包含具有二氰基苯乙烯基的杂环化合物的能够湿蚀刻的抗蚀剂下层膜形成用组合物的制作方法

技术特征：
1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含具有二氰基苯乙烯基的杂环化合物、和溶剂。2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述具有二氰基苯乙烯基的杂环化合物为包含酰胺基的环状化合物。3.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述具有二氰基苯乙烯基的杂环化合物为活性质子化合物、与具有环氧基的杂环化合物前体的反应生成物。4.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述二氰基苯乙烯基由下述式(1)表示，在式(1)中，x表示烷基、羟基、烷氧基、烷氧基羰基、卤原子、氰基或硝基，r表示氢原子、烷基或亚芳基，n表示0～4的整数，＊表示对杂环化合物的键合部分。5.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述具有二氰基苯乙烯基的杂环化合物由下述式(2)表示，在式(2)中，q为从杂环化合物去掉了m个末端原子的基团，m为1～4的整数，m个a各自独立地为直接键合、或碳原子数1～10的亚烷基，所述亚烷基可以具有支链且可以经取代，在亚烷基中可以包含醚键、硫醚键或酯键，m个b各自独立地表示直接键合、醚键、硫醚键或酯键，m个r1～r3各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，m个l各自独立地由下述式(3)表示，在式(3)中，y表示醚键、硫醚键或酯键，r表示氢原子、烷基或亚芳基，n表示0～4的整数，n个x各自独立地表示烷基、羟基、烷氧基、烷氧基羰基、卤原子、氰基或硝基。6.根据权利要求1～4中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述杂环为三嗪三
酮。7.根据权利要求5所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式(2)中的q为三嗪三酮。8.根据权利要求4或5所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式(1)和/或式(3)中的r为氢原子。9.根据权利要求5所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式(3)中的y表示醚键或酯键。10.根据权利要求5所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式(2)中的a表示直接键合。11.根据权利要求1～10中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其进一步包含交联剂和/或交联催化剂。12.根据权利要求1～11中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其在表面包含铜的基板上使用。13.一种抗蚀剂下层膜，其特征在于，是从由权利要求1～12中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物形成的涂布膜除去溶剂而获得的。14.根据权利要求13所述的抗蚀剂下层膜，其形成在表面包含铜的基板上。15.一种进行了图案形成的基板的制造方法，其包含下述工序：在表面包含铜的基板上涂布权利要求1～12中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物并进行烘烤而形成抗蚀剂下层膜的工序；在所述抗蚀剂下层膜上涂布抗蚀剂并进行烘烤而形成抗蚀剂膜的工序；将被所述抗蚀剂下层膜和所述抗蚀剂被覆了的半导体基板曝光的工序；将曝光后的所述抗蚀剂膜显影，进行图案形成的工序。16.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含下述工序：在表面包含铜的基板上，形成由权利要求1～12中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物形成的抗蚀剂下层膜的工序；在所述抗蚀剂下层膜上形成抗蚀剂膜的工序；对抗蚀剂膜照射光或电子射线然后进行显影而形成抗蚀剂图案的工序、接着将在抗蚀剂图案间露出的抗蚀剂下层膜除去的工序；在被形成的所述抗蚀剂图案间进行镀铜的工序；以及将抗蚀剂图案和存在于其下的抗蚀剂下层膜除去的工序。17.根据权利要求16所述的制造方法，将所述抗蚀剂下层膜除去的工序的至少1个利用湿处理进行。18.下述式(4)所示的化合物，
在式(4)中，a1～a3各自独立地为直接键合、或可以经取代的碳原子数1～6的亚烷基，b1～b3各自独立地表示直接键合、醚键、硫醚键或酯键，r4～r
12
各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，z1～z3由式(5)表示，在式(5)中，n个x各自独立地表示烷基、羟基、烷氧基、烷氧基羰基、卤原子、氰基或硝基，r表示氢原子、烷基或亚芳基，y表示醚键、硫醚键或酯键，n表示0～4的整数。19.一种具有二氰基苯乙烯基的杂环化合物的制造方法，其包含下述工序：使具有环氧基的杂环化合物前体、与具有二氰基苯乙烯基的质子化合物反应的工序。20.一种具有二氰基苯乙烯基的杂环化合物的制造方法，其包含下述工序：使具有环氧基的杂环化合物前体、与具有羰基的活性质子化合物反应而获得中间体的工序；以及将该中间体氰基化的工序。

技术总结
本发明提供对抗蚀剂溶剂、作为碱水溶液的抗蚀剂显影液显示良好的耐性，同时仅对湿蚀刻药液显示除去性、且优选显示溶解性的抗蚀剂下层膜。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：溶剂；以及具有二氰基苯乙烯基的杂环化合物、例如包含酰胺基的环状化合物、例如活性质子化合物与具有环氧基的杂环化合物前体的反应生成物。成物。


技术研发人员：远藤贵文 远藤勇树
受保护的技术使用者：日产化学株式会社
技术研发日：2020.06.17
技术公布日：2022/1/28