低折射层及显示装置的制作方法

低折射层及显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年7月30日向韩国知识产权局提交的第10-2020-0095354号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容据此通过援引并入。
技术领域
3.本公开内容的实施方案涉及低折射层以及显示装置。


背景技术：

4.近年来，对信息显示的兴趣已经增加。因此，不断地进行对显示装置的研究和开发。


技术实现要素：

5.本公开内容的示例性实施方案提供了能够改善显示品质和光效率的低折射层，以及显示装置。
6.本公开内容的实施方案的目的不限于以上描述的目的，并且根据以下描述，以上未描述的其它目的对于本领域的普通技术人员而言将是明显的。
7.根据本公开内容的一个示例性实施方案的显示装置包括：多个发光元件、在所述发光元件上的颜色转换层以及在所述颜色转换层上的低折射层，其中所述低折射层包含以下由式1表示的单体：
8.式1
[0009][0010]
其中，在式1中，r1和r3可以各自独立地是取代或未取代的烷基基团或氢，r2可以是取代或未取代的具有两个或多于两个的碳原子的亚烷基基团，xa、xb和xc可以各自独立地是可固化官能团，以及n和m可以各自独立地是1至5的自然数。
[0011]
相对于100wt％的所述低折射层的固体含量，可以以3wt％至10wt％的含量包含所述单体。
[0012]
所述低折射层可以进一步包含中空颗粒。
[0013]
相对于100wt％的所述低折射层的固体含量，可以以10wt％至80wt％的含量包含所述中空颗粒。
[0014]
所述可固化官能团可以包括选自甲基丙烯酸酯基团、丙烯酸酯基团、乙烯基基团和环氧基团中的至少一种。
[0015]
所述显示装置可以进一步包括在所述颜色转换层与所述低折射层之间的无机层。
[0016]
所述显示装置可以进一步包括重叠所述颜色转换层的滤色器层，以及所述低折射层可以在所述颜色转换层与所述滤色器层之间。
[0017]
所述显示装置可以进一步包括在所述滤色器层与所述低折射层之间的无机层。
[0018]
所述无机层可以包含选自硅氧化物(sio
x
，其中x是0.5至4的实数)、硅氮化物(sin
x
，其中x是0.5至4的实数)、硅氮氧化物(sio
x
ny，其中x是0.5至4的实数，并且y是0.1至2的实数)、铝氧化物(alo
x
，其中x是0.5至4的实数)和钛氧化物(tio
x
，其中x是0.5至4的实数)中的至少一种。
[0019]
所述颜色转换层可以包含基体树脂和分散在所述基体树脂中的量子点。
[0020]
所述发光元件中的每一个可以包括第一半导体层、在所述第一半导体层上的第二半导体层以及在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的有源层。
[0021]
根据本公开内容的一个示例性实施方案的低折射层包含以下由式1表示的单体：
[0022]
式1
[0023][0024]
其中，在式1中，r1和r3可以各自独立地是取代或未取代的烷基基团或氢，r2可以是取代或未取代的具有两个或多于两个的碳原子的亚烷基基团，xa、xb和xc可以各自独立地是可固化官能团，以及n和m可以各自独立地是1至5的自然数。
[0025]
相对于100wt％的所述低折射层的固体含量，可以以3wt％至10wt％的含量包含所述单体。
[0026]
所述低折射层可以进一步包含中空颗粒。
[0027]
相对于100wt％的所述低折射层的固体含量，可以以10wt％至80wt％的含量包含所述中空颗粒。
[0028]
所述中空颗粒可以具有10nm至200nm的直径，并且所述中空颗粒的壳可以具有5nm至50nm的厚度。
[0029]
所述中空颗粒可以包括中空二氧化硅颗粒。
[0030]
所述中空颗粒可以在其表面上包含选自丙烯酸聚合物、聚酰亚胺聚合物、氨基甲酸酯聚合物、苯乙烯聚合物、硅氧烷聚合物和环氧聚合物中的至少一种。
[0031]
所述低折射层可以进一步包含选自固化剂、光聚合引发剂和紫外线吸收剂中的至少一种。
[0032]
所述可固化官能团可以包括选自甲基丙烯酸酯基团、丙烯酸酯基团、乙烯基基团和环氧基团中的至少一种。
[0033]
示例性实施方案的其它特征包括在详细描述和附图中。
附图说明
[0034]
附图连同说明书一起例示本公开内容的主题的实施方案，并且连同描述一起用于解释本公开内容的主题的实施方案的原理。
[0035]
图1和图2是例示出根据一个示例性实施方案的发光元件的透视图和横截面视图。
[0036]
图3是例示出根据一个示例性实施方案的显示装置的平面图。
[0037]
图4至图6是例示出根据一个示例性实施方案的像素的电路图。
[0038]
图7是例示出根据一个示例性实施方案的显示装置的横截面视图。
[0039]
图8和图9是例示出图7的像素的横截面视图。
[0040]
图10是例示出根据另一个示例性实施方案的显示装置的横截面视图。
[0041]
图11是例示出根据又一个示例性实施方案的显示装置的横截面视图。
具体实施方式
[0042]
将参考附图更全面地描述本公开内容的特征以及实现所述特征的方法，在附图中示出了本公开内容的示例性实施方案。然而，本公开内容不限于本文阐述的示例性实施方案并且可以以各种形式实现。仅提供示例性实施方案以使本公开内容的公开内容完整并且使本公开内容所属技术领域的普通技术人员完全理解本公开内容的范围。本公开内容的范围仅由所附权利要求及其等同的范围来限定。
[0043]
本说明书中使用的术语旨在解释示例性实施方案，而非旨在限制本公开内容。如本文使用，单数形式“一(a)”、“一(an)”和“所述(the)”旨在还包括复数形式，除非上下文另外明确指出。应进一步理解，术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包含(includes)”和/或“包含(including)”，如果用于本文，则指明规定的组件、步骤、操作和/或元件的存在，但不排除一个或多于一个的其它的组件、步骤、操作和/或元件的存在或增添。
[0044]
此外，术语“连接”或“联接”可以意指物理的和/或电的连接或联接。此外，该术语可以意指直接或间接的连接或联接以及一体或非一体的连接或联接。
[0045]
应理解，当元件或层被称为在另一个元件或层“上”或“上方”时，它可以直接在另一个元件或层上或上方，或者可以存在介于中间的元件或层。在整个说明书中，相同的参考数字是指相同的元件。
[0046]
应理解，尽管诸如“第一”、“第二”等的术语可以在本文用于描述各种组件，但这些组件不受这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件或组件与另一个元件或组件。因此，
在不背离本公开内容的范围和主旨的情况下，以下描述的第一组件可以被称为第二组件。
[0047]
在下文，将参考附图更详细地描述本公开内容的示例性实施方案。
[0048]
图1和图2是例示出根据一个示例性实施方案的发光元件的透视图和横截面视图。图1和图2中例示出具有圆形柱状形状的棒状发光元件ld，但发光元件ld的类型(或种类)和/或形状不限于此。
[0049]
参考图1和图2，发光元件ld可以包括第一半导体层11、第二半导体层13和插置在第一半导体层11与第二半导体层13之间的有源层12。作为实例，当将发光元件ld的延伸方向视为长度l的方向时，发光元件ld可以包括在长度l的方向上依次堆叠的第一半导体层11、有源层12和第二半导体层13。
[0050]
发光元件ld可以提供成在一个方向上延伸的棒形状。发光元件ld可以包括第一端部ep1和第二端部ep2。选自第一半导体层11和第二半导体层13中的一个可以在发光元件ld的第一端部ep1处。第一半导体层11和第二半导体层13中的另一个可以在发光元件ld的第二端部ep2处。
[0051]
根据示例性实施方案，发光元件ld可以是通过蚀刻方法等制造成棒形状的棒状发光元件(也称为“棒状发光二极管”)。在本说明书中，术语“棒形状”包括所有棒状形状和条状形状，例如圆形柱和多边形柱，其在长度l的方向上是长的(例如，具有大于1的纵横比)。棒形状的横截面的形状不受特别限制。例如，发光元件ld的长度l可以大于其直径d(或横截面的宽度)。
[0052]
发光元件ld可以具有纳米级至微米级的小尺寸。作为实例，发光元件ld可以具有直径d(或宽度)和/或长度l，其各自是从纳米级至微米级。然而，发光元件ld的尺寸不限于此。发光元件ld的尺寸可以根据各种装置(例如，使用包括发光元件ld作为光源的发光装置的显示装置)的设计条件而各种改变。
[0053]
第一半导体层11可以是第一传导类型半导体层。例如，第一半导体层11可以包括n-型半导体层。作为实例，第一半导体层11可以包括n-型半导体层，所述n-型半导体层包含选自inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn中的任一种半导体材料并且掺杂有诸如硅(si)、锗(ge)、锡(sn)等的第一传导类型掺杂剂。然而，构成第一半导体层11的材料不限于此，并且第一半导体层11可以由各种材料制成。
[0054]
有源层12可以在第一半导体层11上并且可以形成为具有单量子阱结构或多量子阱结构。有源层12的位置可以根据发光元件ld的类型(或种类)而各种改变。
[0055]
掺杂有传导掺杂剂的包层可以形成在有源层12上和/或下方。作为实例，包层可以形成为algan层和/或inalgan层。根据示例性实施方案，诸如algan和/或inalgan的材料可以用于形成有源层12，并且此外，各种材料可以构成有源层12。
[0056]
第二半导体层13可以在有源层12上并且可以包括具有与第一半导体层11的类型不同的类型的半导体层。例如，第二半导体层13可以包括p-型半导体层。作为实例，第二半导体层13可以包括p-型半导体层，所述p-型半导体层包含选自inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn中的任一种半导体材料并且掺杂有诸如镁(mg)的第二传导类型掺杂剂。然而，构成第二半导体层13的材料不限于此，并且第二半导体层13可以由各种材料制成。
[0057]
在一个示例性实例中，第一半导体层11和第二半导体层13可以在发光元件ld的长度l的方向上具有不同的长度(或厚度)。作为实例，第一半导体层11可以在发光元件ld的长
度l的方向上具有比第二半导体层13的长度(或厚度)相对更大的长度(或厚度)。因此，当第二半导体层13在第一端部ep1处并且第一半导体层11在第二端部ep2处时，发光元件ld的有源层12可以定位为相比第二端部ep2更接近于第一端部ep1。
[0058]
当将大于或等于阈值电压的电压施加至发光元件ld的两个端部时，电子和空穴在有源层12中彼此结合，并且因此，发光元件ld发射光。通过使用此类原理控制发光元件ld的光发射，发光元件ld可以用作各种发光装置的光源，例如显示装置的像素的光源。
[0059]
发光元件ld可以进一步包括提供在其表面上的绝缘膜inf。绝缘膜inf可以形成在发光元件ld的表面上，以便围绕有源层12的至少外周(例如，圆周)表面。此外，绝缘膜inf可以进一步围绕第一半导体层11和第二半导体层13中的每一个的一个区域。
[0060]
根据示例性实施方案，绝缘膜inf可以暴露发光元件ld的具有不同极性的两个端部。例如，绝缘膜inf可以暴露定位在发光元件ld的第一端部ep1处和第二端部ep2处的第二半导体层13和第一半导体层11中的每一个的一个端部。在另一个示例性实施方案中，绝缘膜inf可以暴露第一半导体层11和第二半导体层13的与发光元件ld的具有不同极性的第二端部ep2和第一端部ep1相邻的侧部。
[0061]
根据示例性实施方案，绝缘膜inf可以形成为包含选自硅氧化物(sio
x
)、硅氮化物(sin
x
)、铝氧化物(alo
x
)和钛氧化物(tio
x
)中的至少一种绝缘材料的单层或多层(例如，由铝氧化物(alo
x
)和硅氧化物(sio
x
)制成的双层)，但本公开内容不必限于此。根据示例性实施方案，绝缘膜inf可以被去除或省略。
[0062]
当提供绝缘膜inf以覆盖发光元件ld的表面，例如有源层12的外周(例如，圆周)表面时，可以防止或减少有源层12与将在以下进一步描述的第一像素电极或第二像素电极的短路。因此，可以确保发光元件ld的电稳定性。
[0063]
此外，当绝缘膜inf提供在发光元件ld的表面上时，可以最小化或减少发光元件ld的表面缺陷，从而改善发光元件ld的寿命和效率。此外，即使当多个发光元件ld彼此接近时，也可以防止或减少出现发光元件ld之间的不希望的短路。
[0064]
在一个示例性实施方案中，发光元件ld可以进一步包括除了第一半导体层11、有源层12、第二半导体层13和/或围绕第一半导体层11、有源层12和第二半导体层13的绝缘膜inf之外的额外的组件。例如，发光元件ld可以在第一半导体层11、有源层12和/或第二半导体层13的一个端侧处额外地包括至少一个荧光层、有源层、半导体层和/或电极层。作为实例，电极层可以在发光元件ld的第一端部ep1和第二端部ep2处。电极层可以是欧姆接触电极，但本公开内容不必限于此。电极层可以是肖特基接触电极(例如，在金属-半导体结处的电极)。在一些实施方案中，在图1和图2中，例示出棒状发光元件ld，但发光元件ld的类型(或种类)、结构和/或形状可以各种改变。例如，发光元件ld可以形成为具有多角锥形状的核-壳结构。
[0065]
包括以上描述的发光元件ld的发光装置可以用于包括需要光源的显示装置的各种类型(或种类)的装置。例如，多个发光元件ld可以在显示面板的每个像素中，并且发光元件ld可以用作每个像素的光源。然而，发光元件ld的应用领域不限于以上描述的实例。例如，发光元件ld可以用于需要光源的其它类型(或种类)的装置，例如照明装置。
[0066]
图3是例示出根据一个示例性实施方案的显示装置的平面图。
[0067]
作为可以使用在图1和图2的示例性实施方案中描述的发光元件ld作为光源的电
子装置的实例，在图3中例示出显示装置，例如包括在显示设备中的显示面板pnl。然而，本公开内容不必限于此，并且显示面板pnl可以使用各种发光元件例如包括有机发光层的有机发光二极管(oled)作为光源。
[0068]
显示面板pnl的每个像素单元pxu和构成像素单元pxu的每个像素可以包括一个或多个发光元件ld。为了方便，在图3中基于显示区域da简要地例示出显示面板pnl的结构。然而，根据示例性实施方案，至少一个驱动电路单元(例如，选自扫描驱动器和数据驱动器中的至少一种)、线和焊盘可以进一步在显示面板pnl中。
[0069]
参考图3，显示面板pnl可以包括衬底sub和在衬底sub上的像素单元pxu。像素单元pxu可以包括第一像素pxl1、第二像素pxl2和/或第三像素pxl3。在下文，当任意描述第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3中的至少一个像素时，该像素将被称为“像素pxl”，或者当共同描述其中至少两个像素时，该像素将被称为“像素pxl”。
[0070]
衬底sub可以构成显示面板pnl的基体构件，并且可以是刚性和/或柔性衬底和/或膜。作为实例，衬底sub可以是由玻璃和/或钢化玻璃制成的刚性衬底、由塑料和/或金属制成的柔性衬底(或薄膜)或至少一个绝缘层。衬底sub的材料和/或物理性质不受特别限制。
[0071]
在一个示例性实施方案中，衬底sub可以是基本上透明的。这里，术语“基本上透明的”可以意指光可以以设定或预定的透射率或者高于设定或预定的透射率的透射率透射。在另一个示例性实施方案中，衬底sub可以是半透明的或不透明的。此外，衬底sub可以包含根据示例性实施方案的反射材料。
[0072]
显示面板pnl和用于形成显示面板pnl的衬底sub可以包括用于显示图像的显示区域da和除了显示区域da之外的非显示区域nda。
[0073]
像素pxl可以在显示区域da中。联接至显示区域da的像素pxl的各种线、焊盘和/或嵌入式电路单元可以在非显示区域nda中。像素pxl可以根据条状和/或布置结构(是三星显示有限公司(samsung display co.,ltd.)的注册商标)规律地布置。然而，像素pxl的布置结构不限于此，并且像素pxl可以以各种结构和/或方式布置在显示区域da中。
[0074]
根据示例性实施方案，发射具有不同颜色的光的两种或多于两种类型(或种类)的像素pxl可以在显示区域da中。作为实例，发射第一颜色光的第一像素pxl1、发射第二颜色光的第二像素pxl2和发射第三颜色光的第三像素pxl3可以布置在显示区域da中。彼此相邻的至少一个第一像素pxl1、至少一个第二像素pxl2和至少一个第三像素pxl3可以构成能够发射具有各种颜色的光的一个像素单元pxu。例如，第一像素至第三像素(pxl1、pxl2和pxl3)可以是各自发射具有设定或预定颜色的光的子像素。根据示例性实施方案，第一像素pxl1可以是发射红色光的红色像素，第二像素pxl2可以是发射绿色光的绿色像素，并且第三像素pxl3可以是发射蓝色光的蓝色像素，但本公开内容不限于此。
[0075]
在一个示例性实施方案中，第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3可以分别包括发射第一颜色光的元件、发射第二颜色光的元件和发射第三颜色光的元件作为光源以分别发射第一颜色光、第二颜色光和第三颜色光。在另一个示例性实施方案中，第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3可以包括发射相同(例如，基本上相同)颜色光的发光元件。此外，第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3可以包括在发光元件上的具有不同颜色的颜色转换层和/或滤色器，从而发射第一颜色光、第二颜色光和第三颜色光。然而，
构成每个像素单元pxu的像素pxl的颜色、类型(或种类)和/或数量不受特别限制。例如，由每个像素pxl发射的光的颜色可以各种改变。
[0076]
像素pxl可以包括由设定或预定的控制信号(例如，扫描信号和数据信号)和/或设定或预定的电源(例如，第一电源和第二电源)驱动的至少一个光源。在一个示例性实施方案中，光源可以包括一个或多于一个的根据图1和图2的示例性实施方案中的任一个的发光元件ld，例如，具有纳米级至微米级的小尺寸的微型发光元件ld。然而，本公开内容不必限于此，并且此外，可以使用各种类型(或种类)的发光元件ld作为像素pxl的光源。
[0077]
在一个示例性实施方案中，每个像素pxl可以形成为有源像素。然而，适用于显示装置的像素pxl的类型(或种类)、结构和/或驱动方法不受特别限制。例如，具有各种结构和/或驱动方法的每个像素pxl可以形成为无源发光显示装置或有源发光显示装置的像素。
[0078]
图4至图6是例示出根据一个示例性实施方案的像素的电路图。例如，图4至图6例示出适用于有源显示装置的像素pxl的实施方案。然而，像素pxl和显示装置的类型(或种类)不限于此。
[0079]
根据示例性实施方案，图4至图6中例示的像素pxl可以是选自图3的显示面板pnl中提供的第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3中的任一个。第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3可以具有基本上相同或相似的结构。
[0080]
参考图4，像素pxl可以包括用于以对应于数据信号的亮度产生光的光源单元lsu和用于驱动光源单元lsu的像素电路pxc。
[0081]
光源单元lsu可以包括联接在第一电源vdd与第二电源vss之间的一个或多于一个的发光元件ld。例如，光源单元lsu可以包括通过像素电路pxc和第一电源线pl1联接至第一电源vdd的第一电极elt1(或也称为“第一像素电极”或“第一对准电极”)、通过第二电源线pl2联接至第二电源vss的第二电极elt2(或也称为“第二像素电极”或“第二对准电极”)，以及在第一电极elt1与第二电极elt2之间的在相同(例如，基本上相同)方向上联接的多个发光元件ld。在一个示例性实施方案中，第一电极elt1可以是阳极，并且第二电极elt2可以是阴极。
[0082]
发光元件ld中的每一个可以包括通过第一电极elt1和/或像素电路pxc联接至第一电源vdd的第一端部(例如，p-型端部)和通过第二电极elt2联接至第二电源vss的第二端部(例如，n-型端部)。例如，发光元件ld可以在第一电极elt1与第二电极elt2之间的正向方向上并联联接。在第一电源vdd与第二电源vss之间的正向方向上联接的发光元件ld中的每一个构成每个有效光源，并且可以聚集有效光源以形成像素pxl的光源单元lsu。
[0083]
第一电源vdd和第二电源vss可以具有不同的电势，使得发光元件ld发射光。作为实例，可以将第一电源vdd设定为高电势电源，并且可以将第二电源vss设定为低电势电源。在这种情况下，可以将第一电源vdd与第二电源vss之间的电势差设定为大于或等于在像素pxl的发射周期期间的发光元件ld的阈值电压。
[0084]
构成每个光源单元lsu的发光元件ld的一个端部(例如，p-型端部)可以通过光源单元lsu的一个电极(例如，每个像素pxl的第一电极elt1)共同联接至像素电路pxc，并且可以通过像素电路pxc和第一电源线pl1联接至第一电源vdd。发光元件ld的另一个端部(例如，n-型端部)可以通过光源单元lsu的另一个电极(例如，每个像素pxl的第二电极elt2)和第二电源线pl2共同联接至第二电源vss。
[0085]
发光元件ld可以以对应于通过相应的像素电路pxc提供的驱动电流的亮度发射光。例如，在每个帧周期期间，像素电路pxc可以向光源单元lsu供应对应于在相应帧中表达的灰度值的驱动电流。向光源单元lsu供应的驱动电流可以被分开以流向在正向方向上联接的发光元件ld。因此，当每个发光元件ld以对应于流向其的电流的亮度发射光时，光源单元lsu可以以对应于驱动电流的亮度发射光。
[0086]
像素电路pxc可以联接在第一电源vdd与第一电极elt1之间。像素电路pxc可以联接至相应像素pxl的扫描线si和数据线dj。作为实例，当像素pxl在显示区域da的第i个水平线(行)和第j个垂直线(列)中(其中i是自然数并且j是自然数)时，像素pxl的像素电路pxc可以联接至显示区域da中的第i个扫描线si和第j个数据线dj。
[0087]
根据示例性实施方案，像素电路pxc可以包括多个晶体管和至少一个电容器。例如，像素电路pxc可以包括第一晶体管t1、第二晶体管t2和存储电容器cst。
[0088]
第一晶体管t1联接在第一电源vdd与光源单元lsu之间。例如，第一晶体管t1的第一电极(例如，源极电极)可以联接至第一电源vdd，并且第一晶体管t1的第二电极(例如，漏极电极)可以联接至第一电极elt1。第一晶体管t1的栅极电极联接至第一节点n1。第一晶体管t1响应于第一节点n1的电压控制向光源单元lsu供应的驱动电流。例如，第一晶体管t1可以是控制像素pxl的驱动电流的驱动晶体管。
[0089]
第二晶体管t2联接在数据线dj与第一节点n1之间。例如，第二晶体管t2的第一电极(例如，源极电极)可以联接至数据线dj，并且第二晶体管t2的第二电极(例如，漏极电极)可以联接至第一节点n1。第二晶体管t2的栅极电极联接至扫描线si。当从扫描线si供应具有栅极导通电压(例如，低电压)的扫描信号ssi时，第二晶体管t2导通以电联接数据线dj和第一节点n1。
[0090]
在每个帧周期期间，向数据线dj供应相应帧的数据信号dsj，并且通过在其中供应具有栅极导通电压的扫描信号ssi的周期期间导通的第二晶体管t2将数据信号dsj发送至第一节点n1。例如，第二晶体管t2可以是用于将每个数据信号dsj发送至像素pxl中的开关晶体管。
[0091]
存储电容器cst的一个电极联接至第一电源vdd，并且其另一个电极联接至第一节点n1。在每个帧周期期间，用对应于向第一节点n1供应的数据信号dsj的电压对存储电容器cst进行充电。
[0092]
在图4中，包括在像素电路pxc中的晶体管(例如，所有的第一晶体管t1和第二晶体管t2)例示为p-型晶体管，但本公开内容不必限于此。可以将选自第一晶体管t1和第二晶体管t2中的至少一个改变为n-型晶体管。此外，像素电路pxc可以提供有具有各种结构和/或驱动方法的像素电路。
[0093]
参考图5，像素电路pxc可以进一步联接至感测控制线scli和感测线slj。作为实例，显示区域da的第i个水平线和第j个垂直线中的像素pxl的像素电路pxc可以联接至显示区域da的第i个感测控制线scli和第j个感测线slj。像素电路pxc可以进一步包括第三晶体管t3。在另一个示例性实施方案中，感测线slj可以被去除或省略，并且还可以通过检测通过像素pxl(或相邻像素)的数据线dj的感测信号senj来检测像素pxl的特性。
[0094]
第三晶体管t3联接在第一晶体管t1与感测线slj之间。例如，第三晶体管t3的一个电极可以联接至第一晶体管t1的联接至第一电极elt1的第一电极(例如，源极电极)，并且
第三晶体管t3的另一个电极可以联接至感测线slj。在一些实施方案中，当感测线slj被去除或省略时，第三晶体管t3的另一个电极可以联接至数据线dj。
[0095]
第三晶体管t3的栅极电极联接至感测控制线scli。当感测控制线scli被去除或省略时，第三晶体管t3的栅极电极可以联接至扫描线si。第三晶体管t3通过在设定或预定的感测周期期间向感测控制线scli供应的具有栅极导通电压(例如，高平电压)的感测控制信号scsi而导通，从而电联接感测线slj和第一晶体管t1。
[0096]
根据示例性实施方案，感测周期可以是其中提取显示区域da中的每个像素pxl的特性(例如，第一晶体管t1的阈值电压)的周期。在以上描述的感测周期期间，可以通过数据线dj和第二晶体管t2向第一节点n1供应可以导通第一晶体管t1的设定或预定的参考电压，或者每个像素pxl可以联接至电流源等以导通第一晶体管t1。此外，具有栅极导通电压的感测控制信号scsi可以向第三晶体管t3供应以导通第三晶体管t3，从而将第一晶体管t1联接至感测线slj。此后，通过感测线slj获得感测信号senj，并且每个像素pxl的特性(包括第一晶体管t1的阈值电压)可以使用感测信号senj检测。每个像素pxl的特性信息可以用于转换图像数据，使得可以补偿显示区域da中的像素pxl之间的特性差异。
[0097]
在图5中，所有的第一晶体管t1至第三晶体管t3例示为n-型晶体管，但本公开内容不必限于此。例如，可以将选自第一晶体管t1至第三晶体管t3中的至少一个改变为p-型晶体管。
[0098]
此外，在图4和图5中，构成每个光源单元lsu的有效光源，即发光元件ld均并联联接，但本公开内容不必限于此。例如，如图6中例示，每个像素pxl的光源单元lsu可以形成为包括至少两个级的串联结构。在描述图6的示例性实施方案时，将不再重复与图4和图5的示例性实施方案的组件(例如，像素电路pxc)相同或相似的组件的详细描述。
[0099]
参考图6，光源单元lsu可以包括彼此串联联接的至少两个发光元件。作为实例，光源单元lsu可以包括在第一电源vdd与第二电源vss之间串联联接的第一发光元件ld1、第二发光元件ld2和第三发光元件ld3。第一发光元件ld1、第二发光元件ld2和第三发光元件ld3可以构成有效光源。
[0100]
在下文，当描述第一发光元件ld1、第二发光元件ld2和第三发光元件ld3中的设定或特定发光元件时，相应的发光元件将被称为“第一发光元件ld1”、“第二发光元件ld2”或“第三发光元件ld3”。当任意描述第一发光元件ld1、第二发光元件ld2和第三发光元件ld3中的至少一个发光元件时，该发光元件将被称为“发光元件ld”，或者当共同描述第一发光元件ld1、第二发光元件ld2和第三发光元件ld3时，第一发光元件ld1、第二发光元件ld2和第三发光元件ld3将被称为“发光元件ld”。
[0101]
第一发光元件ld1的第一端部(例如，p-型端部)通过光源单元lsu的第一电极elt1(例如，第一像素电极)等联接至第一电源vdd。第一发光元件ld1的第二端部(例如，n-型端部)通过第一中间电极iet1联接至第二发光元件ld2的第一端部(例如，p-型端部)。
[0102]
第二发光元件ld2的第一端部联接至第一发光元件ld1的第二端部。第二发光元件ld2的第二端部(例如，n-型端部)通过第二中间电极iet2联接至第三发光元件ld3的第一端部(例如，p-型端部)。
[0103]
第三发光元件ld3的第一端部联接至第二发光元件ld2的第二端部。第三发光元件ld3的第二端部(例如，n-型端部)可以通过光源单元lsu的第二电极elt2(例如，第二像素电
极)等联接至第二电源vss。以以上描述的方式，第一发光元件ld1、第二发光元件ld2和第三发光元件ld3可以依次串联联接在光源单元lsu的第一电极elt1与第二电极elt2之间。
[0104]
图6例示出其中发光元件ld以三级串联结构联接的示例性实施方案，但本公开内容不必限于此。两个发光元件ld可以以两级串联结构联接，或者四个或多于四个的发光元件ld也可以以四级或多于四级的串联结构联接。
[0105]
假设在相同的条件(例如，相同的尺寸和/或数量)下使用发光元件ld表达相同的亮度，与具有其中发光元件ld并联联接的结构的光源单元lsu相比，在具有其中发光元件ld串联联接的结构的光源单元lsu中，施加在第一电极elt1与第二电极elt2之间的电压可以增加，并且在光源单元lsu中流动的驱动电流的大小可以减小。因此，当通过应用串联结构形成每个像素pxl的光源单元lsu时，在显示面板pnl中流动的面板电流可以减小。
[0106]
如在以上描述的示例性实施方案中，每个光源单元lsu可以包括多个发光元件ld，所述多个发光元件ld在第一电源vdd与第二电源vss之间的正向方向上联接以构成有效光源。此外，发光元件ld之间的连接结构可以根据示例性实施方案各种改变。例如，发光元件ld可以仅串联或并联联接，或者可以串联-并联混合结构联接。
[0107]
图7是例示出根据一个示例性实施方案的显示装置的横截面视图。图8和图9是例示出图7的像素的横截面视图。
[0108]
在图7中，基于其中定位有包括彼此相邻的第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3的一个像素单元pxu的区域来例示显示装置的横截面，例如，提供在显示装置中的显示面板pnl的横截面。
[0109]
此外，图8和图9基于一个发光元件ld示意性地例示每个像素pxl的结构。为了示出构成像素电路pxc的各种电路元件，例示出联接至第一电极elt1的晶体管t(例如，图4的第一晶体管t1等)和存储电容器cst。在下文，当不必区分和指明第一晶体管t1时，第一晶体管t1也将统称为“晶体管t”。
[0110]
在一些实施方案中，晶体管t和存储电容器cst的每个层上的结构和/或位置不限于图8和图9中例示的示例性实施方案，并且可以根据示例性实施方案各种改变。此外，在一个示例性实施方案中，构成每个像素电路pxc的晶体管t可以具有基本上相同或相似的结构，但本公开内容不限于此。例如，在另一个示例性实施方案中，构成每个像素电路pxc的晶体管t中的至少一个可以具有与其它晶体管t不同的横截面结构和/或可以在与其它晶体管t不同的层上。
[0111]
参考图7至图9，像素pxl和包括像素pxl的显示装置可以包括衬底sub、在衬底sub的一个表面上的电路层pcl、显示层dpl、颜色转换层ccl、低折射层lrl和/或滤色器层cfl。
[0112]
电路层pcl可以包括构成每个像素pxl的像素电路pxc的电路元件和联接至电路元件的各种线。显示层dpl可以包括电极(例如，第一电极elt1和第二电极elt2和/或第一接触电极cne1和第二接触电极cne2)和构成每个像素pxl的光源单元lsu的发光元件ld。
[0113]
电路层pcl可以包括电联接至每个像素pxl的发光元件ld的至少一个电路元件。例如，电路层pcl可以包括多个晶体管t和存储电容器cst，它们在每个像素区域pxa中并且构成相应像素pxl的像素电路pxc。此外，电路层pcl可以进一步包括联接至每个像素电路pxc和/或光源单元lsu的至少一个电源线和/或信号线。例如，电路层pcl可以包括每个像素pxl的第一电源线pl1、第二电源线pl2、以及扫描线si和数据线dj。在一些实施方案中，当像素
电路pxc被去除或省略并且每个像素pxl的光源单元lsu直接联接至第一电源线pl1和第二电源线pl2(或者设定或预定的信号线)时，电路层pcl可以被去除或省略。
[0114]
此外，电路层pcl可以包括多个绝缘层。例如，电路层pcl可以包括依次堆叠在衬底sub的一个表面上的缓冲层bfl、栅极绝缘层gi、第一层间绝缘层ild1、第二层间绝缘层ild2和/或钝化层psv。此外，电路层pcl可以在至少一些晶体管t下方任选地进一步包括至少一个光阻挡图案等。
[0115]
缓冲层bfl可以防止或减少杂质扩散进每个电路元件中。缓冲层bfl可以形成为单层，但也可以形成为包括至少两个层的多层。当缓冲层bfl提供为多层时，各个层可以由相同(例如，基本上相同)的材料制成或者可以由不同的材料制成。诸如晶体管t和存储电容器cst的各种电路元件以及联接至电路元件的各种线可以在缓冲层bfl上。在一些实施方案中，缓冲层bfl可以根据示例性实施方案被去除或省略。在这种情况下，至少一个电路元件和/或线可以直接在衬底sub的一个表面上。
[0116]
每个晶体管t包括半导体图案scp(也称为“半导体层”或“有源层”)、栅极电极ge以及第一晶体管电极te1和第二晶体管电极te2。图8和图9例示出其中每个晶体管t包括与半导体图案scp分开形成的第一晶体管电极te1和第二晶体管电极te2的示例性实施方案，但本公开内容不必限于此。例如，在另一个示例性实施方案中，在至少一个晶体管t中提供的第一晶体管电极te1和/或第二晶体管电极te2可以与每个半导体图案scp集成。
[0117]
半导体图案scp可以在缓冲层bfl上。作为实例，半导体图案scp可以在栅极绝缘层gi与其上形成有缓冲层bfl的衬底sub之间。半导体图案scp可以包括与每个第一晶体管电极te1接触(例如，物理接触)的第一区、与每个第二晶体管电极te2接触(例如，物理接触)的第二区以及定位在第一区与第二区之间的沟道区。根据示例性实施方案，选自第一区和第二区中的一个可以是源极区，并且其中另一个可以是漏极区。
[0118]
根据示例性实施方案，半导体图案scp可以是由多晶硅、非晶硅、氧化物半导体等制成的半导体图案。此外，半导体图案scp的沟道区可以是未掺杂有杂质的半导体图案，例如，本征半导体，并且半导体图案scp的第一区和第二区可以各自是掺杂有设定或预定的杂质的半导体图案。
[0119]
在一个示例性实施方案中，构成每个像素电路pxc的晶体管t的半导体图案scp可以由基本上相同或类似的材料制成。例如，晶体管t的半导体图案scp可以由选自多晶硅、非晶硅和氧化物半导体的相同(例如，基本上相同)材料制成。
[0120]
在另一个示例性实施方案中，一些晶体管t和其余的晶体管t可以包括由不同材料制成的半导体图案scp。例如，一些晶体管t的半导体图案scp可以由多晶硅和/或非晶硅制成，并且其余的晶体管t的半导体图案scp可以由氧化物半导体制成。
[0121]
栅极绝缘层gi可以在半导体图案scp上。作为实例，栅极绝缘层gi可以在半导体图案scp与栅极电极ge之间。栅极绝缘层gi可以形成为单层或多层，并且可以包含各种类型(或种类)的有机/无机绝缘材料，包括硅氮化物(sin
x
)和/或硅氧化物(sio
x
)。
[0122]
栅极电极ge可以在栅极绝缘层gi上。例如，栅极电极ge可以重叠半导体图案scp，并且栅极绝缘层gi插置在其间。在图8和图9中，例示出具有顶部栅极结构的晶体管t，但在另一个示例性实施方案中，晶体管t可以具有底部栅极结构。在这种情况下，栅极电极ge可以在半导体图案scp之下以重叠半导体图案scp。
[0123]
第一层间绝缘层ild1可以在栅极电极ge上。作为实例，第一层间绝缘层ild1可以在栅极电极ge与第一晶体管电极te1和第二晶体管电极te2之间。第一层间绝缘层ild1可以形成为单层或多层，并且可以包含至少一种无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。例如，第一层间绝缘层ild1可以包含各种类型(或种类)的有机/无机绝缘材料，包括硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)和/或硅氮氧化物(sio
x
ny)，并且第一层间绝缘层ild1的结构材料不受具体限制。
[0124]
第一晶体管电极te1和第二晶体管电极te2可以在每个半导体图案scp上，并且至少一个第一层间绝缘层ild1插置在其间。例如，第一晶体管电极te1和第二晶体管电极te2可以在半导体图案scp的不同端部上，并且栅极绝缘层gi和第一层间绝缘层ild1插置在其间。第一晶体管电极te1和第二晶体管电极te2可以电联接至每个半导体图案scp。例如，第一晶体管电极te1和第二晶体管电极te2可以通过穿过栅极绝缘层gi和第一层间绝缘层ild1的各自的接触孔联接至半导体图案scp的第一区和第二区。根据示例性实施方案，选自第一晶体管电极te1和第二晶体管电极te2中的一个可以是源极电极，并且其中另一个可以是漏极电极。
[0125]
在像素电路pxc中提供的至少一个晶体管t可以联接至至少一个像素电极。作为实例，晶体管t可以通过穿过钝化层psv和/或桥接图案brp的接触孔(例如，第一接触孔ch1)电联接至相应像素pxl的第一电极elt1。
[0126]
存储电容器cst包括彼此重叠的第一电容电极ce1和第二电容电极ce2。第一电容电极ce1和第二电容电极ce2中的每一个可以形成为单层或多层。此外，选自第一电容电极ce1和第二电容电极ce2中的至少一个可以在与构成第一晶体管t1的至少一个电极或半导体图案scp相同的层上。
[0127]
例如，第一电容电极ce1可以形成为多层电极，所述多层电极包括在与第一晶体管t1的半导体图案scp相同的层上的下部电极le，以及在与第一晶体管t1的第一电极te1和第二电极te2相同的层上并且电联接至下部电极le的上部电极ue。第二电容电极ce2可以形成为在与第一晶体管t1的栅极电极相同的层上并且在第一电容电极ce1的下部电极le与上部电极ue之间的单层电极。然而，第一电容电极ce1和第二电容电极ce2中的每一个的结构和/或位置可以各种改变。例如，选自第一电容电极ce1和第二电容电极ce2中的一个可以包括在与构成第一晶体管t1的电极(例如，栅极电极ge以及第一晶体管电极te1和第二晶体管电极te2)和半导体图案scp不同的层上的传导图案。作为实例，第一电容电极ce1和/或第二电容电极ce2可以具有包括在第二层间绝缘层ild2上的传导图案的单层结构或多层结构。
[0128]
在一个示例性实施方案中，联接至每个像素pxl的至少一个信号线和/或电源线可以在与构成像素电路pxc的电路元件的一个电极相同的层上。作为实例，每个像素pxl的扫描线si可以在与晶体管t的栅极电极ge相同的层上，并且每个像素pxl的数据线dj可以在与晶体管t的第一晶体管电极te1和第二晶体管电极te2相同的层上。
[0129]
第一电源线pl1和/或第二电源线pl2可以在与晶体管t的栅极电极ge或第一晶体管电极te1和第二晶体管电极te2相同的层上或不同的层上。作为实例，用于供应第二电源vss的功率的第二电源线pl2可以在第二层间绝缘层ild2上，并且因此，其至少一部分可以被钝化层psv覆盖。第二电源线pl2可以通过穿过钝化层psv的第二接触孔ch2电联接至在钝化层psv上的光源单元lsu的第二电极elt2。然而，第一电源线pl1和/或第二电源线pl2的位
置和/或结构可以各种改变。例如，第二电源线pl2可以在与晶体管t的栅极电极ge或第一晶体管电极te1和第二晶体管电极te2相同的层上，并且因此通过至少一个桥接图案和/或第二接触孔ch2电联接至第二电极elt2。
[0130]
第二层间绝缘层ild2可以在第一层间绝缘层ild1上并且可以覆盖定位在第一层间绝缘层ild1上的第一晶体管电极te1和第二晶体管电极te2和/或存储电容器cst。第二层间绝缘层ild2可以形成为单层或多层，并且可以包含至少一种无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。例如，第二层间绝缘层ild2可以包含各种类型(或种类)的有机/无机绝缘材料，包括硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)和/或硅氮氧化物(sio
x
ny)，但本公开内容不必限于此。
[0131]
用于将在像素电路pxc中提供的至少一个电路元件(例如，第一晶体管t1)联接至第一电极elt1、第一电源线pl1和/或第二电源线pl2的桥接图案brp可以在第二层间绝缘层ild2上。然而，第二层间绝缘层ild2可以根据示例性实施方案被去除或省略。在这种情况下，可以去除或省略图8和图9的桥接图案brp等，并且第二电源线pl2可以在其中定位有晶体管t的一个电极的层上。
[0132]
钝化层psv可以在诸如晶体管t和存储电容器cst的电路元件和/或诸如第一电源线pl1和第二电源线pl2的线上。钝化层psv可以形成为单层或多层，并且可以包含至少一种无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。作为实例，钝化层psv可以至少包括有机绝缘层，并且可以用于基本上平坦化电路层pcl的表面。
[0133]
显示层dpl可以在电路层pcl的钝化层psv上。显示层dpl可以包括在每个像素pxl的发射区域ema中并且构成每个光源单元lsu的至少一对的第一电极elt1和第二电极elt2，以及联接在第一电极elt1与第二电极elt2之间的一个或多于一个的发光元件ld。在图7至图9中，例示出每个像素pxl中的一个发光元件ld，但如在图4的示例性实施方案等中，每个像素pxl可以包括联接在第一电极elt1与第二电极elt2之间的多个发光元件ld。因此，下面将假设像素pxl包括多个发光元件ld来描述每个示例性实施方案。
[0134]
此外，显示层dpl可以进一步包括用于更稳定地联接在第一电极elt1与第二电极elt2之间的发光元件ld的第一接触电极cne1和第二接触电极cne2、用于使第一电极elt1和第二电极elt2和/或第一接触电极cne1和第二接触电极cne2中的每一个的一个区向上突出的第一堤bnk1、以及围绕每个发射区域ema的第二堤bnk2。此外，显示层dpl可以进一步包括至少一个传导层和/或绝缘层。
[0135]
第一堤bnk1可以在电路层pcl上。第一堤bnk1可以形成为分离型或一体型图案。第一堤bnk1可以在衬底sub的高度方向上突出。
[0136]
第一堤bnk1可以根据示例性实施方案具有各种形状。在示例性实施方案中，第一堤bnk1可以是具有正减缩结构的堤结构。例如，如图7至图9中例示，第一堤bnk1可以形成为具有相对于衬底sub以设定或预定的角度倾斜的倾斜表面。然而，本公开内容不必限于此，并且第一堤bnk1可以具有具有弯曲或阶梯形状的侧壁。作为实例，第一堤bnk1可以具有具有半圆形或半椭圆形形状的横截面。
[0137]
在第一堤bnk1上的电极和绝缘层可以具有对应于第一堤bnk1的形状。作为实例，第一电极elt1和第二电极elt2以及第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以在第一堤bnk1的一个区上，并且可以具有具有对应于第一堤bnk1形状的形状的倾斜表面或弯曲表面。类似地，第一绝缘层ins1、第三绝缘层ins3和/或第四绝缘层ins4可以在第一堤bnk1上，
并且可以具有具有对应于第一堤bnk1形状的形状的倾斜表面或弯曲表面。
[0138]
第一堤bnk1可以包含绝缘材料，所述绝缘材料包括至少一种无机材料和/或有机材料。作为实例，第一堤bnk1可以包括至少一层的无机膜，所述无机膜包含诸如硅氮化物(sin
x
)和/或硅氧化物(sio
x
)的各种无机绝缘材料。在一些实施方案中，第一堤bnk1可以包括包含各种类型(或种类)的有机绝缘材料的至少一层的有机膜和/或光致抗蚀剂膜，和/或可以包括包含有机材料和无机材料的组合的单层或多层绝缘体。例如，第一堤bnk1的结构材料和/或图案形状可以各种改变。
[0139]
在示例性实施方案中，第一堤bnk1可以用作反射构件。作为实例，第一堤bnk1可以用作反射构件，其通过连同其上提供的第一电极elt1和第二电极elt2将从每个发光元件ld发射的光引导在适合或期望的方向(例如，像素pxl的上方向)上来改善像素pxl的光效率。
[0140]
构成每个像素pxl的像素电极的第一电极elt1和第二电极elt2可以在第一堤bnk1上。第一电极elt1和第二电极elt2可以在其中提供和/或形成每个像素pxl的每个像素区域pxa中。例如，第一电极elt1和第二电极elt2可以在每个像素pxl的发射区域ema中。第一电极elt1和第二电极elt2可以彼此间隔开。例如，第一电极elt1和第二电极elt2可以在每个发射区域ema中彼此隔开设定或预定的间隔，并且可以是并排的。
[0141]
根据示例性实施方案，第一电极elt1和/或第二电极elt2可以具有为每个像素pxl分开的图案，或者可以具有共同联接至多个像素pxl的图案。在一些实施方案中，在形成像素pxl的过程之前，例如，完成对准发光元件ld的过程，显示区域da中的像素pxl的第一电极elt1可以彼此联接，并且像素pxl的第二电极elt2可以彼此联接。例如，在完成发光元件ld的对准之前，像素pxl的第一电极elt1可以彼此一体地或非一体地形成，并且可以彼此电联接，以及像素pxl的第二电极elt2可以彼此一体地或非一体地形成，并且可以彼此电联接。当像素pxl的第一电极elt1或第二电极elt2彼此非一体地联接时，第一电极elt1或第二电极elt2可以通过至少一个接触孔和/或桥接图案彼此电联接。
[0142]
在发光元件ld的对准操作中，第一电极elt1和第二电极elt2可以各自接收第一对准信号(或第一对准电压)和/或第二对准信号(或第二对准电压)。作为实例，选自第一电极elt1和第二电极elt2中的一个可以接收交流电流(ac)对准信号，并且第一电极elt1和第二电极elt2中的另一个可以接收具有恒定电压电平的对准电压(例如，地电压)。在一些实施方案中，在发光元件ld的对准操作中，可以将设定或预定的对准信号施加至第一电极elt1和第二电极elt2。因此，可以在第一电极elt1与第二电极elt2之间形成电场。在每个像素区域(例如，每个像素pxl的发射区域ema)中提供的发光元件ld可以通过电场在第一电极elt1与第二电极elt2之间自对准。在完成发光元件ld的对准之后，至少第一电极elt1可以在像素pxl之间断开，并且因此，像素pxl可以形成为单独驱动。
[0143]
第一电极elt1可以通过第一接触孔ch1电联接至设定或预定的电路元件(例如，构成像素电路pxc的至少一个晶体管)、电源线(例如，第一电源线pl1)和/或信号线(例如扫描线si、数据线dj、或者设定或预定的控制线)。在一个示例性实施方案中，第一电极elt1可以通过第一接触孔ch1电联接至桥接图案brp并且可以通过桥接图案brp电联接至晶体管t。然而，本公开内容不必限于此，并且第一电极elt1可以直接联接至设定或预定的电源线或信号线。
[0144]
第二电极elt2可以通过第二接触孔ch2电联接至设定或预定的电路元件(例如，构
成像素电路pxc的至少一个晶体管)、电源线(例如，第二电源线pl2)和/或信号线(例如，扫描线si、数据线dj、或者设定或预定的控制线)。在一个示例性实施方案中，第二电极elt2可以通过第二接触孔ch2电联接至第二电源线pl2。然而，本公开内容不必限于此，并且第二电极elt2可以直接联接至设定或预定的电源线或信号线。
[0145]
第一电极elt1和第二电极elt2中的每一个可以包含至少一种传导材料(例如，导电材料)。作为实例，第一电极elt1和第二电极elt2中的每一个可以包含选自各种金属材料(包括银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钛(ti)、钼(mo)和铜(cu))中的至少一种金属，或包含所述至少一种金属的合金，或者可以包含至少一种传导材料(例如，导电材料)，所述传导材料选自传导氧化物(例如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化铟锡锌(itzo)、氧化锌(zno)、氧化铝锌(azo)、氧化镓锌(gzo)、氧化锌锡(zto)、氧化镓锡(gto)和/或氧化氟锡(fto))和传导聚合物(例如聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(pedot))，但本公开内容不限于此。例如，第一电极elt1和第二电极elt2中的每一个可以包含其它传导材料(例如，导电材料)，例如碳纳米管和/或石墨烯。此外，第一电极elt1和第二电极elt2中的每一个可以形成为单层或多层。作为实例，第一电极elt1和第二电极elt2中的每一个可以包括包含反射传导材料(例如，反射导电材料)的反射电极层。此外，第一电极elt1和第二电极elt2中的每一个可以任选地进一步包括在反射电极层上和/或下的至少一个透明电极层和覆盖反射电极层和/或透明电极层的上部的至少一个传导覆盖层。
[0146]
第一绝缘层ins1可以在第一电极elt1和第二电极elt2中的每一个的一个区上。例如，第一绝缘层ins1可以形成为覆盖第一电极elt1和第二电极elt2中的每一个的一个区，并且可以包括暴露第一电极elt1和第二电极elt2中的每一个的其它区的开口。作为实例，第一绝缘层ins1可以包括形成在第一堤bnk1的上表面上的开口。第一电极elt1和第二电极elt2可以分别在其中打开第一绝缘层ins1的区中电联接至第一接触电极cne1和第二接触电极cne2。在一些实施方案中，第一绝缘层ins1可以根据示例性实施方案被去除或省略。在这种情况下，发光元件ld可以直接在钝化层psv和/或第一电极elt1和第二电极elt2的一个端部上。
[0147]
在一个示例性实施方案中，第一绝缘层ins1可以形成为主要并且完全覆盖第一电极elt1和第二电极elt2。在第一绝缘层ins1上提供并且对准发光元件ld之后，第一绝缘层ins1可以被部分地打开以暴露第一电极elt1和第二电极elt2的一个区。例如，第一绝缘层ins1可以在第一堤bnk1的上表面上具有暴露第一电极elt1和第二电极elt2的一个区的开口，并且可以至少覆盖第一电极elt1和第二电极elt2的倾斜表面和/或弯曲表面的部分。在另一个示例性实施方案中，在完成发光元件ld的提供和对准之后，第一绝缘层ins1可以以单独图案的形式图案化，所述单独图案仅局部地在发光元件ld下方。在形成第一电极elt1和第二电极elt2之后，可以形成第一绝缘层ins1以覆盖第一电极elt1和第二电极elt2。因此，可以防止或减少在后续过程中对第一电极elt1和第二电极elt2的损坏。
[0148]
第一层间绝缘层ild1可以形成为单层或多层，并且可以包含至少一种无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。例如，第一层间绝缘层ild1可以包含各种类型(或种类)的有机/无机绝缘材料，包括硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)和/或铝氧化物(alo
x
)。
[0149]
可以在第一电极elt1和第二电极elt2以及第一绝缘层ins1上提供并且对准发光
元件ld。在一些实施方案中，在提供发光元件ld之前，第二堤bnk2可以形成在发射区域ema周围。例如，第二堤bnk2可以形成在显示区域da中以围绕每个发射区域ema。
[0150]
第二堤bnk2可以是限定每个像素pxl的发射区域ema的结构，并且可以是例如像素限定层。例如，第二堤bnk2可以在其中提供有每个像素pxl的每个像素区域pxa的边界区中和/或在相邻像素pxl之间的区中，以便围绕每个像素区域pxa的发射区域ema。在下文，当任意描述第一像素区域pxa1、第二像素区域pxa2和第三像素区域pxa3中的至少一个像素区域时，该像素区域将被称为“像素区域pxa”，或者当共同描述其中至少两个像素区域时，该像素区域将被称为“像素区域pxa”。
[0151]
第二堤bnk2可以包含至少一种光阻挡和/或反射材料以防止或减少相邻像素pxl之间的漏光。例如，第二堤bnk2可以包含选自各种类型(或种类)的黑色基体材料的至少一种黑色基体材料(例如，本领域中通常使用的至少一种适合的光阻挡材料)和/或具有设定或特定的颜色的滤色器材料。例如，第二堤bnk2可以形成为黑色不透明图案以阻挡或减少光透射。在一个示例性实施方案中，可以在第二堤bnk2的表面(例如，侧壁)上形成反射层，以便进一步增加像素pxl的光效率。
[0152]
此外，在向每个像素pxl提供发光元件ld的操作中，第二堤bnk2可以用作限定应向其供应发光元件ld的每个发射区域ema的坝结构。例如，因为每个发射区域ema被第二堤bnk2分割，所以可以向发射区域ema供应期望的类型(或种类)和/或量的发光元件墨。
[0153]
在一个示例性实施方案中，在形成像素pxl的第一堤bnk1的过程中，第二堤bnk2可以与第一堤bnk1并行地(例如，同时地)形成在同一层上。在另一个示例性实施方案中，可以通过与形成第一堤bnk1的过程分开的过程，在与第一堤bnk1相同的层或不同的层上形成第二堤bnk2。作为实例，第二堤bnk2可以形成在第一堤bnk1上。例如，第二堤bnk2可以形成在第一绝缘层ins1上，但本公开内容不限于此。
[0154]
发光元件ld可以提供至其中形成有第一堤bnk1、第一电极elt1和第二电极elt2、第一绝缘层ins1以及第二堤bnk2的每个像素区域pxa，并且可以在第一电极elt1与第二电极elt2之间对准。作为实例，多个发光元件ld可以通过喷墨方法、狭涂方法和/或各种其它方法提供至每个像素pxl的发射区域ema。发光元件ld可以通过施加至第一电极elt1和第二电极elt2中的每一个的设定或预定的对准信号(或对准电压)来对准以在第一电极elt1与第二电极elt2之间具有方向性。
[0155]
在一个示例性实施方案中，至少一些发光元件ld可以在一对的第一电极elt1与第二电极elt2之间，以便其两个端部(例如，第一端部ep1和第二端部ep2)重叠所述对的第一电极elt1和第二电极elt2。在另一个示例性实施方案中，至少一些发光元件ld可以在一对相邻的第一电极elt1与第二电极elt2之间，以便不重叠第一电极elt1和/或第二电极elt2，并且可以通过第一接触电极cne1和第二接触电极cne2电联接至所述对的第一电极elt1和第二电极elt2。电联接在第一电极elt1与第二电极elt2之间的每个发光元件ld可以构成相应像素pxl的有效光源。有效光源可以构成相应像素pxl的光源单元lsu。
[0156]
第二绝缘层ins2可以在发光元件ld的一个区上。例如，第二绝缘层ins2可以在每个发光元件ld的一个区上，以便暴露每个发光元件ld的第一端部ep1和第二端部ep2。作为实例，第二绝缘层ins2可以局部地在包括每个发光元件ld的中心区的一个区上。当在完成发光元件ld的对准之后在发光元件ld上形成第二绝缘层ins2时，可以防止或减少发光元件
ld与其对准位置的分离。
[0157]
第二绝缘层ins2可以形成为每个像素pxl的发射区域ema中的独立图案，但本公开内容不限于此。第二绝缘层ins2可以根据示例性实施方案被去除或省略，并且在这种情况下，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2中的每一个的一个端部可以直接定位在(例如，物理接触)发光元件ld的上表面上。
[0158]
第二绝缘层ins2可以形成为单层或多层并且可以包含至少一种无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。例如，第二绝缘层ins2可以包含各种类型(或种类)的有机/无机绝缘材料，包括硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、铝氧化物(alo
x
)和/或光致抗蚀剂(pr)材料。
[0159]
发光元件ld的未被第二绝缘层ins2覆盖的两个端部，即，第一端部ep1和第二端部ep2，可以分别被第一接触电极cne1和第二接触电极cne2覆盖。第一接触电极cne1和第二接触电极cne2形成为彼此间隔开。例如，彼此相邻的第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以在至少一个相邻发光元件ld的第一端部ep1和第二端部ep2上彼此间隔开，并且第二绝缘层ins2插置其间。
[0160]
此外，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以在第一电极elt1和第二电极elt2上以便覆盖第一电极elt1和第二电极elt2的暴露区。例如，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以在第一电极elt1和第二电极elt2中的每一个的一个区上，以便在第一堤bnk1上或周围分别与第一电极elt1和第二电极elt2直接或间接接触。因此，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以分别电联接至第一电极elt1和第二电极elt2。例如，第一电极elt1和第二电极elt2可以分别通过第一接触电极cne1和第二接触电极cne2电联接至至少一个相邻发光元件ld的第一端部ep1和第二端部ep2。
[0161]
在一个示例性实施方案中，如图8中例示，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以依次形成在衬底sub的一个表面上的不同的层上。在这种情况下，第三绝缘层ins3可以在第一接触电极cne1与第二接触电极cne2之间。在一些实施方案中，形成第一接触电极cne1和第二接触电极cne2的顺序可以改变。例如，在另一个示例性实施方案中，在形成第一接触电极cne1之前，可以首先形成第二接触电极cne2，并且在形成第三绝缘层ins3以覆盖第二接触电极cne2和第二绝缘层ins2之后，可以在第三绝缘层ins3的一个端部上形成第一接触电极cne1。然而，本公开内容不必限于此，并且如图9中例示，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以在相同的层上。例如，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以在衬底sub的一个表面上形成为相同的传导层。在这种情况下，因为第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以在相同(例如，基本上相同)的过程中在相同(例如，基本上相同)的时间形成，所以可以简化像素pxl和包括像素pxl的显示装置的制造过程。然而，本公开内容不必限于此，并且第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以依次形成。
[0162]
第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以由各种透明传导材料制成。作为实例，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以包含选自各种透明传导材料(例如透明导电材料)(例如，氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化铟锡锌(itzo)、氧化锌(zno)、氧化铝锌(azo)、氧化镓锌(gzo)、氧化锌锡(zto)、氧化镓锡(gto)和/或氧化氟锡(fto))中的至少一种，并且可以是基本上透明或半透明的，以满足适合的或期望的透射率。因此，从发光元件ld通过其第一端部ep1和第二端部ep2发射的光可以穿过第一接触电极cne1和第二接触电极cne2以发射至显示面板pnl的外部。
[0163]
第三绝缘层ins3可以在第一接触电极cne1上以便覆盖第一接触电极cne1。例如，第三绝缘层ins3可以在第二绝缘层ins2和第一接触电极cne1上，使得第三绝缘层ins3的一个端部插置在第一接触电极cne1与第二接触电极cne2之间。第二接触电极cne2的一个端部可以在第三绝缘层ins3的一个端部上。
[0164]
如以上描述，当第二绝缘层ins2和第三绝缘层ins3形成在发光元件ld上时，可以在发光元件ld的第一端部ep1与第二端部ep2之间确保电稳定性。例如，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以被第二绝缘层ins2和第三绝缘层ins3稳定地分开。因此，可以有效地防止或减少在发光元件ld的第一端部ep1与第二端部ep2之间发生短路缺陷。
[0165]
第三绝缘层ins3可以形成为单层或多层并且可以包含至少一种无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。例如，第三绝缘层ins3可以包含各种类型(或种类)的有机/无机绝缘材料，包括硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、铝氧化物(alo
x
)和/或pr材料。
[0166]
第四绝缘层ins4可以在第一接触电极cne1和第二接触电极cne2和/或第三绝缘层ins3上。例如，第四绝缘层ins4可以覆盖第一堤bnk1和第二堤bnk2，第一电极elt1和第二电极elt2，以及第一绝缘层ins1、第二绝缘层ins2和/或第三绝缘层ins3，发光元件ld，以及第一接触电极cne1和第二接触电极cne2。第四绝缘层ins4可以包括至少一层的无机膜和/或有机膜。
[0167]
第四绝缘层ins4可以形成为单层或多层并且可以包含至少一种无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。例如，第四绝缘层ins4可以包含各种类型(或种类)的有机/无机绝缘材料，包括硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)和/或铝氧化物(alo
x
)。
[0168]
在一个示例性实施方案中，第四绝缘层ins4可以包括具有多层结构的薄膜封装层。例如，第四绝缘层ins4可以包括具有多层结构的薄膜封装层，所述多层结构包括至少两个无机绝缘层以及插置在所述至少两个无机绝缘层之间的至少一个有机绝缘层。然而，本公开内容不必限于此，并且第四绝缘层ins4的结构材料和/或结构可以各种改变。
[0169]
颜色转换层ccl可以在显示层dpl上。颜色转换层ccl可以在由第二堤bnk2分割的区中。
[0170]
颜色转换层ccl可以包括在第一像素pxl1上的第一颜色转换层ccl1、在第二像素pxl2上的第二颜色转换层ccl2以及在第三像素pxl3上的光散射层lsl。
[0171]
在一个示例性实施方案中，第一像素至第三像素(pxl1、pxl2和pxl3)可以包括发射具有相同(例如，基本上相同)颜色的光的发光元件ld。例如，第一像素至第三像素(pxl1、pxl2和pxl3)可以包括发射第三颜色光(例如，在约400nm至约500nm的波长带中的颜色光)的发光元件ld。包含颜色转换颗粒的颜色转换层ccl在第一像素至第三像素(pxl1、pxl2和pxl3)中的至少一些像素pxl上，从而显示全色图像。然而，本公开内容不必限于此，并且第一像素至第三像素(pxl1、pxl2和pxl3)可以包括发射具有不同颜色的光的发光元件ld。例如，第一像素pxl1可以包括发射第一颜色(例如，红色)光的元件ld，并且第二像素pxl2可以包括发射第二颜色(例如，绿色)光的元件ld，并且第三像素pxl3可以包括发射第三颜色(例如，蓝色)光的元件ld。
[0172]
第一颜色转换层ccl1可以包含将从发光元件ld发射的第三颜色光转换成第一颜色光的第一颜色转换颗粒。例如，当发光元件ld是发射蓝色光的发射蓝色光的元件并且第一像素pxl1是红色像素时，第一颜色转换层ccl1可以包含将从发射蓝色光的元件发射的蓝
色光转换成红色光的第一量子点qdr。例如，第一颜色转换层ccl1可以包含分散在设定或预定的基体材料(例如基体树脂)的多个第一量子点qdr。第一量子点qdr可以吸收蓝色光并且根据能量转换改变波长以发射在约620nm至约780nm的波长带中的红色光。在一些实施方案中，当第一像素pxl1是不同颜色像素时，第一颜色转换层ccl1可以包含对应于第一像素pxl1的颜色的第一量子点。
[0173]
第二颜色转换层ccl2可以包含将从发光元件ld发射的第三颜色光转换成第二颜色光的第二颜色转换颗粒。作为实例，当发光元件ld是发射蓝色光的发射蓝色光的元件并且第二像素pxl2是绿色像素时，第二颜色转换层ccl2可以包含将从发射蓝色光的元件发射的蓝色光转换成绿色光的第二量子点qdg。例如，第二颜色转换层ccl2可以包含分散在设定或预定的基体材料(例如基体树脂)中的多个第二量子点qdg。第二量子点qdg可以吸收蓝色光并且根据能量转换改变波长以发射在约500nm至约570nm的波长带中的绿色光。在一些实施方案中，当第二像素pxl2是不同颜色像素时，第二颜色转换层ccl2可以包含对应于第二像素pxl2的颜色的第二量子点。
[0174]
第一量子点qdr和第二量子点qdg中的每一个可以选自ii-iv族化合物、iv-vi族化合物、iv族元素、vi族化合物及其组合，但本公开内容不限于此。
[0175]
第一量子点qdr和第二量子点qdg可以具有约45nm或小于45nm的发射波长光谱的半峰全宽(fwhm)，并且通过第一量子点qdr和第二量子点qdg发射的光可以在所有方向上(例如，在基本上每个方向上)发射。因此，可以改善显示装置的视角。
[0176]
在一些实施方案中，第一量子点qdr和第二量子点qdg可以是：球形、角锥形、多臂和/或立方体纳米颗粒，纳米管，纳米线，纳米纤维和/或纳米板颗粒，但本公开内容不必限于此。第一量子点qdr和第二量子点qdg的形状可以各种改变。
[0177]
在一个示例性实施方案中，当具有在可见光区中的相对短波长的蓝色光入射到第一量子点qdr和第二量子点qdg中的每一个上时，可以增加第一量子点qdr和第二量子点qdg的吸收系数。因此，可以最终增加从第一像素pxl1和第二像素pxl2发射的光的效率，并且还可以确保优异的颜色再现性。此外，当使用发射相同(例如，基本上相同)颜色光的元件ld(例如，发射蓝色光的元件ld)形成第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3的光源单元lsu时，可以增加显示装置的制造效率。
[0178]
光散射层lsl可以任选地提供，以便有效地使用从发光元件ld发射的第三颜色光。作为实例，当发光元件ld是发射蓝色光的发射蓝色光的元件并且第三像素pxl3是蓝色像素时，光散射层lsl可以包含至少一种类型(或种类)的光散射颗粒sct，以便有效地使用从发光元件ld发射的光。
[0179]
例如，光散射层lsl可以包含分散在设定或预定的基体材料(例如基体树脂)中的多个光散射颗粒sct。作为实例，光散射层lsl可以包含二氧化钛(tio2)和/或二氧化硅的光散射颗粒sct，但光散射颗粒sct的结构材料不限于此。在一些实施方案中，光散射颗粒sct不必仅在其中形成有第三像素pxl3的第三像素区域pxa3中。作为实例，光散射颗粒sct可以任选地包含在第一颜色转换层ccl1和/或第二颜色转换层ccl2中。
[0180]
低折射层lrl可以在颜色转换层ccl上。低折射层lrl可以在第一像素至第三像素(pxl1、pxl2和pxl3)上方。与颜色转换层ccl相比，低折射层lrl可以具有相对低的折射率。例如，低折射层lrl的折射率与颜色转换层ccl的折射率之间的差可以是0.3或大于0.3，但
不限于此。
[0181]
在一些实施方案中，在如以上描述的形成颜色转换层ccl的过程中，颜色转换层ccl的厚度分布可能由于第二堤bnk2和颜色转换层ccl的墨之间的极性的差而增加。当由于颜色转换层ccl等而形成阶梯差时，诸如色差的显示品质可能由于其上的滤色器层cfl的体积的差而降低，这将在以下进一步描述。因此，在根据一个示例性实施方案的显示装置中，可以确保低折射层lrl的铺展性，以最小化或减小由于颜色转换层ccl等引起的阶梯差。
[0182]
在一些实施方案中，低折射层lrl可以包含由以下式1表示的单体。
[0183]
式1
[0184][0185]
在式1中，r1和r3可以各自独立地是取代或未取代的烷基基团或氢，r2可以是取代或未取代的具有两个或多于两个的碳原子的亚烷基基团，xa、xb和xc可以各自独立地是可固化官能团，以及n和m可以各自独立地是1至5的自然数。在一个示例性实施方案中，可固化官能团可以包括选自甲基丙烯酸酯基团、丙烯酸酯基团、乙烯基基团和环氧基团中的至少一种，但本公开内容不必限于此。
[0186]
当低折射层lrl包含由式1表示的单体时，具有低表面张力的硅(si)原子可以线性地布置以改善在其表面上的铺展性，并且由于t形分支可以并行地确保与诸如树脂的基体材料的相容性。相对于100wt％的低折射层lrl的固体含量，可以以3wt％至10wt％的含量(例如，量或重量)包含单体。当以小于3wt％的含量(例如，量或重量)包含单体时，由于低折射层lrl而引起的降低阶梯差的效果可能不显著。此外，当以超过10wt％的含量(例如，量或重量)包含单体时，低折射层lrl的硬度和与其下的构件的粘附性可能降低。
[0187]
在下文，将参考表1描述比较例和实施例的降低阶梯差的效果。比较例对应于其中低折射层lrl不包含单体的情况，并且实施例1至实施例4对应于其中低折射层lrl包含单体的情况。在这种情况下，实施例1对应于其中相对于100wt％的低折射层lrl的固体含量，可以以1wt％的含量(例如，量或重量)包含单体的情况。实施例2对应于其中相对于100wt％的低折射层lrl的固体含量，可以以3wt％的含量(例如，量或重量)包含单体的情况。实施例3对应于其中相对于100wt％的低折射层lrl的固体含量，可以以5wt％的含量(例如，量或重量)包含单体的情况。实施例4对应于其中相对于100wt％的低折射层lrl的固体含量，可以以7wt％的含量(例如，量或重量)包含单体的情况。
[0188]
表1
[0189] 单体含量(wt％)阶梯差(μm)降低阶梯差的效果(％)比较例02.604-实施例112.21814.8实施例230.95063.5实施例350.67274.2实施例470.62676.0
[0190]
基于低折射层lrl的上表面lrls测量阶梯差。如本文使用的表述“低折射层lrl的上表面lrls”可以意指与覆盖颜色转换层ccl的一个表面相对的表面。在一些实施方案中，将从衬底sub至低折射层lrl的上表面lrls的第三方向(z-轴方向)上的高度彼此相比以测量阶梯差。
[0191]
在表1中可以看出，实施例1的低折射层lrl的阶梯差是2.218μm，这与比较例相比改善了约14.8％；实施例2的阶梯差是0.950μm，这与比较例相比改善了约63.5％；以及实施例3的阶梯差是0.672μm，这改善了约74.2％；以及实施例4的阶梯差是0.626μm，这改善了约76.0％。例如，根据实施例2至实施例4，当低折射层lrl包含设定或预定的含量(例如，量或重量)的单体时，可以确保低折射层lrl的铺展性以减小在其下的阶梯差。
[0192]
根据示例性实施方案，低折射层lrl可以包含基体树脂和分散在基体树脂中的中空颗粒hp。中空颗粒hp可以包括中空二氧化硅颗粒。根据示例性实施方案，中空颗粒hp可以在其表面上包含选自丙烯酸聚合物、聚酰亚胺聚合物、氨基甲酸酯聚合物、苯乙烯聚合物、硅氧烷聚合物和环氧聚合物中的至少一种。此外，低折射层lrl可以包含选自氧化锌(zno)颗粒、二氧化钛(tio2)颗粒、纳米硅酸盐颗粒和致孔剂颗粒中的至少一种，但本公开内容不必限于此。
[0193]
在一个示例性实施方案中，相对于100wt％的低折射层lrl的固体含量，可以以10wt％至80wt％的含量(例如，量或重量)包含中空颗粒hp。中空颗粒hp可以具有10nm至200nm的直径，并且中空颗粒hp的壳可以具有5nm至50nm的厚度，但本公开内容不必限于此。根据示例性实施方案，低折射层lrl可以进一步包含选自固化剂、光聚合引发剂和紫外线吸收剂中的至少一种。
[0194]
如以上描述，当低折射层lrl包含设定或预定的含量(例如，量或重量)的由式1表示的单体时，可以确保低折射层lrl的铺展性以最小化或减少由于在其下的构件而产生的阶梯差。例如，可以改善由于颜色转换层ccl和/或滤色器层cfl的厚度分布而产生的色差，从而改善显示面板pnl的显示品质。此外，用于减小阶梯差的单独的平坦化层可以被去除或省略，从而最小化或减少显示面板pnl的厚度以改善光效率。
[0195]
滤色器层cfl可以在低折射层lrl上。滤色器层cfl可以包括对应于每个像素pxl的颜色的滤色器。例如，滤色器层cfl可以包括在第一像素pxl1上的第一滤色器cf1以选择性地透射在第一像素pxl1中产生的光，在第二像素pxl2上的第二滤色器cf2以选择性地透射在第二像素pxl2中产生的光，以及在第三像素pxl3上的第三滤色器cf3以选择性地透射在第三像素pxl3中产生的光。在一个示例性实施方案中，第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3可以分别是红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器，但不限于此。在下文，当任意描述第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3中的至少一种滤色器时，所述滤色器将被称为“滤色器cf”，或者当共同描述其中至少两个滤色器时，所述滤色器将被称为“滤
色器cf”。
[0196]
第一滤色器cf1可以重叠第一像素pxl1的发射区域ema并且可以包含选择性地透射第一颜色光的滤色器材料。例如，当第一像素pxl1是红颜色像素时，第一滤色器cf1可以包含红色滤色器材料。
[0197]
第二滤色器cf2可以重叠第二像素pxl2的发射区域ema并且可以包含选择性地透射第二颜色光的滤色器材料。例如，当第二像素pxl2是绿颜色像素时，第二滤色器cf2可以包含绿色滤色器材料。
[0198]
第三滤色器cf3可以重叠第三像素pxl3的发射区域ema并且可以包含选择性地透射第三颜色光的滤色器材料。例如，当第三像素pxl3是蓝颜色像素时，第三滤色器cf3可以包含蓝色滤色器材料。
[0199]
黑色基体bm可以在滤色器cf之间。黑色基体bm可以在像素区域pxa之间的边界区域中，以便不重叠每个发射区域ema。例如，黑色基体bm可以重叠第二堤bnk2。
[0200]
黑色基体bm可以包含选自各种类型(或种类)的黑色基体材料的至少一种黑色基体材料(例如，本领域中通常使用的至少一种适合的光阻挡材料)和/或具有设定或特定颜色的滤色器材料。此外，黑色基体bm可以由与第二堤bnk2相同(例如，基本上相同)的材料制成，但本公开内容不限于此。例如，黑色基体bm和第二堤bnk2可以包含相同(例如，基本上相同)材料或不同材料。在一些实施方案中，黑色基体bm可以根据示例性实施方案被去除或省略。在这种情况下，第一滤色器至第三滤色器(cf1、cf2和cf3)可以在像素区域pxa之间的边界处彼此重叠。
[0201]
封装层enc可以在滤色器层cfl上。封装层enc可以覆盖在其下的滤色器层cfl、颜色转换层ccl、显示层dpl和电路层pcl。封装层enc可以防止或减少湿气和/或空气渗透到以上描述的在其下的构件中。为此，封装层enc可以包括至少一个无机层。例如，无机层可以包含选自硅氮化物(sin
x
)、铝氮化物(aln
x
)、钛氮化物(tin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、铝氧化物(alo
x
)、钛氧化物(tio
x
)和硅氮氧化物(sio
x
ny)中的至少一种，但本公开内容不必限于此。此外，封装层enc可以保护以上描述的在其下的构件免受诸如灰尘的外来物质的影响。为此，封装层enc可以包括至少一个有机层。例如，有机层可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和/或聚酰亚胺树脂制成，但本公开内容不必限于此。如以上描述，当封装层enc在滤色器层cfl上时，因为单独的上部衬底可以被去除或省略，所以可以最小化或减少显示面板pnl的厚度以改善光效率。
[0202]
根据示例性实施方案，覆盖层(cp1和cp2)可以进一步分别在低折射层lrl的一个表面和另一个表面上。覆盖层(cp1和cp2)可以包括分别在低折射层lrl的一个表面和另一个表面上的第一覆盖层cp1和第二覆盖层cp2。
[0203]
第一覆盖层cp1可以在颜色转换层ccl与低折射层lrl之间。第一覆盖层cp1可以在第一像素至第三像素(pxl1、pxl2和pxl3)上方。第一覆盖层cp1可以密封颜色转换层ccl。因此，可以防止或减少诸如外部湿气和/或空气的杂质渗透到颜色转换层ccl中而损坏或污染颜色转换层ccl。第一覆盖层cp1可以是无机层，并且可以由选自硅氮化物(sin
x
)、铝氮化物(aln
x
)、钛氮化物(tin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、铝氧化物(alo
x
)、钛氧化物(tio
x
)和硅氮氧化物(sio
x
ny)中的至少一种制成。
[0204]
第二覆盖层cp2可以在低折射层lrl与滤色器层cfl之间。第二覆盖层cp2可以在第
一像素至第三像素(pxl1、pxl2和pxl3)上方。第二覆盖层cpl2可以防止或减少诸如外部湿气和/或空气的杂质渗透到滤色器层cfl和/或颜色转换层ccl中而损坏或污染滤色器层cfl和/或颜色转换层ccl。此外，第二覆盖层cp2可以防止或减少包含在滤色器层cfl中的着色剂扩散到其它组件中。第二覆盖层cp2可以是无机层，并且可以由与第一覆盖层cp1相同(例如，基本上相同)的材料制成，或者可以包含选自如第一覆盖层cp1的结构材料所例示的材料中的至少一种。
[0205]
根据根据以上描述的示例性实施方案的显示装置，因为低折射层lrl包含设定或预定的含量(例如，量或重量)的由式1表示的单体，所以可以确保低折射层lrl的铺展性以最小化或减少由于在其下的构件而产生的阶梯差。例如，可以改善由于颜色转换层ccl和/或滤色器层cfl的厚度分布而产生的色差，从而改善显示面板pnl的显示品质。此外，用于减小阶梯差的单独的平坦化层可以被去除或省略，从而最小化或减少显示面板pnl的厚度以改善光效率。
[0206]
在下文，将描述其他示例性实施方案。在以下示例性实施方案中，与以上描述的组件相同的组件将由相同的参考数字表示，并且其重复性描述在此将不再重复或将简化。
[0207]
图10是例示出根据另一个示例性实施方案的显示装置的横截面视图。
[0208]
参考图10，根据本示例性实施方案的显示装置与图1至图9的示例性实施方案不同之处在于低折射层lrl在由第二堤bnk2分割的区中。
[0209]
在一些实施方案中，低折射层lrl可以在第二堤bnk2内部，并且可以部分地在第一像素区域至第三像素区域(pxa1、pxa2和pxa3)的每一个中。
[0210]
在这种情况下，因为颜色转换层ccl形成为具有低于第二堤bnk2的高度的高度，所以即使当在颜色转换层ccl与第二堤bnk2之间形成了设定或预定的阶梯差时，低折射层lrl可以在由第二堤bnk2分割的区中，从而最小化或减少由于颜色转换层ccl而产生的阶梯差。因此，可以改善由于颜色转换层ccl和/或滤色器层cfl的厚度分布而产生的色差，从而改善显示面板pnl的显示品质。此外，用于减小阶梯差的单独的平坦化层可以被去除或省略，从而最小化或减少显示面板pnl的厚度以改善光效率，如以上描述。
[0211]
此外，因为低折射层lrl、颜色转换层ccl和滤色器层cfl已经参考图7进行描述，所以其重复性描述在此将不再重复。
[0212]
图11是例示出根据又一个示例性实施方案的显示装置的横截面视图。
[0213]
参考图11，根据本示例性实施方案的显示装置与图1至图9的示例性实施方案不同之处在于上部衬底upl在其上定位有像素单元pxu的衬底sub上。
[0214]
在一些实施方案中，配置成封装第一像素至第三像素(pxl1、pxl2和pxl3)的上部衬底upl(也称为“封装衬底”或“滤色器衬底”)可以在衬底sub的一个表面上。
[0215]
上部衬底upl可以在重叠第一像素至第三像素(pxl1、pxl2和pxl3)的滤色器层cfl、低折射层lrl和颜色转换层ccl上。
[0216]
在一个示例性实施方案中，显示面板pnl的包括衬底sub和显示层dpl的下部板与显示面板pnl的包括上部衬底upl、滤色器层cfl、低折射率层lrl和颜色转换层ccl的上部板之间的空间可以填充有具有约1至约1.6的相对低的折射率的外涂层oc和/或空气层。根据示例性实施方案，无机层可以进一步在颜色转换层ccl与外涂层oc之间。无机层可以防止或减少诸如湿气和/或空气的杂质渗透到颜色转换层ccl中。无机层可以由选自硅氮化物
(sin
x
)、铝氮化物(aln
x
)、钛氮化物(tin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、铝氧化物(alo
x
)、钛氧化物(tio
x
)和硅氮氧化物(sio
x
ny)中的至少一种制成，但本公开内容不必限于此。
[0217]
滤色器层cfl、低折射层lrl和颜色转换层ccl可以在上部衬底upl的一个表面上。例如，滤色器层cfl可以形成在上部衬底upl上，低折射层lrl可以形成在滤色器层cfl上，并且颜色转换层ccl可以形成在滤色器层cfl和低折射层lrl上。然而，本公开内容不必限于此，并且形成滤色器层cfl、低折射层lrl和颜色转换层ccl的顺序和/或根据顺序的形状可以各种改变。
[0218]
根据示例性实施方案，黑色基体bm可以在第一滤色器cf1、第二滤色器cf2与第三滤色器cf3之间。黑色基体bm可以在像素区域pxa之间的边界处，以便不覆盖每个发射区域ema。例如，黑色基体bm可以重叠第二堤bnk2。在图11中，例示出其中黑色基体bm在上部衬底upl上并且第一滤色器至第三滤色器(cf1、cf2和cf3)中的每一个分别在由黑色基体bm分割的区中的情况，但本公开内容不必限于此。在一些实施方案中，第一滤色器至第三滤色器(cf1、cf2和cf3)可以形成在上部衬底upl上，并且黑色基体bm可以形成在像素区域pxa之间的边界处。例如，形成滤色器层cfl的顺序和/或根据顺序的位置和/或形状可以根据示例性实施方案各种改变。
[0219]
根据示例性实施方案，黑色基体bm可以进一步在第一颜色转换层ccl1、第二颜色转换层ccl2与光散射层lsl之间。在图11中，例示出其中黑色基体bm在低折射层lrl(或第一覆盖层cp1)上并且第一颜色转换层ccl1、第二颜色转换层ccl2和光散射层lsl中的每一个在由黑色基体bm分割的区中的情况，但本公开内容不必限于此。例如，当不需要根据加工方法和/或印刷设备的性能首先形成黑色基体bm时，可以首先形成第一颜色转换层ccl1、第二颜色转换层ccl2和光散射层lsl，并且然后可以形成黑色基体bm。在一些实施方案中，形成颜色转换层ccl的顺序和/或根据顺序的位置和/或形状可以各种改变。
[0220]
此外，因为滤色器层cfl、低折射层lrl和颜色转换层ccl已经参考图7进行描述，所以其重复性描述在此将不再重复。
[0221]
根据本公开内容的示例性实施方案，可以确保低折射层的铺展性，以最小化或减少由于在其下的构件而产生的阶梯差。例如，可以改善由于颜色转换层和/或滤色器层的厚度分布而产生的色差，从而改善显示面板的显示品质。此外，用于减小阶梯差的单独的平坦化层可以被去除或省略，从而最小化或减少显示面板的厚度以改善光效率。
[0222]
本公开内容的实施方案的效果不局限于本文阐述的示例性实施方案，并且更多额外的效果和实施方案包括在本说明书中。
[0223]
对本公开内容的示例性实施方案所属领域的技术人员将显而易见的是，在不背离本公开内容的必要特性的情况下，多种修改是可能的。因此，以上描述的实施方案应该被解释为例示性，而非限制性。应理解，本公开内容的范围应由所附权利要求限定，并且所有其等同均落入本公开内容的范围内。