电路板组件、发光组件及其制作方法与流程

1.本发明涉及发光芯片领域，尤其涉及一种电路板组件、发光组件及其制作方法。


背景技术：

2.随着市场对于微米级发光芯片，例如mini led(light-emitting diode，发光二极管)芯片的直显产品的需求日益增大，各家公司也都推出了相应的各个间距及尺寸的产品。随着市场竞争加大，传统“固晶，刷锡膏，过炉”的工艺进行已逐渐无法满足需求，各公司也推出了相应的巨量转移方案，目前的巨量转移方案的过程一般包括：采用暂态基板，在暂态基板上贴双面胶，然后将mini led芯片转移至暂态基板上进行排列，将暂态基板上排列的mini led芯片与电路板进行对位，然后将mini led芯片与设有防焊层的电路板上所对应的焊盘进行焊接；在焊接后，再去除暂态基板，在电路板上压黑胶以对相邻的mini led芯片进行挡光处理，然后烘烤使得黑胶固化后再去除mini led芯片表面上的黑胶残留；然后再在电路板上压半透明胶作为封装层，再对半透明胶进行烘烤使其固化。目前的巨量转移方案相对传统的回流焊工艺，效率可提升很多，但工序仍相对复杂，效率低，材料成本及人工成本高。
3.因此，如何简化显示产品等发光组件的制作工艺，提升制作效率，降低制作成本是目前亟需解决的问题。


技术实现要素：

4.鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种电路板组件、发光组件及其制作方法，旨在解决相关技术中，发光组件的制作工艺复杂，制作效率低，制作成本高的问题。
5.本发明提供一种电路板组件，包括：
6.电路板，所述电路板上设有多个芯片键合区，所述芯片键合区内设有与至少一颗发光芯片的电极对应的焊盘；
7.防焊挡光层，所述防焊挡光层包括设于所述电路板上，位于相邻所述芯片键合区之间的防焊挡光墙，所述防焊挡光墙阻挡相邻所述芯片键合区内的发光芯片所发出的光。
8.上述电路板组件，其包括设有多个芯片键合区的电路板，以及设于电路板上的防焊挡光层，该防焊挡光层包括设于位于相邻芯片键合区之间的防焊挡光墙，该防焊挡光墙既能阻挡相邻芯片键合区内的发光芯片所发出的光，起到防止窜光的情况发生，又能起到防焊作用；也即该防焊挡光层可代替传统电路板上的防焊层，针对电路板厂而言只是更换了防焊材料，并无工序及成本的增加；而对于后续制作显示面板等发光组件时，则可省略将发光芯片在电路板上键合后，在电路板上额外进行压黑胶层、对黑胶层进行烘烤以及去除发光芯片上的残留黑胶等工序，因此可简化制作工艺，大幅度缩减制程时长，并可省略传统的防焊层，减少材料成本以及人工成本，且可减小制得的发光组件的厚度。
9.基于同样的发明构思，本发明还提供一种发光组件，包括如上所述的电路板组件；
10.所述发光组件还包括：
11.键合于各所述芯片键合区内的发光芯片；
12.设于各所述发光芯片及各所述防焊挡光墙之上的透光封装层。
13.上述发光组件，由于其采用的电路板上预先形成有用于防焊及防止窜光的防焊挡光层，且该防焊挡光层可代替传统电路板上的防焊层，针对电路板厂而言只是更换了防焊材料，并无工序及成本的增加；在制作发光组件时，可省略将发光芯片在电路板上键合后，在电路板上额外进行压黑胶层、对黑胶层进行烘烤以及去除发光芯片上的残留黑胶等工序，因此可简化制作工艺，大幅度缩减制程时长，并可省略传统的防焊层，减少材料成本以及人工成本，且发光组件的厚度更小。
14.基于同样的发明构思，本发明还提供一种如上所述的发光组件的制作方法，包括：
15.将各所述发光芯片转移至所述透光封装层上，各所述发光芯片在所述透光封装层上的分布，与所述电路板上的各所述芯片键合区相对应；
16.将所述透光封装层上设有所述发光芯片的一面，与所述电路板上设有所述芯片键合区的一面相对压合，将各所述发光芯片的电极与对应的所述芯片键合区内相对应的所述焊盘键合。
17.上述发光组件的制作方法，直接将各发光芯片转移至透光封装层上并与电路板上的各芯片键合区相对应，也即直接利用透光封装层代替传统的暂态基板，然后将透光封装层上设有发光芯片的一面，与电路板上设有芯片键合区的一面相对压合，并将各发光芯片的电极与对应的芯片键合区内相对应的焊盘键合；以上过程中不再需要传统的暂态基板，也不再需要在暂态基板上形成双面胶以及将发光芯片转移至暂态基板上、以及去除暂态基板等工艺，可简化发光组件的制作工艺，提升制作效率，降低材料和设备成本以及人工成本；且由于采用的电路板上预先形成有用于防焊及防止窜光的防焊挡光层，且该防焊挡光层可代替传统电路板上的防焊层，针对电路板厂而言只是更换了防焊材料，并无工序及成本的增加；在制作发光组件时，可省略将发光芯片在电路板上键合后，在电路板上额外进行压黑胶层、对黑胶层进行烘烤以及去除发光芯片上的残留黑胶等工序，因此可进一步简化制作工艺，大幅度缩减制程时长，并可省略传统的防焊层，进一步减少材料成本以及人工成本，且制得的发光组件的厚度更小。
附图说明
18.图1为本发明实施例提供的电路板组件结构示意图一；
19.图2为本发明实施例提供的电路板组件结构示意图二；
20.图3为图1和图2所示的电路板组件的剖视图；
21.图4为本发明实施例提供的电路板组件结构示意图三；
22.图5为本发明实施例提供的电路板组件结构示意图四；
23.图6为图4和图5所示的电路板组件的剖视图；
24.图7为本发明另一可选实施例提供的发光组件结构示意图；
25.图8为本发明又一可选实施例提供的发光组件制作方法流程示意图；
26.图9为本发明又一可选实施例提供的发光组件制作过程示意图；
27.附图标记说明：
28.1-电路板，11-芯片键合区，111-焊盘，2-防焊挡光层，21-防焊挡光墙，3-发光芯片，31-电极，4-透光封装层，41-半透明胶层，42-透明盖板。
具体实施方式
29.为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施方式。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本发明的公开内容理解的更加透彻全面。
30.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。
31.相关技术中，巨量转移方案的过程一般包括：采用暂态基板，在暂态基板上贴双面胶，然后将mini led芯片转移至暂态基板上进行排列，将暂态基板上排列的mini led芯片与电路板进行对位，然后将mini led芯片与设有防焊层的电路板上所对应的焊盘进行焊接；在焊接后，再去除暂态基板，在电路板上压黑胶以对相邻的mini led芯片进行挡光处理，然后烘烤使得黑胶固化后再去除mini led芯片表面上的黑胶残留；然后再在电路板上压半透明胶作为封装层，再对半透明胶进行烘烤使其固化。目前的巨量转移方案相对传统的回流焊工艺，效率可提升很多，但工序仍相对复杂，效率低，材料成本及人工成本高。
32.基于此，本发明希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
33.本实施例提供了一种电路板组件，包括：
34.电路板，本实施例的一种示例中，该电路板可以为但不限于用于显示的显示背板，该显示背板可以为印制电路板，也可以为集成有电路构成电路板的玻璃基板等，对于其具体材质在此不做限制。在本实施例的另一些示例中，该电路板可以为但不限于照明用的各种电路板。
35.本实施例中的电路板上设有多个芯片键合区，该芯片键合区内设有与至少一颗发光芯片的电极对应的焊盘。也即在本实施例中，一个芯片键合区内可以设置一颗发光芯片，也可根据需求设置两颗及两颗以上的发光芯片，对于具体设置的数量可根据应用需求灵活设置，在此不再赘述。
36.且应当理解的是，在一种应用示例中，电路板上的各芯片键合区内设置的芯片颗数可以相同。在另一些应用示例中，电路板上各芯片键合区内设置的芯片颗数可以至少部分不同。对于各芯片键合区内设置的发光芯片的发光颜色可以相同，也可不同，或部分相同，部分不同等，具体都可根据需求灵活设置。在本实施例中的发光芯片可以为普通尺寸(即大于微米级)的发光芯片，也可为微米级的发光芯片，例如可以包括但不限于mini led芯片、micro led芯片中的至少一种；且对于各芯片键合区内设置的发光芯片的尺寸可以相同，也可不同，或部分相同，部分不同等。
37.应当理解的是，在一些示例中，可以仅在电路板的正面和背面的其中一面上设置芯片键合区；也可以根据需求在电路板的正面和背面上都设置芯片键合区，此时则可根据需求在电路板的正面和背面上设置发光芯片，也可根据需求仅在其中的一面上设置发光芯
片。
38.在本实施例中，电路板组件还包括防焊挡光层，该防焊挡光层可替换传统电路板上的防焊层，其能起到防焊作用，还可起到防氧化、防水等作用。本实施例中的防焊挡光层包括设于电路板上，位于相邻芯片键合区之间的防焊挡光墙，该防焊挡光墙阻挡相邻芯片键合区内的发光芯片所发出的光，从而防止窜光的情况发生。
39.应当理解的是，在本实施例中，电路板上的多个芯片键合区的分布可以根据应用需求灵活设置，例如可以呈阵列设置，也可呈直线分布，或呈三角形分布或根据其他规则进行分布。且在本实施例中，也可以在每相邻的芯片键合区之间设置防焊挡光墙，也可仅在一部分相邻的芯片键合区之间设置防焊挡光墙。例如，对于相邻芯片键合区之间的间距小于防窜光间距要求的相邻芯片键合区之间，则设置防焊挡光墙，对于相邻芯片键合区之间的间距大于等于防窜光间距要求的相邻芯片键合区之间，则可不设置防焊挡光墙。
40.在本实施例中，防焊挡光墙可设置为但不限于黑色的防焊挡光墙；当然，在一些示例中，也可设置为其他颜色，只要其能满足上述需求即可。
41.在本实施例的一些示例中，防焊挡光墙的材质可以为但不限于胶，例如一种应用场景中，该防焊挡光墙可为但不限于黑胶墙，且其具体材质可以采用但不限于树脂、硅胶等中的至少一种。
42.在本实施例的一些示例中，为了保证挡光效果，可以设置防焊挡光墙远离电路板的一面至电路板的第一距离li，等于发光芯片键合于芯片键合区内后，发光芯片远离电路板的一面至电路板的第二距离l2；且l1和l2的具体取值可根据应用需求灵活设置。当然，在一些应用场景中，也可设置l1略大于l2，只要保证后续芯片热压键合即可。
43.在一些示例中，为了进一步提升出光效率，还可将防焊挡光墙朝向芯片键合区的至少一个侧面设置为反光面，从而将设置该侧面的光反射出去，提升出光效率。且为了进一步提升出光效率，还可将该发光面设置为粗糙面。
44.为了便于理解，下面结合附图所示的电路板组件为示例进行说明。
45.一种示例所示的电路板组件参见图1所示，其包括电路板1，电路板1上设有多个芯片键合区11，各芯片键合区11内设有与发光芯片的电极对应的焊盘111。图1所示的多个芯片键合区11在电路板上成阵列分布；应当理解的是，该多个芯片键合区11的分布方式并不限于阵列分布，可根据需求灵活设置。参见图1所示，电路板组件还包括防焊挡光层2，该防焊挡光层2包括多个防焊挡光墙21，多个防焊挡光墙21分别设置在各行的相邻芯片键合区11之间，后续发光芯片键合于芯片键合区11内后，在行方向上，各防焊挡光墙21可以防止相邻芯片键合区11内的发光芯片之间窜光。其中，图1所示的电路板组件在a-a方向上的剖视图参见图3所示。
46.在本示例中，对于列方向上的各相邻芯片键合区11之间的间距大于防窜光间距要求时，列方向上的各相邻芯片键合区11之间则可不设置或设置防焊挡光墙21，反之，则设置防焊挡光墙21。
47.图1所示的防焊挡光墙21仅在相邻芯片发光区域11之间设置，但根据防焊需求等，对于防焊挡光墙21在电路板上具体覆盖的区域也可根据需求灵活设置。例如一种示例参见图2所示，其与图1所示的防焊挡光墙21相比的区别在于，防焊挡光墙21延伸至列方向上的相邻芯片键合区11之间的区域，也即覆盖各列芯片键合区11之间都设有一条防焊挡光墙
21。其中，图2所示的电路板组件在b-b方向上的剖视图参见图3所示。
48.本实施例又一示例中的防焊挡光墙21的设置参见图4所示，其与图3所示的防焊挡光墙21的设置相比，区别在于在各行芯片键合区11之间都设有一条防焊挡光墙21。其中，图4所示的电路板组件在c-c方向上的剖视图参见图6所示。在本示例中，对于行方向上的各相邻芯片键合区11之间的间距大于防窜光间距要求时，行方向上的各相邻芯片键合区11之间则可不设置或设置防焊挡光墙21，反之，则设置防焊挡光墙21，例如一种设置示例参见图5所示。其中，图5所示的电路板组件在d-d方向上的剖视图也参见图6所示。
49.可见，上述各示例所提供的电路板组件，其包括设有多个芯片键合区11的电路板1，以及设于电路板1上的防焊挡光层2，该防焊挡光层2包括设于位于相邻芯片键合区11之间的防焊挡光墙21，该防焊挡光墙21的设置方式灵活多变，适应性好，且既能阻挡相邻芯片键合区11内的发光芯片所发出的光，起到防止窜光的情况发生，又能起到防焊作用；也即该防焊挡光层2可代替传统电路板1上的防焊层，针对电路板厂而言只是更换了防焊材料，并无工序及成本的增加；而对于后续制作显示面板等发光组件时，则可省略将发光芯片在电路板上键合后，在电路板1上额外进行压黑胶层、对黑胶层进行烘烤以及去除发光芯片上的残留黑胶等工序，可简化制作工艺，大幅度缩减制程时长，并可省略传统的防焊层，减少材料成本以及人工成本，且可减小制得的发光组件的厚度。
50.当然，在一些示例中，电路板1上也可包括传统的防焊层(例如油漆层等)，本示例中的防焊挡光墙21则可替换成具有挡光效果的挡光墙，且该挡光墙设置在防焊层上，对于这种等同替代方案在此不再赘述。
51.另一可选实施例：
52.本实施例提供了一种利用上述实施例所示的电路板组件制得的发光组件，该发光组件可以为显示组件，例如显示面板，也可以为照明组件。其除了包括如上述实施例所示的电路板组件外，还包括：
53.键合于电路板上的各芯片键合区内的发光芯片，该发光芯片可以为普通尺寸(即大于微米级)的发光芯片，也可为微米级的发光芯片，例如可以包括但不限于mini led芯片、micro led芯片中的至少一种。
54.设于各发光芯片及各防焊挡光墙之上的透光封装层；发光芯片发出的光通过透光封装层射出。且由于其采用的电路板上，在相邻芯片键合区之间预先形成有用于防焊及防止窜光的防焊挡光层，且该防焊挡光层可代替传统电路板上的防焊层，针对电路板厂而言只是更换了防焊材料，并无工序及成本的增加；在制作发光组件时，可省略将发光芯片在电路板上键合后，在电路板上额外进行压黑胶层、对黑胶层进行烘烤以及去除发光芯片上的残留黑胶等工序，因此可简化制作工艺，大幅度缩减制程时长，并可省略传统的防焊层，减少材料成本以及人工成本，且发光组件由于省略了传统的防焊层，其厚度更小。
55.应当理解的是，本实施例中透光封装层的结构可以根据应用需求灵活设置，例如，一种示例中，该透光封装层包括设于各发光芯片及各防焊挡光墙之上的半透明胶层。本实施例中的半透明胶层的材质可以灵活选择，例如可以选择但不限于环氧树脂、硅胶或聚酰亚胺。且在本实施例中，半透明胶层的厚度也可以根据需求灵活设置，例如，半透明胶层的厚度可为但不限于30微米至50微米。例如，在一些应用场景中，半透明胶层的厚度值可以设置为但不限于30微米、33微米、35微米、40微米、42微米、45微米、48微米或50微米等。
56.在本实施例的另一示例中，透光封装层还可包括设于半透明胶层之上的透明盖板。其中该透明盖板为刚性盖板，其透明度大于半透明胶层。本实施例中的透明盖板的材质也可以灵活选择，例如可以选择但不限于玻璃、环氧树脂、硅胶或聚酰亚胺。且在本实施例中，透明盖板的厚度也可以根据需求灵活设置，例如，透明盖板的厚度可为但不限于100微米至150微米。例如，在一些应用场景中，透明盖板的厚度值可以设置为但不限于100微米、110微米、115微米、120微米、128微米、130微米、135微米、140微米、148微米或150微米等。
57.为了便于理解，下面结合附图对发光组件进行示例说明。
58.参见图7所示，发光组件包括其包括电路板1，电路板1上设有多个芯片键合区11，各芯片键合区11内设有与发光芯片的电极对应的焊盘。多个防焊挡光墙21分别设置在各行的相邻芯片键合区11之间。发光组件还包括键合于电路板1上的各芯片键合区11内的发光芯片3，其中发光芯片3的电极31通过焊料或导电胶等导电材料与芯片键合区11内对应的焊盘键合。发光组件还包括设于各发光芯片3和防焊挡光墙21上的透光封装层4。且由于采用的电路板1上，在相邻芯片键合区11之间预先形成有用于防焊及防止窜光的防焊挡光墙，且该防焊挡光墙可代替传统电路板上的防焊层，针对电路板厂而言只是更换了防焊材料，并无工序及成本的增加；在制作发光组件时，可省略将发光芯片在电路板上键合后，在电路板1上额外进行压黑胶层、对黑胶层进行烘烤以及去除发光芯片上的残留黑胶等工序，因此可简化制作工艺，大幅度缩减制程时长，并可省略传统的防焊层，减少材料成本以及人工成本，且发光组件由于省略了传统的防焊层，发光组件的厚度更小。且在本示例中，设置防焊挡光墙21远离电路板1的一面至电路板1的第一距离li，等于发光芯片3键合于芯片键合区11内后，发光芯片3远离电路板1的一面至电路板1的第二距离l2，从而保证防焊挡光墙21的防挡光效果。
59.参见图7所示，本示例中的透光封装层4包括设于各发光芯片3及各防焊挡光墙21之上的半透明胶层41。本示例中的半透明胶层41的材质为硅胶。且在本实施例中，半透明胶层41为热固化型胶，其厚度为40微米。透光封装层4还可包括设于半透明胶层41之上的透明盖板42。其中该透明盖板42为刚性盖板，其透明度大于半透明胶层，本示例中透明盖板42的材质为玻璃，其厚度为130微米。
60.图7所示的发光组件，由于省略了电路板1上传统的防焊层，其厚度更小，且其制作工艺更为简单，效率更高，成本更低。
61.本实施例还提供了一种显示屏，其包括显示屏框架，以及设于显示屏框架内的上述各示例所示的发光组件。
62.又一可选实施例：
63.为了便于理解，本实施例下面以上述实施例所示的发光组件的制作方法示例进行说明。
64.本实施例提供的发光组件的制作方法参见图8所示，其包括但不限于：
65.s801：将各发光芯片转移至透光封装层上，各发光芯片在透光封装层上的分布，与电路板上的各芯片键合区相对应。
66.在本实施例中，可以根据电路板上各芯片键合区的布局，直接从生长基板上将发光芯片转移至透光封装层上，从而省略暂态基板的使用，提升制作效率，降低设备及材料成本。当然，在一些示例中，也可以先将发光芯片从生长基板转移至暂态基板上后，再根据电
路板上各芯片键合区的布局，从暂态基板上将发光芯片转移至透光封装层上。
67.在本实施例中，透光封装层承载发光芯片的一面可具有黏性(采用低黏性即可，也可采用高黏性)，发光芯片可通过该黏性固设于透光封装层上。
68.s802：将透光封装层上设有发光芯片的一面，与电路板上设有芯片键合区的一面相对压合，将各发光芯片的电极与对应的芯片键合区内相对应的焊盘键合。
69.将透光封装层上设有发光芯片的一面，与电路板上设有芯片键合区的一面相对压合后，各发光芯片落入电路板上各自对应的芯片键合区内，各发光芯片的电极与芯片键合区内对应的焊盘通过导电材料实现电连接，该导电材料可以采用但不限于焊料、导电胶层。
70.可见，图8所示的发光组件的制作方法，直接将各发光芯片转移至透光封装层上并与电路板上的各芯片键合区相对应，也即直接利用透光封装层代替传统的暂态基板，然后将透光封装层上设有发光芯片的一面，与电路板上设有芯片键合区的一面相对压合，并将各发光芯片的电极与对应的芯片键合区内相对应的焊盘键合；以上过程中不再需要传统的暂态基板，也不再需要在暂态基板上形成双面胶以及将发光芯片转移至暂态基板上、以及去除暂态基板等工艺，可简化发光组件的制作工艺，提升制作效率，降低材料和设备成本以及人工成本；且由于采用的电路板上预先形成有用于防焊及防止窜光的防焊挡光层，且该防焊挡光层可代替传统电路板上的防焊层，针对电路板厂而言只是更换了防焊材料，并无工序及成本的增加；在制作发光组件时，可省略将发光芯片在电路板上键合后，在电路板上额外进行压黑胶层、对黑胶层进行烘烤以及去除发光芯片上的残留黑胶等工序，因此可进一步简化制作工艺，大幅度缩减制程时长，并可省略传统的防焊层，进一步减少材料成本以及人工成本，且制得的发光组件的厚度更小。
71.在本实施例的一种示例中，s801中的透光封装层包括处于半固化状态的半透明胶层；s801中将各发光芯片转移至透光封装层上包括：
72.将各发光芯片转移至半透明胶层上，各发光芯片通过半透明胶层的黏性固定在半透明胶层上。
73.在本实施例的又一种示例中，透光封装层还包括透明盖板，将各发光芯片转移至半透明胶层上之前，还包括先将半透明胶层设于透明盖板上。
74.在本实施例中，在s801中的发光芯片的电极上设有第一焊料，s802中的电路板上的芯片键合区内的焊盘上设有第二焊料；s802中将各发光芯片的电极与对应的芯片键合区内相对应的焊盘键合可包括但不限于：
75.将各发光芯片的电极上的第一焊料以及各芯片键合区内的焊盘上的第二焊料加热使其融化，从而使得各发光芯片的电极与对应的芯片键合区内相对应的焊盘键合。
76.且在本实施例中，当半透明胶层采用热固化胶层时，可设置半透明胶层的固化温度，大于等于第一焊料以及第二焊料的熔融温度。例如：
77.在一种示例中，半透明胶层的固化温度等于第一焊料以及第二焊料的熔融温度，则将各发光芯片的电极上的第一焊料以及各芯片键合区内的焊盘上的第二焊料加热使其融化，从而使得各发光芯片的电极与对应的芯片键合区内相对应的焊盘键合过程中，处于半固化状态的半透明胶层也进行加热，从而使得半透明胶层固化，可进一步提升制作效率。
78.在另一示例中，可设置半透明胶层的固化温度大于第一焊料以及第二焊料的熔融温度，例如，半透明胶层的固化温度大于等于160℃，第一焊料以及第二焊料的熔融温度小
于等于150℃，例如可取130℃至150℃。在本示例中，将各发光芯片的电极与对应的芯片键合区内相对应的焊盘键合后，还可包括但不限于：对半透明胶层加热使其固化。为了便于理解，本实施例下面以本示例中的发光组件的制作过程为示例进行说明，参见图9所示，其包括但不限于：
79.s901：根据电路板1上各芯片键合区11的布局，将各发光芯片3转移至透光封装层4的半透明胶层41上。半透明胶层41此时处于半固化状态，其固化温度大于等于160℃。发光芯片3的电极31上设有第一焊料。
80.s902：将透光封装层4上设有发光芯片3的一面，也即半透明胶层41上设有发光芯片3的一面，与电路板1上设有芯片键合区11的一面相对压合，压合后各发光芯片3的电极31与芯片键合区11内对应的焊盘对接。
81.s903：对各发光芯片3的电极31上的第一焊料和对应的芯片键合区内相对应的焊盘上的第二焊料加热使其融化完成键合；本示例中第一焊料和第二焊料的熔融温度小于等于150℃。一种应用示例中，可通过但不限于激光焊接方式执行s903。
82.在执行完s903之后，本示例中还包括对处于半固化状态的半透明胶层41加热使其固化。例如置于烤箱烘烤，使处于半固化状态的半透明胶层41完全固化。
83.图9所示的发光组件的制作方法，直接利用透光封装层4代替传统的暂态基板，将各发光芯片3转移至透光封装层4上并与电路板1上的各芯片键合区11相对应，然后与电路板1上设有芯片键合区11的一面相对压合，并将各发光芯片3的电极31与对应的芯片键合区11内相对应的焊盘键合；以上过程中不再需要传统的暂态基板，也不再需要在暂态基板上形成双面胶以及将发光芯片转移至暂态基板上、以及去除暂态基板等工艺，可将焊接、压膜两道工序合并，并去掉双面胶，降低材料成本，缩减制程时长，简化封装工序，降低材料和设备成本以及人工成本；且由于采用的电路板1上预先形成有用于防焊及防止窜光的防焊挡光层2，且该防焊挡光层2可代替传统电路板1上的防焊层，针对电路板1厂而言只是更换了防焊材料，并无工序及成本的增加；在制作发光组件时，可省略将发光芯片3在电路板1上键合后，在电路板1上额外进行压黑胶层、对黑胶层进行烘烤以及去除发光芯片上的残留黑胶等工序，因此可进一步简化制作工艺，大幅度缩减制程时长，并可省略传统的防焊层，使得制得的发光组件的厚度更小。
84.应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。