和接地端360的线路上控制电荷的移动。第二电阻器340可以被实现为可变电阻器，以控制电荷的移动速度。
151.第二电阻器340可以设置在第二开关330与接地端360之间。第二电阻器340可以像第二开关330一样设置在支承部件220的主体221的内部，并且只要能够与第二开关330电连接，也可以设置在支承部件220的主体221的外部。
152.控制部350控制第一开关310和第二开关330的切换。第一开关310和第二开关330可以根据控制部350的控制被设定为接通或断开。控制部350也可以控制第一电阻器320和
第二电阻器340。
153.控制部350可以与第一开关310和第二开关330电连接，以控制第一开关310和第二开关330的切换。控制部350可以被实现为具备具有计算功能的处理器的装置(例如，计算机或服务器)，并且可以设置在基板处理装置200的外部。
154.如上所述，在图3所示的示例中，可以利用电连接到支承销222的单个第一电阻器320和电连接到导向销223的单个第二电阻器340来控制位于基板w的周围的电荷量。
155.然而，本实施例不限于此。也可以利用电连接到支承销222的多个第一电阻器320和电连接到导向销223的多个第二电阻器340来控制位于基板w的周围的电荷量。例如，如图4所示，可以利用电连接到支承销222的两个第一电阻器320和电连接到导向销223的两个第二电阻器340来控制位于基板w的周围的电荷量。图4是示意性地示出根据本发明第二实施例的设置在支承部件上的电荷控制装置的视图。
156.在图4的示例中，说明了第一电阻器320和第二电阻器340分别设置为多个的情况。在本实施例中，第一开关310和第二开关330可以像第一电阻器320和第二电阻器340一样设置为多个。在这种情况下，第一开关310和第二开关330可以设置为具有与第一电阻器320和第二电阻器340相同的数量，并且可以分别与第一电阻器320和第二电阻器340一对一地连接。
157.如果第一开关310和第一电阻器320分别设置为多个，则可以根据多个第一开关310中的切换连接的第一开关310的数量来控制电荷量或电荷的移动速度。举例来说，如图4的示例中所示，在第一开关310和第一电阻器320分别设置为两个的情况下，当切换连接的第一开关310的数量为两个时，与切换连接的第一开关310的数量为一个时相比，由于根据第一电阻器320的接地电阻值可增加，因此可以控制从基板w向接地端360的方向移动的电荷的电荷量或移动速度。
158.同样，如果第二开关330和第二电阻器340设置为多个，则可以根据多个第二开关330中的切换连接的第二开关330的数量来控制电荷量或电荷的移动速度。例如，如图4的示例中所示，在第二开关330和第二电阻器340分别设置为两个的情况下，当切换连接的第二开关330的数量为两个时，与切换连接的第二开关330的数量为一个时相比，由于根据第二电阻器340的接地电阻值可增加，因此可以控制从基板w向接地端360的方向移动的电荷的电荷量或移动速度。
159.在上述情况下，两个第一电阻器320可以具有相同的电阻值。然而，本实施例不限于此。两个第一电阻器320也可以具有彼此不同的电阻值。在这种情况下，如图5所示，第一开关310可以设置为单个，并且当第一开关310切换连接到电阻值相对大的第b电阻器320b时，与切换连接到电阻值相对小的第a电阻器320a时相比，由于根据第一电阻器320的接地电阻值可增加，因此可以控制从基板w向接地端360的方向移动的电荷的电荷量或移动速度。图5是示意性地示出根据本发明第三实施例的设置在支承部件上的电荷控制装置的视图。
160.同样，两个第二电阻器340可以具有彼此不同的电阻值。在这种情况下，如图5所示，第二开关330可以设置为单个，并且当第二开关330切换连接到电阻值相对大的第d电阻器340b时，与切换连接到电阻值相对小的第c电阻器340a相比，由于根据第二电阻器340的接地电阻值可增加，因此可以控制从基板w向接地端360的方向移动的电荷的电荷量或移动
速度。
161.在图5的示例中，尽管说明了两个第一电阻器320和两个第二电阻器340具有彼此不同的电阻值的情况，然而也可以是两个第一电阻器320和两个第二电阻器340中的任意一者具有彼此不同的电阻值。
162.此外，如上所述，在图4的示例中，两个第一电阻器320可以具有彼此不同的电阻值。即，两个第一电阻器320中的任意一个第一电阻器320可以具有比另一个第一电阻器320相对更大的电阻值。在这种情况下，如果两个第一电阻器320都利用，则可以精确地控制电荷量或电荷的移动速度。两个第二电阻器340的情况也一样。
163.此外，在本实施例中，如图6所示，也可以将具有相同电阻值的第一电阻器320更多地设置在两侧中的任意一侧以产生电阻值偏差。图6是示例性地示出根据本发明第四实施例的设置在支承部件上的电荷控制装置的视图。
164.同样，如图6所示，也可以将具有相同电阻值的第二电阻器340更多地设置在两侧中的任意一侧以产生电阻值偏差。
165.在图6的示例中，说明了第一电阻器320和第二电阻器340两者都更多地设置在两侧中的任意一侧的情况。然而，本实施例不限于此。在本实施例中，可以仅有第一电阻器320更多地设置在两侧中的任意一侧，或者也可以仅有第二电阻器340更多地设置在在两侧中的任意一侧。
166.此外，在本实施例中，也可以利用电连接到支承销222的多个第一电阻器320和电连接到导向销223的单个第二电阻器340来控制位于基板w的周围的电荷量。例如，如图7所示，可以利用电连接到支承销222的两个第一电阻器320和电连接到导向销223的一个第二电阻器340来控制位于基板w的周围的电荷量。图7是示例性地示出根据本发明第五实施例的设置在支承部件上的电荷控制装置的视图。
167.此外，在本实施例中，也可以利用电连接到支承销222的单个第一电阻器320和电连接到导向销223的多个第二电阻器340来控制位于基板w的周围的电荷量。例如，如图8所示，可以利用电连接到支承销222的一个第一电阻器320和电连接到导向销223的两个第二电阻器340来控制位于基板w的周围的电荷量。图8是示例性地示出根据本发明第六实施例的设置在支承部件上的电荷控制装置的视图。
168.如图7和图8所示，在第一电阻器320和第二电阻器340中的任意一者设置为多个的情况下，显然可以适用以上参照图5和图6等说明的部分。
169.在以上参照图3至图8说明的实施例中，支承销222中的每一个可以连接到第一开关310和第一电阻器320，且导向销223中的每一个可以连接到第二开关330和第二电阻器340。
170.然而，本实施例不限于此。如图9所示，也可以是一个支承销222和一个导向销223同时连接到第一开关310和第一电阻器320。图9是示意性地示出根据本发明第七实施例的设置在支承部件上的电荷控制装置的视图。
171.此外，尽管未示出，但是在本实施例中，也可以是多个支承销222同时连接到一个第一开关310和一个第一电阻器320，且多个导向销223同时连接到一个第二开关330和一个第二电阻器340。
172.接下来，说明通过将支承销222电连接到接地端360来控制电荷的情况以及通过将
导向销223电连接到接地端360来控制电荷的情况。
173.图10是利用导向销来控制电荷的情况的示例图。以下的说明参照图10。
174.在利用药液来清洗基板w的情况下，可以利用喷射部件240向基板w的上表面供给药液。在这种情况下，电荷410可以位于基板w的上表面。
175.在电荷410位于基板w的上表面的情况下，在本实施例中，可以利用导向销223来控制电荷410的电荷量或移动速度。
176.图11是利用支承销来控制电荷的情况的第一示例图。以下的说明参照图11。
177.在利用药液来清洗基板w的情况下，可以利用喷射部件240向基板w的上表面供给药液，同时，可以利用后喷嘴向基板w的底表面供给药液。在这种情况下，电荷410可以位于基板w的上表面和底表面。
178.在电荷410位于基板w的上表面和底表面的情况下，在本实施例中，可以利用支承销222来控制电荷410的电荷量或移动速度。然而，本实施例不限于此。如图12所示，也可以利用支承销222和导向销223来控制电荷410的电荷量或移动速度。图12是利用支承销来控制电荷的第二示例图。
179.此外，支承销222和导向销223可以分别在支承部件220的主体221上设置为多个。此时，可以利用多个支承销222中的其一部分来控制电荷。在这种情况下，在本实施例中，可以考虑基板w的蚀刻速率(er；etching rate)利用多个支承销222中的至少一部分支承销222来控制电荷。
180.同样，在利用多个导向销223中的至少一部分导向销223来控制电荷的情况下也可以考虑基板w的蚀刻速率。
181.接下来，说明在基板处理工艺(wafer process)(例如，清洗工艺)的进行过程中控制电荷的方法。
182.图13是示出在基板处理工艺时使用连接到支承销和导向销的电阻器的情况的示例图。以下的说明参照图13。
183.如果基板w被安放在支承部件220的主体221上并且被支承销222和导向销223支承(wafer in)，则喷射部件240可以向基板w的上表面喷射药液。此时，后喷嘴可以向基板w的底表面喷射药液。
184.(1)药液喷射之前(510)
185.在喷射部件240、后喷嘴等向基板w喷射药液之前，为了防止药液喷射时可能发生的esd，需要通过接地来去除位于基板w的周围的电荷。在这种情况下，可以利用支承销222和导向销223中的至少一者来控制位于基板w的周围的电荷的电荷量。当希望在短时间内去除电荷时，可以利用支承销222和导向销223两者。
186.此外，当位于基板w的周围的电荷被去除时，接地状态转换到非接地状态。
187.(2)药液喷射中(520)
188.当通过喷射部件240、后喷嘴等向基板w的上表面、底表面等喷射药液时，确立能够以残留在基板w的周围的电荷和药液中的电荷控制未剥离和er的基板工艺(wafer process)(例如，基板清洗工艺)。
189.在基板处理过程中，如果经过了一定的时间，或者判断位于基板w的周围的电荷的电荷量变成预定的值，则可以通过从非接地状态转换到接地状态来去除位于基板w的周围
的电荷以防止esd。此时，可以将支承销222和导向销223中的至少一者转换为接地状态。
190.在本实施例中，在基板处理过程中，从接地状态到非接地状态的转换和从非接地状态到接地状态的转换可以反复n次(其中，n是1以上的自然数)。
191.在本实施例中，关于控制电荷流出的速度，可以通过对接地路径中的可变电阻器(即，第一电阻器320和第二电阻器340)的控制来确保未剥离和er调节技术。
192.(3)药液喷射之后(530)
193.当基板处理结束时，可以通过对电阻器的控制来调节残留在基板w上的电荷的电荷量，因此可以满足有利于后续流程的条件。
194.在现有技术中，由于为了基板处理而从基板上去除大部分电荷，或者无法知道残留在基板上的电荷量，因此难以利用在基板处理工艺中积聚的电荷。在本实施例中，由于可以利用电荷控制装置300来调节残留在基板上的电荷量，因此可以得到能够利用积聚的电荷来执行基板处理工艺(例如，清洗工艺)的效果。此外，在本实施例中，通过这种过程，也可以得到根据基板w表面的电荷量变化来控制静电added pc的效果。
195.以上参照图3至图13说明了根据各种实施例的电荷控制装置300及其工作方法。电荷控制装置300用于通过对接地电阻的控制来防止未剥离(un-strip)并改善边缘蚀刻速率(edge er)。电荷控制装置300可以通过在基板处理工艺(wafer process)中执行对基板(也叫晶片
‘
wafer’)和溶液中的电荷的控制来防止未剥离并改善边缘蚀刻速率。电荷控制装置300可以在基板处理工艺的整个进行过程中以销的接地与否和可变电阻器来控制电荷(charge)的移动和esd，以防止未剥离并改善蚀刻速率。
196.尽管参照以上及附图对本发明的实施例进行了说明，但本发明所属技术领域的普通技术人员将理解，本发明在不改变其技术思想或必要特征的情况下，能够以其它具体的形态实施。因此应当理解，以上描述的实施例在所有方面都是示例性的，而不是限制性的。