半导体器件及其形成方法与流程

技术特征：
1.一种半导体器件，包括：底部电极；磁隧道结(mtj)元件，位于所述底部电极上方；顶部电极，位于所述磁隧道结元件上方；以及侧壁间隔件，邻接所述磁隧道结元件，其中，所述底部电极、所述顶部电极和所述侧壁间隔件中的至少一个包括磁性材料。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述顶部电极包括所述磁性材料。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述磁性材料形成为位于导电层下面的阻挡层。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述导电层包括铜。5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述顶部电极包括阻挡层和所述磁性材料的导电层，所述阻挡层包括钽，所述导电层形成在所述阻挡层上方。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述底部电极包括所述磁性材料。7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述底部电极包括所述磁性材料的阻挡层和形成在所述阻挡层上方的导电材料。8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述底部电极包括阻挡层，所述阻挡层包括tin和tan中的至少一种，并且所述磁性材料形成在所述阻挡层上方。9.一种半导体器件，包括：底部电极；磁隧道结(mtj)元件，位于所述底部电极上方；顶部电极，位于所述磁隧道结元件上方；以及侧壁间隔件，邻接所述磁隧道结元件，其中，所述侧壁间隔件包括磁性材料。10.一种形成半导体器件的方法，包括：在第一介电层中形成第一导通孔；在所述第一导通孔中形成第一阻挡层；在所述第一阻挡层上方和所述第一导通孔中形成第一导电层；在所述第一导电层、所述第一阻挡层和所述第一介电层上方沉积磁隧道结(mtj)堆叠件，其中，所述磁隧道结堆叠件电连接至所述第一导电层；图案化所述磁隧道结堆叠件，产生图案化的磁隧道结堆叠件；在所述图案化的磁隧道结堆叠件的侧壁上方沉积氮化物间隔件；在所述氮化物间隔件上方沉积保护间隔件；在所述保护间隔件上方沉积氧化物间隔件；在所述氧化物间隔件和所述图案化的磁隧道结堆叠件上方沉积第二介电层；在所述第二介电层中形成第二导通孔；在所述第二导通孔中形成第二阻挡层；以及在所述第二阻挡层上方和所述第二导通孔中形成第二导电层，其中，所述第二导电层电连接至所述图案化的磁隧道结堆叠件，其中，所述第一阻挡层、所述第一导电层、所述保护间隔件、所述第二阻挡层和所述第二导电层中的至少一个包括磁性材料。

技术总结
半导体器件包括：底部电极；位于底部电极上方的磁隧道结(MTJ)元件；位于MTJ元件上方的顶部电极；以及邻接MTJ元件的侧壁间隔件，其中底部电极、顶部电极和侧壁间隔件中的至少一个包括磁性材料。本发明的实施例还涉及半导体器件的形成方法。件的形成方法。件的形成方法。


技术研发人员：萧琮介 吕勃陞 温伟志 王良玮 王郁仁 陈殿豪 陈燕铭
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.07.30
技术公布日：2022/2/23