一种残膜回收机防缠绕挑膜装置的制 一种秧草收获机用电力驱动行走机构

导电薄膜、导电薄膜的制备方法、电流汇集传输材料以及能量存储装置与流程

2022-02-24 11:06:38 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种导电薄膜,其特征在于:包括双面第一金属镀层、双面第二金属镀层、双面pi膜、双面第三金属镀层、双面第四金属镀层以及双面第五镀层;所述的双面第一金属镀层通过真空镀膜设备成型在薄膜基材的表面上,双面第二金属镀层通过水镀装置成型在所述双面第一金属镀层上;所述的pi膜通过涂布复合设备复合在双面第二金属镀层外表面,双面第三金属镀层通过磁控溅射镀膜设备成型在双面pi膜外表面;所述双面第四金属镀层通过真空蒸发装置成型在双面第三金属镀层上,双面第五金属镀层通过水镀设备成型双面第四金属镀层外表面;所述的薄膜基材在双面第五金属镀层成型后与双面第一金属层之间进行剥离,剥离薄膜基材后形成的两卷导电薄膜成品。2.根据权利要求1所述的导电薄膜,其特征在于:所述的薄膜基材包括但不限于pp膜、pe膜或pet膜。3.根据权利要求1所述的导电薄膜,其特征在于:所述薄膜基材厚度为12-20μm;所述导电薄膜的成品膜厚度为3-6μm。4.根据权利要求1所述的导电薄膜,其特征在于:所述第一金属镀层厚度为50-200nm。5.根据权利要求1所述的导电薄膜,其特征在于:所述第二金属镀层的厚度为600-900nm。6.根据权利要求1所述的导电薄膜,其特征在于:所述pi膜的厚度为1-4μm。7.根据权利要求1所述的导电薄膜,其特征在于:所述第三金属镀层的厚度为5-50nm。8.根据权利要求1所述的导电薄膜,其特征在于:所述第四金属镀层的厚度为50-200nm。9.根据权利要求1所述的导电薄膜,其特征在于:所述第五金属镀层的厚度为600-900nm。10.根据权利要求1所述的导电薄膜,其特征在于:所述的第一金属镀层、第二金属镀层、第三金属镀层以及第四金属镀层均为镀铜层。11.一种导电薄膜的制备方法,其特征在于,该方法包括以下的步骤:s1、在薄膜基材的上下两个表面涂覆上0.3-1um厚度的离型剂,形成双面离型涂层;s2、在双面离型涂层表面采用真空镀膜设备进行同步镀膜,各形成50-200nm厚的双面第一金属镀层;s3、通过水镀装置,在双面第一金属镀层的外表面同步形成600-900nm厚的双面第二金属镀层;s4、使用涂布复合设备,将pi料涂布在双面第二金属镀层的外表面上,再进行热固化,在双面第二金属镀层表面同步形成1-4μm的双面pi膜;s5、采用双面磁控溅射镀膜设备,在双面的pi膜面上同步进行镀膜,形成双面第三金属镀层;s6、采用双面真空蒸发镀膜设备,在双面第三金属镀层上同步进行镀膜,形成50-200nm厚的双面第四金属镀层;s7、采用水镀装置,在双面的第四金属镀层上进行同步镀膜,各形成600-900nm厚的双面第五金属镀层;
s8、将薄膜基材沿着与双面第一金属层之间进行剥离,从而形成两卷导电薄膜的成品膜。12.根据权利要求11所述的导电薄膜的制备方法,其特征在于:所述的步骤s1中,所述的薄膜基材包括但不限于pp膜、pe膜或pet膜。13.根据权利要求11所述的导电薄膜的制备方法,其特征在于:所述的步骤s2中,所述的真空镀膜设备包括但不限于真空蒸发镀膜设备或者磁控溅射镀膜设备。14.根据权利要求11或12所述的导电薄膜的制备方法,其特征在于:所述薄膜基材的厚度为12-20μm;所述导电薄膜的成品膜厚度为3-6μm。15.根据权利要求11所述的导电薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤s4中pi料的涂布方式为双面同步涂布或者单面涂布完成后再涂另一面。16.根据权利要求11所述的导电薄膜的制备方法,其特征在于:所述的双面第一金属镀层、双面第二金属镀层、双面第三金属镀层、双面第四金属镀层以及双面第五金属镀层均为镀铜层。17.根据权利要求11所述的一种导电薄膜的制备方法,其特征在于:所述的步骤s3和步骤s7中,水镀装置为碱性水镀设备或者酸性水镀设备。18.根据权利要求11所述的一种导电薄膜的制备方法,其特征在于:所述的步骤s8中,采用剥离机实现对薄膜基材的剥离。19.一种电流汇集传输材料,其特征在于:包括权利要求1-18中任意一项所述的导电薄膜。20.一种能量储存装置,包括阴极极片、阳极极片、隔离膜、电解液以及包装材料,其特征在于:所述阴极极片使用根据权利要求19所述的电流汇集传输材料。

技术总结
本发明公开了一种导电薄膜、导电薄膜的制备方法、电流汇集传输材料以及能量存储装置,涉及导电薄膜技术领域,该导电薄膜包括薄膜基材、双面第一金属镀层、双面第二金属镀层、双面PI膜、双面第三金属镀层、双面第四金属镀层以及双面第五金属镀层;双面第一金属镀层通过真空镀膜设备成型在薄膜基材的两个表面上,双面第二金属镀层通过水镀装置成型在双面第一金属镀层上;双面PI膜通过涂布复合设备单面复合在双面第二金属镀层外表面;双面第三金属镀层通过磁控溅射镀膜设备成型在PI膜的表面,双面第四金属镀层通过真空蒸发装置成型在双面第三金属镀层上;双面第五金属镀层通过水镀装置成型在双面第四金属镀层上;本发明的有益效果是:放宽了对外层薄膜基材厚度的限制,提高了镀层材料的强度和致密性。镀层材料的强度和致密性。镀层材料的强度和致密性。


技术研发人员:贾孟
受保护的技术使用者:昆山鑫美源电子科技有限公司
技术研发日:2020.08.22
技术公布日:2022/2/23
再多了解一些

本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

发表评论 共有条评论
用户名: 密码:
验证码: 匿名发表

相关文献