硅基OLED阳极像素光刻内切结构的制作方法

硅基oled阳极像素光刻内切结构
技术领域
1.本实用新型涉及oled金属阳极像素制作领域，尤其涉及一种硅基oled阳极像素光刻内切结构制作方法。


背景技术：

2.硅基oled光刻工艺是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将掩模版上的图形转移到所在硅片上。传统光刻工艺通常在硅片底部先涂上剥离胶，剥离胶不感光、可溶于显影液；再涂上一层光刻胶；然后通过一组特定图案掩模版进行曝光，在光子的作用下，光敏化合物分解，激发光化学反应，曝光之后进行显影，被曝光部分的光刻胶会随显影液进行反应而被除去，未曝光部分留在硅片上；光刻胶通过控制显影时间来溶解部分剥离胶，通过控制剥离胶显影时间与溶解曝光后的光刻胶来制备理想型内切结构。该方法底层采用剥离胶，主要由显影时间来控制像素光刻内切结构，传统方法容易受温度等因素影响，内切结构稳定性差、精度低，显影后容易出现底部外延及阳极金属粘连的情况。


技术实现要素：

3.针对传统工艺制作硅基oled阳极像素光刻内切结构精度差的问题，本实用新型提出一种硅基oled阳极像素光刻内切结构。
4.本实用新型的硅基oled阳极像素光刻内切结构，其特征在于该内切结构包括硅片、正性光刻胶b-pr、正性光刻胶t-pr和金属阳极组成：硅片上依次向上设置正性光刻胶b-pr和正性光刻胶t-pr，所述正性光刻胶t-pr表面完全覆盖正性光刻胶b-pr表面。
5.进一步的，所述正性光刻胶t-pr表面和正性光刻胶t-pr正投影面积外的硅片上蒸镀金属阳极。
6.进一步的，所述正性光刻胶b-pr厚度为1500-1600
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7.进一步的，所述正性光刻胶t-pr厚度为13000-14000
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8.使用时，在硅基oled阳极像素光刻内切结构上蒸镀金属阳极，金属阳极厚度100-1000
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；然后将蒸镀后的硅片在清洗剥离机下进行剥离，去除正性光刻胶b-pr、正性光刻胶t-pr以及蒸镀在正性光刻胶t-pr上的金属阳极，仅保留蒸镀在硅片上的金属阳极，获得高分辨率oled理想阳极像素。
9.本实用新型的硅基oled阳极像素光刻内切结构，显影能够精确控制内切结构的尺寸和深度，正性光刻胶b-pr分辨率i-line极限线宽可达0.3-1微米，正性光刻胶t-pri-line线宽可达1-3微米，能消除底部外延，为制作理想型阳极提供了良好的基础。
附图说明
10.图1为本实用新型的结构示意图。
11.其中，硅片1，正性光刻胶b-pr2，正性光刻胶t-pr3，金属阳极4。
具体实施方式
12.实施例1：为使本发明的上述特点和优点能够更好展示出，下面将结合本发明实施例中的附图，对本实用新型方案进行描述。
13.该内切结构包括硅片1、正性光刻胶b-pr2、正性光刻胶t-pr3和金属阳极4组成：硅片1上依次向上设置正性光刻胶b-pr2和正性光刻胶t-pr3，所述正性光刻胶t-pr3表面完全覆盖正性光刻胶b-pr2表面。
14.该内切结构由以下步骤制备而成：
15.步骤1)：在硅片上涂正性光刻胶b-pr，覆盖掩模版，使用i线光刻机对硅片进行曝光；
16.步骤2):将步骤1）获得的硅片进行二次涂胶，即在正性光刻胶b-pr上旋涂一层正性光刻胶t-pr，覆盖掩模版，使用i线光刻机对硅片进行曝光；
17.步骤3):将步骤2）获得的硅片置于显影机上进行显影，得到理想型内切结构形貌。


技术特征：
1.硅基oled阳极像素光刻内切结构，其特征在于该内切结构包括硅片、正性光刻胶b-pr、正性光刻胶t-pr和金属阳极组成：硅片上依次向上设置正性光刻胶b-pr和正性光刻胶t-pr，所述正性光刻胶t-pr表面完全覆盖正性光刻胶b-pr表面。2.如权利要求1所述的硅基oled阳极像素光刻内切结构，其特征在于正性光刻胶t-pr表面和正性光刻胶t-pr正投影面积外的硅片上蒸镀金属阳极。3.如权利要求1所述的硅基oled阳极像素光刻内切结构，其特征在于正性光刻胶b-pr厚度为1500-1600
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。4.如权利要求1所述的硅基oled阳极像素光刻内切结构，其特征在于正性光刻胶t-pr厚度为13000-14000
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技术总结
本实用新型涉及OLED金属阳极像素制作领域，尤其涉及一种硅基OLED阳极像素光刻内切结构制作方法，采用底部正性光刻胶与顶部正性光刻胶组合和不同线宽掩模版方式分步进行曝光，最终显影完成一次光刻，该方法制作的金属阳极能够精确控制内切结构的尺寸和深度，正性光刻胶B-PR分辨率i-line极限线宽可达0.3-1微米，正性光刻胶T-PRi-line线宽可达1-3微米，有利于制作高分辨率OLED理想阳极像素。于制作高分辨率OLED理想阳极像素。于制作高分辨率OLED理想阳极像素。


技术研发人员：杨炜平 保加兵 杨丽丽 杜浩楠 刘佰红 梁翔 石春明 殷艳娥 杨晓雪 马跃霞
受保护的技术使用者：云南北方奥雷德光电科技股份有限公司
技术研发日：2021.09.22
技术公布日：2022/1/21