附着物去除装置及附着物去除方法与流程

技术特征：
1.一种附着物去除装置，去除附着在从制造半导体晶体的腔室排放气体的排气管的附着物，其特征在于，具备：排气口开闭机构，其具有：开闭与所述排气管连通的排气口的阀体；收纳所述阀体，可导入不活泼气体，可将所述排气口从外部隔离的隔离空间形成部；驱动所述阀体的第1驱动机构；及驱动所述隔离空间形成部的至少一部分的第2驱动机构，并且构成为：通过所述第1驱动机构，驱动所述阀体开闭所述排气口；通过所述第2驱动机构，驱动所述隔离空间形成部的至少一部分，向所述隔离空间形成部导入大气。2.根据权利要求1所述的附着物去除装置，其特征在于，以将所述腔室向大气开放的状态，去除附着在所述排气管的附着物。3.根据权利要求1或2所述的附着物去除装置，其特征在于，构成为通过使所述阀体与形成所述排气口的底板面抵接而关闭所述排气口，通过使所述阀体从所述底板面分离而开启所述排气口。4.一种附着物去除方法，去除附着在从制造半导体晶体的腔室排放气体的排气管的附着物，其特征在于，以将与所述排气管连通的排气口从外部隔离且对隔离的空间导入不活泼气体、将所述附着物经由所述排气管从所述腔室外抽吸的状态，开启所述排气口。5.根据权利要求4所述的附着物去除方法，其特征在于，以将所述腔室向大气开放的状态，去除附着在所述排气管的附着物。6.根据权利要求4或5所述的附着物去除方法，其特征在于，通过使所述阀体与形成所述排气口的底板面抵接而关闭所述排气口，通过使所述阀体从所述底板面分离而开启所述排气口。

技术总结
本发明所公开的附着物去除装置去除附着在从制造半导体晶体的腔室排放气体的排气管的附着物。所述附着物去除装置具备排气口开闭机构（51a），其具有：开闭与排气管连通的排气口（24a）的阀体（69）；收纳阀体（69），可导入不活泼气体，可将排气口（24a）从外部隔离的密闭套（66）及固定台（65）；驱动阀体（69）的缸（67）；及驱动密闭套（66）或固定台（65）的缸（73）。通过缸（67）驱动阀体（69）开闭排气口（24a），通过缸（73）驱动密闭套（66）或固定台（65），向驱动密闭套（66）导入大气。套（66）导入大气。套（66）导入大气。


技术研发人员：小川福生 四井拓也 前川浩一
受保护的技术使用者：胜高股份有限公司
技术研发日：2020.05.28
技术公布日：2022/1/21