一种单向瞬态抑制二极管及其制备工艺的制作方法

1.本技术实施例涉及半导体技术领域，具体涉及单向瞬态抑制二极管及其制备工艺。


背景技术：

2.浪涌是指电气设备上超出正常工作电压的瞬间过电压，浪涌的瞬间能量巨大，足以损坏电路，tvs（瞬态抑制二极管）是一种常用的浪涌保护器件，可以有效的保护电路。
3.随着应用环境的日益复杂，电路对防浪涌能力的要求越来越高，为了提高浪涌能力可以增加保护器件的面积，但是会增加成本，随着集成度的越来越高，浪涌保护器件的面积越来越小，因此，在不增加面积的情况下，提高浪涌能力变得尤为重要。
4.同时，tvs可靠性极易受到电荷的影响。击穿电压的不稳定会引发实际应用中的诸多问题。因此，提高tvs可靠性，保证其击穿电压的稳定性，确保器件可长时间正常工作，也十分重要。


技术实现要素：

5.本技术实施例的目的在于提供一种超低电容esd保护器件及其制备方法，本技术实施例可以提高单向tvs防浪涌的能力及tvs的可靠性。
6.第一方面，本技术实施例提供了一种单向瞬态抑制二极管，其特征在于，包括，第一导电类型的衬底，第二导电类型的第一注入区和第二注入区；第一注入区设置在衬底正面，第二注入区设置在衬底背面，其中，第二注入区与衬底之间形成的pn结的结深小于第一注入区与衬底之间形成的pn结的结深。
7.在衬底正表面上依次从下到上设置有阻挡层和绝缘层；第一注入区通过第一金属引出第一电极，绝缘层设置在阻挡层和第一金属层之间，背面第二注入区和衬底分别通过第二金属引出第二电极，使得衬底背面第二注入区和衬底短接，第一导电类型和第二导电类型不同。
8.与现有技术相比，第一方面提供的实施例通过将绝缘层设置在阻挡层和第一金属层之间，且第二注入区与衬底之间形成的pn结的结深小于第一注入区与衬底之间形成的pn结的结深，绝缘层用于屏蔽电荷，从而保证二极管的击穿电压不受影响，同时将衬底背面的第二注入区结深比较浅，以提高负浪涌的能力。
9.第二方面，本技术实施例提供了另一种单向瞬态抑制二极管，其特征在于，包括，第一导电类型的衬底，第二导电类型的第一注入区和第二注入区及沟槽；第一注入区设置在衬底正面，第二注入区设置在衬底背面，其中，第二注入区与衬底之间形成的pn结的结深小于第一注入区与衬底之间形成的pn结的结深；沟槽包覆第一注入区，沟槽的槽壁上生长有隔离层，且沟槽的深度大于第一注入区与衬底之间形成的pn结的结深，第一注入区通过第一金属引出第一电极，背面第二注入区和衬底分别通过第二金属引出第二电极，使得衬底背面第二注入区和衬底短接，第一导
电类型和第二导电类型不同。
10.与现有技术相比，第二方面提供的实施例通过第一注入区周围设置沟槽，沟槽的槽壁上生长有隔离层，且沟槽的深度大于第一注入区与衬底之间形成的pn结的结深，且第二注入区与衬底之间形成的pn结的结深小于第一注入区与衬底之间形成的pn结的结深，沟槽用于屏蔽电荷，从而保证二极管的击穿电压不受影响，同时将衬底背面的第二注入区结深比较浅，以提高负浪涌的能力。
11.第三方面，本技术实施例提供了一种单向瞬态抑制二极管的制备工艺，所述制备工艺用于制备第一方面所述的二极管，所述制备工艺包括，在第一导电类型的衬底上形成阻挡层；依次在衬底的正面形成第一注入区和在背面形成第二注入区，第一注入区和第二注入区具有第一导电类型，第二注入区与衬底之间形成的pn结的结深小于第一注入区与衬底之间形成的pn结的结深，第一导电类型和第二导电类型不同；在衬底背面形成第二注入区，第一注入区和第二注入区具有第二导电类型，第二注入区与衬底之间形成的pn结的结深小于第一注入区与衬底之间形成的pn结的结深，第一导电类型和第二导电类型不同；在衬底的正面阻挡层上方形成绝缘层；在第一注入区通过第一金属引出第一电极，绝缘层设置在阻挡层和第一金属层之间，在第二注入区和衬底通过第二金属引出第二电极，使得衬底背面第二注入区和衬底短接。
12.与现有技术相比，第三方面提供的实施例的有益效果与本技术第一方面实施例提供的单向瞬态抑制二极管的有益效果相同。
13.第四方面，本技术实施例提供一种单向瞬态抑制二极管的制备工艺，其特征在于，所述制备工艺用于制备第二方面所述的二极管，所述制备工艺包括，在衬底正面形成第一注入区；在衬底正面形成沟槽，在沟槽中形成隔离层，沟槽包覆第一注入区，沟槽的深度大于第一注入区与衬底之间形成的pn结的结深；在衬底背面形成第二注入区，第一注入区和第二注入区具有第一导电类型，第二注入区与衬底之间形成的pn结的结深小于第一注入区与衬底之间形成的pn结的结深，第一导电类型和第二导电类型不同；在第一注入区通过第一金属引出第一电极，在第二注入区和衬底通过第二金属引出第二电极，使得衬底背面第二注入区和衬底短接。
14.与现有技术相比，第四方面提供的一种单向瞬态抑制二极管的有益效果与第二方面的提供的技术方案相同，在此不再赘述。
附图说明
15.以示例的方式参考以下附图描述本发明的非限制性且非穷举性实施方案，其中：图1和图6为现有技术中的两种单向瞬态抑制二极管的结构示意图；图2-图5为针对图1的二极管结构示意图改进本技术各个实施例结构示意图；图7-图10为针对图2的二极管结构示意图改进本技术各个实施例结构示意图；
图11为本技术图2至图5所示的实施例的制备工艺流程图；图12为本技术图7至图10所示的实施例的制备工艺流程图。
具体实施方式
16.为了使本发明的上述以及其他特征和优点更加清楚，下面结合附图进一步描述本发明。应当理解，本文给出的具体实施方案是出于向本领域技术人员解释的目的，仅是示例性的，而非限制性的。
17.为了使本技术领域的人员更好地理解本发明的技术方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
18.需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
19.如图1所示，图1为现有技术中的一种单向瞬态抑制二极管的结构示意图；如图1所示的具体结构如下：衬底11的正面和背面分别先后做出结深相同的注入区12和13，且背面的注入区13与衬底11通过金属16相连，使得衬底11背面注入区13和衬底11短接，衬底11正面注入区12与金属15相连，衬底11正面的注入区12与衬底11则用阻挡层14隔开，阻挡层14为二氧化硅，衬底11正面的注入区12和背面注入区13的导电类型相同，注入区12和注入区13的导电类型与衬底12的导电类型不同，其中，衬底11可以为p型，注入区12和注入区13都为n型，且衬底11正面注入区12与衬底11之间的pn结的结深和背面注入区13与衬底11之间的pn结的结深相同，现有技术中由于在阻挡层14上的电荷极易影响器件的击穿电压，且负浪涌仅依靠衬底11与衬底11正面的注入区12形成的正向pn结来保护，其防浪涌能力较弱。现有技术中，在正面注入区12与金属层15之间只有一层阻挡层14。在生产制造芯片的过程中，阻挡层14的界面处很容易产生电荷，电荷会形成电场，对pn结的耗尽区发生变化，从而导致击穿电压漂移，负浪涌是指电流方向从衬底11背面到正面的浪涌，从衬底11背面到正面，有两条路径，路径一是从衬底11到正面注入区12；路径二是从背面注入区13到衬底11到正面注入区12，现有技术由于背面注入区13与衬底11间形成的pn结为高耐压反偏结，因此路径二难以导通，电流仅能通过路径一泄放，因此通流面积小，发热大，防浪涌能力弱。
20.所以为了解决现有技术中的图1所示结构的问题，申请人经过研究通过以下具体的实施例解决现有技术中的问题。
21.实施例1如图2所示，本技术实施例提供了一种单向瞬态抑制二极管，包括，第一导电类型
的衬底21，第二导电类型的第一注入区22和第二注入区23；第一注入区22设置在衬底21正面，第二注入23设置在衬底21背面，其中，第二注入区23与衬底21之间形成的pn结的结深小于第一注入区22与衬底21之间形成的pn结的结深，在衬底21正表面上依次从下到上设置有阻挡层24和绝缘层27；第一注入区22通过第一金属25引出第一电极，绝缘层27设置在阻挡层24和第一金属层25之间，背面第二注入区23和衬底21分别通过第二金属26引出第二电极，使得衬底21背面第二注入区23和衬底21短接，第一导电类型和第二导电类型不同，在本技术实施例中第一注入区22和第二注入区23都为重掺杂。
22.在本技术实施例中，第一导电类型为p型，第二导电类型为n型，形成npn结构，在另外的实施例中第一导电类型可以为n型，第二导电类型为p型，形成pnp结构，且阻挡层24为二氧化硅，起到隔离作用和阻挡作用；绝缘层27为掺磷二氧化硅，绝缘层27的作用是防止短路，二极管器件的击穿电压漂移受到电荷的影响，掺磷二氧化硅中有很多不饱和的悬挂键，这些悬挂键可以起到电场屏蔽的作用。
23.在本技术实施例中，第二注入区23的宽度大于第一注入区22的宽度，这个主要是考虑正负浪涌能力的调配问题，背面第二注入区23越宽，正浪涌能力越强，负浪涌越弱。背面第二注入区23比正面第一注入区22宽，可以有效调配正负浪涌能力。
24.实施例2在实施例1的基础上，如图3所示，本技术实施例提供的二极管还包括，第二导电类型的第三注入区31，第二注入区23大于第三注入区31的宽度，设置背面第二注入区23比衬底正面第一注入区22宽的原因为背面第二注入区23为电子发射区，电子发射的数量与面积有关，面积越大，发射的电子越多，其通流能力越强，本技术实施例中第三注入区31与衬底21之间形成的pn结的结深大于第一注入区22与衬底21之间形成的pn结的结深，第二注入区23为重掺杂，本技术实施例中，第一导电类型为p型，第二导电类型为n型，如果衬底21为p型，则第三注入区31为n型，如果衬底21为n型，则第三注入区31为p型。在在另外的实施例中第一导电类型可以为n型，第二导电类型为p型，在本技术实施例中，第三注入区31缩短了正面第一注入区22-衬底21-背面第二注入区23的基区长度，提高了电流放大倍数，从而提高了最大通流能力。
25.在本技术实施例中，第二注入区23的宽度大于第一注入区22的宽度，这个主要是考虑正负浪涌能力的调配问题，背面第二注入区23越宽，正浪涌能力越强，负浪涌越弱。背面第二注入区23比正面第一注入区22宽，可以有效调配正负浪涌能力。
26.实施例3在实施例3的基础上，如图4所示，本技术实施例提供的单向瞬态抑制二极管还包括，第一导电类型的第四注入区42和/或第二导电类型的第五注入区41；第五注入区41包覆第一注入区22，第五注入区41与第一注入区22间隔预设距离，通过间隔预设距离才能让表面的耗尽区边界延展平缓，第四注入区42包覆第二注入区23，第四注入区42与第二注入区23相接触，第四注入区42与衬底背面第二注入区23接触才能让形成第四注入区42与衬底背面第二注入区23之间的pn结，否则将形成衬底21与衬底背面第二注入区23之间的pn结。
27.在本技术实施例中，本技术实施例提供的单向瞬态抑制二极管也可以只包括第一导电类型的第四注入区42或第二导电类型的第五注入区41任意一注入区。
28.在本实施例中，如果衬底21为p型，则第四注入区42为p型，第五注入41区为n型，第四注入区42为p型和第五注入区41为n型为重掺杂。
29.在本实施例中，第五注入区41可以使衬底正面的第一注入区22与衬底21形成的pn结的相对于实施例2和3的耗尽区边缘更加平缓，让击穿更容易发生在内部而非表面，表面存在电荷，若击穿发生在表面，则击穿电压会受影响。
30.第四注入区42是高浓度掺杂，第四注入区42和第五注入区41之间形成的pn结的p区与n区的掺杂都是高浓度，因此极易发生齐纳击穿，击穿电压很低，负浪涌时，衬底背面第四注入区42-衬底21-衬底正面第一注入区21这一路径更容易导通使电流流过。
31.实施例4实施例4在实施例3的基础上，如图5第三注入区为多个均匀间隔设置的分段式注入区31-1。
32.需要说明的是，在实施例2中的第三注入区31也可以为多个间隔设置的分段式注入区，同时，第五注入区41可以使衬底正面的第一注入区22与衬底21形成的pn结的相对于实施例2和3的耗尽区边缘更加平缓。
33.在本技术实施例中，负浪涌时，衬底背面第二注入区23-衬底21-衬底正面第一注入区22这一路径会更均匀的打开电流流过，电流更加均匀分散，导通面积更大，而不是集中在左右两端。
34.实施例5如图6所示，在衬底61上，衬底61的正面和背面分别先后做出结深相同的注入区62和63，且背面的注入区13与衬底61通过金属66相连，使得衬底61背面注入区63和衬底61短接，衬底61正面注入区62与金属65相连，衬底61正面的注入区62和背面注入区63的导电类型相同，注入区62和注入区63的导电类型与衬底61的导电类型不同，在衬底61上形成沟槽67，且沟槽67包覆第一注入区62，沟槽67的槽壁上生长有隔离层64，隔离层64为二氧化硅，隔离层64一方面将金属65与衬底61隔离开，否则会发生短路（即电流方向从正面金属65-衬底61-背面金属66），另一方面，可以将衬底正面第一注入区62与衬底61形成的pn结的侧边与外界环境隔离开，防止pn结受到外界环境的影响。其中，衬底61可以为p型，注入区62和注入区63都为n型，且衬底61正面注入区62与衬底61之间的pn结的结深和背面注入区63与衬底61之间的pn结的结深相同，负浪涌仅依靠衬底61与衬底61正面的注入区62形成的正向pn结来保护，其防浪涌能力较弱，为了解决现有技术中的问题，提出了本技术实施例的技术方案。
35.如图7所示，实施例5与实施例1不同的是，衬底71中设置有沟槽77；沟槽77包覆第一注入区72，且沟槽77的槽壁上生长有隔离层74，沟槽77的深度大于第一注入区72与衬底71之间形成的pn结的结深，第一注入区72设置在衬底71正面，第二注入区73设置在衬底71背面，其中，第二注入区72与衬底71之间形成的pn结的结深小于第一注入区72与衬底71之间形成的pn结的结深；第一注入区72通过第一金属引出第一电极，背面第二注入区和衬底分别通过第二金属引出第二电极，使得衬底背面第二注入区和衬底短接，第一导电类型和第二导电类型不同。
36.在本技术实施例中，第二注入区73的宽度大于第一注入区72的宽度，这个主要是考虑正负浪涌能力的调配问题，背面第二注入区73越宽，正浪涌能力越强，负浪涌越弱，背
面第二注入区73比正面第一注入区72宽，可以有效调配正负浪涌能力。
37.实施例6在实施例7的基础上，如图8所示，本技术实施例提供的二极管还包括，第二导电类型的第三注入区81，第二注入区73大于第三注入区81的宽度，且第三注入区81与衬底71之间形成的pn结的结深大于第一注入区72与衬底71之间形成的pn结的结深，第二注入区73为重掺杂，在本技术实施例中，如果衬底71为p型，则第三注入区81为n型，如果衬底71为n型，则第三注入区81为p型，在本技术实施例中，第一导电类型为p型，第二导电类型为n型，在另外的实施例中第一导电类型可以为n型，第二导电类型为p型。在本技术实施例中，第三注入区81缩短了正面第一注入区72-衬底71-背面第二注入区73的基区长度，提高了电流放大倍数，从而提高了最大通流能力。
38.在本技术实施例中，第二注入区73的宽度大于第一注入区72的宽度。这个主要是考虑正负浪涌能力的调配问题，背面第二注入区73越宽，正浪涌能力越强，负浪涌越弱。背面第二注入区73比正面第一注入区72宽，可以有效调配正负浪涌能力。
39.实施例7在实施例8的基础上，如图9所示，在实施例二极管还包括，第二导电类型的第四注入区91；第四注入区91包覆第二注入区73，第四注入区91与第二注入区73相接触，第四注入区91是形成极易发生齐纳击穿的pn结，此pn结为第四注入区91与背面第二注入区73之间的结，这样更容易导通使电流流过。
40.实施例8在实施例9的基础上，如图10所示，第三注入区81为多个均匀间隔设置的分段式注入区81-1。
41.需要说明的是，在实施例6中的第三注入区81也可以为多个间隔设置的分段式注入区。
42.在本技术实施例中，负浪涌时，衬底背面第二注入区73-衬底71-衬底正面第一注入区72这一路径会更均匀的打开电流流过，电流而不是集中在如图9所示的左右两端。
43.如图11所示，本技术实施例例还提供了单向瞬态抑制二极管的制备工艺，所述工艺用于制备实施例1至4所述的单向瞬态抑制二极管；工艺具体包括：步骤s11，在第一导电类型的衬底上形成阻挡层；步骤s12，依次在衬底的正面形成第一注入区和在背面形成第二注入区，第一注入区和第二注入区具有第一导电类型，第二注入区与衬底之间形成的pn结的结深小于第一注入区与衬底之间形成的pn结的结深，第一导电类型和第二导电类型不同；步骤s13，在衬底的正面阻挡层上方形成绝缘层；步骤s14，在第一注入区通过第一金属引出第一电极，绝缘层设置在阻挡层和第一金属层之间，在第二注入区和衬底通过第二金属引出第二电极，使得衬底背面第二注入区和衬底短接。
44.需要说明的是，先在衬底上进行第一次氧化，形成阻挡层；正面光刻出第一注入区图形，进行杂质注入或者预扩散，然后进行高温扩散，以形成衬底正面第一注入区；然后进行衬底背面第二注入区光刻，进行杂质注入或者预扩散，再通过短时间高温进行激活，以形
成衬底背面第二注入区，随后在衬底正面生长一层绝缘层；最后在衬底正面与背面刻出相应尺寸的接触孔，沉积金属，刻蚀金属，形成最终的器件，根据步骤s11至s14可以制备上述实施例1所述的二极管结构。
45.在步骤s12形成第二注入区之前，所述工艺还包括，步骤s16，在衬底背面形成第二导电类型的第三注入区，第三注入区的宽度小于第二注入区的宽度，且第三注入区与衬底之间形成的pn结的结深大于第一注入区与衬底之间形成的pn结的结深。
46.需要说明的是，对于衬底正面和背面的第一注入区和第二注入区，可以同时进行光刻和离子注入，也就是说，衬底正面与背面同时光刻出衬底正面第一注入区以及背面第三注入区，进行杂质注入或者预扩散，然后进行高温扩散，以形成衬底正面第一注入区和衬底背面第三注入区，然后进行衬底背面第二注入区光刻，进行杂质注入或者预扩散，再通过短时间高温进行激活，以形成背面第二注入区，根据步骤s11至s14和步骤s15可以得到实施例2所示的二极管结构。
47.本步骤也可以在对于衬底正面第一注入区作完后，然后在做第三注入区，然后再做第二注入区，图11中只是示出了第三注入区的一种工艺方式，即示出了第一注入区与第三注入区同时做。
48.如果进行光刻时第三注入区为多个间隔设置的分段式注入区，根据步骤s11至s14和步骤s15可以得到实施例4所示的二极管结构。
49.在步骤s12形成第二注入区同时，所述工艺还包括，在衬底背面形成第一导电类型的第四注入区，其中，第四注入区包覆第二注入区，第四注入区与第二注入区相接触。
50.图11中只是示出了第三注入区的一种工艺方式，即示出了第二注入区和第四注入区同时做。
51.需要说明的是，在做光刻第二注入区的同时，也同时光刻出衬底背面的第四注入区，然后进行杂质注入或者预扩散，然后进行高温扩散，以形成衬底背面的第四注入区，本技术实施例在形成第二注入区前，也可以做第四注入区。
52.在进行步骤s12在形成第二注入区之前，所述工艺还包括，在衬底正面形成第一导电类型的第五注入区，其中，第五注入区包覆第一注入区，第五注入区与第一注入区间隔预设距离，根据步骤s11至s14和步骤s16可以制备上述实施例3所述的二极管结构。
53.需要说明的是，在形成第一注入区时，同时光刻出衬底正面的第五注入区，然后进行杂质注入或者预扩散，然后进行高温扩散，以形成衬底背面的第五注入区，这样做可以节省工艺步骤，降低成本；第五注入区也可以在第二注入区之前做，在背面第二注入区之前做是为了防止第五注入区高温扩散影响到背面注入区的深度，图11中只是示出了第三注入区的一种工艺方式，即示出了第一注入区和第五注入区同时做。
54.如图12所示，本技术实施例还提供了一种单向瞬态抑制二极管的制备工艺，所述制备工艺包括，步骤s21，依次在衬底正面形成第一注入区；步骤s22，在衬底上形成沟槽，在沟槽中生长隔离层，沟槽包覆第一注入区，沟槽的
深度大于第一注入区与衬底之间形成的pn结的结深；步骤s23，在衬底背面形成第二注入区，第一注入区和第二注入区具有第一导电类型，第二注入区与衬底之间形成的pn结的结深小于第一注入区与衬底之间形成的pn结的结深，第一导电类型和第二导电类型不同；步骤s24，在第一注入区通过第一金属引出第一电极，在第二注入区和衬底通过第二金属引出第二电极，使得衬底背面第二注入区和衬底短接。
55.需要说明的是，正面光刻出第一注入区的图形，进行杂质注入第一注入区或者预扩散，然后进行高温扩散，以形成衬底正面第一注入区，随后干法刻蚀或湿法刻蚀出沟槽；然后进行衬底背面第二注入区光刻，进行杂质注入或者预扩散，再通过短时间高温进行激活，以形成衬底背面第二注入区，最后在衬底正面与背面刻出相应尺寸的接触孔，沉积金属，刻蚀金属，形成最终的器件，根据步骤s21至s24可以制备上述实施例5所述的二极管结构。
56.在步骤s23中形成第二注入区之前，所述工艺还包括，步骤s25，在衬底背面形成第二导电类型的第三注入区，第三注入区的宽度小于第二注入区的宽度，且第三注入区与衬底之间形成的pn结的结深大于第一注入区与衬底之间形成的pn结的结深。
57.需要说明的是，对于衬底正面和背面的第一注入区和第二注入区，可以同时进行光刻和离子注入，也就是说，衬底正面与背面同时光刻出衬底正面第一注入区以及背面第三注入区，进行杂质注入或者预扩散，然后进行高温扩散，以形成衬底正面第一注入区和衬底背面第三注入区，然后进行衬底背面第二注入区光刻，进行杂质注入或者预扩散，再通过短时间高温进行激活，以形成背面第二注入区，根据步骤s21至s24和步骤s25可以制备实施例6所示的二极管结构。
58.本步骤也可以在衬底正面第一注入区作完后，然后在做第三注入区，然后再做第二注入区，图12中只是示出了第三注入区的一种工艺方式，即示出了在第一注入区做完同时做第三注入区。
59.如果进行光刻时第三注入区为多个均匀间隔设置的分段式注入区，根据步骤s21至s24和步骤s25可以得到实施例8所示的二极管结构。
60.在在步骤s23形成第二注入区同时，所述工艺还包括，在衬底背面形成第一导电类型的第四注入区，其中，第四注入区包覆第二注入区，第四注入区与第二注入区相接触。
61.图12中只是示出了第三注入区的一种工艺方式，即示出了第二注入区和第四注入区同时做。
62.需要说明的是，在做光刻第二注入区的同时，也同时光刻出衬底背面的第四注入区，然后进行杂质注入或者预扩散，然后进行高温扩散，以形成衬底背面的第四注入区，本技术实施例在形成第二注入区前，也可以做第四注入区。
63.需要说明的是，在形成第二注入区前，也可以做第四注入区，首先光刻出衬底背面的第四注入区，然后进行杂质注入或者预扩散，然后进行高温扩散，以形成衬底背面的第四注入区。根据步骤s21至s24和步骤s26可以制备实施例7所示的二极管结构。
64.以上实施方案的各个技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实
施方案中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
65.尽管结合实施方案对本发明进行了描述，但本领域技术人员应理解，上文的描述和附图仅是示例性而非限制性的，本发明不限于所公开的实施方案。在不偏离本发明的精神的情况下，各种改型和变体是可能的。