制造显示装置的设备的制作方法

1.本发明涉及制造显示装置的设备和制造显示装置的方法，所述设备通过在衬底上沉积沉积物质来制造显示装置。


背景技术：

2.诸如智能电话、平板计算机、笔记本计算机及智能电视等的电子装置正处于研发中。这些电子装置具有显示装置，以用于提供信息。显示装置经过反复进行多次以下工艺：薄膜沉积(deposition)工艺，其用于在衬底表面上形成指定物质的薄膜；光刻(photolithography)工艺，其用于使薄膜的选定部分暴露；以及干法或湿法蚀刻(etching)工艺，其用于去除薄膜的暴露部分，以图案化(patterning)为期望的形态，其中，包括双层薄膜沉积工艺在内的干法蚀刻工艺等通常是在密闭的工艺腔室(process chamber)内进行，且各工艺腔室内可布置有用于固定衬底的静电吸盘(electrostatic chuck)、温度调节模块等。


技术实现要素：

3.解决的技术问题
4.本发明旨在提供一种提高了工艺可靠性的制造显示装置的设备。
5.解决方法
6.根据本发明一实施例的制造显示装置的设备包括：腔室；沉积头，其布置于腔室内部，并喷射沉积物质；掩模，其布置于沉积头下方；静电吸盘，其布置于掩模下方；以及温度调节模块，其至少一部分布置于静电吸盘下方，其中，温度调节模块包括温度调节基底部，该温度调节基底部布置于静电吸盘下方并且其内部布置有电永磁吸盘。
7.在一实施例中，静电吸盘可以包括母材和布置于母材上的电极，温度调节模块还可以包括温度调节管路，该温度调节管路布置于母材内部，以供温度调节物质循环。
8.在一实施例中，温度调节模块可以是冷却模块。
9.在一实施例中，静电吸盘可以包括依次堆叠的母材、第一绝缘层、电极和第二绝缘层，且第一绝缘层可以包括第一区域和围绕第一区域的第二区域，第二区域中的电极的每单位面积密度可以大于第一区域中的电极的每单位面积密度。
10.在一实施例中，制造显示装置的设备还可以包括升降驱动部，该升降驱动部布置于温度调节模块的下方，并且上下移动静电吸盘和温度调节模块。
11.根据本发明一实施例的制造显示装置的设备包括：静电吸盘，其包括母材和布置于母材上的电极；以及温度调节模块，其包括温度调节管路和温度调节基底部，其中温度调节管路布置于母材内，以供温度调节物质循环，且温度调节基底部布置于母材的下方，并与温度调节管路连接。
12.在一实施例中，温度调节模块还可以包括螺栓，其布置于母材与温度调节基底部之间，并且用于紧固母材和温度调节基底部。
13.在一实施例中，温度调节管路可以是冷却管路。
14.在一实施例中，电极可以包括第一电极和第二电极，第一电极可以包括：第一中心线，其沿第一方向延伸；第一副线，其沿与第一方向相反的方向延伸；第一分支线，其从第一中心线沿与第一方向交叉的第二方向延伸；以及第二分支线，其从第一中心线沿第二方向延伸，并且与第一分支线相邻布置，第二电极可以包括：第二中心线，其沿第一方向延伸，并且在第二方向上与第一中心线相对；第二副线，其沿第一方向延伸；第三分支线，其从第二中心线沿与第二方向相反的方向延伸，并与第一分支线相邻布置；以及第四分支线，其从第二中心线沿与第二方向相反的方向延伸，并且布置于第一分支线与第二分支线之间，其中，第一副线与第二副线可以在第二方向上彼此交替布置。
15.在一实施例中，静电吸盘可以包括沿第一方向延伸的长边和沿第二方向延伸的短边，并且还可以包括布置于母材与电极之间的第一绝缘层，且第一分支线可以比第二分支线更邻近短边布置，第三分支线可以比第四分支线更邻近短边布置。
16.在一实施例中，第一分支线和第二分支线中的每一个的末端可以与第二中心线相邻，且第三分支线和第四分支线中的每一个的末端可以与第一中心线相邻。
17.在一实施例中，静电吸盘还可以包括布置于母材与电极之间的第一绝缘层和布置于电极上的第二绝缘层，第一绝缘层可以包括第一区域和围绕第一区域的第二区域，且第二区域中的电极的每单位面积密度可以大于第一区域中的电极的每单位面积密度。
18.在一实施例中，温度调节模块还可以包括电永磁吸盘，其布置于限定在温度调节基底部的内部的空间中。
19.在一实施例中，制造显示装置的设备还可以包括掩模，其布置于静电吸盘上，并且限定有多个贯通孔。
20.根据本发明一实施例的制造显示装置的方法包括：向布置于腔室内并且用于喷射沉积物质的沉积头、静电吸盘和温度调节模块提供限定有多个贯通孔的掩模和目标衬底的准备步骤；将目标衬底吸附到静电吸盘上的吸附步骤；通过布置于温度调节模块内部的电永磁吸盘，将掩模对齐到目标衬底上的对齐步骤；以及由沉积头将沉积物质提供到掩模上的沉积步骤。
21.在一实施例中，吸附步骤还可以包括向静电吸盘提供第一电源的步骤。
22.在一实施例中，温度调节模块下方还可以布置有驱动部，驱动部可以上下驱动静电吸盘和温度调节模块。
23.在一实施例中，温度调节模块可以包括布置于静电吸盘内部的温度调节管路和布置于静电吸盘下方的温度调节基底部，并且在吸附步骤中，温度调节管路可以冷却目标衬底。
24.在一实施例中，在对齐步骤之前，还可以包括向电永磁吸盘提供第二电源的步骤。
25.在一实施例中，沉积物质可以包括有机发光物质。
26.有益效果
27.通过根据本发明一实施例的制造显示装置的设备，能够在显示装置上形成沉积物质。
28.通过根据本发明一实施例的制造显示装置的方法，能够提供提高了可靠性的显示装置。
附图说明
29.图1是根据本发明一实施例的制造显示装置的设备的平面图。
30.图2是根据本发明一实施例的掩模组件的分解立体图。
31.图3是根据本发明一实施例的制造显示装置的设备的一部分的立体图。
32.图4是沿图3的i-i
′
截取的剖面图。
33.图5a是示出了根据本发明一实施例的静电吸盘的结构中的一部分的图。
34.图5b示例性地示出了被供应电源的图4的静电吸盘。
35.图6是根据本发明一实施例的制造显示装置的方法的流程图。
36.图7a、图7b、图7c、图7d和图7e简略示出了根据本发明一实施例的制造显示装置的方法的各步骤。
37.图8a、图8b和图8c简略示出了根据本发明一实施例的制造显示装置的方法的各步骤。
38.图9是沿图8c的ii-ii
′
截取的剖面图。
39.附图标记的说明
40.dpd：制造显示装置的设备
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sh：沉积头
41.mk：掩模
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sub：目标衬底
42.esc：静电吸盘
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coo：温度调节模块
43.ee：电极
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ed1：第一电极
44.ed2：第二电极
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cl：温度调节管路
45.cob：温度调节基底部
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elc：电永磁吸盘
具体实施方式
46.在本说明书中，当提及到某组成要素(或区域、层、部分等)相对于其他组成要素，是“位于其之上”、“与其连接”或“与其结合”时，这意味着上述组成要素可以直接布置/连接/结合于其他组成要素，或者也可以在它们之间布置第三组成要素。
47.相同的附图标记指代相同的组成要素。此外，在附图中，为了有效地描述技术内容，夸大了组成要素的厚度、比例和尺寸。
[0048]“和/或”包括所有可以由相关联的结构定义的一个以上组合。
[0049]
第一、第二等术语可用于描述各种组成要素，但是所述组成要素不应受限于所述术语。所述术语仅仅用于区别一个组成要素与其他组成要素的目的。例如，在不脱离本发明的权利范围的情况下，第一组成要素可以被命名为第二组成要素，类似地，第二组成要素也可以被命名为第一组成要素。除非在上下文中明确表示其他含义，单数表达包含复数表达。
[0050]
此外，“之下”、“下侧”、“之上”、“上侧”等术语用于描述附图所示的结构之间的相关关系。所述术语为相对的概念，并且以附图所示的方向为基准进行了描述。
[0051]
除非另有定义，本说明书中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属技术领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。此外，诸如在通常使用的词典中所定义的术语应当被解释为具有与相关技术的上下文中的含义相一致的含义，除非在此处明确定义，否则不应解释为理想的或过于形式化的含义。
[0052]
应该理解的是，“包括”或“具有”等术语旨在指定说明书中所记载的特征、数字、步
骤、动作、组成要素、部件或其组合的存在，而并不事先排除一个或以上的其他特征、数字、步骤、动作、组成要素，部件或其组合的存在或附加可能性。
[0053]
以下，将参照附图说明本发明的实施例。
[0054]
图1是根据本发明一实施例的制造显示装置的设备dpd的平面图。
[0055]
参照图1，制造显示装置的设备dpd可以包括腔室chb、沉积头sh、台stg、掩模组件ma、静电吸盘esc、温度调节模块coo和驱动部pp。
[0056]
腔室chb提供密闭的空间。沉积头sh、台stg、掩模组件ma、静电吸盘esc、温度调节模块coo和驱动部pp可以布置于腔室chb内。腔室chb可以具有至少一个门gt。腔室chb可以通过门gt打开和关闭。目标衬底sub可以通过布置于腔室chb的门gt进出。
[0057]
沉积头sh可将沉积物质or喷射到外部。在一实施例中，沉积头sh可以是喷头。沉积物质or可以是能够升华或汽化的物质，并且可以包括无机物、金属或有机物中的一种以上。将示例性地描述根据本实施例的沉积物质or包括用于制造有机发光层eml(参照图9)的有机物的情形。
[0058]
台stg可以上下移动掩模组件ma。台stg可以向沉积头sh的上方延伸，并且可以与布置于腔室chb内侧的升降装置连接。由于台stg不布置在目标衬底sub的下方，而是在沉积头sh的上方延伸，因此能够在目标衬底sub下方确保用于布置装置等的空间。
[0059]
掩模组件ma可以安置在台stg上。掩模组件ma可以与沉积头sh相对。台stg可以与掩模组件ma的框架fr重叠，以支承掩模组件ma。
[0060]
台stg可以不与框架fr的孔ho(参照图2)重叠。即，台stg可以布置在自沉积头sh供应至目标衬底sub的沉积物质or的移动路径之外。
[0061]
掩模组件ma下方布置有目标衬底sub。沉积物质or可以贯通多个贯通部opp而沉积到目标衬底sub上。
[0062]
目标衬底sub可以具有与由第一方向dr1和第二方向dr2定义的面平行的面。目标衬底sub的厚度方向可以由第三方向dr3指示。目标衬底sub的前表面(或上表面)和后表面(或下表面)可以通过第三方向dr3进行区分。第三方向dr3可以是与第一方向dr1和第二方向dr2交叉的方向。例如，第一方向dr1、第二方向dr2和第三方向dr3可以彼此垂直相交。
[0063]
目标衬底sub可以通过驱动部pp对齐到掩模组件ma下方。驱动部pp可以利用布置于驱动部pp上的静电吸盘esc将目标衬底sub固定于掩模组件ma下方。
[0064]
具体地，目标衬底sub可以包括传导性物质。例如，目标衬底sub可以包括电路元件层。电路元件层可以包括具有传导性的导电层。
[0065]
静电吸盘esc可以包括由陶瓷等形成的主体、以及嵌入该主体内部的、被施加电源的电极。当向静电吸盘esc的电极施加电压时，由于静电感应现象，在静电吸盘esc上可以产生静电力(electrostatic force)。
[0066]
静电吸盘esc可以利用静电力来吸附(chucking)或解吸(dechucking)目标衬底sub。具体地，静电吸盘esc可以重复以下过程：吸附目标衬底sub，以进行对目标衬底sub的处理工艺，并且在对目标衬底sub进行加工之后，解吸以进行下一步加工。
[0067]
根据本发明一实施例的驱动部pp上可以布置有静电吸盘esc，以将目标衬底sub固定于掩模组件ma下方，并将掩模mk贴合布置于目标衬底sub，从而能够进一步提高沉积工艺的精密度。
[0068]
静电吸盘esc可以包括由陶瓷等形成的主体，以及嵌入其内部的、有电源施加的电极。当向静电吸盘esc的电极施加电压时，会因静电感应现象，在静电吸盘esc上产生静电力。静电吸盘esc可以利用静电力来吸附(chucking)或解吸(dechucking)目标衬底sub。根据一实施例的制造显示装置的设备dpd可以通过静电吸盘esc移动目标衬底sub。将在图4、图5a和图5b中更详细地描述静电吸盘esc的结构。
[0069]
温度调节模块coo可以调节目标衬底sub的温度。具体地，温度调节模块coo可以冷却目标衬底sub。通过使目标衬底sub保持低的温度，沉积物质or可以在目标衬底sub上成膜。
[0070]
温度调节模块coo的至少一部分可以布置于静电吸盘esc的下方，且另一部分可以布置于静电吸盘esc的内部。在图4中对此进行更详细的描述。
[0071]
图2是根据本发明一实施例的掩模组件ma的分解立体图。
[0072]
参照图2，掩模组件ma可以包括框架fr和掩模mk。框架fr在平面上可以呈环形。在本说明书中，平面可以被定义为由第一方向dr1和第二方向dr2定义的面，且“在平面上”可以被定义为是在第三方向dr3上观察的。即，可以在框架fr的中央定义孔ho。孔ho可以是自框架fr的上表面贯通至框架fr的下表面的孔。
[0073]
在图2中，作为一例，示出了框架fr的形状为矩形环形状的情形，但是框架fr的形状不限于此。例如，框架fr可以具有圆形环、多边形环等各种不同的形状。在图2中，示例性地简略示出了框架fr布置于掩模mk的下方以支承掩模mk的情形，但是不限于此，且框架fr还可以布置于掩模mk的边缘上方和下方以支承掩模mk，并且使掩模mk沿第一方向dr1和第二方向dr2延伸。
[0074]
根据一实施例的掩模mk可以包括沿第一方向dr1和第二方向dr2排列的多个单元区域ca。在本实施例中，虽然示出了单元区域ca分别沿第一方向dr1和第二方向dr2彼此分隔布置为三个，但这仅仅是示例性示出的，而掩模mk也可以包括三个以上的单元区域ca，且单元区域ca也可以沿第一方向dr1和第二方向dr2中的任意一个方向排列，而并不限于某一个实施例。
[0075]
各单元区域ca可以限定有多个贯通部opp。贯通部opp可以沿第一方向dr1和第二方向dr2彼此分隔排列。各贯通部opp可以被定义为沿掩模mk的厚度方向dr3(下称第三方向)贯通掩模mk。
[0076]
一实施例中的掩模mk可以包括多个单元区域ca和围绕各单元区域ca的延伸区域ea，且各单元区域ca通过延伸区域ea连接，使得掩模mk呈一体的板状。但是不限于此，且根据本发明另一实施例的掩模mk也可以呈沿第一方向dr1和第二方向dr2中的任意一个方向延伸并且沿其中另一个方向分隔的杆状。
[0077]
图3是根据本发明一实施例的制造显示装置的设备dpd(参照图1)的一部分的立体图。图4是沿图3的i-i
′
截取的剖面图。
[0078]
图3示出了布置于图1的腔室chb内的结构中的目标衬底sub、静电吸盘esc、温度调节模块coo和驱动部pp。
[0079]
静电吸盘esc和温度调节模块coo可以布置在驱动部pp上，且目标衬底sub可以吸附在静电吸盘esc上。
[0080]
随着驱动部pp移动静电吸盘esc和温度调节模块coo，目标衬底sub可以随静电吸
盘esc和温度调节模块coo一起移动。
[0081]
驱动部pp可以根据工艺使目标衬底sub沿第三方向dr3上升，或使目标衬底sub沿与第三方向dr3相反的方向下降。然而，驱动部pp的移动方向并不限于与第三方向dr3平行的方向，且根据需要，可以是第一方向dr1和第二方向dr2等各种方向。
[0082]
参照图4，静电吸盘esc和目标衬底sub可以沿第三方向dr3依次布置在温度调节模块coo上。
[0083]
温度调节模块coo可以用于调节布置于静电吸盘esc上的目标衬底sub的温度。温度调节模块coo可以是冷却模块，并且用于降低目标衬底sub的温度。
[0084]
温度调节模块coo可以包括布置于母材bs内部的温度调节管路cl、布置于母材bs下方的温度调节基底部cob和布置于母材bs与温度调节基底部cob之间的紧固螺栓bol。紧固螺栓bol可以紧固母材bs和温度调节基底部cob。紧固螺栓bol可以包括具有热传导性的物质。
[0085]
温度调节管路cl可以是供冷却物质循环的路径。例如，冷水等可以在温度调节管路cl中流动。温度调节管路cl可以与温度调节基底部cob连接。在温度调节管路cl中循环且温度升高的冷却物质可以在温度调节基底部cob中重新被冷却并流入温度调节管路cl。
[0086]
温度调节管路cl可以布置于母材bs内，并且与目标衬底sub相邻布置。此外，由于温度调节管路cl在第三方向dr3上布置于目标衬底sub与紧固螺栓bol之间，因此目标衬底sub可以不受紧固螺栓bol影响而被均匀冷却。
[0087]
例如，当紧固螺栓如以往那样布置于温度调节管路与目标衬底之间时，由于紧固螺栓的热传导性，目标衬底的与紧固螺栓重叠的部分的冷却程度可能大于目标衬底的不与紧固螺栓重叠的部分的冷却程度。由于目标衬底冷却不均匀，因此形成于目标衬底上的沉积物质的图案也可能会形成得不均匀。为了防止此种现象，在本发明中，将紧固螺栓bol布置为比温度调节管路cl更远离目标衬底sub，从而能够均匀地冷却目标衬底sub，且能够提升制造显示装置的设备dpd的精密度和可靠性。
[0088]
在温度调节基底部cob的内部可以限定有空间spa，且电永磁吸盘elc可以布置在空间spa中。电永磁吸盘elc可以是公知的电永磁吸盘(electro-permanent magnetic chuck)。电永磁吸盘elc可以提供为多个，且多个电永磁吸盘elc可以用树脂部rs等固定布置。例如，树脂部rs可以包括环氧树脂(epoxy resin)等。
[0089]
电永磁吸盘elc可以用于将布置于目标衬底sub上的掩模mk贴合到目标衬底sub。当向电永磁吸盘elc供应电源时，电流流动于电永磁吸盘elc中，从而可以产生电磁力(electromagnetic force)。可以通过调节供应至电永磁吸盘elc的电源的强度来调节电磁力。
[0090]
静电吸盘esc可以布置在温度调节基底部cob上。静电吸盘esc可以包括沿第三方向dr3依次布置于温度调节基底部cob上的母材bs、第一绝缘层il1、电极ee和第二绝缘层il2。
[0091]
母材bs可以布置于温度调节基底部cob上。母材bs可以包括陶瓷。然而，这仅是示例性的，且根据本发明一实施例的母材bs的材料不限于此。例如，根据本发明一实施例的母材bs可以包括铝(al)、钛(ti)、不锈钢(stainless steel)、氧化铝(al2o3)、氧化钇(y2o3)或氮化铝。母材bs的厚度可以是10mm至20mm。
[0092]
第一绝缘层il1可以布置于母材bs上。第一绝缘层il1可以包括耐热性和化学稳定性高于第二绝缘层il2的物质。例如，第一绝缘层il1可以包括氧化钇(y2o3)。然而，这仅是示例性的，且根据本发明一实施例的第一绝缘层il1的材料不限于此，而是可以包括具有耐热性和化学稳定性的各种物质。
[0093]
第一绝缘层il1的厚度可以小于母材bs的厚度。第一绝缘层il1的厚度可以是80μm(微米)至100μm。
[0094]
第二绝缘层il2可以布置于第一绝缘层il1上。第二绝缘层il2可以包括热传导性及介电特性高于第一绝缘层il1的物质。例如，第二绝缘层il2可以包括氧化铝(al2o3)。然而，这仅是示例性的，且根据本发明一实施例的第二绝缘层il2的材料不限于此，而是可以包括具有热传导性的各种物质。
[0095]
第二绝缘层il2的厚度可以大于第一绝缘层il1的厚度。第二绝缘层il2的厚度可以小于母材bs的厚度。第二绝缘层il2的厚度可以是110μm至150μm。
[0096]
电极ee可以布置于第一绝缘层il1与第二绝缘层il2之间。电极ee可以包括第一电极ed1和第二电极ed2，且第一电极ed1和第二电极ed2可以分别提供为多个。
[0097]
在一实施例中，第一电极ed1和第二电极ed2可以具有彼此不同的极性。即，静电吸盘esc可以是双极型(bipolar)静电吸盘。例如，第一电极ed1可以是阳极(positive electrode)，且第二电极ed2可以是阴极(negative electrode)。
[0098]
第一电极ed1和第二电极ed2可以各自包括钨(w)。然而，这仅是示例性的，且根据本发明一实施例的第一电极ed1和第二电极ed2的材料不限于此。例如，第一电极ed1和第二电极ed2可以各自包括银(ag)或铜(cu)。
[0099]
图5a是示出了根据本发明一实施例的静电吸盘esc的结构中的一部分的图。图5b示例性地示出了被供应第一电源vd1的图4的静电吸盘esc。
[0100]
图5a示出了第一绝缘层il1和布置于第一绝缘层il1上的第一电极ed1和第二电极ed2。
[0101]
同时参照图5a和图5b，在一实施例中，可以向第一电极ed1和第二电极ed2提供第一电源vd1。具体地，可以向第一电极ed1施加正的直流电压，可以向第二电极ed2施加负的直流电压。
[0102]
当向第一电极ed1施加正的直流电压时，目标衬底sub的与第一电极ed1重叠的部分可以带负电荷。第一电极ed1与目标衬底sub之间可以产生静电力。
[0103]
当向第二电极ed2施加负的直流电压时，目标衬底sub的与第二电极ed2重叠的部分可以带正电荷。第二电极ed2与目标衬底sub之间可以产生静电力。
[0104]
供应有第一电源vd1的静电吸盘esc可以通过静电力吸附目标衬底sub。
[0105]
此外，虽然描述了静电吸盘esc为双极型静电吸盘(bipolar electrostatic chuck)的情形，但是这仅是示例性的，且根据本发明一实施例的静电吸盘esc的种类不限于此。例如，静电吸盘esc可以是单极型静电吸盘(monopolar electrostatic chuck)。在这种情况下，可以向静电吸盘esc的第一电极ed1和第二电极ed2施加具有相同极性的直流电压。
[0106]
再参照图5a，一实施例中的第一绝缘层il1可以具有包括长边和短边的矩形形状。长边可以包括分别沿第一方向dr1延伸的第一长边ls1和第二长边ls2。短边可以包括分别沿第二方向dr2延伸的第一短边ss1和第二短边ss2。第一绝缘层il1可以具有与由第一方向
dr1和第二方向dr2定义的面平行的矩形形状的面。在本发明中，静电吸盘esc的长边和短边可以定义为第一绝缘层il1的长边ls1、ls2和短边ss1、ss2。
[0107]
第一绝缘层il1中可以限定有第一区域ar1和围绕第一区域ar1的第二区域ar2。第一区域ar1和第二区域ar2中可以布置有第一电极ed1和第二电极ed2。
[0108]
在本发明中，第一电极ed1可以包括第一中心线cn1、第一分支线bn1、第二分支线bn2和第一副线sn1。第二电极ed2可以包括第二中心线cn2、第三分支线bn3、第四分支线bn4和第二副线sn2。
[0109]
具体地，第一电极ed1可以包括沿第一方向dr1延伸的第一中心线cn1，且第二电极ed2可以包括沿第一方向dr1延伸的第二中心线cn2。第一中心线cn1可以布置于第一绝缘层il1的一端，例如可以与第一长边ls1相邻布置。第二中心线cn2可以布置于第一绝缘层il1的另一端，例如可以与第二长边ls2相邻布置。第一中心线cn1和第二中心线cn2可以在第二方向dr2上彼此相对。
[0110]
第一电极ed1可以包括从第一中心线cn1沿第二方向dr2延伸的第一分支线bn1和第二分支线bn2。第一分支线bn1和第二分支线bn2可以彼此分隔布置。
[0111]
在一实施例中，第一分支线bn1可以比第二分支线bn2更邻近第一短边ss1布置。即，第一分支线bn1可以在平面上布置于第一短边ss1与第二分支线bn2之间。
[0112]
第一分支线bn1和第二分支线bn2各自可以从第一中心线cn1延伸，使得各自的末端与第二中心线cn2相邻。第一分支线bn1和第二分支线bn2中的每一个的末端可以与第二长边ls2相邻。
[0113]
第二电极ed2可以包括从第二中心线cn2沿第二方向dr2的相反方向延伸的第三分支线bn3和第四分支线bn4。第三分支线bn3和第四分支线bn4可以彼此分隔布置。
[0114]
在一实施例中，第三分支线bn3可以比第四分支线bn4更邻近第一短边ss1布置。第三分支线bn3可以在平面上布置于第一短边ss1与第一分支线bn1之间。第四分支线bn4可以在平面上布置于第一分支线bn1与第二分支线bn2之间。
[0115]
第三分支线bn3和第四分支线bn4各自可以从第二中心线cn2延伸，使得各自的末端与第一中心线cn1相邻。第三分支线bn3和第四分支线bn4中的每一个的末端可以与第一长边ls1相邻。
[0116]
即，在平面上，在第一短边ss1的旁边可以依次布置有第三分支线bn3、第一分支线bn1、第四分支线bn4和第二分支线bn2。
[0117]
一方面，第一电极ed1可以包括从第一分支线bn1沿第一方向dr1的相反方向延伸的第一副线sn1。第一副线sn1可以从第一分支线bn1延伸，使得其末端与第三分支线bn3相邻。第一副线sn1可以与第一短边ss1相邻。
[0118]
第二电极ed2可以包括从第三分支线bn3沿第一方向dr1延伸的第二副线sn2。第二副线sn2可以从第三分支线bn3延伸，使得其末端与第一分支线bn1相邻。第二副线sn2可以与第一短边ss1相邻。
[0119]
第一副线sn1和第二副线sn2分别提供为多个，且多个第一副线sn1和多个第二副线sn2可以在第二方向dr2上彼此交替布置。
[0120]
在一实施例中，第一分支线bn1、第二分支线bn2、第三分支线bn3和第四分支线bn4可以分别提供为多个。例如，第一中心线cn1可以包括两个第一分支线bn1，且第二中心线
cn2可以包括两个第三分支线bn3。两个第一分支线bn1可以分别与第一短边ss1和第二短边ss2相邻布置。相同地，两个第三分支线bn3可以分别与第一短边ss1和第二短边ss2相邻布置。
[0121]
第二分支线bn2和第四分支线bn4可以提供为两个以上。
[0122]
在第一绝缘层il1中，第二区域ar2可以是布置有第一中心线cn1、第二中心线cn2、两个第一分支线bn1、两个第三分支线bn3、多个第一副线sn1和多个第二副线sn2的区域。在第一绝缘层il1中，第一区域ar1可以是布置有多个第二分支线bn2和多个第四分支线bn4的区域。
[0123]
即，第二区域ar2可以是与第一长边ls1和第二长边ls2、第一短边ss1和第二短边ss2相邻，并且围绕第一区域ar1的区域。
[0124]
第二区域ar2可以是静电吸盘esc的边缘区域，且第一区域ar1可以是静电吸盘esc的中心区域。
[0125]
当静电吸盘esc与目标衬底sub接触时，第一区域ar1可以与目标衬底sub的中心部重叠，且第二区域ar2可以与目标衬底sub的边缘重叠。
[0126]
此外，第二区域ar2可以包括前述的结构，并且电极的每单位面积密度可以大于布置于第一区域ar1的电极的每单位面积密度。根据本发明一实施例的静电吸盘esc在第二区域ar2中以高于第一区域ar1的密度布置电极，因而即便对目标衬底sub的边缘也能够施加强静电力。由此，不仅是目标衬底sub的中心部，就连边缘也可以被静电吸盘esc强烈吸附，因此能够提高制造显示装置的设备dpd的可靠性。
[0127]
图6是根据本发明一实施例的制造显示装置的方法s10的流程图。图7a、图7b、图7c、图7d和图7e简略示出了根据本发明一实施例的制造显示装置的方法的各步骤。在图7a至图7e中省略了对腔室chb(图1)的图示。此外，省略了与图1至图5b中所描述的结构相同的结构的详细描述。
[0128]
参照图6，根据一实施例的制造显示装置的方法s10可以包括准备步骤s100、吸附步骤s200、对齐步骤s300和沉积步骤s400。
[0129]
参照图7a，准备步骤s100是向用于喷射沉积物质or的沉积头sh、静电吸盘esc和温度调节模块coo提供掩模mk和目标衬底sub的步骤。图7a仅仅简略示出了温度调节模块coo中从外部可见的结构，并且即使没有另行示出，也如图4中所描述的，包括温度调节管路cl、紧固螺栓bol和温度调节基底部cob。
[0130]
可以将包括掩模mk和框架fr的掩模组件ma布置于台stg上。目标衬底sub可以布置于在静电吸盘esc上布置的定位销pin上。定位销pin仅仅是所记载的一个示例，且实施例不限于此。目标衬底sub可以临时布置于诸如定位销pin的支承装置上。
[0131]
此外，在准备步骤s100中，可以向布置于温度调节模块coo内部的电永磁吸盘elc供应第二电源vd2。电永磁吸盘elc可以接收第二电源vd2，并产生电流和电磁力。可以通过调节第二电源vd2的强度来调节在电永磁吸盘elc上流动的电流的强度和在电永磁吸盘elc上形成的电磁力的强度。
[0132]
在第二电源vd2向电永磁吸盘elc供应电源之后，可以从制造显示装置的设备dpd将第二电源vd2移除。电永磁吸盘elc一旦接收一次电源供应，即可以保持所形成的电流和电磁力，而无需此后继续供应电源。因此，在电永磁吸盘elc上产生电流之后，本发明的制造
显示装置的设备dpd可以将第二电源vd2和驱动第二电源vd2所需的布线等移除，从而能够使静电吸盘esc和温度调节模块coo等的上下驱动等变得容易。
[0133]
参照图7b，吸附步骤s200是将目标衬底sub吸附到静电吸盘esc上的步骤。例如，驱动部pp可以沿第三方向dr3上升，以使静电吸盘esc和温度调节模块coo沿第三方向dr3上升。用于支承目标衬底sub的定位销pin可以下降到温度调节模块coo的下方，且静电吸盘esc可以与目标衬底sub接触。与静电吸盘esc接触的目标衬底sub可以通过布置于静电吸盘esc的内部的温度调节管路cl被冷却。
[0134]
此外，可以向静电吸盘esc供应第一电源vd1，以使静电吸盘esc吸附目标衬底sub。如图5a所示，静电吸盘esc可以包括第一中心线cn1和第二中心线cn2，第一分支线bn1、第二分支线bn2、第三分支线bn3和第四分支线bn4以及第一副线sn1和第二副线sn2，由此不仅可以在第一区域ar1中，还可以在第二区域ar2中形成强烈的静电力，从而强烈吸附目标衬底sub。
[0135]
参照图7c，对齐步骤s300是通过布置于温度调节模块coo内部的电永磁吸盘elc，将掩模mk对齐到目标衬底sub上的步骤。在图7b的吸附步骤s200之后，驱动部pp可以沿第三方向dr3上升，以使目标衬底sub的上表面与掩模mk接触。
[0136]
掩模mk可以通过由电永磁吸盘elc(参照图7a)产生的电磁力贴合于目标衬底sub。
[0137]
本发明的制造显示装置的设备dpd能够使目标衬底sub的沉积面与掩模mk接触，因此在掩模mk与目标衬底sub之间不会存在额外的间隙。此外，本发明的制造显示装置的设备dpd包括电永磁吸盘elc(参照图7a)，因此与包括普通磁铁的沉积装置相比，可以使掩模mk更紧密贴合于目标衬底sub，从而最小化可能在沉积过程中发生的掩模阴影现象等。
[0138]
参照图7d和图7e，沉积步骤s400可以是由沉积头sh将沉积物质or提供到掩模mk上的步骤。具体地，沉积物质or与掩模mk的多个贯通部opp对应地沉积到目标衬底sub上。
[0139]
如前所述，目标衬底sub可以通过温度调节模块coo被冷却。沉积物质or可以通过目标衬底sub的低温度沉积到目标衬底sub上。沉积物质or可以沉积到目标衬底sub上并形成发光图案层epp。在一实施例中，目标衬底sub可以是包括有机发光元件的有机发光面板的一部分。
[0140]
图8a、图8b和图8c简略示出了根据本发明一实施例的制造显示装置的方法的各步骤。
[0141]
在图7d中移除了掩模组件ma的目标衬底sub可以被定义为初始衬底dp-i。
[0142]
参照图8a，可以在初始衬底dp-i上布置发光图案层epp。可以在初始衬底dp-i上定义不与发光图案层epp重叠的切割线ctl。
[0143]
同时参照图8a和图8b，将初始衬底dp-i沿切割线ctl切割，以分离成多个面板dp-p。多个面板dp-p分别形成显示面板dp。显示面板dp可以包括至少一个有源区域aa。
[0144]
参照图8c，显示面板dp的有源区域aa可以包括多个像素px。有源区域aa可以与布置有发光图案层epp的区域对应，且发光图案ep可以与各像素px对应。发光图案ep中的每一个可以对应于掩模mk的多个贯通部opp中的每一个而形成。
[0145]
图9是沿图8c的ii-ii
′
截取的剖面图。
[0146]
参照图9，显示面板dp可以包括基底层bl、电路层dp-cl、电极ae、像素限定膜pdl和发光层eml。
[0147]
基底层bl可以包括合成树脂膜。基底层bl可以具有多层结构。例如，基底层bl可以具有合成树脂层、接合层、合成树脂层的三层结构。具体地，基底层bl可以是聚酰亚胺基树脂层。然而，这仅是示例性的，且基底层bl可以包括丙烯酸基树脂、甲基丙烯酸基树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧基树脂、聚氨酯基树脂，纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰胺即树脂和二萘嵌苯即树脂中的至少任一种。
[0148]
基底层bl的上表面上可以布置有电路层dp-cl。电路层dp-cl可以包括缓冲层bfl、第一晶体管t1、第二晶体管t2、第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30、第四绝缘层40、第五绝缘层50和第六绝缘层60。
[0149]
缓冲层bfl能够提高基底层bl与半导体图案之间的结合力。缓冲层bfl可以是无机层。例如，缓冲层bfl可以包括铝氧化物、钛氧化物、硅氧化物、氮氧化硅，锆氧化物和铪氧化物中的至少一种。缓冲层bfl可以形成为多层。例如，缓冲层bfl可以由硅氧化物层与硅氮化物层交替堆叠而成。
[0150]
缓冲层bfl上可以布置有半导体图案。半导体图案可以包括多晶硅。然而，这仅是示例性的，且根据本发明一实施例的半导体图案的种类不限于此。例如，半导体图案可以包括非晶硅或金属氧化物。
[0151]
示出了位于缓冲层bfl上的第一晶体管t1、第二晶体管t2以及由半导体图案形成的信号连接线scl的一部分。第一晶体管t1的源电极s1、有源区a1和漏电极d1可以由半导体图案形成，且第二晶体管t2的源电极s2、有源区a2和漏电极d2可以由半导体图案形成。源电极s1、s2和漏电极d1、d2可以分别从有源区a1、a2沿彼此相反的方向延伸。
[0152]
虽然没有另行示出，但是信号连接线scl可以在平面上与用于组成像素驱动电路的又一晶体管(例如，驱动晶体管)连接。
[0153]
缓冲层bfl上可以布置有第一绝缘层10。第一绝缘层10可以覆盖第一晶体管t1、第二晶体管t2和信号连接线scl。第一绝缘层10可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层结构或多层结构。第一绝缘层10和后述的电路层dp-cl的绝缘层可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层结构或多层结构。
[0154]
栅电极g1、g2与有源区a1、a2重叠地布置于第一绝缘层10上。
[0155]
第二绝缘层20可以布置于第一绝缘层10上。第二绝缘层20可以覆盖栅电极g1、g2。
[0156]
上部电极ue可以布置于第二绝缘层20上。在平面上看，上部电极ue可以与第二晶体管t2的栅电极g2重叠。上部电极ue可以是金属图案的一部分。栅电极g2的一部分和与之重叠的上部电极ue可以限定电容器。然而，这仅是示例性的，且根据本发明一实施例的上部电极ue可以省略。
[0157]
第三绝缘层30可以布置于第二绝缘层20上。第三绝缘层30可以覆盖上部电极ue。第三绝缘层30上可以布置有第一连接电极cne1。第一连接电极cne1可以通过贯通第一绝缘层10、第二绝缘层20和第三绝缘层30的接触孔cnt-1与信号连接线scl接触。
[0158]
第四绝缘层40可以布置于第三绝缘层30上。第五绝缘层50可以布置于第四绝缘层40上。第五绝缘层50可以是有机层。第五绝缘层50上可以布置有第二连接电极cne2。第二连接电极cne2可以通过贯通第四绝缘层40和第五绝缘层50的接触孔cnt-2与第一连接电极cne1接触。
[0159]
第六绝缘层60可以布置于第五绝缘层50上。第六绝缘层60可以覆盖第二连接电极
cne2。第六绝缘层60可以是有机层。
[0160]
电极ae可以布置于第六绝缘层60上。电极ae可以通过贯通第六绝缘层60的接触孔cnt-3与第二连接电极cne2连接。
[0161]
像素限定膜pdl可以布置于电极ae和第六绝缘层60上。像素限定膜pdl上可以限定有开口部op。像素限定膜pdl的开口部op可以暴露电极ae的至少一部分。
[0162]
电极ae上可以布置有发光层eml。发光层eml可以布置于限定在像素限定膜pdl上的开口部op内。发光层eml可以是图8c中的前述的发光图案ep。
[0163]
以上参照本发明的优选实施例进行了说明，但是本技术领域熟练的技术人员或本领域普通技术人员可以理解，在不脱离随附的权利要求书所记载的本发明的思想和技术领域的范围内，可以对本发明进行各种修改和变更。因此，本发明的技术范围不限于说明书的详细描述中所记载的内容，而是由权利要求书来限定。