激子发光型卤化物闪烁体、薄膜、单晶、制备方法及应用与流程

技术特征：
1.一种激子发光型卤化物闪烁体，其特征在于，所述激子发光卤化物闪烁体具有如下化学式：(a
1-x
a
x’)5(b
1-y
b’y
)3(x
1-z
x’z
)8；其中：a和a’分别选自li、na,、k、rb、cs、in和tl中的一种，且0<x≤1；b和b’分别选自cu、ag和au中的一种，且0<y≤1；x和x’分别选自f、cl、br和i中的一种，x和x’的不为同一种元素，且0<z<1。2.根据权利要求1所述的激子发光型卤化物闪烁体，其特征在于，a和a’为cs，b和b’为cu，x和x’分别为cl和i。3.根据权利要求2所述的激子发光型卤化物闪烁体，其特征在于，z等于0.25。4.一种激子发光型卤化物闪烁体薄膜，其特征在于，所述激子发光型卤化物闪烁体薄膜由权利要求1所述的激子发光型卤化物闪烁体构成。5.根据权利要求4所述的激子发光型卤化物闪烁体薄膜，其特征在于，所述激子发光型卤化物闪烁体薄膜采用真空蒸镀法、溅射法或凝胶涂覆法中的一种方法获得。6.根据权利要求4所述的激子发光型卤化物闪烁体薄膜，其特征在于，所述激子发光型卤化物闪烁体薄膜采用真空蒸镀法获得；所述真空蒸镀法包括如下步骤：s10：按照所述化学式(a
1-x
a’x
)5(b
1-y
b’y
)3(x
1-z
x’z
)8称取各组份原料；s20：将各组份原料利用利用高温冷却法或固相反应法合成化合物镀膜原料；s30：在真空镀膜装置中，加热蒸发舟中的化合物镀膜原料至熔融状态，在基板上获得所述激子发光型卤化物闪烁体薄膜；蒸镀过程中，基板的温度为20℃～300℃；所述真空镀膜装置的真空度低于10-2
pa。7.一种激子发光型卤化物闪烁体单晶，其特征在于，所述激子发光型卤化物闪烁体单晶由权利要求1至3任意一项所述的激子发光型卤化物闪烁体构成。8.根据权利要求7所述的激子发光型卤化物闪烁体单晶，其特征在于，所述激子发光型卤化物闪烁体单晶采用基于熔体法的坩埚下降法、基于熔体法的提拉法、基于溶液法的降温法、基于溶液法的蒸发法或基于溶液法的水热法中的一种方法获得。9.一种制备方法，用于制备权利要求7或8所述的激子发光型卤化物闪烁体单晶，其特征在于，包括如下步骤：s100：按照所述化学式(a
1-x
a’x
)5(b
1-y
b’y
)3(x
1-z
x’z
)8称取各组份原料；s200：在惰性气体或无水的干燥环境下将各组份原料密封封装于坩埚中；s300：将密封封装有各组份原料封的坩埚竖直置于晶体生长炉中生长所述激子发光型卤化物闪烁体单晶；所述s300步骤包括如下步骤：s310：将将密封封装有各组份原料封的坩埚竖直置于晶体生长炉的中间位置，晶体生长炉升温至高于激子发光型卤化物闪烁体熔点熔融混合各组份原料；s320：调节坩埚位置，并调节晶体生长炉炉温使坩埚底部温度降至激子发光型卤化物闪烁体熔点；s330：以0.1～10.0mm/h的速度在晶体生长炉内下降坩埚直至熔体完全凝固；
s340：坩埚温度缓慢冷却至室温。10.一种应用，其特征在于，将权利要求1至3任意一项所述的卤化物闪烁体应用于中子探测、x射线探测或γ射线探测；或将权利要求4至6任意一项所述的卤化物闪烁体薄膜应用于中子探测、x射线探测或γ射线探测；或将权利要求7或8所述的卤化物闪烁体单晶应用于中子探测、x射线探测或γ射线探测。

技术总结
本发明提供了一种激子发光型卤化物闪烁体、薄膜、单晶、制备方法及应用，所述激子发光型卤化物闪烁体具有如下化学式：(A


技术研发人员：吴云涛 王谦 闻学敏
受保护的技术使用者：中国科学院上海硅酸盐研究所
技术研发日：2021.10.28
技术公布日：2022/1/21