复合材料、电荷产生材料、发光二极管、显示器件及应用的制作方法

1.本发明涉及电子显示技术领域，尤其是涉及一种复合材料、电荷产生材料、发光二极管、显示器件及应用。


背景技术：

2.以发光二极管为发光单元的显示屏逐渐成为市场的主流显示屏。随着消费者对显示屏性能的要求越来越高、现代显示技术快速发展迭代，低功耗，高色域，高亮度以及长寿命是显示屏未来的发展方向。
3.具有叠层结构的发光二极管在许多方面的性能显著优于单个发光二极管。具体地，第一，叠加的多个发光单元能够显著提高器件整体的发光效率和亮度；第二，虽然叠层发光二极管和单个发光二极管的衰减规律是一样的，但是叠层发光二极管的初始亮度大，因而在相同的电流密度下，叠层发光二极管器件衰减至与单个发光二极管相同亮度时所需要的时间显著要长，这使得叠层发光二极管具有更长的寿命；第三，叠加了多个发光二极管的叠层发光二极管可以有效避免因器件漏电及电场击穿而造成的器件坏点产生。
4.然而，叠层发光二极管也面临着其本征存在的缺点。叠层发光二极管相当于多层发光二极管的堆叠，随着堆叠的层数的增多，所需的驱动元件的电压也会增加，对应地，器件的功耗也会提高。一些传统技术中可以通过设置在叠层发光二极管之间设置电荷产生层以产生载流子，降低该叠层发光二极管的功耗及对于驱动电压的需求。然而传统的电荷产生层的载流子产生性能有限，导致叠层发光二极管所需的驱动电压和功耗仍然较高。


技术实现要素：

5.基于此，本发明的目的之一在于提供一种能够提高电荷产生层的载流子产生性能的复合材料。
6.本发明进一步的目的在于提供一种电荷产生层材料，以及一种叠层发光二极管和显示器件。
7.根据本发明的一个实施例，一种复合材料，其包括金属卤化物钙钛矿材料和与所述金属卤化物钙钛矿材料混合的金属纳米颗粒，所述金属卤化物钙钛矿材料的结构通式为：abx3，其中，a选自一种阳离子或多种阳离子的组合，b选自一种或多种金属离子的组合，x选自一种卤素阴离子或多种卤素阴离子的组合；所述金属纳米颗粒的材料选自具有表面等离子体共振效应的金属。
8.在其中一个实施例中，所述阳离子包括甲胺离子、甲脒离子和铯离子。
9.在其中一个实施例中，所述金属离子包括第四主族金属离子和过渡金属离子。
10.在其中一个实施例中，所述金属纳米颗粒的材料选自金、银、铂、铜和铝中的一种或多种。
11.在其中一个实施例中，所述金属纳米颗粒的粒径为1nm～20nm。
12.在其中一个实施例中，所述金属卤化物钙钛矿材料和所述金属纳米颗粒的质量比
为100:(1～10)。
13.在其中一个实施例中，所述金属卤化物钙钛矿材料的带隙为1.7ev～3.0ev。
14.进一步地，一种电荷产生材料，其包括根据上述任一实施例所述的复合材料和与所述复合材料混合的掺杂材料，所述掺杂材料是p型掺杂材料或n型掺杂材料。
15.在其中一个实施例中，所述p型掺杂材料选自npb、tpd、聚氧化乙烯、聚乙烯基咔唑、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、氧化钼、氧化钨、氧化镍和氧化铜中的一种或多种；
[0016]
所述n型掺杂材料选自tmpypb、tpbi、萘嵌苯酰亚胺类聚合物、聚p-亚苯基亚乙烯类共轭聚合物、氧化锌和氧化钛中的一种或多种。
[0017]
在其中一个实施例中，所述复合材料与所述掺杂材料的质量比为100:(5～20)。
[0018]
一种上述任一实施例所述的复合材料或根据上述任一实施例所述的电荷产生层材料在电致发光二极管中的应用。
[0019]
一种电荷产生层，其由包括根据上述任一实施例所述的电荷产生材料在内的原料形成。
[0020]
在其中一个实施例中，所述电荷产生层同时包括层叠设置的p型电荷产生层和n型电荷产生层，所述p型电荷产生层中的掺杂材料为所述p型掺杂材料，所述n型电荷产生层中的掺杂材料为所述n型掺杂材料。
[0021]
进一步地，一种叠层发光二极管，包括阴极、阳极和设置于所述阴极和阳极之间的两个或多于两个的发光层，相邻的所述发光层之间设置有根据上述实施例所述的电荷产生层。
[0022]
在其中一个实施例中，还包括空穴传输层和/或电子传输层；其中，
[0023]
所述空穴传输层设置于如下位置中的一处或多处：阳极与靠近所述阳极的发光层之间以及所述p型电荷产生层与最靠近于该p型电荷产生层的发光层之间；
[0024]
所述电子传输层设置于如下位置中的一处或多处：阴极与靠近所述阴极的发光层之间以及所述n型电荷产生层与最靠近于该n型电荷产生层的发光层之间。
[0025]
及，一种显示器件，其包括驱动元件和像素排列的根据上述任一实施例所述的发光二极管，所述驱动元件用于驱动所述发光二极管发光。
[0026]
上述实施例的复合材料同时包括金属卤化物钙钛矿材料和金属纳米颗粒。在该复合材料中，具有表面等离子体共振效应的金属纳米颗粒与金属卤化物钙钛矿材料之间能够协同增效。具体地，金属纳米颗粒的表面等离子体共振效应能够加速荧光激子的退激辐射，从而增强复合材料的荧光量子产率。不仅如此，在薄膜中的金属纳米颗粒可以引起光的散射和反射，通过对光的多次反射和散射，延长光的传播路径，将光尽可能地封锁在金属卤化物钙钛矿材料中，被封锁的光子能够不断地激发金属卤化物钙钛矿材料，这不仅能够增加金属卤化物钙钛矿材料的荧光产率，还能够有效增加其对光子的吸收。在吸收的光子的作用下，金属卤化物钙钛矿材料中的电子和空穴被高效分离，这会极大地增强电荷产生和分离的效率。并且，金属纳米颗粒的导电性远强于金属卤化物钙钛矿材料本身，这可以有效提高载流子在电场下的分离和传输能力。上述各方面的作用共同使得该复合材料具有极高的载流子产生和传输能力。因而，上述复合材料适于应用于电荷产生层中，以有效降低叠层发光二极管器件的功耗和驱动元件的电压。
附图说明
[0027]
图1为本发明一实施例的叠层发光二极管10结构示意图；
[0028]
图2为本发明一实施例的叠层发光二极管20结构示意图；
[0029]
图3为本发明一实施例的叠层发光二极管30结构示意图。
具体实施方式
[0030]
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
[0031]
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。本文所使用的“多”表示两个或两个以上项目的组合。如未明示或本领域技术人员不对此具有通常理解，应认为本技术中的占比或浓度为质量占比或质量浓度。
[0032]
针对于传统技术中叠层发光二极管的对驱动电压和器件功耗需求较高的缺点，提高器件整体的光转换效率和载流子的传输能力是一种行之有效的方式，在一些现存的技术中，也有通过筛选载流子传输能力更高的材料以降低器件的功耗和驱动元件的电压。例如，(1)n型掺杂的有机层/无机金属氧化物，如bphen:li/moo3；(2)n型掺杂的有机层/有机层，如alq3:li/hat-cn；(3)n型掺杂的有机层/p型掺杂的有机层，如bphen:cs/npb:f4-tcnq；(4)非掺杂型，如f16cupc/cupc和al/wo3/au。金属卤化物钙钛矿材料薄膜的载流子迁移可达到1～103cm2/vs，相比于传统有机材料，其迁移率高出至少3个数量级。然而，仅仅通过筛选具有较高载流子传输能力的材料难以使其载流子产生能力获得有效提升。
[0033]
基于此，本发明提供了一种复合材料，其包括金属卤化物钙钛矿材料和与金属卤化物钙钛矿材料混合的金属纳米颗粒，金属卤化物钙钛矿材料的结构通式为：abx3，其中，a选自一种阳离子或多种阳离子的组合，b选自一种或多种金属离子的组合，x选自一种卤素阴离子或多种卤素阴离子的组合；金属纳米颗粒的材料选自具有表面等离子体共振效应的金属。
[0034]
其中，“混合”表示金属卤化物钙钛矿材料和金属纳米颗粒之间以一定比例相互分散。在一个具体示例中，金属纳米颗粒的质量较金属卤化物钙钛矿材料低。具体地，例如，金属卤化物钙钛矿材料和金属纳米颗粒的质量比为100:(1～10)。具体地，金属卤化物钙钛矿材料和金属纳米颗粒的质量比为100:1、100：3、100:5、100:8、100:10，或上述各质量比之间的范围。
[0035]
以abx3为基本化学式的钙钛矿材料以最早发现于钙钛矿石中的钛酸钙(catio3)化合物而得名。其中，a、b和x并非代表某种具体的元素，而是代表该钙钛矿结构中的各位点。钙钛矿结构的特征是以b位阳离子为中心的x八面体共顶连接，并嵌在以a位离子为顶点的四方体中。a、b位阳离子既可由单一离子也可由多种离子占据，根据a、b位阳离子的种类及其离子半径的不同，可以构筑出微结构特征各异、物理性能千变万化的钙钛矿材料。钙钛矿
材料是一种可溶液加工的金属卤化物钙钛矿材料，具有低成本、载流子迁移率高、光吸收系数大等特点。具体地，a可以是无机阳离子和/或有机阳离子的组合。无机阳离子例如铯离子(cs

)，有机阳离子例如甲胺阳离子(ch3nh
3
，ma)和/或甲脒阳离子(chnhnh
3
，fa)。在一些具体示例中，a可以仅包含单独的一种阳离子，例如cs

、ma或fa，也可以包含多种阳离子的组合，例如同时包含cs

、ma和fa，三种阳离子之间的比例可以进行适当调节。
[0036]
b可以选自第四主族金属离子和过渡金属离子中的一种或多种金属离子的组合。第四主族金属离子例如锗离子(ge
2
)、锡离子(sn
2
)和铅离子(pb
2
)，过渡金属离子例如锰离子(mn
2
)。b可以仅仅包含一种金属离子，也可以包含多种阳离子的组合，当包括多种金属离子时，每种金属离子所占的比例可以适当调节。
[0037]
x可以选自一种卤素阴离子或多种卤素阴离子的组合。卤素是第vii主族的元素，也称为卤族元素。卤素阴离子包括f-、cl-、br-和i-。
[0038]
金属卤化物钙钛矿材料可以选自如上所述的搭配，例如示出的一些材料：cspbbr3、mapbbr3、mapbi3及[(fa
0.83
ma
0.17
)
0.95
cs
0.05
]pb(i
0.83
br
0.17
)3等。
[0039]
可以理解地，在abx3中，以占据a位点的阳离子的总物质的量为1，则占据b位点的金属离子的总物质的量配比为1，占据x位点的卤素离子的总物质的量为3。例如，在[(fa
0.83
ma
0.17
)
0.95
cs
0.05
]pb(i
0.83
br
0.17
)3这一材料中，a选自fa、ma和cs

的组合，以该组合总物质的量为1，fa和ma组成的总体在a中物质的量占比0.95，cs

的物质的量占比为0.05。在fa和ma组成的总体中，fa占比为0.83，ma占比为0.17。
[0040]
在一个具体示例中，金属纳米颗粒的粒径为1nm～20nm。具体地，金属纳米颗粒的粒径为1nm、3nm、5nm、10nm、15nm、20nm，或上述各粒径之间的范围。
[0041]
在一个具体示例中，具有表面等离子体共振效应的金属选自金、银、铂、铜和铝中的一种或多种。例如，具有表面等离子体共振效应的金属选自银。
[0042]
采用具有更高载流子迁移率的材料能够降低叠层发光二极管器件的驱动电压和功耗。而上述金属卤化物钙钛矿材料本征具有较为合适的载流子迁移率，例如1～103cm2/vs，由其作为电荷产生层的基底材料能够获得具有更低驱动电压和更低功耗的发光二极管器件。不仅如此，在金属卤化物钙钛矿材料中进一步复合金属纳米颗粒，具有表面等离子体共振效应的金属纳米颗粒与金属卤化物钙钛矿材料之间能够协同增效发挥作用。
[0043]
具体地，有如下作用机制：
[0044]
(1)金属纳米颗粒的表面等离子体共振效应能够加速薄膜中的荧光激子退激辐射，减少激子堆积引起的淬灭，从而可以增强薄膜中的荧光量子产率；在薄膜中的金属纳米颗粒可以引起光的散射和反射，通过对光的多次反射和散射，延长光的传播路径，将光尽可能地封锁在金属卤化物钙钛矿材料中。被封锁的光子能够不断地激发金属卤化物钙钛矿材料，这能够增加金属卤化物钙钛矿材料的荧光产率。
[0045]
(2)被封锁的光子还能够有效增加金属卤化物钙钛矿材料对光子的吸收。金属卤化物钙钛矿材料具有半导体特性，在吸收的光子的作用下，金属卤化物钙钛矿材料中的电子和空穴被高效分离，主要归因于金属卤化物钙钛矿材料是一种直接带隙金属卤化物钙钛矿材料，并且其具有较低的缺陷态密度，其在吸收发光单元直射，或者金属纳米颗粒散射和反射的光子后，所述吸收的光子能量一般都是大于或者等于金属卤化物钙钛矿半导体的禁带宽度，例如根据本发明的一个示例，其中所采用的金属卤化物钙钛矿材料的禁带宽度为
1.7ev-3ev，该禁带宽度对应的光子能量比叠层器件蓝光发光单元发光能量要小。金属卤化物钙钛矿材料被激发至激发态，其中金属卤化物钙钛矿材料中的较低的缺陷态密度可以有效的减少捕获跃迁时的载流子，在此时在外加电场的作用下电子和空穴被不断分离，极大地增强电子空穴对产生和分离的效率。
[0046]
(3)并且，金属纳米颗粒的导电性远强于金属卤化物钙钛矿材料，这可以有效提高载流子在电场下的分离和传输能力。
[0047]
上述各方面的作用共同使得该复合材料具有极高的载流子产生和传输能力，能够有效降低叠层发光二极管器件的功耗和驱动元件的电压。
[0048]
上述实施例的复合材料可以应用于制备电荷产生材料。
[0049]
具体地，一种电荷产生材料，其包括上述实施例的复合材料和与该复合材料混合的掺杂材料。掺杂材料是p型掺杂材料或n型掺杂材料。可以理解地，若在该复合材料中混入p型掺杂材料，则形成的电荷产生材料在受到光子激发时产生更多空穴，若在该复合材料中混入n型掺杂材料，则形成的电荷产生材料在受到光子激发时产生更多电子。
[0050]
在其中一个具体示例中，p型掺杂材料选自npb、tpd、聚氧化乙烯、聚乙烯基咔唑、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、氧化钼、氧化钨、氧化镍和氧化铜中的一种或多种。
[0051]
在其中一个具体示例中，n型掺杂材料选自tmpypb、tpbi、萘嵌苯酰亚胺类聚合物、聚p-亚苯基亚乙烯类共轭聚合物、氧化锌和氧化钛中的一种或多种。
[0052]
进一步地，在其中一个具体示例中，为了保证适当的电荷产生量，可以控制复合材料与掺杂材料的质量比为100:(5～20)。
[0053]
本发明的一个实施例还提供了一种上述复合材料或上述电荷产生材料在电致发光二极管中的应用。
[0054]
关于其具体应用方式，本发明的一个实施例还提供了一种发光二极管器件，其至少包括阴极、阳极和设置于阴极和阳极之间的两个或多于两个的发光层，相邻的发光层之间设置有电荷产生层。这里以只有两个发光层和一个电荷产生层串联而成的简单叠层器件为例阐述器件的工作原理：在器件的两端施加一定的电压，产生一定强度的电场，在电场的作用下，由器件的阳极和阴极产生的空穴和电子分别相向传递，与此同时电荷产生层也会产生电子空穴对，在电场作用下分离并向相反方向分别注入到相邻的发光层，并与由两端电极注入的空穴、电子相互复合，形成激子，最后退激辐射发光。由此可知注入一对电子空穴，传统单个发光单元器件只能形成一个激子，然而叠层器件可以形成两个激子，因此叠层器件效率理论上是成倍增加，如果是由m个发光单元和m-1组电荷产生层串联组成的单光色叠层oled器件，理论上效率是单个发光器件的m倍。
[0055]
关于该叠层发光二极管器件的具体结构，请参照图1示出的，一实施例的叠层发光二极管10，其自下至上依次包括层叠设置的阳极110、第一空穴传输层121、第一发光层131、第一电子传输层141、电荷产生层、第二空穴传输层122、第二发光层132、第二电子传输层142和阴极150，光线可以自阳极110出射。可以理解，上述第一空穴传输层121、第一发光层131和第一电子传输层141构成第一发光单元的功能主体，第二空穴传输层122、第二发光层132和第二电子传输层142构成第二发光单元的功能主体；第一发光单元和第二发光单元层叠设置，即叠层发光二极管。另外，该实施例示出的是一种正置底发射结构的发光二极管器件，技术人员也可将其结构合理设置倒置顶发射、倒置底发射或正置顶发射等结构，在此不
予赘述。
[0056]
在一个具体示例中，对应于图1示出的底发射结构，阳极110可以选用透光材料，其中可选用的透光材料包括但不限于导电金属氧化物(ito)、石墨烯、碳纳米管和导电聚合物中的一种或多种。阴极150可以选用金属，具体地包括但不限于铝(al)、银(ag)和金(au)中的一种或多种。在其他具体示例中，当选用顶发射结构时，阳极110的材料可选用具有氧化物/金属/氧化物结构的夹层电极，其中氧化物包括但不限于导电金属氧化物(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化钨(wo3)及氧化钼(moo3)中的一种或多种，金属包括但不限于金(au)和银(ag)中的一种或多种。阴极150的材料可选用透光材料，可选用的透光材料包括但不限于导电金属氧化物(例如ito)、金属复合物(例如mg/ag复合物)和高功函数金属(例如ag)中的一种或多种。
[0057]
在一个具体示例中，第一空穴传输层121和/或第二空穴传输层122的材料可选自具有空穴传输能力的材料，包括但不限于小分子材料、聚合物材料、无机材料以及基于掺杂p型材料的金属卤化物钙钛矿材料中的一种或多种。具体地，小分子材料可选自芳香二胺类的材料，如tpd、npb等；聚合物材料可选自pedot:pss，无机金属氧化物可选用nio，掺杂p型材料的金属卤化物钙钛矿可选用掺杂p型材料的电荷产生层材料。
[0058]
在一个具体示例中，第一电子传输层141和/或第二电子传输层142的材料可选自包括但不限于小分子有机材料、聚合物材料、无机材料和掺杂n型材料的金属卤化物钙钛矿材料。其中，有机小分子材料包含例如8-羟基喹啉铝类化合物、恶二唑类化合物、咪唑类化合物、恶唑类化合物、三唑类化合物、含氮六元杂环类中的一种或多种，聚合物材料包含例如萘嵌苯酰亚胺类聚合物和聚p-亚苯基亚乙烯类共轭聚合物中的一种或多种，无机材料包含例如zno、tio2等具有电子传输性质的无机材料，掺杂n型材料的金属卤化物钙钛矿材料可选用掺杂n型材料的电荷产生层材料。
[0059]
可以理解，电子传输层和空穴传输层的作用在于促进电子和空穴注入发光层，是一种较为优选的具体实现方案。但在一些其他的具体示例中的发光二极管，也可以不具有电子传输层和空穴传输层。
[0060]
在一个具体示例中，第一发光层131和/或第二发光层132材料的可以选自有机发光材料、无机量子点发光材料和聚合物发光材料中的一种。其中，有机发光材料可以是小分子有机发光材料，例如磷光材料和热活化延迟荧光材料。
[0061]
磷光材料可以是重金属配合物系列的磷光材料，例如绿光磷光材料(ir(ppy)3和ir(ppy)2(acac))、红光磷光材料(ptoep)、蓝光磷光材料(firpic)及铱配合物等。
[0062]
热活化延迟荧光材料由电子供体和电子受体两部分组成，电子供体选自具有强给电子能力的电子供体，强给电子能力的电子供体如吖啶基团、咔唑三苯胺基团及其衍生物给电子基团；电子受体选自具有强受电子能力的电子受体，强受电子能力的如三嗪基团，4-苯甲酰吡啶基团及二苯砜基团，热活化延迟荧光材料整体可以选自2czpn、4czpin及txo-tpa中的一种或多种。
[0063]
无机量子点发光材料选自cdse、zns、cds、pbs、pbse、inp、inas及gaas中的至少一种半导体纳米材料。
[0064]
聚合物发光材料选自具有聚芴和支链上含有铱(ir)配合物的ppv及其衍生物、例如ppv、meh-ppv、dp-ppv及pfczirtbt中的一种或多种。
[0065]
有机发光二极管通常会面临较为严重的高驱动电压和高功耗的问题，而本发明实施例提供的复合材料能够较好地解决这一问题。因而，有助于针对性解决该问题地，第一发光层131和/或第二发光层132均为有机发光层，其材料选自有机发光材料。
[0066]
更具体地，在实际应用中，对于显示器件，叠层发光二极管通常呈像素排布，第一发光层131可以设置为r/g/b三色，以发射出不同颜色的光，r/g/b三色子像素共同构成一个像素。
[0067]
在一个具体示例中，电荷产生层中p型电荷产生层151的homo能级和n型电荷产生层152的lumo能级的能级差要≤1.5ev。
[0068]
在一个具体示例中，电荷产生层同时包括p型电荷产生层151和n型电荷产生层152。其中，p型电荷产生层151的材料包括根据上述实施例所述的复合材料和掺杂材料。掺杂材料与复合材料均匀混合，该掺杂材料是p型掺杂材料。n型电荷产生层152的材料包括，根据上述实施例所述的复合材料和掺杂材料。掺杂材料与复合材料均匀混合，该掺杂材料是n型掺杂材料。
[0069]
其中，可选地，p型掺杂材料选自npb、tpd、聚氧化乙烯、聚乙烯基咔唑、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、氧化钼、氧化钨、氧化镍和氧化铜中的一种或多种；n型掺杂材料选自tmpypb、tpbi、萘嵌苯酰亚胺类聚合物、聚p-亚苯基亚乙烯类共轭聚合物、氧化锌和氧化钛中的一种或多种。
[0070]
在该具体示例中，电荷产生层整体受激发射的光的颜色与入射光相同。例如，第一发光层131发射出红光，则该红光射入电荷产生层后出射的仍为红光；第一发光层131发射出绿光，则该绿光射入电荷产生层后出射的仍为绿光。
[0071]
在该叠层发光二极管10中，至少一个发光单元的发射光要经过电荷产生层，因此发光单元中的发射光的波长要比金属卤化物钙钛矿材料的吸收光谱长或者与金属卤化物钙钛矿材料的吸收光谱交叠，避免发光单元发射光激发电荷产生层中的材料发光，影响单个叠层发光器件的发光光色串扰。例如当是红光叠层器件时，第一发光单元和第二发光单元发射出红光，其波长较长，此时金属卤化物钙钛矿材料的吸收光谱可选范围较大，叠层发光二极管10的电荷产生层包括含有i、br和cl离子中的一种或者至少两种组合的金属卤化物钙钛矿材料。例如当是绿光叠层器件时，第一和第二发光单元发射出绿光，此时叠层发光二极管10的电荷产生层包括含有br和cl离子中的一种或者两种组合的金属卤化物钙钛矿材料。例如当是蓝光叠层发光二极管10时，第一和第二发光单元发射出蓝光，此时金属卤化物钙钛矿材料的吸收光谱可选范围较小，叠层器件的电荷产生层包括含有cl离子的金属卤化物钙钛矿材料。
[0072]
还可以设置其他的叠层发光二极管的结构，其中均包括电荷产生层。例如图2和图3示出的叠层发光二极管20和叠层发光二极管30。
[0073]
具体地，叠层发光二极管20自下至上依次包括层叠设置的阳极210、第一空穴传输层221、第一发光层231、第一电子传输层241、电荷产生层、第二空穴传输层222、第二发光层232、第二电子传输层242和阴极250，光线可以自阴极250出射。在该具体示例中，电荷产生层仍然包括p型电荷产生层251和n型电荷产生层252。
[0074]
与叠层发光二极管10不同的是，叠层发光二极管20中的第一发光层231和第二发光层232均发射蓝光，但在可供光线出射的阴极250上还设置有一层滤光层260，滤光层260
采用r/g/b三色滤光片，蓝光经滤光层260滤光后分别产生对应颜色的光。
[0075]
在另一个具体示例中，由于上述实施例的电荷产生层中的金属卤化物钙钛矿材料能够吸收光子并发出波长较长的荧光，因而还可以利用上述实施例中的电荷产生层作为光致发光层。例如，叠层发光二极管30自下至上依次包括层叠设置的阳极310、第一空穴传输层321、第一发光层331、第一电子传输层341、第一电荷产生层、第二空穴传输层322、第二发光层332、第二电子传输层342、第二电荷产生层、第三空穴传输层323、第三发光层333、第三电子传输层343和阴极350，光线可以自阳极310出射。在该具体示例中，第一电荷产生层包括第一p型电荷产生层351和第一n型电荷产生层352；第二电荷产生层包括第二p型电荷产生层353和第二n型电荷产生层354。
[0076]
在该具体示例中，第一发光层331、第二发光层332和第三发光层333发射的光皆为蓝光，第一电荷产生层中的金属卤化物钙钛矿材料选自吸收光子能够发出红光的材料，则第一电荷产生层受蓝色光激发后产生红色光出射，实际可作为红色子像素。第二电荷产生层中的金属卤化物钙钛矿材料选自吸收光子能够发出绿光的材料，则第二电荷产生层受蓝色光激发后产生绿色光出射，实际可作为绿色子像素。
[0077]
可以理解，虽然上述各实施例未示出，但在实际的制备过程中，可以通过设置像素界定层以间隔各子像素，防止电致发光器件在发光时的不同色光的串扰。图1、图2和图3中的各发光二极管仅作为叠层发光二极管的示意图，不对其实际的厚度、形状等构造作出限定。
[0078]
根据本发明对于其中复合材料作用的解释，该复合材料材料也可应用于其他适用的电致发光二极管中，以用作载流子的产生并获得较高的载流子传输效率。
[0079]
进一步地，一种显示器件，其包括驱动元件和像素排列的发光二极管，驱动元件用于驱动发光二极管的发光，发光二极管是根据上述任一实施例所述的叠层发光二极管。
[0080]
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
[0081]
以上所述实施例仅表达了本发明的一种较佳的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。