太阳能电池选择性发射极的制备方法和制备设备与流程

1.本技术涉及激光加工技术领域，尤其涉及一种太阳能电池选择性发射极的制备方法和制备设备。


背景技术：

2.选择性发射极太阳能电池在硅片制绒并扩散后，在印刷栅线电极的区域局部重掺杂，可以减小电极与硅片的接触电阻，提升电池的光电转化效率。现有的选择性发射极太阳能电池的制备方法，通常使用浆料印刷，然后采用高温扩散、掩膜刻蚀等方法进行制备。申请cn101950780a公开了一种丝网印刷制作选择发射极电池的方法，该方法涉及两次丝网印刷和一次掩膜扩散，产能低不利于大规模生产。申请cn101820023a公开了一种制备晶体硅太阳能电池选择性发射极的方法，该方法需要在真空中实现局部重掺杂，工艺步骤复杂，成本极高。申请cn102709387a公开了一种选择性发射极刻蚀工艺，该方法使用掩膜版实现局部重掺杂，工艺复杂，且后道工艺难以保证对位精度。申请cn102110743a公开了一种局部激光熔融磷硅玻璃制作选择性发射极太阳电池的方法，该方法使用激光扫描硅片表面的磷硅玻璃实现局部重掺杂，激光存在掺杂不均匀的问题，且较高的激光能量还会损伤硅片。


技术实现要素：

3.本技术的目的旨在至少在一定程度上解决上述的技术问题之一。
4.为此，本技术的第一个目的在于提出一种太阳能电池选择性发射极的制备方法，能够降低激光加工选择性发射极太阳能电池的生产过程中激光对硅片表面的损伤,进而提高电池的光电转换效率。
5.本技术的第二个目的在于提出一种太阳能电池选择性发射极的制备设备。
6.为了实现上述目的，本技术第一方面实施例提出一种太阳能电池选择性发射极的制备方法，包括：对半成品硅片的预设区域进行预热处理；对所述半成品硅片的扩散层进行局部重掺杂形成重掺杂区，其中，所述重掺杂区位于所述预设区域内，且所述预设区域不小于所述重掺杂区；其中，所述局部重掺杂采用激光照射方式进行掺杂。
7.可选的，所述扩散层的表面被磷硅玻璃或硼硅玻璃覆盖，对所述半成品硅片的扩散层进行局部重掺杂形成重掺杂区，包括：
8.利用激光照射所述扩散层，以使所述磷硅玻璃中的磷原子或所述硼硅玻璃中的硼原子代替所述扩散层中硅原子的位置，形成所述重掺杂区。
9.可选的，所述预设区域为整个所述半成品硅片；
10.或者所述预设区域为与所述重掺杂区对应设置的条带状区域，所述预设区域的宽度不小于所述重掺杂区的宽度。
11.可选的，所述预热处理为加热盘加热、加热腔加热、led灯或红外灯管加热、激光加热中的一种。
12.可选的，对半成品硅片的预设区域进行预热处理，包括：
13.当所述预设区域为与所述重掺杂区对应设置的条带状区域时，采用激光加热方法对所述预设区域进行加热。
14.可选的，利用激光照射所述扩散层，包括：
15.利用所述激光照射出的光斑照射在所述扩散层，并对整个扩散层的重掺杂区进行扫描；或者
16.利用所述激光照射出的光斑照射在所述扩散层，并控制所述半成品硅片沿预设方向移动，使激光扫描经过整个扩散层的重掺杂区。
17.可选的，所述激光照射出的光斑形状为圆形、椭圆形、长方形、正方形中的一种。
18.可选的，在对所述半成品硅片的扩散层进行局部重掺杂形成重掺杂区时，采用的激光的波长为355-1500nm，能量密度为0.2-2.0j/cm2。
19.可选的，在对所述半成品硅片的扩散层进行局部重掺杂形成重掺杂区时，采用的激光的波长为800-1500nm。
20.可选的，方法还包括：
21.在对半成品硅片的预设区域进行预热处理之后，对所述预设区域进行保温处理。
22.本技术实施例的太阳能电池选择性发射极的制备方法，通过对半成品硅片的预设区域进行预热处理，然后利用激光对半成品硅片的扩散层进行局部重掺杂形成重掺杂区，能够降低激光加工选择性发射极太阳能电池的生产过程中激光对硅片表面的损伤,进而提高电池的光电转换效率。
23.为了实现上述目的，本技术第二方面实施例提出了一种太阳能电池选择性发射极的制备设备，包括：预处理装置、激光加工装置以及工作台，
24.其中，所述预处理装置用于对半成品硅片的预设区域进行预热处理；
25.所述激光加工装置，用于对预热处理的半成品硅片的扩散层进行局部重掺杂形成重掺杂区，其中，所述重掺杂区位于所述预设区域内，且所述预设区域不小于所述重掺杂区，所述局部重掺杂采用激光照射方式进行掺杂；
26.所述工作台用于放置所述半成品硅片。
27.可选的，所述预处理装置为加热台面、加热腔、led灯或红外灯管加热装置、激光加热装置中的一种。
28.可选的，所述激光加工装置设置在所述工作台的上方，所述预处理装置设置在所述工作台的上方、下方或四周。
29.可选的，所述预处理装置包括第一激光发生器，所述第一激光发生器生成第一激光，在所述扩散层形成第一光斑，所述第一光斑覆盖所述扩散层；或者，
30.所述预处理装置包括第一激光发生器和第一聚焦部件，所述第一激光发生器生成第一激光，所述第一激光经过所述第一聚焦部件在所述扩散层形成第一光斑，所述第一光斑覆盖所述扩散层。
31.可选的，当所述第一光斑未覆盖整个扩散层时，所述预处理装置还包括激光扫描部件，
32.所述激光扫描部件对所述第一激光进行移动控制，使所述第一光斑经过整个扩散层；或者
33.所述太阳能电池选择性发射极的制备设备还包括第一移动装置，所述第一移动装
置用于带动所述半成品硅片移动，使所述第一光斑经过整个扩散层。
34.可选的，所述工作台包括固定装置，所述固定装置用于将所述半成品硅片固定在所述工作台上。
35.可选的，所述激光加工装置包括第二激光发生器和第二扫描聚焦部件，所述第二激光发生器生成第二激光，所述第二激光经过第二扫描聚焦部件在所述扩散层形成第二光斑，所述第二扫描聚焦部件控制所述第二光斑扫描经过整个扩散层。
36.可选的，所述第二扫描聚焦部件为振镜和场镜，所述振镜和所述场镜控制所述第二激光的光路，使得所述第二光斑沿所述扩散层进行扫描；
37.或者第二扫描聚焦部件为聚焦镜和直线电机，所述聚焦镜控制所述第二激光的第二光斑在所述扩散层聚焦，所述直线电机带动所述激光加工装置沿所述扩散层进行扫描，或者带动所述工作台相对第二光斑移动。
38.可选的，所述激光加工装置还包括光学整形器件，
39.所述光学整形器件，控制所述第二激光在所述扩散层形成至少一个特定形状的第三光斑，以使所述第三光斑照射在所述扩散层的部分区域或全部区域。
40.本技术实施例的太阳能电池选择性发射极的制备设备，通过预处理装置对半成品硅片的预设区域进行预热处理，然后激光加工装置利用激光对预热处理的半成品硅片的扩散层进行局部重掺杂形成重掺杂区，能够降低激光加工选择性发射极太阳能电池的生产过程中激光对硅片表面的损伤,进而提高电池的光电转换效率。
41.本技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
42.构成本发明的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
43.图1是本技术一个实施例的太阳能电池选择性发射极的制备方法的流程图；
44.图2是本技术另一个实施例的太阳能电池选择性发射极的制备方法的流程图；
45.图3是本技术一个实施例的太阳能电池选择性发射极的制备设备的结构示意图；
46.图4是本技术另一个实施例的太阳能电池选择性发射极的制备设备的结构示意图；
47.图5是本技术一个具体实施例的太阳能电池选择性发射极的制备设备的结构示意图；
48.图6是本技术另一个具体实施例的太阳能电池选择性发射极的制备设备的结构示意图；
49.图7是本技术又一个实施例的太阳能电池选择性发射极的制备设备的结构示意图；
50.图8是本技术又一个具体实施例的太阳能电池选择性发射极的制备设备的结构示意图；
51.图9是本技术再一个具体实施例的太阳能电池选择性发射极的制备设备的结构示意图；
52.图10是本技术再一个实施例的太阳能电池选择性发射极的制备设备的结构示意图；
53.图11是本技术一个实施例的太阳能电池选择性发射极的制备设备的结构示意图；
54.图12是本技术一个实施例的太阳能电池选择性发射极的制备设备的结构示意图。
具体实施方式
55.需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
56.以下结合具体实施例对本发明作进一步详细描述，这些实施例不能理解为限制本发明所要求保护的范围。
57.下面参考附图描述本技术实施例的太阳能电池选择性发射极的制备方法和制备设备。
58.制备原理如下：太阳能电池加工时，硅片经制绒并扩散后会在表面形成一层磷硅玻璃或硼硅玻璃，利用磷硅玻璃中的磷原子或者硼硅玻璃中的硼原子作为扩散源，通过预热处理将磷原子或者硼原子活化，再利用激光将其推进，使其扩散到硅片中的一定深度形成pn结，实现局部重掺杂。由于掺杂所需的脉冲能量低，所用的激光重复频率高，可以提高加工速度，提升设备的产能。另一方面，更低的激光能量，可以降低激光加工对硅片表面的损伤，提高电池的光电转换效率。
59.图1是本技术一个实施例的太阳能电池选择性发射极的制备方法的流程图。
60.如图1所示，太阳能电池选择性发射极的制备方法，包括：
61.s1，对半成品硅片的预设区域进行预热处理。
62.其中，半成品硅片指的是硅片经制绒(也可以不制绒)并扩散，扩散层表面形成一层磷硅玻璃或者硼硅玻璃的半成品硅片。
63.在对半成品硅片进行加工之前，可先进行预热处理。其中，预热处理的方式可以包括多种，如加热盘加热、加热腔加热、led灯或红外灯管加热、激光加热等。
64.通过对半成品硅片的预热处理，具体的，预热处理的温度为50～500℃，优选的为150～300℃，可以使扩散层上的磷硅玻璃中的磷原子或者硼硅玻璃中的硼原子获得一定的初始热运动速度，有利于后续步骤进一步将磷原子或者硼原子进行推进。
65.s2，对半成品硅片的扩散层进行局部重掺杂形成重掺杂区。
66.在预热处理之后，可利用激光照射的方式对半成品硅片的扩散层进行局部重掺杂形成重掺杂区。
67.具体地，半成品硅片的扩散层的表面覆盖有磷硅玻璃或硼硅玻璃，可利用激光照射扩散层，由于磷原子或者硼原子具有一定的初始热运动速度，本步骤进行激光推进，使得磷硅玻璃中的磷原子或硼硅玻璃中的硼原子代替扩散层中硅原子的位置，形成重掺杂区。
68.其中，重掺杂区位于预设区域内，且预设区域不小于重掺杂区。
69.预设区域可以是整个半成品硅片，也可以是与重掺杂区对应设置的条带状区域，预设区域的宽度不小于重掺杂区的宽度，达到节约能量的目的。
70.在本技术的一个实施例中，当预设区域为与重掺杂区对应设置的条带状区域时，优选采用激光加热方法对预设区域进行加热。
71.对半成品硅片的扩散层进行局部重掺杂形成重掺杂区，具体可包括以下两种方式：
72.第一种方式：利用激光照射出的光斑照射在扩散层，并对整个扩散层的重掺杂区进行扫描。也就是说，保持半成品硅片固定不动，通过调整激光的光路实现对整个扩散层的扫描。例如，采用振镜扫描，或者整个激光装置相对半成品硅片移动的方式，调整光路扫描路径。
73.第二种方式：利用激光照射出的光斑照射在扩散层，并控制半成品硅片沿预设方向移动，使激光扫描经过整个扩散层的重掺杂区。也就是说，保持激光的光路不变，通过移动半成品硅片实现整个扩散层的扫描。
74.其中，激光照射出的光斑可包括多种形状，如圆形、椭圆形、长方形、正方形等。优选的为方形或者长方形，具有更好的光斑均匀性，掺杂效果更好。
75.在对半成品硅片的扩散层进行局部重掺杂形成重掺杂区时，采用的激光的波长为355-1500nm，能量密度为0.2-2.0j/cm2。优选的，该激光的波长为800-1500nm。
76.在本技术的另一个实施例中，如图2所示，太阳能电池选择性发射极的制备方法还包括：
77.s3，在对半成品硅片的预设区域进行预热处理之后，对预设区域进行保温处理。
78.通常情况下，预热处理和局部重掺杂之间的时间间隔很小，无需进行保温处理。但是，进行保温有利于保持磷原子或者硼原子的初始热运动速度，从而保证后续加工的效果。保温处理可以通过采用预热装置继续加热(控温)的方式进行。
79.本技术实施例的太阳能电池选择性发射极的制备方法，通过对半成品硅片的预设区域进行预热处理，然后利用激光对半成品硅片的扩散层进行局部重掺杂形成重掺杂区，能够降低激光加工选择性发射极太阳能电池的生产过程中激光对硅片表面的损伤,进而提高电池的光电转换效率。
80.下面以几个具体实施例进行详细描述。
81.实施例1：
82.太阳能电池选择性发射极的制备方法包括预处理阶段和重掺杂阶段。
83.预处理阶段，采用加热台面、加热腔或者红外灯管加热方式对整个半成品硅片进行预热，使磷硅玻璃中的磷原子或者硼硅玻璃中的硼原子获得一定的初始热运动速度。重掺杂阶段，采用激光对半成品硅片(对应重掺杂区的位置)进行照射，对经预处理活化的磷硅玻璃的磷原子或硼硅玻璃中的硼原子进行推进，使其进入硅片表层，固化后磷原子或者硼原子取代硅原子的位置，形成重掺杂区域。重掺杂时采用的激光波长为355-1500nm，优选515-545nm，其扫描速度可以根据实际需要进行选择。激光光斑可以为圆形、椭圆形、方形或者是长方形等。优选的为方形或者长方形，具有更好的光斑均匀性，掺杂效果更好。
84.太阳能电池选择性发射极的制备设备，包括加热装置、激光加工装置及工作台。
85.半成品硅片放置在工作台上，激光加工装置设置在工作台上方，加热装置为加热台面、加热腔或者红外灯管。其中，加热台面可以通过在工作台面上设加热棒等加热组件的方式实现，可以同时实现半成品硅片的放置和加热。加热腔和红外灯管可以设置在工作台附近，例如设置在工作台的下方、上方或者四周，从而实现对整个半成品硅片的加热。激光加工装置包括激光发生器、振镜和场镜，激光发生器发出激光，经过振镜和场镜，在半成品
硅片的重掺杂区形成光斑，由振镜带动激光沿重掺杂区路径进行扫描，完成对整个重掺杂区的扫描。优选的，还包括激光整形部件，将激光光斑整形成椭圆形、方形或者是长方形等。
86.实施例2：
87.本实施例中的方法与实施例1的区别仅在于预处理时，采用激光加热，激光覆盖整个半成品硅片，完成对硅片的预处理。
88.对应的太阳能电池选择性发射极的制备设备，与实施例1中制备设备的区别仅在于加热装置为激光加热装置。激光加热装置包括激光发生器，也可以进一步包括激光整形部件和激光聚焦部件，通过激光整形部件形成预设形状的光斑。激光加热装置可以设置在工作台上方，与激光加工装置互不影响。
89.实施例3
90.本实施例中的方法与实施例2的区别仅在于预处理时，激光光斑照射的区域和重掺杂区重合或者比其略宽。重掺杂区为条带形状。优选的，激光加热装置的激光光斑照射的宽度为条带(单条)宽度的1.2倍-3倍。激光加热装置的激光被整形装置整形为前述照射的区域形状相同的条带形状光斑，完成加热。预热区域更集中，避免能量浪费，有助于提升掺杂效果。
91.实施例4
92.本实施例中的方法与实施例3类似，区别在于在进行加工时，加热激光的光斑宽度等于或者大于重掺杂区的宽度(单条)，优选为其宽度的1.2倍-3倍，加工激光的光斑宽度等于重掺杂区的宽度(单条)，加热激光和加工激光扫描经过全部重掺杂区路径，二者扫描轨迹相同，加热激光先于加工激光照射。激光加热装置设置在工作台上方，与激光加工装置互不影响。
93.本实施例中的太阳能电池选择性发射极的制备设备，与实施例1中制备设备的区别在于激光加热装置与实施例1中的激光加工装置相同。
94.实施例5
95.本实施例中的方法与实施例1和实施例4的区别仅在于重掺杂(和)或预热处理时，通过激光加工装置(和)激光加热装置和工作台的相对移动，实现光斑对整个预设区域的扫描。
96.对应的制备设备，与实施例1和4中设备的区别在于：
97.激光加工装置包括激光器和场镜，还可以包括光路传输装置、光束扩束装置等。
98.激光加热装置包括激光器和场镜，还可以包括光路传输装置、光束扩束装置等。
99.激光加热装置设置于激光加工装置的前方，使得在和工作台相对移动时，激光加热装置始终处于激光加工装置的前方。
100.制备设备还包括带动工作台移动的移动装置，通过在工作台设置直线运动机构或者xy直线运动机构，带动工作台上的半成品硅片移动至相应区域，完成扫描。
101.当预设区域的形状为多个平行的条带时，工作台可以为传送带。半成品硅片放置在传送带上，加热台面设置在传送带下方，通过传送的方式控制半成品硅片的移动，提高加工和传送效率。
102.制备设备还可以包括带动激光加工装置(和)激光加热装置整体移动的移动装置，通过控制激光加工装置(和)激光加热装置整体移动，完成扫描。
103.为了实现上述实施例，本技术还提出了一种太阳能电池选择性发射极的制备设备。
104.如图3所示，太阳能电池选择性发射极的制备设备包括预处理装置100、激光加工装置200以及工作台300。
105.激光加工装置200设置在工作台300的上方，预处理装置100设置在工作台附近，例如上方、下方或者是四周等。
106.预处理装置100用于对半成品硅片的预设区域进行预热处理。
107.其中，预处理装置100可以是加热台面、加热腔、led灯或红外灯管加热装置、激光加热装置中的一种。加热台面、加热腔和led灯或红外灯管加热装置可以参考现有技术的加热台面、加热腔和led灯或红外灯管加热装置等设置，对放置在工作台上的半成品硅片进行加热。具体地，预处理装置100为激光加热装置，其包括第一激光发生器110。
108.第一激光发生器110生成第一激光，在半成品硅片的扩散层形成第一光斑。第一光斑覆盖扩散层。
109.如图4所示，预处理装置100还包括第一聚焦部件120。第一激光发生器110生成第一激光，第一激光经过第一聚焦部件120在扩散层形成第一光斑，第一光斑覆盖半成品硅片的扩散层。
110.在本技术的一个实施例中，如图5所示，预处理装置100还包括激光扫描部件130。
111.当第一光斑未覆盖整个扩散层时，激光扫描部件130对第一激光进行移动控制，使第一光斑经过整个扩散层的预设区域。激光扫描部件130可以为振镜或者是直线电机，振镜可以控制光路偏转，直线可以带动激光加热装置移动，对预设区域进行扫描。
112.在本技术的另一个实施例中，如图6所示，太阳能电池选择性发射极的制备设备还包括第一移动装置400。
113.第一移动装置400用于带动半成品硅片移动，使第一光斑经过整个扩散层。
114.激光加工装置200，用于对半成品硅片的扩散层进行局部重掺杂形成重掺杂区。局部重掺杂采用激光照射方式进行掺杂。
115.其中，重掺杂区位于预设区域内，且预设区域不小于重掺杂区。
116.具体地，如图7所示，激光加工装置200包括第二激光发生器210和第二扫描聚焦部件220。
117.第二激光发生器210生成第二激光，第二激光经过第二扫描聚焦部件220在扩散层形成第二光斑，且第二聚焦部件220控制第二光斑扫描经过整个扩散层的重掺杂区。
118.在本技术的一个实施例中，如图8所示，第二扫描聚焦部件220为振镜221和场镜222。振镜221和场镜222控制第二激光的光路，使得第二光斑沿扩散层的重掺杂区路径进行扫描。
119.在本技术的另一个实施例中，如图9所示，第二扫描聚焦部件220为聚焦镜223和直线电机224。聚焦镜223控制第二激光的第二光斑在扩散层聚焦形成第二光斑，直线电机224带动激光加工装置200沿扩散层的重掺杂区路径进行扫描。
120.工作台300用于放置半成品硅片。
121.如图10所示，工作台300可包括固定装置310，固定装置310用于将半成品硅片固定在工作台300上。举例来说，固定装置310可以是负压吸附装置，通过吸附力来吸附半成品硅
片，实现更为良好的固定。
122.在本技术的又一个实施例中，如图11所示，第二扫描聚焦部件220为聚焦镜223和直线电机224。直线电机224用于带动工作台移动，使第二光斑经过整个扩散层的重掺杂区。
123.在本技术的再一个实施例中，如图12所示，太阳能电池选择性发射极的制备设备还包括光学整形器件500。
124.光学整形器件500，控制第二激光在扩散层形成至少一个特定形状的第三光斑，例如长方形或方形光斑，使重掺杂更为均匀。
125.(和)，控制第二激光在扩散层形成至少一个特定形状的第四光斑，举例来说，第四光斑可以是多个条带状的光斑，用以形成形状相同的预设区域，直接照射在预设区域进行加热。或者是形成长方形或方形光斑，沿预设区域路径进行扫描。
126.本技术实施例的太阳能电池选择性发射极的制备设备，通过预处理装置对半成品硅片的预设区域进行预热处理，然后激光加工装置利用激光对半成品硅片的扩散层进行局部重掺杂形成重掺杂区，能够降低激光加工选择性发射极太阳能电池的生产过程中激光对硅片表面的损伤，进而提高电池的光电转换效率。
127.需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
128.在流程图中表示或在此以其他方式描述的逻辑和/或步骤，例如，可以被认为是用于实现逻辑功能的可执行指令的定序列表，可以具体实现在任何计算机可读介质中，以供指令执行系统、装置或设备(如基于计算机的系统、包括处理器的系统或其他可以从指令执行系统、装置或设备取指令并执行指令的系统)使用，或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用。就本说明书而言，"计算机可读介质"可以是任何可以包含、存储、通信、传播或传输程序以供指令执行系统、装置或设备或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用的装置。计算机可读介质的更具体的示例(非穷尽性列表)包括以下：具有一个或多个布线的电连接部(电子装置)，便携式计算机盘盒(磁装置)，随机存取存储器(ram)，只读存储器(rom)，可擦除可编辑只读存储器(eprom或闪速存储器)，光纤装置，以及便携式光盘只读存储器(cdrom)。另外，计算机可读介质甚至可以是可在其上打印程序的纸或其他合适的介质，因为可以例如通过对纸或其他介质进行光学扫描，接着进行编辑、解译或必要时以其他合适方式进行处理来以电子方式获得程序，然后将其存储在计算机存储器中。
129.应当理解，本技术的各部分可以用硬件、软件、固件或它们的组合来实现。在上述实施方式中，多个步骤或方法可以用存储在存储器中且由合适的指令执行系统执行的软件或固件来实现。例如，如果用硬件来实现，和在另一实施方式中一样，可用本领域公知的下列技术中的任一项或他们的组合来实现：具有用于对数据信号实现逻辑功能的逻辑门电路的离散逻辑电路，具有合适的组合逻辑门电路的专用集成电路，可编程门阵列(pga)，现场可编程门阵列(fpga)等。
130.需要说明的是，在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本技术的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。