技术特征：
1.一种磁阻式随机存取存储器的布局图案，其特征在于，包含：第一扩散区以及第二扩散区，沿着第一方向延伸于基底上；以及第一接触插塞，沿着第二方向由该第一扩散区延伸至该第二扩散区于该基底上。2.如权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器的布局图案，另包含：第一栅极图案以及第二栅极图案，沿着该第二方向延伸于该第一接触插塞一侧；以及第三栅极图案以及第四栅极图案，沿着该第二方向延伸于该第一接触插塞另一侧。3.如权利要求2所述的磁阻式随机存取存储器的布局图案，另包含：第一漏极区域，设于该第一栅极图案以及该第二栅极图案间的该第一扩散区上；第一源极区域，设于该第二栅极图案以及该第三栅极图案间的该第一扩散区上；第二漏极区域，设于该第一栅极图案以及该第二栅极图案间的该第二扩散区上；以及第二源极区域，设于该第二栅极图案以及该第三栅极图案间的该第二扩散区上。4.如权利要求3所述的磁阻式随机存取存储器的布局图案，其中该第一接触插塞设于该第一源极区域以及该第二源极区域上。5.如权利要求3所述的磁阻式随机存取存储器的布局图案，另包含：第二接触插塞，设于该第一漏极区域上；以及第三接触插塞，设于该第二漏极区域上。6.如权利要求5所述的磁阻式随机存取存储器的布局图案，其中该第二接触插塞依据上视角度包含正方形。7.如权利要求5所述的磁阻式随机存取存储器的布局图案，另包含：第一金属图案，沿着该第一方向延伸于该第一扩散区以及该第二扩散区之间；第二金属图案，重叠该第二接触插塞；以及第三金属图案，重叠该第三接触插塞。8.如权利要求7所述的磁阻式随机存取存储器的布局图案，其中该第一金属图案重叠该第一栅极图案、该第二栅极图案、该第三栅极图案、该第四栅极图案以及该第一接触插塞。9.如权利要求7所述的磁阻式随机存取存储器的布局图案，其中该第一金属图案依据上视角度包含长方形。10.如权利要求7所述的磁阻式随机存取存储器的布局图案，其中该第二金属图案依据上视角度包含正方形。11.如权利要求7所述的磁阻式随机存取存储器的布局图案，其中该第二金属图案依据上视角度包含长方形。
技术总结
本发明公开一种磁阻式随机存取存储器的布局图案，其主要包含第一扩散区以及第二扩散区沿着第一方向延伸于基底上，第一接触插塞沿着第二方向由第一扩散区延伸至第二扩散区于基底上，第一栅极图案以及第二栅极图案沿着第二方向延伸于第一接触插塞一侧以及第三栅极图案以及第四栅极图案沿着第二方向延伸于第一接触插塞另一侧。一接触插塞另一侧。一接触插塞另一侧。
技术研发人员：张翊凡 陈宏岳 黄瑞民 吴家荣 王裕平
受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司
技术研发日：2020.08.14
技术公布日：2022/2/23
再多了解一些
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