一种晶体加工表面处理装置的制作方法

1.本发明涉及晶体加工装置技术领域，具体为一种晶体加工表面处理装置。


背景技术：

2.单晶硅片是硅的单晶体，是一种具有基本完整的点阵结构的晶体，不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料，纯度要求达到99.9999％，甚至达到99.9999999％以上，用于制造半导体器件、太阳能电池等，用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成，在太阳能级半导体单晶硅片加工过程中，经金刚石切线开方生成的单晶硅片由于表面粗糙，且线痕严重，不能直接对其进行切片，因此在对单晶硅片进行切片之前需要先对单晶硅片表面的线痕进行处理。
3.经检索(申请号：cn201921745315.3)，一种晶体加工表面处理装置，涉及晶体加工装置技术领域，该晶体加工表面处理装置，包括机体，所述机体的顶部通过合页与盖板活动连接，所述机体内壁的两侧均开设有滑槽，所述机体的内部活动连接有网筐，所述网筐的两侧均固定连接有固定杆，所述固定杆的表面与滑槽的内壁活动连接，所述网筐的内部固定连接有隔网，所述网筐的底部与顶板的上表面活动连接，所述顶板的表面与机体的内壁活动连接，所述顶板的下表面固定连接有圆杆，所述机体的底部固定连接有圆盒。本实用新型通过设置隔网、顶板、螺杆、电机和导向杆，解决了目前在对单晶硅片表面抛光之后，完全浸泡在抛光液中的单晶硅片难以取出的问题。
4.在实现本发明过程中，发明人发现现有技术中存在如下问题没有得到解决：该装置采用螺杆与圆杆的螺孔旋接，并经电机驱动方式实现其网筐上下移动，该种旋接举升网筐方式，影响网筐的举升及下降速度，导致取料环节占用过多时间，直接影响抛光加工效率，同时该装置不具备硅片限位机构，在浸泡硅片过程中，极易出现硅片贴合其网筐内壁及隔网状况，该现象会引起浸泡盲区，后续需对其二次浸泡抛光，且该装置不具备硅片外壁粘附液刮除机构，过多的抛光液粘附在硅片上，造成过多抛光液的浪费等等问题。


技术实现要素：

5.本发明的目的在于提供一种晶体加工表面处理装置，解决了背景技术中所提出的问题。
6.为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种晶体加工表面处理装置，包括外箱；
7.所述外箱左右两内壁均固定安装有滑轨，所述滑轨内放置有滑块，两组所述滑块之间固定安装有内箱，所述内箱左右两壁顶部均固定安装有提把，所述内箱内底部固定安装有滤网，所述内箱靠近滤网的上侧固定安装有若干组均匀阵列的隔板，所述内箱后壁顶部开设有若干组均匀阵列的条形口，所述条形口内放置有活动块，所述活动块前侧固定安装有限位板，所述内箱左内壁和隔板右壁顶部均固定安装有垫块，且垫块位于限位板的正左侧，所述活动块后端固定安装有活动板，所述内箱后外壁左右两侧分别固定安装有挡板
和磁铁，且活动板右端吸附在磁铁左侧，所述挡板右端面固定安装有拉簧，且拉簧右端与活动板固定连接；
8.所述内箱外壁靠近滑块的前后两侧均固定安装有中空块，且中空块共有四组，所述中空块外壁中部贯穿有活动杆，所述活动杆外端固定安装有半圆头，所述活动杆内端固定安装有推板，所述中空块靠近推板的内侧放置有弹簧，所述外箱左右两内壁顶部和底部均开设有卡槽，且卡槽共有八组，所述卡槽位于滑轨的前后两侧，且半圆头卡位在同侧的卡槽内，所述外箱底壁中部连通设置有排液管，且排液管上设置有阀门。
9.作为本发明的一种优选实施方式，所述活动块的外形与条形口轮廓适配，所述活动块长方体结构，且活动块上下端面贴合于内箱后壁。
10.作为本发明的一种优选实施方式，所述外箱底部四个棱角处均通过轮架转动连接有万向轮，且万向轮为静音万向轮。
11.作为本发明的一种优选实施方式，所述限位板左端面固定安装有防滑垫。
12.作为本发明的一种优选实施方式，所述外箱后壁中部一体成型设置有可视窗。
13.作为本发明的一种优选实施方式，所述活动板后壁固定安装有拨动块，且拨动块与外箱后内壁的间距为5cm。
14.作为本发明的一种优选实施方式，所述排液管内顶部固定安装有筛网。
15.与现有技术相比，本发明的有益效果如下：
16.1.本发明通过设置有弹簧和半圆头，可通过弹簧给予推板和活动杆的作用力，使半圆头卡位在同侧的卡槽内，每当取离硅片时，可通过手动上移内箱，当半圆头与上侧的卡槽对位时，弹簧与半圆头的配合，可使内箱临时定位在外箱上，供给工作人员取离硅片，该方式相较于现有举升方式，提升内箱举升及下降效率，如此循环作业，间接提升抛光作业效率。
17.2.本发明通过设置有限位板和垫块，在浸泡抛光硅片时，使硅片竖向夹持在限位板与垫块之间，在浸泡期间可手动上拉硅片调整硅片夹持部，该种竖向限位方式，避免硅片贴合内箱内壁或隔板引起抛光不完全二次浸泡问题，保证浸泡的完全，同时硅片在向上抽离过程中，可经垫块和限位板刮除硅片外壁粘附的抛光液，有效避免抛光液的浪费量，且磁铁的设置，可对活动板临时限位，便于工作人员投放硅片。
附图说明
18.通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
19.图1为本发明一种晶体加工表面处理装置的整体主视截面结构示意图；
20.图2为本发明一种晶体加工表面处理装置的内箱部分俯视截面结构示意图；
21.图3为本发明一种晶体加工表面处理装置的中空块部分主视截面结构示意图；
22.图4为本发明一种晶体加工表面处理装置的a处放大结构示意图；
23.图5为本发明一种晶体加工表面处理装置的b处放大结构示意图。
24.图中：1、外箱；2、滑轨；3、滑块；4、万向轮；5、阀门；6、排液管；7、滤网；8、中空块；9、隔板；10、限位板；11、提把；12、可视窗；13、内箱；14、挡板；15、拉簧；16、活动板；17、条形口；18、磁铁；19、活动块；20、防滑垫；21、垫块；22、弹簧；23、半圆头；24、活动杆；25、推板；26、筛
网；27、卡槽。
具体实施方式
25.为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本发明。
26.在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制；在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“设置”应做广义理解，例如，可以是固定相连、设置，也可以是可拆卸连接、设置，或一体地连接、设置。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
27.请参阅图1-5，本发明提供一种技术方案：一种晶体加工表面处理装置，包括外箱1；
28.所述外箱1左右两内壁均固定安装有滑轨2，所述滑轨2内放置有滑块3，两组所述滑块3之间固定安装有内箱13，所述内箱13左右两壁顶部均固定安装有提把11，所述内箱13内底部固定安装有滤网7，所述内箱13靠近滤网7的上侧固定安装有若干组均匀阵列的隔板9，所述内箱13后壁顶部开设有若干组均匀阵列的条形口17，所述条形口17内放置有活动块19，所述活动块19前侧固定安装有限位板10，所述内箱13左内壁和隔板9右壁顶部均固定安装有垫块21，且垫块21位于限位板10的正左侧，所述活动块19后端固定安装有活动板16，所述内箱13后外壁左右两侧分别固定安装有挡板14和磁铁18，且活动板16右端吸附在磁铁18左侧，所述挡板14右端面固定安装有拉簧15，且拉簧15右端与活动板16固定连接；
29.所述内箱13外壁靠近滑块3的前后两侧均固定安装有中空块8，且中空块8共有四组，所述中空块8外壁中部贯穿有活动杆24，所述活动杆24外端固定安装有半圆头23，所述活动杆24内端固定安装有推板25，所述中空块8靠近推板25的内侧放置有弹簧22，所述外箱1左右两内壁顶部和底部均开设有卡槽27，且卡槽27共有八组，所述卡槽27位于滑轨2的前后两侧，且半圆头23卡位在同侧的卡槽27内，所述外箱1底壁中部连通设置有排液管6，且排液管6上设置有阀门5，通过设置有弹簧22和半圆头23，可通过弹簧22给予推板25和活动杆24的作用力，使半圆头23卡位在同侧的卡槽27内，每当取离硅片时，可通过手动上移内箱13，当半圆头23与上侧的卡槽27对位时，弹簧22与半圆头23的配合，可使内箱13临时定位在外箱1上，供给工作人员取离硅片，该方式相较于现有举升方式，提升内箱13举升及下降效率，可一定程度降低硅片取离环节占用时间，如此循环作业，间接提升抛光作业效率，通过设置有限位板10和垫块21，在浸泡抛光硅片时，可通过拉簧15给予活动板16及活动块19作用力，使硅片竖向夹持在限位板10与垫块21之间，在浸泡期间可手动上拉硅片调整硅片夹持部，该种竖向限位方式，避免硅片贴合内箱13内壁或隔板9引起抛光不完全二次浸泡问题，保证浸泡的完全，同时硅片在向上抽离过程中，可经垫块21和限位板10刮除硅片外壁粘附的抛光液，有效避免抛光液的浪费量，且磁铁18的设置，可通过磁铁18对活动板16临时限位，限位板10的右移限位，工作人员可双手投入硅片投放作业中，便于工作人员投放硅片。
30.本实施例中(请参阅图1和图2)，所述活动块19的外形与条形口17轮廓适配，所述
活动块19长方体结构，且活动块19上下端面贴合于内箱13后壁，可通过条形口17对活动块19朝向限位，以免其出现自转状况，保证其横向水平移动。
31.本实施例中(请参阅图1)，所述外箱1底部四个棱角处均通过轮架转动连接有万向轮4，且万向轮4为静音万向轮，有效降低运输期间万向轮4与地面产生的噪音分贝，起到降噪作用。
32.本实施例中(请参阅图1和图2)，所述限位板10左端面固定安装有防滑垫20，可通过防滑垫20增加夹持摩擦力，保证夹持定位的稳定。
33.本实施例中(请参阅图1)，所述外箱1后壁中部一体成型设置有可视窗12，工作人员可通过可视窗12查看箱内抛光液液位，便于工作人员控制抛光液加入量。
34.本实施例中(请参阅图1和图2)，所述活动板16后壁固定安装有拨动块，且拨动块与外箱1后内壁的间距为5cm，可经拨动块推拉调移活动板16，同时足够的空间便于工作人员调移操作。
35.本实施例中(请参阅图1)，所述排液管6内顶部固定安装有筛网26，可通过筛网26过滤杂质，以防排液管6出现堵塞状况。
36.在一种晶体加工表面处理装置使用的时候，需要说明的是，本发明为一种晶体加工表面处理装置，包括外箱1、滑轨2、滑块3、万向轮4、阀门5、排液管6、滤网7、中空块8、隔板9、限位板10、提把11、可视窗12、内箱13、挡板14、拉簧15、活动板16、条形口17、磁铁18、活动块19、防滑垫20、垫块21、弹簧22、半圆头23、活动杆24、推板25、筛网26、卡槽27，部件均为通用标准件或本领域技术人员知晓的部件，其结构和原理都为本技术人员均可通过技术手册得知或通过常规实验方法获知。
37.使用时，将足量抛光液加入至外箱1内，并将单个晶体硅片分隔置于隔板9与内箱13所形成的收纳腔内，通过设置有弹簧22和半圆头23，可通过弹簧22给予推板25和活动杆24的作用力，使半圆头23卡位在同侧的卡槽27内，每当取离硅片时，可通过手动上移内箱13，当半圆头23与上侧的卡槽27对位时，弹簧22与半圆头23的配合，可使内箱13临时定位在外箱1上，供给工作人员取离硅片，该方式相较于现有举升方式，提升内箱13举升及下降效率，可一定程度降低硅片取离环节占用时间，如此循环作业，间接提升抛光作业效率，通过设置有限位板10和垫块21，在浸泡抛光硅片时，可通过拉簧15给予活动板16及活动块19作用力，使硅片竖向夹持在限位板10与垫块21之间，在浸泡期间可手动上拉硅片调整硅片夹持部，该种竖向限位方式，避免硅片贴合内箱13内壁或隔板9引起抛光不完全二次浸泡问题，保证浸泡的完全，同时硅片在向上抽离过程中，可经垫块21和限位板10刮除硅片外壁粘附的抛光液，有效避免抛光液的浪费量，且磁铁18的设置，可通过磁铁18对活动板16临时限位，限位板10的右移限位，工作人员可双手投入硅片投放作业中，便于工作人员投放硅片。
38.以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点，对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
39.此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包
含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。