1.本发明涉及芯片测试技术领域，尤其涉及一种非破坏无异味的弹坑实验方法。
背景技术：
2.现有弹坑技术需要剪掉substrate板子才能做，一般采用草酸，气味比较大同时对产品会造成一定损伤不能再用，采用的是浸泡的方式，测试步骤较多，浸泡完后整个产品损失较大，检测耗时较长。
技术实现要素：
3.有鉴于此，提供一种操作简单，对晶圆pad损伤较小，检验速度快的一种非破坏无异味的弹坑实验方法。
4.一种非破坏无异味的弹坑实验方法，其包括以下三个步骤：（1）在常温下，将氢氧化钠固体放入烧杯，倒入去离子水调配出含量为20%的氢氧化钠溶液。（2）将晶圆pad放置在显微镜下，用挑针将待测试弹坑实验的晶圆pad表面的金线挑断，用滴管在晶圆pad上滴2滴调配好的氢氧化钠溶液，静置20分钟进行蚀刻。（3）用去离子水清洗晶圆pad，将金线残留及晶圆保护层清洗干净，并用热风枪将晶圆pad吹干，将晶圆pad放入显微镜下可观察弹坑实验效果，确认打线是否对晶圆pad造成暗裂及凹痕。
5.进一步地，所述步骤（3）中去离子水可用超纯水代替。
6.进一步地，所述步骤（3）中若显微镜下发现晶圆蚀刻效果差，则重复步骤（2）和步骤（3）。
7.进一步地，所述步骤（1）中的氢氧化钠溶液可封存重复使用。
8.相对于现有技术，本发明的有益效果为，用碱性氢氧化钠代替草酸，防止草酸的气味扩散，蚀刻方式由浸泡改为滴管少许溶液，减轻了实验对晶圆pad的损伤，同时提升了检测速度。
具体实施方式
9.一种非破坏无异味的弹坑实验方法，其包括以下三个步骤：（1）在常温下，将氢氧化钠固体放入烧杯，倒入去离子水调配出含量为20%的氢氧化钠溶液。（2）将晶圆pad放置在显微镜下，用挑针将待测试弹坑实验的晶圆pad表面的金线挑断，用滴管在晶圆pad上滴2滴调配好的氢氧化钠溶液，静置20分钟进行蚀刻。（3）用去离子水清洗晶圆pad，将金线残留及晶圆保护层清洗干净，并用热风枪将晶圆pad吹干，将晶圆pad放入显微镜下可观察弹坑实验效果，确认打线是否对晶圆pad造成暗裂及凹痕。
10.进一步地，作为本实施例的优选，所述步骤（3）中去离子水可用超纯水代替。
11.进一步地，作为本实施例的优选，所述步骤（3）中若显微镜下发现晶圆蚀刻效果差，则重复步骤（2）和步骤（3）。
12.进一步地，作为本实施例的优选，所述步骤（1）中的氢氧化钠溶液可封存重复使
用。
13.以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。
技术特征：
1.一种非破坏无异味的弹坑实验方法，其特征在于：包括以下三个步骤：在常温下，将氢氧化钠固体放入烧杯，倒入去离子水调配出含量为20%的氢氧化钠溶液。2.（2）将晶圆pad放置在显微镜下，用挑针将待测试弹坑实验的晶圆pad表面的金线挑断，用滴管在晶圆pad上滴2滴调配好的氢氧化钠溶液，静置20分钟进行蚀刻。3.（3）用去离子水清洗晶圆pad，将金线残留及晶圆保护层清洗干净，并用热风枪将晶圆pad吹干，将晶圆pad放入显微镜下可观察弹坑实验效果，确认打线是否对晶圆pad造成暗裂及凹痕。4.如权利要求1所述的非破坏无异味的弹坑实验方法，其特征在于：所述步骤（3）中去离子水可用超纯水代替。5.如权利要求1所述的非破坏无异味的弹坑实验方法，其特征在于：所述步骤（3）中若显微镜下发现晶圆蚀刻效果差，则重复步骤（2）和步骤（3）。6.如权利要求1所述的非破坏无异味的弹坑实验方法，其特征在于：所述步骤（1）中的氢氧化钠溶液可封存重复使用。
技术总结
本发明涉及一种非破坏无异味的弹坑实验方法，其包括以下三个步骤：在常温下，将氢氧化钠固体放入烧杯，倒入去离子水调配出含量为20%的氢氧化钠溶液。（2）将晶圆PAD放置在显微镜下，用挑针将待测试弹坑实验的晶圆PAD表面的金线挑断，用滴管在晶圆PAD上滴2滴调配好的氢氧化钠溶液，静置20分钟。（3）用去离子水清洗晶圆PAD，将金线残留及晶圆保护层清洗干净，并用风枪将晶圆PAD吹干，将晶圆PAD放入显微镜下可观察弹坑实验效果。本发明操作简单，对晶圆PAD损伤较小，检验速度快，值得推广。值得推广。
技术研发人员：庄晓鹏
受保护的技术使用者：蓝芯存储技术（赣州）有限公司
技术研发日：2021.10.15
技术公布日：2022/1/21
再多了解一些
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